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JPH0244826B2 - - Google Patents
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JPH0244826B2 - - Google Patents

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JPH0244826B2
JPH0244826B2 JP62011338A JP1133887A JPH0244826B2 JP H0244826 B2 JPH0244826 B2 JP H0244826B2 JP 62011338 A JP62011338 A JP 62011338A JP 1133887 A JP1133887 A JP 1133887A JP H0244826 B2 JPH0244826 B2 JP H0244826B2
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Japan
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benzene
group
film
diethynylbenzene
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JP62011338A
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JPS63179843A (en
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Yukihiro Ikeda
Masaru Ozaki
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
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Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds

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Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

(技術分野) 本発明はレジスト材料、有機半導体、導電材料
等の電子材料として有用な新規ジエチニルベンゼ
ン誘導体化合物に関する。 (産業上の利用分野) ベンゼン環に2個のエチニル基が直接接合して
いるジエチニルベンゼン化合物は、一般に、γ
線、電子線、X線、紫外線、可視光線、赤外線
(熱)等のエネルギー照射に対して極めて高感度
であり、かつエネルギー照射により得られる重合
体は、耐エツチング性に優れるため、電子線レジ
スト、X線レジスト、フオトレジストのようなパ
ターン形成材料、又は乾熱材料として有用であ
る。また、前記のエネルギー照射により得られる
重合体は、C≡C三重結合が開いて共役二重結合
を形成した共役高分子となるため、有機半導体、
導電材料等の電子材料として用いることもでき
る。 又、分子内に適当な数のメチレン基からなる長
鎖状構造のような疎水性構造部分と、アミノ基、
水酸基、カルボキシル基のような親水性構造部分
の両方を兼ねそなえた両親媒体性化合物は、水面
上に単分子膜を形成する。この単分子膜は、ラン
グミユアーブロジエツト法(以下、“LB法”とい
う。また、この方法により製造した膜を“LB膜”
という。)により、適当な基板上に累積し、高配
合性の分子累積膜を形成することができる。 特に本発明のジエチニルベンゼン誘導体化合物
は、分子内に9個以上21個以下のメチレン基から
なる疎止性構造部分と、カルボキシル基のような
親水性構造部分の両方を兼ねそなえた両親媒性分
子であり、LB法により、適当な基板上に累積し、
高配向性の単分子膜又は分子累積膜を形成するこ
とができる。こうして得られる本発明のジエチニ
ルベンゼン誘導体化合物を用いたLB膜は、レジ
ストのようなパターン形成材料や有機半導体、導
電材料などの電子材料、あるいは非線形光学材料
などのオプトエレクトロニクス材料への応用が考
えられ、産業上非常に有用である。 (従来技術及び問題点) これまで、ジエチニルベンゼンまたは一般式
(Technical Field) The present invention relates to a novel diethynylbenzene derivative compound useful as a resist material, an organic semiconductor, an electronic material such as a conductive material, and the like. (Industrial Application Field) Diethynylbenzene compounds, in which two ethynyl groups are directly bonded to the benzene ring, generally have γ
It is highly sensitive to energy irradiation such as beams, electron beams, , X-ray resists, patterning materials such as photoresists, or dry heat materials. In addition, the polymer obtained by the energy irradiation becomes a conjugated polymer in which the C≡C triple bond opens to form a conjugated double bond.
It can also be used as an electronic material such as a conductive material. In addition, a hydrophobic structural part such as a long chain structure consisting of an appropriate number of methylene groups in the molecule, an amino group,
Amphiphilic compounds that have both hydrophilic structural moieties such as hydroxyl groups and carboxyl groups form a monomolecular film on the water surface. This monomolecular film is manufactured using the Langmuir Blosget method (hereinafter referred to as the "LB method").The film produced by this method is also called the "LB film".
That's what it means. ), it is possible to accumulate on a suitable substrate to form a molecular accumulation film with high blendability. In particular, the diethynylbenzene derivative compound of the present invention has an amphiphilic structure that has both a hydrophobic structural part consisting of 9 to 21 methylene groups and a hydrophilic structural part such as a carboxyl group in the molecule. molecules, which are accumulated on a suitable substrate using the LB method,
