JPH0243248B2 - - Google Patents
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- JPH0243248B2 JPH0243248B2 JP26900384A JP26900384A JPH0243248B2 JP H0243248 B2 JPH0243248 B2 JP H0243248B2 JP 26900384 A JP26900384 A JP 26900384A JP 26900384 A JP26900384 A JP 26900384A JP H0243248 B2 JPH0243248 B2 JP H0243248B2
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 10
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 10
- 238000012045 magnetic resonance elastography Methods 0.000 description 8
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 101100459664 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) NAM8 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録再生装置の高密度化に対応し
た多チヤンネル薄膜磁気ヘツドの配線特に引出し
線の構造に特徴を有する配線装置に関するもので
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a wiring device for a multi-channel thin film magnetic head that is compatible with the increasing density of magnetic recording and reproducing devices, and in particular to a wiring device characterized by the structure of the lead line.
従来の技術
最近磁気記録再生装置においては、記録線密度
及びトラツク密度の著しい向上に伴ない記録再生
ヘツドに薄膜ヘツドが広く使用されつつある。コ
ンピユータ用の磁気テープ装置やコンパクトカセ
ツトテープレコーダにおいては高密度化や高品質
化を目的として多チヤンネルデイジタル記録化が
急速に進んでいる。従つて磁気テープ上の記録密
度は大幅に増大し、磁気ヘツドは狭トラツク、多
チヤンネル化が強く要求されている。これを実現
する薄膜磁気ヘツド技術の向上は近年著しいもの
がある。2. Description of the Related Art Recently, in magnetic recording and reproducing apparatuses, thin film heads have been widely used as recording and reproducing heads due to remarkable improvements in recording linear density and track density. Multichannel digital recording is rapidly progressing in magnetic tape devices for computers and compact cassette tape recorders for the purpose of increasing density and quality. Therefore, the recording density on magnetic tapes has increased significantly, and magnetic heads are strongly required to have narrower tracks and have multiple channels. The thin film magnetic head technology that makes this possible has improved significantly in recent years.
記録ヘツド及び再生ヘツドの多チヤンネル化に
伴ないヘツドチツプ上の配線特に引出し線構造が
重要となつてくる。従来のヘツドチツプ上の配線
パターンでは、チヤンネル間の電気抵抗値に大き
な偏差が生じ、外部回路による補正が必要であ
る。今まで配線に関する最適設計された薄膜磁気
ヘツドの事例はない。 As recording heads and reproducing heads become multichannel, the wiring on the head chip, especially the structure of the lead lines, becomes important. In the conventional wiring pattern on a head chip, a large deviation occurs in the electrical resistance value between channels, which requires correction by an external circuit. To date, there has been no example of a thin film magnetic head that has been optimally designed for wiring.
以下、図面を参照しながら、従来の多チヤンネ
ル薄膜磁気ヘツドの配線装置について説明を行な
う。第5図は従来の多チヤンネル薄膜磁気ヘツド
の配線装置の一例を示すものである。第5図では
再生を目的とした磁気抵抗効果型磁気ヘツド(以
後MRヘツドと呼ぶ)で説明する。第5図におい
て、1は基板であり、Mn−Zn単結晶フエライト
等の強磁性体が使われる。基板1上にはSiO2等
の非磁性絶縁体が付着され、その上に必要な形状
にパターニングされた磁気抵抗効果素子(以後
MREと呼ぶ)2がlチヤンネル分のチヤンネル
21,…,2o-1,2o,…2lだけ配列されている。
MRE2は一軸磁気異方性を有するNi−Fe膜など
の強磁性薄膜から成つている。lチヤンネル分で
全トラツク幅Wとなる。MRE2の各チヤンネル
におけるそれぞれのMREには電極端子3(31,
…,3o-1,3o,…,3l)と4(41,…,4o-1,
4o,…,4l)が形成されている。一点鎖線10
で囲まれた部分は再生ヘツドの磁束センサ部であ
りMRE2と電極端子3,4で構成されている。
電極端子3の各端子31,…3lはそれぞれスルー
ホール5を通じてMRE2及び電極端子3,4と
絶縁されている共通接地線6に接続される。二点
鎖線11で囲まれた部分はワイヤボンデイング用
のパツドエリアで電極端子4のそれぞれと一対を
成して各パツド71,7o-1,7o,…7lの如くパ
ツド7が形成される。このパツド7は基板1上で
トラツク幅方向のほぼ全幅に亘つて一定のピツチ
で整列している。8は磁束センサ部10とパツド
エリア11を連結するAl、Au、Cu等から成るリ
ード配線群81,…,8o-1,8o,…,8lである。
電極端子41とパツド71はリード配線81で連結
されている。他のチヤンネルも同様である。パツ
ドエリア11内の両端部に共通接地線6の両端子
61,62が構成されている。 Hereinafter, a conventional multi-channel thin film magnetic head wiring device will be explained with reference to the drawings. FIG. 5 shows an example of a conventional multi-channel thin film magnetic head wiring device. In FIG. 5, a magnetoresistive magnetic head (hereinafter referred to as an MR head) for the purpose of reproduction will be explained. In FIG. 5, reference numeral 1 denotes a substrate, which is made of a ferromagnetic material such as Mn--Zn single crystal ferrite. A non-magnetic insulator such as SiO 2 is deposited on the substrate 1, and a magnetoresistive element (hereinafter referred to as
(referred to as MRE) 2 are arranged in channels 2 1 , . . . , 2 o-1 , 2 o , . . . 2 l for l channels.
