JPH0247746B2 - Reezaakirokusochi - Google Patents
ReezaakirokusochiInfo
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- JPH0247746B2 JPH0247746B2 JP17415981A JP17415981A JPH0247746B2 JP H0247746 B2 JPH0247746 B2 JP H0247746B2 JP 17415981 A JP17415981 A JP 17415981A JP 17415981 A JP17415981 A JP 17415981A JP H0247746 B2 JPH0247746 B2 JP H0247746B2
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- JP
- Japan
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- photodetector
- semiconductor laser
- output
- laser
- output signal
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
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- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/22—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20
- G03G15/32—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 in which the charge pattern is formed dotwise, e.g. by a thermal head
- G03G15/326—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 in which the charge pattern is formed dotwise, e.g. by a thermal head by application of light, e.g. using a LED array
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
- G03G15/04036—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors
- G03G15/04045—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers
- G03G15/04072—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers by laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Laser Beam Printer (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザーを光源として用いるレ
ーザー記録装置に関する。
ーザー記録装置に関する。
第１図はレーザー記録装置の一例における光学
系を示す。半導体レーザー１から出射されたレー
ザー光はカプリングレンズ２、ビーム整形光学系
３、ミラー４，５及び補正光学系６を経由して回
転多面鏡等の光偏向器７により等角度で偏向さ
れ、ｆ―θレンズ８により等速度変更に直され
て、回転している感光体９上を主走査し、これを
感光して情報を書き込む。この情報は周知の如く
複写処理部で現像されて記録紙に転写される。情
報書き込みタイミング検出用の光検出器１０は感
光体ドラム９の近傍に配置されていてｆ―θレン
ズ８からのレーザー光を検出し、この光検出器１
０からの信号が二値化されてその二値化信号に同
期して半導体レーザー１が一主走査線分の情報信
号により変調回路で変調される。
系を示す。半導体レーザー１から出射されたレー
ザー光はカプリングレンズ２、ビーム整形光学系
３、ミラー４，５及び補正光学系６を経由して回
転多面鏡等の光偏向器７により等角度で偏向さ
れ、ｆ―θレンズ８により等速度変更に直され
て、回転している感光体９上を主走査し、これを
感光して情報を書き込む。この情報は周知の如く
複写処理部で現像されて記録紙に転写される。情
報書き込みタイミング検出用の光検出器１０は感
光体ドラム９の近傍に配置されていてｆ―θレン
ズ８からのレーザー光を検出し、この光検出器１
０からの信号が二値化されてその二値化信号に同
期して半導体レーザー１が一主走査線分の情報信
号により変調回路で変調される。
第２図は半導体レーザーの光出力を制御する一
般的な出力制御回路を示す。半導体レーザー１の
背後より出射されるモニター光は光検出器１１で
検出され、その出力信号は増幅器１２で増幅され
て誤差増幅器１３で基準電圧と比較される。この
誤差増幅器１３の出力信号はローパスフイルタ１
４で高域成分が除去されて駆動回路１５に入力さ
れ、負帰還ループが構成されている。半導体レー