A highly oriented monomolecular film or a molecular cumulative film can be formed. The LB film using the diethynylbenzene derivative compound of the present invention thus obtained can be applied to pattern forming materials such as resists, electronic materials such as organic semiconductors and conductive materials, and optoelectronic materials such as nonlinear optical materials. and is very useful industrially. (Prior art and problems) Until now, diethynylbenzene or the general formula

【式】(n=1、 2、4、5、6、10)で表される化合物および一
般式
[Formula] Compounds represented by (n=1, 2, 4, 5, 6, 10) and general formula

【式】(Rはメ チル基、シクロヘキシル基またはフエニル基)で
表される化合物はすでに知られている。〔W.
L.01senら、Journal of Bacteriology,137(3),
1443−6(1979);US4536515等)。 ジエチニルベンゼン化合物は、γ線、電子線、
紫外線、可視光線、赤外線(熱)等のエネルギー
照射に対して感受性を有しているが、分子量が小
さいため良質の薄膜の作製が困難であり、また昇
華のため減圧下での取扱いが困難であつた。 ジエチニルベンゼン構造を有する化合物の薄膜
作製にLB法の適用が考えられるが、LB膜作製上
必要は両親媒性を有するジエチニルベンゼン化合
物は知られていない。 (問題を解決するための手段) このような問題点に鑑み、本発明者らは、薄膜
の作製が可能であり、非昇華性のジエチニルベン
ゼン化合物であり、またLB技術に適当可能な両
親媒性化合物であるジエチニルベンゼン化合物を
得るべく鋭意検討を重ねた結果、本発明のジエチ
ニルベンゼン誘導体化合物を得るに至つた。 すなわち、本発明は分子内にジエチニルベンゼ
ン構造、及びメチレン鎖、及び一方の分子末端に
カルボキシル基、他方の分子末端に水素又はアル
キルシリル基を有する下記の一般式で表される新
規なジエチニルベンゼン誘導体化合物に関する。 〔式中のRは水素又は−SiX1X2X3で、X1、X2
X3はそれぞれ独立に水素又は炭素数が1〜7の
アルキル基(ただし、X1、X2、X3がすべて水素
の場合は除く)で、かつnは9以上21以下の整数
である〕 本発明のジエチニルベンゼン誘導体化合物は、
その分子構造特性から、IR吸収スペクトルにお
いて、ベンゼン環のC−H伸縮振動、メチレン基
のC−H伸縮振動、エチニル基のC≡C伸縮振動
がそれぞれ、3000〜3080cm-1、2850〜2960cm-1
2010〜2260cm-1に観測される。また、ベンゼン環
特有の吸収が1600cm-1付近、1500cm-1付近に、ベ
ンゼン環のC−H面外変角振動が690〜860cm-1
に、カルボキシル基のC=O伸縮振動が1700cm-1
付近に観測される。 また、 1H−NMRスペクトルにおいては、ベ
ンゼン環のプロトンが6.9〜7.8ppmに、C≡Cに
隣接するメチレン基のプロトンが2.2〜2.5ppm
に、カルボキシル基に隣接するメチレン基のプロ
トンが2.25〜2.5ppmに、その他のメチレン基の
プロトン0.6〜1.9ppmに観測される。 置換基Rの構造に起因するIR吸収、 1H−
NMRシグナルもそれぞれのスペクトルにおいて
認められる。 本発明のジエチニルベンゼン誘導体化合物の一
般式において、置換基Rは水素又は−SiX1X2X3
であるが、−SiX1X2X3の例として、トリメチル
シリル基、トリエチルシリル基、メチルジエチル
シリル基、トリブチルシリル基、トリヘプチルシ
リル基、ジエチルシリル基等を挙げることができ
る。ただし、Rは水素の場合のジエチニルベンゼ
ン誘導体化合物については、R=−SiX1X2X3
場合の誘導体の脱シリル化反応によつて得ること
ができる。 本発明のジエチニルベンゼン誘導体は、15℃で
固体の両親媒性化合物であり、アセトン、メチル
エチルケトン、エタノール、メタノール、テトラ
ヒドロフラン、ジエチルエーテル、酢酸エチル等
に溶ける。さらに、クロロホルム、ヘキサン、ベ
ンゼン、ヘプタン等の水に溶けない揮発性有機溶
媒にも可溶である。 次に、本発明のジエチニルベンゼン誘導体の合
成法の一例を説明する。まず、合成反応のスキー
ムを以下に示す。 まず、ジエチニルベンゼン(1)〜を、出発原料の一
つとして、グリニヤール法によりジエチニルベン
ゼンの二つのエチニル基を金属ハロゲン化させ、
化合物(2)〜を得る。この化合物(2)〜を、クロロアルキ
ルシランX1X2X3SiCl(X1、X2、X3はそれぞれ独
立に水素又は炭素数1〜7のアルキル基のいずれ
かであり、X1、X2、X3は同時にすべては水素で
はない)と反応させて、ビスアルキルシリル化エ
チニルベンゼン(3)〜 を合成する。 一方、アルケニルアルコー(4)〜CH2=CH−
(CH2o−OH(ただし、nは9以上21以下の整数)
をもう一つの出発原料として、トシルクロリドと
反応させて、アルケニルトシレート(5)〜CH2=CH
−(CH2o−OTs(ただし、nは9以上21以上の整
数、Tsはトシル基)を合成する。上記のビスア
ルキルシリル化エチニルベンゼン(3)〜とアルケニル
トシレート(5)〜を、メチルリチウム等を用いて、一
方のアルキルシリル基を脱シリル化して有機金属
化合物(6)〜とし、アルケニルトシレート(5)〜と反応さ
せることにより、 〔式中のR′は−SiX1X2X3で、X1、X2、X3はそ
れぞれ独立に水素又は炭素数が1〜7のアルキル
基(ただし、X1、X2、X3がすべて水素の場合は
除く)で、かつnは9以上21以下の整数である〕
で表されジエチニルベンゼン誘導体(7)〜を合成する
ことができる。 また、R′が水素の場合の誘導体(7′)〜は、Rが
シリル基−SiX1X2X3の誘導体(7)〜を、R4NF、
KF、RLi等(R″、Rは炭素数が1〜5個の
アルキル基又はフエニル基を表す)の脱シリル化
剤の存在下で脱シリル化させることにより得るこ
とができる。脱シリル化剤としてKFを用いる場
合は、クラウン化合物とともに使用することが好
ましい。次に上記のジエチニルベンゼン誘導体(7)〜
又は(7′)〜ビニル基の部分を、オゾン酸化等によ
り酸化的分解を行い、カルボキシル基にすること
により、本発明のジエチニルベンゼン誘導体化合
物(8)〜又は(8′)〜を得ることができる。 以上、本発明のジエチニルベンゼン誘導体化合
物を与える方法の一例を述べたが、これにより製
造方法を限定するものではない。 (発明の効果) 本発明のジエチニルベンゼン誘導体化合物は、
薄膜形成が可能であり、又非昇華性である。従つ
て、本発明のジエチニルベンゼン誘導体化合物
は、薄膜にすることにより、パターン形成材料、
感熱材料として使用することができ、また重合体
にすることにより、有機半導体、導電材料等の電
子材料として応用することができる。 又、本発明のジエチニルベンゼン誘導体化合物
は、両親媒性化合物であり、LB膜を作製するこ
とにより、パターン形成材料、導電材料のような
電子材料、或いは非線形光学材料のようなオプト
エレクトロニクス材料へ応用することができる。 以下実施例により本発明をさらに詳細に説明す
る。 実施例 1 パラージエチニルベンゼン0.2モルを充分に脱
水したテトラヒドロフラン350mlに溶かし、一78