MRE2 consists of a ferromagnetic thin film such as a Ni-Fe film that has uniaxial magnetic anisotropy. The total track width W is equal to one channel. Each MRE in each channel of MRE2 has electrode terminals 3 (3 1 ,
…, 3 o-1 , 3 o , …, 3 l ) and 4 (4 1 , …, 4 o-1 ,
4 o ,..., 4 l ) are formed. dashed line 10
The area surrounded by is the magnetic flux sensor section of the reproducing head, which is composed of the MRE 2 and electrode terminals 3 and 4.
Each terminal 3 1 , . The area surrounded by the two-dot chain line 11 is a pad area for wire bonding, and each pad 7 is formed as a pair with each of the electrode terminals 4, such as pads 7 1 , 7 o-1 , 7 o , . . . 7 l . Ru. The pads 7 are arranged at a constant pitch over almost the entire width of the track in the track width direction on the substrate 1. 8 is a group of lead wirings 8 1 , . . . , 8 o-1 , 8 o , .
The electrode terminal 4 1 and the pad 7 1 are connected by a lead wire 8 1 . The same applies to other channels. Both terminals 6 1 and 6 2 of the common ground line 6 are configured at both ends within the pad area 11 .
以上のように構成された多チヤンネルMRヘツ
ドにおいてその動作を説明する。各チヤンネルの
リード配線8は第5図に示すように電極端子4を
パツド7との間でMRE2に垂直に伸びる直線と、
この直線と角度θ=45度又は135度を有する斜線
で構成されている。各チヤンネルの電極端子4の
線幅はd、パツドの線幅をDを一定とするとリー
ド配線8の直線部及び斜線部の線幅はそれぞれ
d、D/√2となる。リード配線8の直線部と斜
線部との変曲点は各チヤンネルで変化すること、
特に8lは直線部がなく、45度斜線のみでパツド
8lに伸びている。 The operation of the multichannel MR head configured as described above will be explained. The lead wiring 8 of each channel has a straight line extending perpendicularly to the MRE 2 between the electrode terminal 4 and the pad 7, as shown in FIG.
It is composed of a diagonal line having an angle θ=45 degrees or 135 degrees with this straight line. Assuming that the line width of the electrode terminal 4 of each channel is d and the line width of the pad is constant D, the line widths of the straight portion and the diagonal line portion of the lead wire 8 are d and D/√2, respectively. The point of inflection between the straight line part and the diagonal line part of the lead wiring 8 changes in each channel;
In particular, 8l has no straight line, and only a 45 degree diagonal line extends to pad 8l .
発明が解決しようとする問題点
しかしながら高密度記録再生が急速に進む中
で、高密度化対応チヤンネル薄膜磁気ヘツドで
は、ヘツド駆動回路部の簡易化からヘツドチツプ
上で全チヤンネル抵抗の均一化と低電圧駆動が要
請されている。同時に抵抗値に起因する発熱、再
生ノイズを低減する目的から低抵抗化も要求され
る。第5図に示した従来の配線装置では各チヤン
ネル抵抗値の偏差は大きい。この偏差量はリード
配線8の各チヤンネルでの配線パターン形状に起
因する抵抗値偏差のためである。特にリード配線
8の直線領域が長い程チヤンネル抵抗は増大し、
斜線部のみのチヤンネル抵抗との偏差は大きくな
る。Problems to be Solved by the Invention However, as high-density recording/reproduction progresses rapidly, high-density channel thin-film magnetic heads are required to simplify the head drive circuit, make the entire channel resistance uniform on the head chip, and lower the voltage. Drive is required. At the same time, low resistance is also required for the purpose of reducing heat generation and reproduction noise caused by the resistance value. In the conventional wiring device shown in FIG. 5, the deviation of the resistance values of each channel is large. This amount of deviation is due to resistance value deviation caused by the wiring pattern shape in each channel of the lead wiring 8. In particular, the longer the straight line area of the lead wiring 8, the greater the channel resistance.