ザー１は駆動回路１５により駆動されて増幅器１
２の出力が常に基準電圧と等しくなるように光出
力が制御される。
般的な出力制御回路を示す。半導体レーザー１の
背後より出射されるモニター光は光検出器１１で
検出され、その出力信号は増幅器１２で増幅され
て誤差増幅器１３で基準電圧と比較される。この
誤差増幅器１３の出力信号はローパスフイルタ１
４で高域成分が除去されて駆動回路１５に入力さ
れ、負帰還ループが構成されている。半導体レー
ザー１は駆動回路１５により駆動されて増幅器１
２の出力が常に基準電圧と等しくなるように光出
力が制御される。
上記レーザー記録装置においては実際の記録画
像品質より光量不足が判断された時に又は定期的
にミラー、レンズ等の光学部品の掃除を行なつて
いる。しかし記録画像品質より光量不足を判断す
る場合例えば記録画像の濃度低下は光量の低下以
外に複写処理部の不具合によつても生じるので、
光量不足の判断が困難である。また光学系の汚れ
で感光体ドラムへの光量が低下している時に半導
体レーザーの光量をむやみに多くして正常な画像
を得ようとすると、半導体レーザーを破壊する恐
れがある。さらに回転多面鏡の一面のみの汚れ等
によりその反射率が低下すると、光検出器１０の
出力が低下して二値化のスレツシユホールドレベ
ルに立上がるタイミングが遅れ、情報書き込みタ
イミングが遅れて記録画像にジツターが含まれる
ことになる。このジツターは回転多面鏡の回転ム
ラ等によつても生ずるからその原因がわかりにく
い。
像品質より光量不足が判断された時に又は定期的
にミラー、レンズ等の光学部品の掃除を行なつて
いる。しかし記録画像品質より光量不足を判断す
る場合例えば記録画像の濃度低下は光量の低下以
外に複写処理部の不具合によつても生じるので、
光量不足の判断が困難である。また光学系の汚れ
で感光体ドラムへの光量が低下している時に半導
体レーザーの光量をむやみに多くして正常な画像
を得ようとすると、半導体レーザーを破壊する恐
れがある。さらに回転多面鏡の一面のみの汚れ等
によりその反射率が低下すると、光検出器１０の
出力が低下して二値化のスレツシユホールドレベ
ルに立上がるタイミングが遅れ、情報書き込みタ
イミングが遅れて記録画像にジツターが含まれる
ことになる。このジツターは回転多面鏡の回転ム
ラ等によつても生ずるからその原因がわかりにく
い。
本発明はこのような事情に鑑み、光学系の不良
を検出して表示することによりその処理を容易か
つ適確に行えるようにしたレーザー記録装置を提
供することを目的とする。
を検出して表示することによりその処理を容易か
つ適確に行えるようにしたレーザー記録装置を提
供することを目的とする。
以下図面を参照しながら本発明について実施例
をあげて説明する。
をあげて説明する。
本発明の実施例は上記レーザー記録装置におい
て光学系の汚れ等により光検出器１０，１１の出
力差が所定の値以上になつた時にそれを検出して
表示するようにしたものである。第３図はこの実
施例における光出力制御回路、情報書き込みタイ
ミング検出回路及び光学系不良検出表示回路を示
す。半導体レーザーの後方より出射されたモニタ
ー光は光検出器１１に直接に入射し、この光検出
器１１から第４図１に示すような信号が出力され
る。この信号は増幅器１２で増幅され、ピークホ
ールド回路１６で最大値が検出されて保持され
る。このピークホールド回路１６の出力信号は第
４図２に示すような波形となり、誤差増幅器１３
において基準電圧と比較されてその差分が増幅さ
れる。誤差増幅器１３の出力信号はローパスフイ
ルタ１４で高域成分が除去されて駆動回路１５に
フイードバツクされ、半導体レーザー１の電源が
制御される。従つて半導体レーザー１の光出力は
ピークホールド回路１６の出力と基準電圧が常に
等しくなるように制御される。
て光学系の汚れ等により光検出器１０，１１の出
力差が所定の値以上になつた時にそれを検出して
表示するようにしたものである。第３図はこの実
施例における光出力制御回路、情報書き込みタイ
ミング検出回路及び光学系不良検出表示回路を示
す。半導体レーザーの後方より出射されたモニタ
ー光は光検出器１１に直接に入射し、この光検出
器１１から第４図１に示すような信号が出力され
る。この信号は増幅器１２で増幅され、ピークホ
ールド回路１６で最大値が検出されて保持され
る。このピークホールド回路１６の出力信号は第
４図２に示すような波形となり、誤差増幅器１３
において基準電圧と比較されてその差分が増幅さ
れる。誤差増幅器１３の出力信号はローパスフイ
ルタ１４で高域成分が除去されて駆動回路１５に
フイードバツクされ、半導体レーザー１の電源が
制御される。従つて半導体レーザー１の光出力は
ピークホールド回路１６の出力と基準電圧が常に
等しくなるように制御される。
一方、情報書き込みタイミング検出用の光検出
器１０は光偏向器７によりレーザービームが走査
される毎にレーザービームが入射し、その出力信
号は増幅器１７で増幅されて第４図３に示すよう
になる。増幅器１７の出力信号は二値化回路１８
により二値化されて第４図４に示すような同期信
号となり、この同期信号に同期して半導体レーザ
ー１が一主走査線分の情報信号により変調回路で
変調される。また二値化回路１８の出力信号は波
形整形回路１９で波形整形されて第４図５に示す
ようなパルスとなり、サンプリングホールド回路