℃でエチルマグネシウムブロミド0.4モルを添加
して25℃で1時間反応させた。次にこの反応液を
再び−78℃に冷却し、トリメチルシリルクロロリ
ド0.4モルを添加して25℃で2時間反応させ、ビ
ス−(トリメチルシリルエチニル)−ベンゼンを得
た。 またω−ヘプタデセニルアルコール0.04モルを
ピリジン30mlに溶かし、反応容器を氷浴に浸しな
がら、トルエンスルホニルクロリド(トシルクロ
リド)0.045モルを加えて15℃で24時間反応させ
て、ヘプタデセニルトシレートを得た。 次にビス−(トリメチルシリル)−ベンゼン0.01
モルを充分に脱水したテトラヒドロフラン60mlに
溶かし、−78℃でメチルリチウム0.01モルを添加
して25℃で2時間反応させた。この反応液を再び
−78℃に冷却し、ヘキサメチルホスホルアミド35
mlとヘプタデセニルトシレート0.01モルを添加し
て、25℃で1時間反応させた。この反応液に、炭
酸水素ナトリウム飽和水溶液250mlとジエチルエ
ーテル180mlを加えて充分に振盪しエーテル相に
生成物を抽出した。エーテル相を塩化ナトリウ飽
和水溶液で洗浄した後、硫酸マグネシウムで脱水
した。このエーテル溶液を濃縮して白黄色結晶を
得た。GPCによる精製により、1−(18−ノナデ
セン−1−イニル)−4−(トリメチルシリルエチ
ニル)−ベンゼン の白色結晶40mmolを得た。 次に上記の1−(18−ノナデセン−1−イニル)
−4−(トリメチルシリルエチリル)−ベンゼンを
酢酸エチル300mlに溶かし、−10℃に冷却した後オ
ゾンO3を等モル量吹き込んだ、冷媒をはずし、
アルゴンガスを吹き付けて溶媒を蒸散させた後、
残渣物をアセトン60mlに溶かし、反応容器を氷浴
に浸した。この溶液にジヨーンズ(Jones)試薬
を褐色が維持されるまで添加した後、25℃で15分
間撹拌反応させた。反応液に350mlの氷水を加え、
ジエチルエーテルで有機物を抽出した。このエー
テル相を水酸化ナトリウム水溶液とともに振盪
し、水相を分離した。この水相に塩酸水溶液を添
加して酸性にした後、ジエチルエーテルで目的物
を抽出した。エーテル溶液を濃縮して、18−(4
−トリメチルシリルエチニルフエニル)−17−オ
クタデシノイツクアシド の白色結晶34mmolを得た。 この結晶についてIRスペクトル、 1H−NMR
スペクトルを測定し、その構造について調べた。
まず、KBr錠剤法により、IRスペクトルを測定
したところ、ベンゼン環のC−H伸縮振動が3030
cm-1に、メチレン基のC−H伸縮振動が2850、
2930cm-1に、メチル基のC−H伸縮振動が2960cm
-1に、−C≡C−のC≡C伸縮振動が2150cm-1に、
カルボキシル基のC=O伸縮振動が1700cm-1に、
ベンゼン環の骨格振動及びC−H面外変角振動が
それぞれ1500cm-1、840-1に観測された。また、
Si−CH3のメチル基由来の1400cm-1、1250cm-1
Si−C伸縮振動由来の855cm-1の吸収が観測され
た。 次に当該化合物の 1H−NMRスペクトルを重
クロロホルム溶液で測定したところ、ベンゼン環
のプロトンが7.44ppmに、−C≡C−に隣接する
メチレン基のプロトン及びカルボキシル基に隣接
するメチレン基のプロトンがほぼ同じ2.4ppmに、
その他のメチレン基のプロトンが0.6〜1.9ppm
に、トリメチルシリル基のプロトンが1.04ppmに
それぞれ4:4:26:9のシグナル積分強度比で
観測された。 当該化合物は、両親媒性分子であり、クロロホ
ルム溶液を水面上に滴下することにより、安定な
単分子層を形成した。この単分子層をラングミユ
アーブロジエツト法により、SiO2被覆シリコン
ウエハー上に累積させて59層の累積膜を作製し
た。このLB膜をフオトレジスト用のマスクで覆
い、100W低圧水銀灯で1分間露光した後、エタ
ノールで1分間現像した結果、未露光部分のみエ
タノールに溶解し、ネガ型のパターンを形成する
ことができた。 実施例 2 実施例1の方法で得た1−(18−ノナデセン−
1−イニル)−4−(トリメチルシリルエチニル)
−ベンゼンのテトラヒドロフラン溶液に、 (C4H94NFのテトラヒドロフラン溶液を、 (C4H94NFがトリメチルシリル基の25当量と
なるように加えて、25℃で20時間撹拌混合して脱
シリル化反応を行つた。次に、この反応液中に少
量の水を加えて十分に振盪した後エーテル層を分
離した。この操作を繰り返してエーテル層を合わ
せ、濃縮して1−エチニル−4−(18−ノナデセ
ン−1−イニル)−ベンゼン の白色結晶30mmolを得た。 次に上記の1−エチニル−4−(18−ノナデセ
ン−1−イニル)−ベンゼンを酢酸エチル300mlに
溶かし、−10℃に冷却した後オゾンを等モル量吹
き込んだ。冷媒をはずし、アルゴンガスを吹き付
けて溶媒を蒸散させた後、残渣物をアセトン60ml
に溶かし、反応容器を氷浴に浸した。この溶液に
ジヨーンズ試薬を褐色が維持されるまで添加した
後、25℃で15分間撹拌反応させた。反応液に350
mlの氷水を加え、ジエチルエーテルで有機物を抽
出し、このエーテル相を水酸化ナトリウム水溶液
とともに振盪し、水相を分離した。この水相に塩
酸水溶液を添加して酸性にした後、ジエチルエー
テルで目的物を抽出した。エーテル溶液を濃縮し
て、18−(4−エチニルフエニル)−17−オクタデ
シノイツクアシド の白色結晶26mmolを得た。重クロロホルム溶液
で測定した 1H−NMRスペクトルを第1図を示
した。このスペクトルからわかるように、ベンゼ
ン環のプロトンが7.44ppmに、分子末端のエチレ
ン基のプロトンが3.1ppmに、分子内の−C≡C
−に隣接したメチレン基及びカルボキシル基に隣
接したメチレン基のプロトンがほぼ同じ2.4ppm
に、その他のメチレン基のプロトンが0.6〜
1.9ppmに、それぞれ4:1:4:26のシグナル
積分強度比で観測された。 また、KBr錠剤法により測定したIRスペクト
ルを第2図に示した。このスペクトルからわかる
ように、分子未端エチニル基−C≡C−HのC−
H伸縮振動が3300cm-1に、ベンゼン環のC−H伸
縮振動が3030cm-1に、メチレン基のC−H伸縮振
動が2850cm-1、2950cm-1に、カルボキシル基のC
=O伸縮振動が1700cm-1に、ベンゼン環の骨格振
動及びC−H面外変角振動がそれぞれ1500cm-1
840cm-1に観測された。 当該化合物は両親媒性分子であり、クロロホル
ム溶液を水面上に展開することにより、安定な単
分子膜を形成することができた。この単分子膜を
ラングミユアーブロジエツト法により、SiO2
覆シリコンウエハー上に累積させて59層の累積膜
を作製した。 このLB膜をフオトレジスト用のマスクで覆い、
100W低圧水銀灯で1分間露光した後、エタノー
ルで1分間現像した結果、未露光部分のみエタノ
ールに溶解し、ネガ型のパターンを形成すること
ができた。 実施例 3 実施例1において、ω−ヘプタデセニルアルコ
ールの代わりにω−ウンデシレニルアルコールを
用いて同様の反応を行い、まず1−(12−トリデ
セン−1−イニル)−4−トリメチルシリルエチ
ニル)−ベンゼン 46mmolを得た。この化合物を実施例1におい
て、1−(18−ノナデセン−1−イニル)−4−
(トリメチルシリルエチニル)−ベンゼンの代わり
に用いて同様のオゾン酸化を行い、目的物である
12−(4−トリメチルシリルエチニルフエニル)−
11−ドデシノイツクアシド 40mmolを得た。 KBr錠剤法により測定したIRスペクトルから、
ベンゼン環のC−H伸縮振動が3030cm-1に、メチ
レン基のC−H伸縮振動が2850、2930cm-1に、メ
チル基のC−H伸縮振動が2960cm-1に、−C≡C
−のC≡C伸縮振動が2150cm-1に、カルボキシル
基のC=O伸縮振動が1700cm-1に、ベンゼン環の
骨格振動及びC−H面外変角振動がそれぞれ1500
cm-1、840cm-1に観測された。また、Si−CH3
メチル基由来の1400cm-1、1250cm-1、Si−C伸縮
振動由来の855cm-1の吸収が観測された。 1H−
NMRスペクトルから、ベンゼン環のプロトンが