The deviation from the channel resistance only in the shaded area becomes large.
一例としてトラツクピツチ80μm、電極端子
d8μm、パツド8の線幅D100μm、線間隔20μm、
チヤンネル数20、磁束センサ部10とパツドエリ
ア11との間隔約2.7mmとすると、リード配線8
(81〜820)の最大と最小の抵抗値比は約2倍と
なる。MRヘツドの場合チヤンネル抵抗の不揃い
は、MRE2の外部駆動回路側で均一化のための
チヤンネ補正を余儀なくされ、チヤンネル数が多
い程、均一化は複雑となり、再生出力の変動要因
にもなつている。特に記録ヘツドでは薄膜コイル
供給電流用として低電圧駆動になる程、チヤンネ
ル抵抗偏差値が大きく影響し、偏差値分だけ記録
電流偏差となる。一方MR再生ヘツドではMRE
に定電流のセンス電流が流されるが、従来ではチ
ヤンネル抵抗偏差を吸収するため極めて大きな値
の定電流抵抗素子の挿入が必要であり、かつチヤ
ンネル間の微調整を行なつていた。 As an example, track pitch is 80μm, electrode terminal
d8μm, pad 8 line width D100μm, line spacing 20μm,
Assuming that the number of channels is 20 and the distance between the magnetic flux sensor section 10 and the pad area 11 is approximately 2.7 mm, the lead wiring 8
The maximum to minimum resistance value ratio of (8 1 to 8 20 ) is about twice. In the case of MR heads, uneven channel resistances require channel correction to be made uniform on the external drive circuit side of the MRE2.The greater the number of channels, the more complex equalization becomes, and this becomes a factor in fluctuations in playback output. . In particular, in a recording head, the lower the voltage for thin film coil supply current is driven, the greater the influence of the channel resistance deviation value becomes, and the recording current deviation increases by the deviation value. On the other hand, in the MR playback head, MRE
A constant current sense current is passed through the channel, but in the past, it was necessary to insert a constant current resistance element with an extremely large value in order to absorb the channel resistance deviation, and fine adjustment between channels was required.
本発明は上記問題点に鑑み全チヤンネルのチヤ
ンネル抵抗を均一にし、かつ低抵抗化を図ること
のできる多チヤンネル薄膜磁気ヘツドの配線構造
を提供するものである。 In view of the above-mentioned problems, the present invention provides a wiring structure for a multi-channel thin film magnetic head that can make the channel resistance of all channels uniform and reduce the resistance.
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するための本発明の配線装置
は、再生ヘツドにおけるMRセンサ部又は記録ヘ
ツドの薄膜コイル部とワイヤボンデイングのため
のパツドエリアとを結ぶリード配線のパターン構
成として、リード配線の直線部とこの直線部に対
し一定の傾斜角度を有する斜視部との組合せを基
本とし、上記直線部線幅と斜線部線幅との間にル
ールを設けることである。すなわち一定の傾斜角
度を有する斜線部の線幅をその傾斜角度に応じて
チヤンネルの各抵抗値が同一となるように定める
ものである。全チヤンネルの配線調整は上記の規
則に従つた上で、直線及び斜線の長さをコントロ
ールするものである。かつ低抵抗化は上記構成に
おいて、直線線幅を可能な限り広くすることによ
り実現できる。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the wiring device of the present invention has a lead wiring pattern connecting the MR sensor part in the reproducing head or the thin film coil part in the recording head and the pad area for wire bonding. The structure is based on a combination of a straight line part of the lead wiring and a perspective part having a constant inclination angle with respect to the straight line part, and a rule is provided between the line width of the straight line part and the line width of the diagonal line part. That is, the line width of the diagonal line portion having a constant inclination angle is determined so that each resistance value of the channel becomes the same according to the inclination angle. Wiring adjustment for all channels is performed by controlling the lengths of straight lines and diagonal lines in accordance with the above rules. In addition, lower resistance can be achieved by making the straight line width as wide as possible in the above configuration.
作 用
本発明は上記した構成により、配線パターン形
状のみで、多チヤンネル間のチヤンネル抵抗値を
ほぼ均一にし、低抵抗化を実現でき、外部駆動回
路の簡素化、低電圧駆動化とチヤンネル間での記
録、再生感度のバラツキを押さえること、さらに
MRヘツドでは低抵抗化に伴ない熱ノイズを押さ
えることができる。さらに、配線パターンが直線
部と、その直線部と一定の傾斜角、例えば45度又
は135度を持つ斜線部のみで構成することができ
るので、ホトマスク作成が極めて容易となる。Effects With the above-described configuration, the present invention can make the channel resistance values of multiple channels almost uniform and reduce the resistance using only the wiring pattern shape, simplifying the external drive circuit, lowering the voltage drive, and realizing the low resistance between the channels. In addition to suppressing variations in recording and playback sensitivity,
MR heads can suppress thermal noise due to lower resistance. Furthermore, since the wiring pattern can be composed of only a straight line part and a diagonal line part having a certain angle of inclination to the straight line part, for example, 45 degrees or 135 degrees, it is extremely easy to create a photomask.