２０は増幅器１７の出力信号を波形整形回路１９
からのパルスによりサンプリングして保持して第
４図６に示すような波形とする。サンプリングホ
ールド回路２０の出力信号は比較器２１において
ピークホールド回路１６の出力信号と比較され
る。表示部は比較器２１の出力信号が所定の値以
上になつたときに動作し、光学系の汚れ等による
不良を表示する。
器１０は光偏向器７によりレーザービームが走査
される毎にレーザービームが入射し、その出力信
号は増幅器１７で増幅されて第４図３に示すよう
になる。増幅器１７の出力信号は二値化回路１８
により二値化されて第４図４に示すような同期信
号となり、この同期信号に同期して半導体レーザ
ー１が一主走査線分の情報信号により変調回路で
変調される。また二値化回路１８の出力信号は波
形整形回路１９で波形整形されて第４図５に示す
ようなパルスとなり、サンプリングホールド回路
２０は増幅器１７の出力信号を波形整形回路１９
からのパルスによりサンプリングして保持して第
４図６に示すような波形とする。サンプリングホ
ールド回路２０の出力信号は比較器２１において
ピークホールド回路１６の出力信号と比較され
る。表示部は比較器２１の出力信号が所定の値以
上になつたときに動作し、光学系の汚れ等による
不良を表示する。
以上のように本発明によればレーザー記録装置
において情報書き込みタイミング検出用光検出器
の出力信号と光出力制御用光検出器の出力信号と
の差が所定の値以上になつた時に光学系の汚れ等
の不良を表示するようにしたので、光学系の汚れ
等による不具合を明確に認識してその処理を容易
に行うことができ、半導体レーザーの出力増大に
よる破壊も防止することができる。
において情報書き込みタイミング検出用光検出器
の出力信号と光出力制御用光検出器の出力信号と
の差が所定の値以上になつた時に光学系の汚れ等
の不良を表示するようにしたので、光学系の汚れ
等による不具合を明確に認識してその処理を容易
に行うことができ、半導体レーザーの出力増大に
よる破壊も防止することができる。
第１図は従来のレーザー記録装置における光学
系の一例を示す概略図、第２図は同装置の光出力
制御回路を示すブロツク図、第３図は本発明の一
実施例における回路部を示すブロツク図、第４図
は同回路部のタイミングチヤートである。 １０…情報書き込みタイミング検出用光検出
器、１１…光出力制御用光検出器、２１…比較
器。
系の一例を示す概略図、第２図は同装置の光出力
制御回路を示すブロツク図、第３図は本発明の一
実施例における回路部を示すブロツク図、第４図
は同回路部のタイミングチヤートである。 １０…情報書き込みタイミング検出用光検出
器、１１…光出力制御用光検出器、２１…比較
器。
Claims (1)
- １ 半導体レーザーを光源として用いて情報信号
により変調しこの半導体レーザーからのレーザー
ビームで感光体上を主走査して情報の書き込みを
行ないこの感光体の近傍でレーザービームを検出
する情報書き込みタイミング検出用の第１の光検
出器及び、前記半導体レーザーの後方より出射さ
れる光を検出する光出力制御用の第２の光検出器
とを有するレーザー記録装置において、前記第１
の光検出器の出力信号と前記第２の光検出器の出
力信号とを比較しこの両出力信号の差が所定の値
以上になつたことにより光学系の不良を表示する
ようにしたことを特徴とするレーザー記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17415981A JPH0247746B2 (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | Reezaakirokusochi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17415981A JPH0247746B2 (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | Reezaakirokusochi |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5876856A JPS5876856A (ja) | 1983-05-10 |
| JPH0247746B2 true JPH0247746B2 (ja) | 1990-10-22 |
Family
ID=15973719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17415981A Expired - Lifetime JPH0247746B2 (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | Reezaakirokusochi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247746B2 (ja) |
-
1981
- 1981-10-30 JP JP17415981A patent/JPH0247746B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5876856A (ja) | 1983-05-10 |
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