7.44ppmに、−C≡C−に隣接するメチレン基の
プロトン及びカルボキシル基に隣接するメチレン
基のプロトンがほぼ同じ2.4ppmに、その他のメ
チレン基のプロトンが0.6〜1.9ppmに、トリメチ
ルシリル基のプロトンが1.04ppmのそれぞれ4:
4:14:9のシグナル積分強度比で観測された。 当該化合物は、両親媒性分子であり、クロロホ
ルム溶液を水面上に滴下することにより、安定な
単分子層を形成した。この単分子層をLB法によ
り、SiO2被覆シリコンウエハー上に累積させて
59層の累積膜を作製した。 このLB膜をフオトレジスト用のマスクで覆い、
100W低圧水銀灯で1分間露光した後、エタノー
ルで1分間現像した結果、未露光部分のみエタノ
ールに溶解し、ネガ型パターンを形成することが
できた。 実施例 4 実施例2において、1−(18−ノナデセン−1
−イニル)−4−(トリメチルシリルエチニル)−
ベンゼンの代わりに1−(12−トリデセン−1−
イニル)−4−トリメチルシリルエチニル)−ベン
ゼンを用いて同様の反応を行い、1−エチニル−
4−(12−トリデセン−1−イニル)−ベンゼン 34mmolを得た。この化合物を実施例2におい
て、1−エチニル−4−(18−ノナデセン−1−
イニル)−ベンゼンの代わりに用いて同様のオゾ
ン酸化を行い、目的物である12−(4−エチニル
フエニル)−11−ドデシノイツクアシド 30mmolを得た。 このジエチニルベンゼン誘導体カルボン酸を
KBr板に塗布して測定したIRスペクトルを第3
図に示す。このスペクトルからわかるように、ベ
ンゼン環、メチレン基のC−H伸縮振動がそれぞ
れ3030cm-1、2850〜2920cm-1に、分子未端のエチ
ニル基のC−H伸縮振動及び−C≡C−のC≡C
伸縮振動がそれぞれ3300cm-1、2150cm-1に、カル
ボキシル基のC=O伸縮振動が1700cm-1に、ベン
ゼン環の骨格振動及びC−H面外変角振動がそれ
ぞれ1500cm-1、840cm-1に観測された。また、カ
ルボン酸のO−H伸縮振動のブロードな吸収が
2500〜3500cm-1の領域に観測された。 重クロロホルム溶液で測定した 1H−NMRス
ペクトル第4図に示す。このスペクトルからわか
るように、ベンゼン環のプロトンが7.43ppmに、
エチニル基のプロトンが3.1ppmに、C≡Cに隣
接するメチレン基のプロトン及びカルボキシル基
に隣接するメチレン基のプロトンが同じ2.4ppm
に、その他のメチレン基のプロトンが0.8〜
1.8ppmにそれぞれ4:1:4:14のシグナル積
分強度比で観測された。 こうして得られたジエチニルベンゼン誘導体の
カルボン酸を用いて、LB法によりSiO2被覆シリ
コンウエハー上に59層の累積膜を作製した。 このLB膜をフオトレジスト用のマスクで覆い、
100W低圧水銀灯で1分間露光した後、エタノー
ルで1分間現像した結果、未露光部分のみエタノ
ールに溶解し、ネガ型のパターンを形成すること
ができた。 実施例 5 実施例1において、トリメチルシリルクロリド
の代わりにクロロトリエチルシランを用いて同様
の反応を行い、ビス−(トリエチルシリルエチニ
ル)−ベンゼンを得た。この化合物を実施例1に
おいて、ビス−(トリメチルシリルエチニル)−ベ
ンゼンの代わりに用いて同様の反応を行い、1−
(18−ノナデセン−1−イニル)−4−(トリエチ
ルシリルエチニル)−ベンゼンの白色結晶を得た。
この化合物を実施例1において、1−(18−ノナ
デセン−1−イニル)−4−(トリメチルシリルエ
チニル)−ベンゼンの代わりに用いて同様の反応
を行い、18−(4−トリエチルシリルエチニルフ
エニル)−17−オクタデシノイツクアシドの白色
結晶32mmolを得た。 IRスペクトルから、ベンゼン環のC−H伸縮
振動が3030cm-1に、メチレン基のC−H伸縮振動
が2850、2930cm-1に、メチル基のC−H伸縮振動
が2960cm-1に、−C≡C−のC≡C伸縮振動が
2150cm-1に、カルボキシル基のC≡O伸縮振動が
1700cm-1に、ベンゼン環の骨格振動及びC−H面
外変角振動がそれぞれ1500cm-1、840cm-1に観測
された。また、Si−CH2CH3のメチレン基由来の
1408cm-1、1234cm-1、Si−C伸縮振動由来の855
cm-1の吸収が観測された。また、 1H−NMRス
ペクトルから、ベンゼン環のプロトンが7.44ppm
に、−C≡C−に隣接するメチレン基のプロトン
及びカルボキシル基に隣接するメチレン基のプロ
トンがほぼ同じ2.4ppmに、その他のプロトンが
0.6〜1.9ppmに、トリエチルシリル基のメチル基
及びメチレン基のプロトンがそれぞれ0.9ppm、
0.6ppmに、それぞれ、4:4:26:9:6のシ
グナル積分強度比で積測された。 当該化合物は両親媒性分子であり、クロロホル
ム溶液を水面上に展開することにより、安定な単
分子膜を形成することができた。この単分子膜を
LB法によりSiO2被覆シリコンウエハー上に累積
させて59層の累積膜を作製した。 このLB膜をフオトレジスト用のマスクで覆い、
100W低圧水銀灯で1分間露光した後、エタノー
ルで1分間現像した結果、未露光部分のみエタノ
ールに溶解し、ネガ型のパターンを形成すること
ができた。 実施例 6 実施例1において、トリメチルシリルクロリド
の代わりにクロロトリヘプチルシランを用いて同
様の反応を行い、ビス−(トリヘプチルシリルエ
チニル)−ベンゼンを得た。この化合物を実施例
1において、ビス−(トリメチルシリルエチニル)
−ベンゼンの代わりに用いて同様の反応を行い、
1−(18−ノナデセン−1−イニル)−4−(トリ
ヘプチルシリルエチニル)−ベンゼンの白色結晶
を得た。この化合物を実施例1において、1−
(18−ノナデセン−1−イニル)−4−(トリメチ
ルシリルエチニル)−ベンゼンの代わりに用いて
同様の反応を行い、18−(4−トリヘプチルシリ
ルエチニルフエニル)−17−オクタデシノイツク
アシドの白色結晶28mmolを得た。 当該化合物は両親媒性化合物であり、クロロホ
ルム溶液を水面上に展開することにより、安定な
単分子膜を形成することができた。この単分子膜
をLB法によりSiO2被覆シリコンウエハー上に累
積させて39層の累積膜を作製した。 このLB膜をフオトレジスト用のマスクで覆い、
100W低圧水銀灯で1分間露光した後、エタノー
ルで1分間現像した結果、未露光部分のみエタノ
ールに溶解し、ネガ型のパターンを形成すること
ができた。 実施例 7 まず、ω−トリコセノイツクアシドCH2=CH
(CH220−COOHをリチウムアルミニウムハイド
ライドで環元して、ω−トリコセニルアルコール
CH2=CH−(CH221−OHを得た。このω−トリ
コセニルアルコールを、実施例1において、ω−
ヘプタデセニルアルコールの代わりに用いて同様
の反応を行い、まず1−(24−ベンタコセン−1
−イニル)−4−トリメチルシリルエチニル)−ベ
ンゼン 40mmolを得た。この化合物を実施例2におい
て、1−(18−ノナデセン−1−イニル)−4−
(トリメチルシリルエチニル)−ベンゼンの代わり
に用いて、1−エチニル−4−(24−ペンタコセ
ン−1−イニル)−ベンゼン 30mmolを得た。 この化合物を実施例2において、1−エチニル
−4−(18−ノナデセン−1−イニル)ベンゼン
の代わりに用いて、24−(4−エチニルフエニル)
−23−テトラコシノイツクアシド の白色結晶22mmolを得た。 当該化合物は両親媒性化合物であり、クロロホ
ルム溶液を水面上に展開することにより、安定な
単分子膜を形成することができた。この単分子膜
をLB法によりSiO2被覆シリコンウエハー上に累
積させて59層の累積膜を作製した。 このLB膜をフオトレジスト用のマスクで覆い、
100W低圧水銀灯で1分間露光した後、エタノー
ルで1分間現像した結果、未露光部分のみエタノ
ールに溶解し、ネガ型のパターンを形成すること
ができた。
Compounds represented by the formula (R is a methyl group, a cyclohexyl group, or a phenyl group) are already known. [W.