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照しな
がら説明する。第4図は本発明の一実施例におけ
る多チヤンネル薄膜磁気ヘツドの配線装置の概略
平面図で、往復記録再生可能な磁気テープ装置に
おいて、磁気テープ90のテープ全幅Tに対し、
全トラツク幅Wなる片面記録再生での記録ヘツド
又は再生ヘツドチツプ上の配線とフレキシブルワ
イヤ60との相対関係を示している。第4図にお
いて、20は基板、30は記録ヘツドでは薄膜コ
イル部、MR再生ヘツドでは磁束センサ部となる
ヘツド先端部、40はワイヤボンデイングのため
のパツドエリア、50は本発明の主要部である薄
膜コイル部又は磁束センサ部30とパツドエリア
40とを連結する引出しリード配線群である。パ
ツドエリア40は基板20上のほぼ全幅に広がつ
ており、各チヤンネルのパツドはフレキシブルワ
イヤ60の導線80と1チヤンネルごとにワイヤ
70でボンデイングされる。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 4 is a schematic plan view of a wiring device for a multi-channel thin film magnetic head according to an embodiment of the present invention.
The relative relationship between the wiring on the recording head or reproducing head chip and the flexible wire 60 in single-sided recording/reproducing with the total track width W is shown. In FIG. 4, 20 is a substrate, 30 is a thin film coil portion in the recording head, the tip of the head is a magnetic flux sensor portion in the MR reproducing head, 40 is a pad area for wire bonding, and 50 is a thin film which is the main part of the present invention. This is a group of lead wires that connect the coil section or magnetic flux sensor section 30 and the pad area 40. The pad area 40 extends over substantially the entire width of the substrate 20, and the pads of each channel are bonded to the conductors 80 of the flexible wire 60 by wires 70 for each channel.
第1図は本発明の一実施例における再生用とし
ての多チヤンネル薄膜磁気ヘツドの配線装置の平
面図を示すものである。20はMn−Zn単結晶フ
エライト、Ni−Znフエライト等の高透磁性の基
板であり、この基板20にはSiO2などの第1絶
縁膜(図示せず)が付着されている。第1絶縁膜
上には共通接地線25が形成されている。共通接
地線25を形成後スルーホール24を形成するよ
うにSiO2などの第2絶縁層(図示せず)を付着
する。第2絶縁層上にチヤンネル数に等しいl個
のMRE21(211,…,21o-1,21o,…,
21l)が必要な形状、ピツチでパターニングさ
れている。22はMRE21の共通接地用の電極
端子で、それぞれMRE211,…,21o-1,2
1o,…,21lに対応して各端子221,…,22
o−1,22o,…,22lが形成され、スルーホール
24を通じて共通接地線25に接続されている。
23(231,…,23o-1,23o,…,23l)
はMRE21の他方の電極端子である。MRE2
1、電極端子22,23により一点鎖線で囲まれ
た磁束センサ部30aを形成している。二点鎖線
で囲まれた領域はパツドエリア40である。パツ
ドエリア40内にはワイヤボンデイングのためチ
ヤンネル数に応じてパツド26(261,…,2
6o-1,26o,…,26l)が配列されている。パ
ツド26は必要に応じて厚膜形成されバンプやビ
ームリード構造とすることもできる。27は電極
端子23とパツド26とを連結するリード配線
で、チヤンネルごとにリード配線27(271,
…,27o-1,27o,…,27l)が形成されてい
る。電極端子22,23及びリード配線27、パ
ツド26はAl、Au、Cuなどの導体薄膜を付着
後、同一プロセスにてパターニング形成される。 FIG. 1 shows a plan view of a wiring device for a multi-channel thin film magnetic head for reproduction in one embodiment of the present invention. 20 is a highly permeable substrate made of Mn--Zn single crystal ferrite, Ni--Zn ferrite, etc., and a first insulating film (not shown) made of SiO 2 or the like is attached to this substrate 20. A common ground line 25 is formed on the first insulating film. After forming the common ground line 25, a second insulating layer (not shown) such as SiO 2 is deposited to form the through hole 24. On the second insulating layer, l MREs 21 (21 1 , ..., 21 o-1 , 21 o , ...,
21 l ) is patterned with the required shape and pitch. 22 is an electrode terminal for common grounding of MRE21, respectively MRE21 1 ,..., 21 o-1 , 2
1 o , ..., 21 l corresponding to each terminal 22 1 , ..., 22
o-1 , 22 o , . . . , 22 l are formed and connected to a common ground line 25 through a through hole 24.