L.01sen et al., Journal of Bacteriology, 137(3),
1443-6 (1979); US4536515, etc.). Diethynylbenzene compounds are resistant to gamma rays, electron beams,
It is sensitive to energy irradiation such as ultraviolet rays, visible light, and infrared rays (heat), but its small molecular weight makes it difficult to produce high-quality thin films, and it is difficult to handle under reduced pressure due to sublimation. It was hot. Although the LB method can be applied to the production of thin films of compounds having a diethynylbenzene structure, there are no known diethynylbenzene compounds that have amphiphilic properties, which are necessary for the production of LB films. (Means for Solving the Problem) In view of these problems, the present inventors have developed a diethynylbenzene compound that can be made into a thin film, is non-sublimable, and is suitable for the LB technology. As a result of intensive studies to obtain a diethynylbenzene compound, which is a medium compound, the diethynylbenzene derivative compound of the present invention was obtained. That is, the present invention provides a novel diethynyl compound represented by the general formula below, which has a diethynylbenzene structure and a methylene chain in the molecule, a carboxyl group at one molecular end, and a hydrogen or alkylsilyl group at the other molecular end. This invention relates to benzene derivative compounds. [R in the formula is hydrogen or -SiX 1 X 2 X 3 , X 1 , X 2 ,
Each of X 3 is independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms (excluding cases where X 1 , X 2 , and X 3 are all hydrogen), and n is an integer of 9 to 21.] The diethynylbenzene derivative compound of the present invention is
Due to its molecular structure characteristics, in the IR absorption spectrum, the C-H stretching vibration of the benzene ring, the C-H stretching vibration of the methylene group, and the C≡C stretching vibration of the ethynyl group are 3000 to 3080 cm -1 and 2850 to 2960 cm - , respectively. 1 ,
Observed from 2010 to 2260 cm -1 . In addition, the absorption peculiar to the benzene ring is around 1600 cm -1 and around 1500 cm -1 , and the C-H out-of-plane bending vibration of the benzene ring is between 690 and 860 cm -1
, the C=O stretching vibration of the carboxyl group is 1700 cm -1
Observed nearby. In addition, in the 1 H-NMR spectrum, the protons of the benzene ring are 6.9 to 7.8 ppm, and the protons of the methylene group adjacent to C≡C are 2.2 to 2.5 ppm.
In addition, protons of methylene groups adjacent to carboxyl groups are observed at 2.25 to 2.5 ppm, and protons of other methylene groups are observed at 0.6 to 1.9 ppm. IR absorption due to the structure of substituent R, 1 H−
NMR signals are also observed in each spectrum. In the general formula of the diethynylbenzene derivative compound of the present invention, the substituent R is hydrogen or -SiX 1 X 2 X 3
However, examples of -SiX 1 X 2 X 3 include trimethylsilyl, triethylsilyl, methyldiethylsilyl, tributylsilyl, triheptylsilyl, diethylsilyl, and the like. However, a diethynylbenzene derivative compound in which R is hydrogen can be obtained by a desilylation reaction of a derivative in which R=-SiX 1 X 2 X 3 . The diethynylbenzene derivative of the present invention is an amphipathic compound that is solid at 15° C. and is soluble in acetone, methyl ethyl ketone, ethanol, methanol, tetrahydrofuran, diethyl ether, ethyl acetate, and the like. Furthermore, it is soluble in volatile organic solvents that are not soluble in water, such as chloroform, hexane, benzene, and heptane. Next, an example of the method for synthesizing the diethynylbenzene derivative of the present invention will be explained. First, a scheme of the synthesis reaction is shown below. First, using diethynylbenzene (1) as one of the starting materials, two ethynyl groups of diethynylbenzene are metal halogenated by the Grignard method,
Compound (2) is obtained. This compound ( 2 ) is converted into chloroalkylsilane X 1 X 2 X 3 SiCl ( X 1 , X 2 and X 3 are not all hydrogen at the same time) to form bisalkylsilylated ethynylbenzene (3) ~ Synthesize. On the other hand, alkenyl alcohol (4) ~ CH 2 = CH−
(CH 2 ) o -OH (where n is an integer between 9 and 21)
is used as another starting material and reacted with tosyl chloride to form alkenyl tosylate (5) ~ CH 2 =CH
-(CH 2 ) o -OTs (where n is an integer of 9 or more and 21 or more, and Ts is a tosyl group) is synthesized. The above bisalkylsilylated ethynylbenzene (3) and alkenyl tosylate (5) are desilylated using methyllithium or the like to form an organometallic compound (6). By reacting with rate (5)~, [R' in the formula is -SiX 1 X 2 X 3 , and X 1 , are all hydrogen), and n is an integer between 9 and 21.]