23 (23 1 ,…, 23 o-1 , 23 o ,…, 23 l )
is the other electrode terminal of MRE21. MRE2
1. The electrode terminals 22 and 23 form a magnetic flux sensor section 30a surrounded by a dashed line. The area surrounded by the two-dot chain line is the padded area 40. Within the pad area 40, pads 26 (26 1 ,..., 2
6 o-1 , 26 o , ..., 26 l ) are arranged. The pad 26 can be formed into a thick film to have a bump or beam lead structure, if necessary. 27 is a lead wire connecting the electrode terminal 23 and the pad 26, and the lead wire 27 (27 1 , 27 1 ,
..., 27 o-1 , 27 o , ..., 27 l ) are formed. The electrode terminals 22, 23, lead wires 27, and pads 26 are formed by patterning in the same process after depositing a conductive thin film of Al, Au, Cu, or the like.
以上のように構成された多チヤンネル薄膜磁気
ヘツドの配線装置について説明する。本発明は第
4図に示した如く全チヤンネルのトラツク幅をW
とし、磁束センサ部30aからのリード引出し線
をワイヤボンデイング可能な寸法にまで基板20
のほぼ全幅に広げるに際し、リード配線27の最
適パターン化を図り、全チヤンネルのチヤンネル
抵抗を均一にすることである。 A wiring device for a multi-channel thin film magnetic head constructed as described above will be explained. The present invention reduces the track width of all channels to W as shown in FIG.
Then, the lead wires from the magnetic flux sensor section 30a can be wire bonded to the board 20.
When widening the lead wiring 27 to almost the full width, the lead wiring 27 is patterned optimally to make the channel resistance of all channels uniform.
まず、MRE21は一定のピツチUでl個配列
されており、第1図では電極端子23のMRE2
1の反対側の先端線幅dがそのままリード配線2
7の直線部の線幅となつている。つまり全チヤン
ネルのリード配線27(271,…,27o-1,2
7o,…,27l)の直線線幅はdである。リード
配線27は上記直線部と上記直線部とのなす角θ
が45度又は135度の斜線部とから構成され、直線
部と斜線部との変曲点(例えばチヤンネルn−
1、ではA,B、チヤンネルnではC,D)はチ
ヤンネルごとに一定の差分で直線部の長さ方向で
変化している。斜線部の線幅Sは全チヤンネル同
一である。リード配線27の斜線部とパツド26
との接続状態として例えばn−1,nチヤンネル
のそれぞれ変曲点A,Cを有する側線はリード配
線27の直線部と平行にある線幅Hのパツド26
o−1,26oのそれぞれの一方の延長された側線と
変曲点E,Fで交わる。一方変曲点B,Dを有す
る他方の側線はパツドエリア40まで延びパツド
の他方の側線と交わる。パツド26は線幅H、線
間γでピツチT(=H+γ)で配列されている。
リード配線27は第1チヤンネルの271の如く
斜線部の角度θ=135度を有し、或るチヤンネル
からθは45度に変わる。この変曲チヤンネルは基
板20上で磁束センサ部30aの形成位置、全ト
ラツク幅W、チヤンネル数等で変動する。また、
電極端子23とパツド26間の距離が最も長いチ
ヤンネルのリード配線27(第1図ではリード配
線27l)は配線長を短縮する目的から直線部を
省略しても良い。以上の様な配線構造において全
チヤンネル(第1図の場合lチヤンネル)のチヤ
ンネル抵抗を均一にするためにはリード配線27
の斜線線幅Sをすべてのチヤンネルで直線線幅d
の√2倍とすることである。この時隣接するチヤ
ンネルのリード配線、例えばリード配線27o-1,
27oでの直線、斜線部の変曲点A,C及びB,
Dの直線長さ方向の距離差P,Qは共にT−Uで
ある。但しT,Uはそれぞれパツド26、磁気抵
抗効果素子21の配列ピツチである。またパツド
26の延長された側線とリード配線27の側線と
の交点Eはパツドエリア40からH−2dの距離
にある。 First, l MREs 21 are arranged at a constant pitch U, and in FIG.
The tip line width d on the opposite side of 1 is the same as lead wiring 2.
The line width is the same as that of the straight line part of 7. In other words, the lead wiring 27 (27 1 , ..., 27 o-1 , 2
7 o , ..., 27 l ) has a straight line width of d. The lead wiring 27 has an angle θ between the straight line portion and the straight line portion.
consists of a 45 degree or 135 degree diagonal line, and an inflection point between the straight line and the diagonal line (for example, channel n-
1, A and B, and channel n, C and D) change in the length direction of the straight portion by a constant difference for each channel. The line width S of the hatched portion is the same for all channels. The hatched part of the lead wiring 27 and the pad 26
For example, the side wires having inflection points A and C of the n-1 and n channels, respectively, are connected to pads 26 with a line width H that are parallel to the straight part of the lead wiring 27.
It intersects with the extended side lines of o-1 and 26 o at inflection points E and F, respectively. The other lateral line, which has one inflection point B, D, extends to the pad area 40 and intersects the other lateral line of the pad. The pads 26 are arranged with a line width H, a line spacing γ, and a pitch T (=H+γ).
The lead wiring 27 has an angle θ=135 degrees in the shaded portion as shown in 27 1 of the first channel, and θ changes to 45 degrees from a certain channel. This inflection channel varies depending on the formation position of the magnetic flux sensor portion 30a on the substrate 20, the total track width W, the number of channels, etc. Also,
The straight portion of the lead wire 27 (lead wire 27 l in FIG. 1) of the channel having the longest distance between the electrode terminal 23 and the pad 26 may be omitted for the purpose of shortening the wire length. In the wiring structure as described above, in order to make the channel resistance of all channels (l channel in the case of Fig. 1) uniform, the lead wiring 27
The diagonal line width S is the straight line width d for all channels.
It should be multiplied by √2. At this time, the lead wiring of the adjacent channel, for example, the lead wiring 27 o-1 ,
27 Straight line at o , inflection points A, C and B of the shaded part,
The distance differences P and Q in the straight line length direction of D are both T-U. However, T and U are the arrangement pitches of the pad 26 and the magnetoresistive element 21, respectively. Further, the intersection E between the extended side line of the pad 26 and the side line of the lead wiring 27 is located at a distance of H-2d from the pad area 40.
チヤンネル抵抗値を小さくする目的からリード
配線27の直線線幅を電極端子23の線幅dより
大きいd′とすることで実現できる。この場合斜線
線幅S′はd′の√2倍となる。 This can be achieved by setting the straight line width of the lead wiring 27 to d', which is larger than the line width d of the electrode terminal 23, for the purpose of reducing the channel resistance value. In this case, the diagonal line width S' is √2 times d'.
第2図は本発明の第2の実施例を示すもので、
第1図における共通接線25を基板20上には設
置しないMRE21の両端電極端子28,23の
線幅をdとして一対の形でパツド31,26にそ
れぞれ導いた構成で第n−1、第nチヤンネルを
示したものである。第1図に比べて各チヤンネル
で電極端子28とこれにつながるリード配線29
とその終端部にあるパツド31が変更又は追加さ
れているがリード配線27,29の配線ルールは
第1図の例と同一である。すなわちリード配線2
7,29の斜線線幅Sは共に直線線幅dの√2倍
である。隣接するチヤンネルのリード配線27,
29における変曲点、例えばリード配線29o-1
と29oのA点C点間の距離PはT−Uである。。
但しTはパツドの各チヤンネル間のピツチでこの
場合T=2H+2γであり、Uは磁気抵抗効果素子
21の配列ピツチである。この実施例でもチヤン
ネル抵抗値を小さくする目的からリード配線2
7,29の直線線幅を電極端子23,28の線幅
dより大きいd′とすることで実現でき、斜線線幅
S′はd′の√2倍となる。 FIG. 2 shows a second embodiment of the invention,
The common tangent line 25 in FIG. 1 is guided to the pads 31 and 26 in a pair, with the line width of the electrode terminals 28 and 23 at both ends of the MRE 21 not installed on the substrate 20 being d, respectively. This shows the channel. Compared to FIG. 1, each channel has an electrode terminal 28 and a lead wiring 29 connected thereto.
The wiring rules for the lead wirings 27 and 29 are the same as in the example shown in FIG. 1, although the pad 31 at the end thereof has been changed or added. That is, lead wiring 2
The diagonal line widths S of 7 and 29 are both √2 times the straight line width d. Adjacent channel lead wiring 27,
Inflection point at 29, e.g. lead wire 29 o-1
The distance P between point A and point C in 29 o is T-U. .
However, T is the pitch between each channel of the pad, in this case T=2H+2γ, and U is the arrangement pitch of the magnetoresistive elements 21. In this embodiment, the lead wiring 2 is also used for the purpose of reducing the channel resistance value.
This can be achieved by making the straight line width d' larger than the line width d of the electrode terminals 23 and 28, and the diagonal line width
S′ is √2 times d′.