It is possible to synthesize diethynylbenzene derivatives (7) represented by: Further, the derivative (7') ~ in which R' is hydrogen is a derivative (7) ~ in which R is a silyl group -SiX 1 X 2 X 3 , R 4 NF,
It can be obtained by desilylating KF, RLi, etc. (R", R represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a phenyl group) in the presence of a desilylating agent. Desilylating agent When using KF as a compound, it is preferable to use it together with a crown compound.Next, the above diethynylbenzene derivatives (7) to
Alternatively, the diethynylbenzene derivative compound (8) or (8') of the present invention can be obtained by oxidatively decomposing the vinyl group portion of (7') by ozone oxidation or the like to convert it into a carboxyl group. Can be done. Although an example of the method for producing the diethynylbenzene derivative compound of the present invention has been described above, the production method is not limited thereto. (Effect of the invention) The diethynylbenzene derivative compound of the present invention is
It is possible to form a thin film and is non-sublimable. Therefore, the diethynylbenzene derivative compound of the present invention can be used as a pattern forming material, by forming it into a thin film.
It can be used as a heat-sensitive material, and by making it into a polymer, it can be applied as an electronic material such as an organic semiconductor or a conductive material. Furthermore, the diethynylbenzene derivative compound of the present invention is an amphiphilic compound, and by preparing an LB film, it can be used as a pattern forming material, an electronic material such as a conductive material, or an optoelectronic material such as a nonlinear optical material. It can be applied. The present invention will be explained in more detail with reference to Examples below. Example 1 0.2 mol of p-diethynylbenzene was dissolved in 350 ml of sufficiently dehydrated tetrahydrofuran,
0.4 mol of ethylmagnesium bromide was added at 25° C. and reacted for 1 hour at 25° C. Next, this reaction solution was cooled again to -78°C, 0.4 mol of trimethylsilyl chloride was added, and the mixture was reacted at 25°C for 2 hours to obtain bis-(trimethylsilylethynyl)-benzene. Additionally, 0.04 mol of ω-heptadecenyl alcohol was dissolved in 30 ml of pyridine, and while the reaction vessel was immersed in an ice bath, 0.045 mol of toluenesulfonyl chloride (tosyl chloride) was added and reacted at 15°C for 24 hours to form heptadecenyl toxin. Got the rate. Next, bis-(trimethylsilyl)-benzene 0.01
mol was dissolved in 60 ml of sufficiently dehydrated tetrahydrofuran, 0.01 mol of methyllithium was added at -78°C, and the mixture was reacted at 25°C for 2 hours. The reaction solution was cooled again to -78°C, and hexamethylphosphoramide 35
ml and 0.01 mol of heptadecenyl tosylate were added and reacted at 25°C for 1 hour. To this reaction solution were added 250 ml of a saturated aqueous solution of sodium hydrogen carbonate and 180 ml of diethyl ether, and the mixture was thoroughly shaken to extract the product into the ether phase. The ether phase was washed with a saturated aqueous solution of sodium chloride and then dehydrated with magnesium sulfate. This ether solution was concentrated to give white yellow crystals. Purification by GPC yielded 1-(18-nonadecen-1-ynyl)-4-(trimethylsilylethynyl)-benzene. 40 mmol of white crystals were obtained. Next, the above 1-(18-nonadecen-1-ynyl)
-4-(trimethylsilylethylyl)-benzene was dissolved in 300 ml of ethyl acetate, cooled to -10°C, and an equimolar amount of ozone O 3 was blown in. The refrigerant was removed.
After evaporating the solvent by blowing argon gas,
The residue was dissolved in 60 ml of acetone and the reaction vessel was immersed in an ice bath. Jones reagent was added to this solution until the brown color was maintained, and the mixture was stirred and reacted at 25° C. for 15 minutes. Add 350ml of ice water to the reaction solution,
Organic matter was extracted with diethyl ether. This ether phase was shaken with an aqueous sodium hydroxide solution and the aqueous phase was separated. After making the aqueous phase acidic by adding an aqueous hydrochloric acid solution, the target product was extracted with diethyl ether. Concentrate the ether solution to give 18-(4
-trimethylsilylethynylphenyl)-17-octadecinoic acid 34 mmol of white crystals were obtained. IR spectrum, 1 H-NMR of this crystal
We measured its spectrum and investigated its structure.
First, when we measured the IR spectrum using the KBr tablet method, we found that the C-H stretching vibration of the benzene ring was 3030
cm -1 , the C-H stretching vibration of the methylene group is 2850,
At 2930cm -1 , the C-H stretching vibration of the methyl group is at 2960cm
-1 , the C≡C stretching vibration of -C≡C- becomes 2150 cm -1 ,
The C=O stretching vibration of the carboxyl group is 1700 cm -1 ,
Skeletal vibration and C-H out-of-plane bending vibration of the benzene ring were observed at 1500 cm -1 and 840 cm -1 , respectively. Also,
1400 cm -1 , 1250 cm -1 derived from the methyl group of Si-CH 3 ,
Absorption at 855 cm -1 derived from Si-C stretching vibration was observed. Next, when the 1 H-NMR spectrum of the compound was measured in a deuterated chloroform solution, the protons of the benzene ring were 7.44 ppm, the protons of the methylene group adjacent to -C≡C-, and the protons of the methylene group adjacent to the carboxyl group. is almost the same at 2.4ppm,
Other methylene group protons are 0.6 to 1.9 ppm
In addition, protons of the trimethylsilyl group were observed at 1.04 ppm with a signal integrated intensity ratio of 4:4:26:9, respectively. The compound is an amphiphilic molecule, and a stable monolayer was formed by dropping a chloroform solution onto the water surface. This monomolecular layer was deposited on a SiO 2 -coated silicon wafer by the Langmuir blodget method to produce a 59-layer cumulative film. This LB film was covered with a photoresist mask, exposed for 1 minute with a 100W low-pressure mercury lamp, and then developed with ethanol for 1 minute. As a result, only the unexposed areas were dissolved in ethanol, and a negative pattern was formed. . Example 2 1-(18-nonadecene- obtained by the method of Example 1)
1-ynyl)-4-(trimethylsilylethynyl)
- A solution of (C 4 H 9 ) 4 NF in tetrahydrofuran was added to a solution of benzene in tetrahydrofuran so that (C 4 H 9 ) 4 NF was 25 equivalents of the trimethylsilyl group, and the mixture was stirred and mixed at 25°C for 20 hours. A desilylation reaction was performed. Next, a small amount of water was added to this reaction solution, and after thorough shaking, the ether layer was separated. Repeat this operation to combine the ether layers and concentrate to obtain 1-ethynyl-4-(18-nonadecen-1-ynyl)-benzene. 30 mmol of white crystals were obtained. Next, the above 1-ethynyl-4-(18-nonadecen-1-ynyl)-benzene was dissolved in 300 ml of ethyl acetate, and after cooling to -10°C, an equimolar amount of ozone was blown into the solution. Remove the refrigerant, evaporate the solvent by blowing argon gas, and remove the residue with 60ml of acetone.