第3図は本発明の多チヤンネル薄膜磁気ヘツド
の配線装置の第3の実施例を示したものである。
同図において薄膜コイル部30bを除いて第1図
の再生ヘツドと同じであり、同一個所には同一番
号を付してある。薄膜コイル部30は、トラツク
ピツチUで薄膜コイル素子32(321,…,3
2o-1,32o,…,32l)がlチヤンネル形成さ
れている。各チヤンネルの記録ヘツドは下部磁性
層を基板20、上部磁性層を磁気ポール33とし
た両磁性層間に電気的に絶縁された形で導電体の
薄膜コイル素子32が形成されている。予め基板
20上に形成された共通接地線25は共通接地線
25上にある絶縁層に形成されているスルーホー
ル34を通して各チヤンネルの薄膜コイル素子3
2と接続している。 FIG. 3 shows a third embodiment of the wiring device for a multi-channel thin film magnetic head according to the present invention.
In this figure, the read head is the same as the read head in FIG. 1 except for the thin film coil portion 30b, and the same parts are given the same numbers. The thin film coil section 30 has thin film coil elements 32 (32 1 , . . . , 3
2 o-1 , 32 o , . . . , 32 l ) are formed into an l channel. The recording head of each channel has a substrate 20 as the lower magnetic layer and a magnetic pole 33 as the upper magnetic layer, and a conductive thin film coil element 32 is formed in an electrically insulated manner between both magnetic layers. The common ground line 25 formed in advance on the substrate 20 is connected to the thin film coil element 3 of each channel through a through hole 34 formed in an insulating layer on the common ground line 25.
It is connected to 2.
各チヤンネル抵抗均一化のためのリード配線2
7の直線線幅、斜線線幅に対するパターン化は第
1図に示した再生ヘツドの場合と同一である。 Lead wiring 2 for equalizing each channel resistance
The patterning for the straight line width and diagonal line width of 7 is the same as in the case of the reproducing head shown in FIG.
以上のように本実施例によればリード配線の最
適パターン化、つまり45度又は135度斜線線幅を
直線線幅の√2倍とすることにより、マルチチヤ
ンネルの各チヤンネル抵抗を均一にすることがで
きる。また各チヤンネル抵抗、特にリード配線の
抵抗の低減化は、隣接チヤンネルとのスペーシン
グが許される限り、直線線幅を広くすることが可
能である。 As described above, according to this embodiment, the resistance of each channel of the multi-channel can be made uniform by optimal patterning of the lead wiring, that is, by making the width of the diagonal line at 45 degrees or 135 degrees equal to √2 times the width of the straight line. Can be done. Further, by reducing the resistance of each channel, especially the resistance of the lead wiring, it is possible to widen the straight line width as long as the spacing between adjacent channels is allowed.
尚、各実施例において、リード配線の直線部と
斜線部のなす角を45度又は135度、その線幅比を
√2倍としたが、他の角度で行つてもよく、また
この場合、その角度に応じて各チヤンネル抵抗が
均一になるようにその線幅を変えなければならな
いことはいうまでもない。 In each example, the angle formed by the straight line part and the diagonal line part of the lead wiring was set to 45 degrees or 135 degrees, and the line width ratio was set to √2, but other angles may be used, and in this case, Needless to say, the line width must be changed depending on the angle so that the resistance of each channel becomes uniform.
発明の効果
本発明は各チヤンネルの同一パターンで形成さ
れている磁束センサ部又は薄膜コイル部のピツチ
間隔をU、ワイヤボンデイングのためのパツドピ
ツチ間隔をTとし、各チヤンネルの磁束センサと
パツドとを結ぶリード配線パターンをその直線部
と一定の角度傾斜した斜線部とを組み合わせを基
本構成とし、各チヤンネルの直線線幅dを一定に
して、斜線線幅をその傾斜角に応じて設定し、さ
らに直線部と斜線部との変曲点、すなわち直線長
の隣接チヤンネル間の差分をT−Uとしたことに
より、各チヤンネルのリード配線抵抗を均一にす
ることができる。したがつて各チヤンネルへの駆
動電流(MR再生ヘツドではセンス電流、記録ヘ
ツドでは記録電流)は外部駆動回路の補正抵抗素
子を用いることなく一定化が図られる。特に駆動
電圧の低電圧化に有効である。またリード配線の
直線線幅dを隣接トラツクとのスペーシングが実
用的に許容される範囲内で、広くすることにより
低抵抗化を図ることも可能である。低抵抗化によ
り低電圧駆動が図られ特に再生ヘツドでは熱雑音
の低減化に効果を発揮する等数々の効果を得るこ
とができる多チヤンネル薄膜磁気ヘツドを実現で
きるものである。Effects of the Invention The present invention has the pitch spacing of the magnetic flux sensor portion or thin film coil portion formed in the same pattern in each channel as U, the pad pitch spacing for wire bonding as T, and connects the magnetic flux sensor of each channel and the pad. The basic structure of the lead wiring pattern is a combination of a straight line part and a diagonal line part inclined at a certain angle, the straight line width d of each channel is constant, the diagonal line width is set according to the inclination angle, and By setting the inflection point between the part and the shaded part, that is, the difference between adjacent channels in straight line length, to be T-U, the lead wiring resistance of each channel can be made uniform. Therefore, the drive current to each channel (the sense current in the MR read head and the write current in the write head) can be made constant without using a correction resistance element of an external drive circuit. This is particularly effective in reducing drive voltage. It is also possible to reduce the resistance by widening the straight line width d of the lead wiring within a range that allows spacing with adjacent tracks for practical purposes. It is possible to realize a multi-channel thin-film magnetic head that can be driven at a low voltage by reducing the resistance, and that can achieve a number of effects such as reducing thermal noise, especially in the reproduction head.