The reaction vessel was immersed in an ice bath. John's reagent was added to this solution until the brown color was maintained, and the mixture was stirred and reacted at 25° C. for 15 minutes. 350 to the reaction solution
ml of ice water was added, organic matter was extracted with diethyl ether, the ether phase was shaken with an aqueous sodium hydroxide solution, and the aqueous phase was separated. After making the aqueous phase acidic by adding an aqueous hydrochloric acid solution, the target product was extracted with diethyl ether. Concentrate the ether solution to obtain 18-(4-ethynyl phenyl)-17-octadecinoic acid. 26 mmol of white crystals were obtained. Figure 1 shows the 1 H-NMR spectrum measured with a deuterated chloroform solution. As can be seen from this spectrum, the proton of the benzene ring is at 7.44 ppm, the proton of the ethylene group at the end of the molecule is at 3.1 ppm, and -C≡C in the molecule.
The protons of the methylene group adjacent to - and the methylene group adjacent to carboxyl group are almost the same 2.4ppm
In addition, the protons of other methylene groups are 0.6~
1.9 ppm, respectively, with a signal integrated intensity ratio of 4:1:4:26. Moreover, the IR spectrum measured by the KBr tablet method is shown in FIG. As can be seen from this spectrum, C- of the terminal ethynyl group -C≡C-H
The H stretching vibration is at 3300 cm -1 , the C-H stretching vibration of the benzene ring is at 3030 cm -1 , the C-H stretching vibration of the methylene group is at 2850 cm -1 and 2950 cm -1 , and the C-H stretching vibration of the carboxyl group is at 3030 cm -1 .
= O stretching vibration is 1700 cm -1 , benzene ring skeleton vibration and C-H out-of-plane bending vibration are each 1500 cm -1 ,
It was observed at 840cm -1 . The compound is an amphipathic molecule, and a stable monomolecular film could be formed by spreading a chloroform solution on the water surface. This monomolecular film was deposited on a SiO 2 -coated silicon wafer by the Langmuir blodget method to produce a 59-layer cumulative film. Cover this LB film with a photoresist mask,
After exposure for 1 minute with a 100W low-pressure mercury lamp, the film was developed with ethanol for 1 minute. As a result, only the unexposed areas were dissolved in ethanol, and a negative pattern could be formed. Example 3 A similar reaction was carried out in Example 1 using ω-undecylenyl alcohol instead of ω-heptadecenyl alcohol, and first 1-(12-tridecen-1-ynyl)-4-trimethylsilylethynyl ) - benzene Obtained 46 mmol. This compound was used in Example 1 as 1-(18-nonadecen-1-ynyl)-4-
Similar ozone oxidation was performed using (trimethylsilylethynyl)-benzene to obtain the desired product.
12-(4-trimethylsilylethynylphenyl)-
11-Dodecinoic acid Obtained 40 mmol. From the IR spectrum measured by the KBr tablet method,
The C-H stretching vibration of the benzene ring is at 3030 cm -1 , the C-H stretching vibration of the methylene group is at 2850 and 2930 cm -1 , the C-H stretching vibration of the methyl group is at 2960 cm -1 , -C≡C
The C≡C stretching vibration of - is 2150 cm -1 , the C=O stretching vibration of the carboxyl group is 1700 cm -1 , and the skeletal vibration and C-H out-of-plane bending vibration of the benzene ring are each 1500 cm -1.
cm -1 , observed at 840 cm -1 . In addition, absorptions at 1400 cm -1 and 1250 cm -1 derived from the methyl group of Si-CH 3 and at 855 cm -1 derived from Si-C stretching vibration were observed. 1 H−
From the NMR spectrum, the protons of the benzene ring are
The protons of the methylene group adjacent to -C≡C- and the protons of the methylene group adjacent to the carboxyl group are approximately the same at 7.44ppm, the protons of other methylene groups are 0.6 to 1.9ppm, and the protons of the trimethylsilyl group are approximately the same. is 1.04ppm each 4:
It was observed with a signal integrated intensity ratio of 4:14:9. The compound is an amphiphilic molecule, and a stable monolayer was formed by dropping a chloroform solution onto the water surface. This monolayer was deposited on a SiO 2 coated silicon wafer using the LB method.
A cumulative film of 59 layers was fabricated. Cover this LB film with a photoresist mask,
After exposure with a 100W low-pressure mercury lamp for 1 minute, the film was developed with ethanol for 1 minute. As a result, only the unexposed areas were dissolved in ethanol, and a negative pattern could be formed. Example 4 In Example 2, 1-(18-nonadecene-1
-ynyl)-4-(trimethylsilylethynyl)-
1-(12-tridecene-1-
A similar reaction was carried out using 1-ethynyl)-4-trimethylsilylethynyl)-benzene, and 1-ethynyl-
4-(12-tridecen-1-ynyl)-benzene Obtained 34 mmol. This compound was used in Example 2 as 1-ethynyl-4-(18-nonadecene-1-
Similar ozone oxidation was carried out using instead of (enyl)-benzene, and the target product, 12-(4-ethynyl phenyl)-11-dodecinoic acid, was obtained. Obtained 30 mmol. This diethynylbenzene derivative carboxylic acid
The IR spectrum measured by coating on the KBr plate was
As shown in the figure. As can be seen from this spectrum, the C-H stretching vibrations of the benzene ring and methylene group are at 3030 cm -1 and 2850 to 2920 cm -1 , respectively, the C-H stretching vibration of the ethynyl group at the end of the molecule, and the -C≡C- C≡C
The stretching vibrations are 3300 cm -1 and 2150 cm -1 , respectively, the C=O stretching vibration of the carboxyl group is 1700 cm -1 , and the skeletal vibration and C-H out-of-plane bending vibration of the benzene ring are 1500 cm -1 and 840 cm -1, respectively. was observed. In addition, broad absorption of O-H stretching vibration of carboxylic acid
It was observed in the region of 2500 to 3500 cm -1 . Figure 4 shows the 1 H-NMR spectrum measured with a deuterated chloroform solution. As can be seen from this spectrum, the protons of the benzene ring are at 7.43 ppm,
The proton of the ethynyl group is 3.1 ppm, and the proton of the methylene group adjacent to C≡C and the proton of the methylene group adjacent to the carboxyl group are the same 2.4 ppm.
In addition, the protons of other methylene groups are 0.8~
The signals were observed at a signal integrated intensity ratio of 4:1:4:14 at 1.8 ppm, respectively. Using the thus obtained diethynylbenzene derivative carboxylic acid, a 59-layer cumulative film was fabricated on a SiO 2 -coated silicon wafer by the LB method. Cover this LB film with a photoresist mask,
After exposure for 1 minute with a 100W low-pressure mercury lamp, the film was developed with ethanol for 1 minute. As a result, only the unexposed areas were dissolved in ethanol, and a negative pattern could be formed. Example 5 The same reaction as in Example 1 was carried out using chlorotriethylsilane instead of trimethylsilyl chloride to obtain bis-(triethylsilylethynyl)-benzene. A similar reaction was carried out in Example 1 using this compound in place of bis-(trimethylsilylethynyl)-benzene, and 1-
White crystals of (18-nonadecen-1-ynyl)-4-(triethylsilylethynyl)-benzene were obtained.
A similar reaction was carried out in Example 1 using this compound in place of 1-(18-nonadecen-1-ynyl)-4-(trimethylsilylethynyl)-benzene, resulting in 18-(4-triethylsilylethynylphenyl). 32 mmol of white crystals of -17-octadecinoic acid was obtained. From the IR spectrum, the C-H stretching vibration of the benzene ring is at 3030 cm -1 , the C-H stretching vibration of the methylene group is at 2850 and 2930 cm -1 , the C-H stretching vibration of the methyl group is at 2960 cm -1 , and -C The C≡C stretching vibration of ≡C-
At 2150 cm -1 , the C≡O stretching vibration of the carboxyl group
At 1700 cm -1 , skeletal vibration of the benzene ring and C-H out-of-plane bending vibration were observed at 1500 cm -1 and 840 cm -1 , respectively. In addition, the methylene group derived from Si-CH 2 CH 3
1408cm -1 , 1234cm -1 , 855 derived from Si-C stretching vibration
Absorption at cm -1 was observed. Also, from the 1 H-NMR spectrum, the proton of the benzene ring was 7.44 ppm.
The protons of the methylene group adjacent to -C≡C- and the protons of the methylene group adjacent to the carboxyl group are approximately the same at 2.4 ppm, and the other protons are
The protons of the methyl group and methylene group of the triethylsilyl group are 0.9 ppm and 0.6 to 1.9 ppm, respectively.
The integrated signal intensity ratio was 0.6 ppm and 4:4:26:9:6. The compound is an amphipathic molecule, and a stable monomolecular film could be formed by spreading a chloroform solution on the water surface. This monolayer
A 59-layer cumulative film was fabricated on a SiO 2 -coated silicon wafer using the LB method. Cover this LB film with a photoresist mask,
After exposure for 1 minute with a 100W low-pressure mercury lamp, the film was developed with ethanol for 1 minute. As a result, only the unexposed areas were dissolved in ethanol, and a negative pattern could be formed. Example 6 The same reaction as in Example 1 was carried out using chlorotriheptylsilane instead of trimethylsilyl chloride to obtain bis-(triheptylsilylethynyl)-benzene. This compound was used in Example 1 as bis-(trimethylsilylethynyl)
- Carry out a similar reaction using instead of benzene,
White crystals of 1-(18-nonadecen-1-ynyl)-4-(triheptylsilylethynyl)-benzene were obtained. In Example 1, this compound was used as 1-
A similar reaction was carried out using (18-nonadecen-1-ynyl)-4-(trimethylsilylethynyl)-benzene instead of 18-(4-triheptylsilylethynylphenyl)-17-octadecinoitsquaside. 28 mmol of white crystals were obtained. The compound is an amphiphilic compound, and a stable monomolecular film could be formed by spreading a chloroform solution on the water surface. This monomolecular film was accumulated on a SiO 2 -coated silicon wafer by the LB method to produce a 39-layer cumulative film. Cover this LB film with a photoresist mask,
After exposure for 1 minute with a 100W low-pressure mercury lamp, the film was developed with ethanol for 1 minute. As a result, only the unexposed areas were dissolved in ethanol, and a negative pattern could be formed. Example 7 First, ω-tricosenoic acid CH 2 =CH
( CH2 ) 20 -COOH is cyclized with lithium aluminum hydride to produce ω-tricosenyl alcohol.
CH2 =CH-( CH2 ) 21 -OH was obtained. In Example 1, this ω-tricosenyl alcohol was
A similar reaction was carried out using heptadecenyl alcohol instead of 1-(24-bentacocene-1).
-ynyl)-4-trimethylsilylethynyl)-benzene Obtained 40 mmol. This compound was used in Example 2 as 1-(18-nonadecen-1-ynyl)-4-
(trimethylsilylethynyl)-benzene, 1-ethynyl-4-(24-pentacocen-1-ynyl)-benzene Obtained 30 mmol. This compound was used in Example 2 instead of 1-ethynyl-4-(18-nonadecen-1-ynyl)benzene, and 24-(4-ethynyl phenyl)
−23-tetrachosinoitsuquaside 22 mmol of white crystals were obtained. The compound is an amphiphilic compound, and a stable monomolecular film could be formed by spreading a chloroform solution on the water surface. This monomolecular film was accumulated on a SiO 2 -coated silicon wafer by the LB method to produce a 59-layer cumulative film. Cover this LB film with a photoresist mask,
After exposure for 1 minute with a 100W low-pressure mercury lamp, the film was developed with ethanol for 1 minute. As a result, only the unexposed areas were dissolved in ethanol, and a negative pattern could be formed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は重クロロホルム溶液中で測定した18−
(4−エチニルフエニル)−17−オクタデシノイツ
クアシドの 1H−NMRスペクトル、第2図は
KBr錠剤法により測定した18−(4−エチニルフ
エニル)−17−オクタデシノイツクアシドのIRス
ペクトル、第3図はKBr板に塗布して測定した
12−(4−エチニルフエニル)−11−ドデシノイツ
クアシドのIRスペクトル、第4図は重クロロホ
ルム溶液で測定した12−(4−エチニルフエニル)
−11−ドデシノイツクアシドの 1H−NMRスペ
クトルである。
Figure 1 shows 18− measured in deuterated chloroform solution.
1 H-NMR spectrum of (4-ethynyl phenyl)-17-octadecinoic acid, Figure 2 is
IR spectrum of 18-(4-ethynylphenyl)-17-octadecinoic acid measured by the KBr tablet method. Figure 3 shows the IR spectrum measured by coating it on a KBr plate.
IR spectrum of 12-(4-ethynyl phenyl)-11-dodecinoic acid, Figure 4 shows 12-(4-ethynyl phenyl) measured in deuterated chloroform solution.
1 H-NMR spectrum of -11-dodecinoic acid.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中のRは水素又は−SiX1X2X3でX1、X2
X3はそれぞれ独立に水素又は炭素数が1〜7の
アルキル基(ただし、X1、X2、X3がすべて水素
の場合は除く)で、かつnは9以上21以下の整数
である〕で表されるジエチニルベンゼン誘導体化
合物。
[Claims] 1. General formula [R in the formula is hydrogen or -SiX 1 X 2 X 3 and X 1 , X 2 ,
Each of X 3 is independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms (excluding cases where X 1 , X 2 , and X 3 are all hydrogen), and n is an integer of 9 to 21.] A diethynylbenzene derivative compound represented by
JP62011338A 1987-01-22 1987-01-22 Diethynylbenzene derivative compound Granted JPS63179843A (en)

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