第1図は本発明の第1の実施例における多チヤ
ンネル薄膜磁気ヘツドの配線装置の平面図、第2
図は同第2の実施例の要部平面図、第3図は同第
3の実施例の平面図、第4図は本発明の説明のた
めの概略平面図、第5図は従来の多チヤンネル薄
膜磁気ヘツドの配線装置の平面図である。
20……基板、21……磁気抵抗効果素子、2
2,23……電極端子、24,34……スルーホ
ール、25……共通接地線、26,31……バン
プ、27……リード配線、30a……磁束センサ
ー部、30b……薄膜コイル部、32……薄膜コ
イル素子、33……磁気ポール、40……パツド
エリア。
1 is a plan view of a wiring device for a multi-channel thin film magnetic head according to a first embodiment of the present invention; FIG.
3 is a plan view of the third embodiment, FIG. 4 is a schematic plan view for explaining the present invention, and FIG. 5 is a plan view of the main part of the second embodiment. FIG. 2 is a plan view of a wiring device for a channel thin film magnetic head. 20... Substrate, 21... Magnetoresistive element, 2
2, 23... Electrode terminal, 24, 34... Through hole, 25... Common ground line, 26, 31... Bump, 27... Lead wiring, 30a... Magnetic flux sensor section, 30b... Thin film coil section, 32... thin film coil element, 33... magnetic pole, 40... padded area.
Claims (1)
トラツク幅に亘つてチヤンネル数に対応して設け
られた磁気抵抗効果素子あるいは薄膜コイル素子
からなる素子部と、上記基板の他方の端縁部には
トラツク幅方向でほぼ基板幅に亘つて上記チヤン
ネル数に応じて設けられたボンデイングパツド部
と、各チヤンネルの上記磁気抵抗効果素子と上記
ボンデイングパツド部とを連結する複数本のリー
ド配線とを有し、上記リード配線の直線部と上記
直線部に対して一定の傾斜角度の斜線部との組合
せで各チヤンネルのリード配線が構成されること
を基本とし、上記直線部分側で上記素子部に、斜
視部側で上記ボンデイングパツド部に接続し、か
つ斜線部の線幅を各チヤンネルの抵抗値が同一と
なるように斜線部の線幅を定めたことを特徴とす
る多チヤンネル薄膜磁気ヘツドの配線装置。1. An element section consisting of magnetoresistive elements or thin film coil elements provided corresponding to the number of channels along the reproduction or recording track width along one edge of the substrate, and the other edge of the substrate. The portion includes bonding pad portions provided in accordance with the number of channels in the track width direction over approximately the width of the substrate, and a plurality of leads connecting the magnetoresistive element of each channel and the bonding pad portion. Basically, the lead wiring of each channel is configured by a combination of a straight part of the lead wiring and a diagonal part having a certain inclination angle with respect to the straight part. A multi-channel channel connected to the bonding pad section on the oblique side of the element section, and wherein the line width of the hatched section is determined so that the resistance value of each channel is the same. Wiring device for thin film magnetic head.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59269003A JPS61145719A (en) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | Multi-channel thin film magnetic head wiring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59269003A JPS61145719A (en) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | Multi-channel thin film magnetic head wiring device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61145719A JPS61145719A (en) | 1986-07-03 |
| JPH0243248B2 true JPH0243248B2 (en) | 1990-09-27 |
Family
ID=17466313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59269003A Granted JPS61145719A (en) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | Multi-channel thin film magnetic head wiring device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61145719A (en) |
-
1984
- 1984-12-19 JP JP59269003A patent/JPS61145719A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61145719A (en) | 1986-07-03 |
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