JPH0250466B2 - - Google Patents
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- JPH0250466B2 JPH0250466B2 JP26572885A JP26572885A JPH0250466B2 JP H0250466 B2 JPH0250466 B2 JP H0250466B2 JP 26572885 A JP26572885 A JP 26572885A JP 26572885 A JP26572885 A JP 26572885A JP H0250466 B2 JPH0250466 B2 JP H0250466B2
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- metal oxide
- conductive
- sulfoxylate
- oxide semiconductor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/104—Bases for charge-receiving or other layers comprising inorganic material other than metals, e.g. salts, oxides, carbon
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0503—Inert supplements
- G03G5/0507—Inorganic compounds
-
- G—PHYSICS
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- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0503—Inert supplements
- G03G5/051—Organic non-macromolecular compounds
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
「産業上の利用分野」
本発明は静電記録体、電子写真記録体、静電転
写体及び通電感熱記録体などに用いられる導電性
支持体に関するものである。 「従来の技術」 静電記録や電子写真記録などでは文字や図形を
電気信号や光信号を介して静電潜像に変換し、ト
ナーなどで可視化して記録されるが、これらの記
録体に用いられる支持体は、一般に何等かの低抵
抗処理が施される。 低抵抗処理の為に用いられる導電性物質の一種
として、無機塩や高分子電解質などのイオン導電
性物質が挙げられるが、外部環境の湿度変化によ
つてその抵抗値が大きく変化するため、その利用
範囲が限定される。その為、湿度変化の影響を受
け難い導電性物質として、結晶内に不純物を含み
電子導電性を示す酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イン
ジウムなどの金属酸化物半導体が好ましく用いら
れる。 しかし、これらの金属酸化物半導体は、通常、
所望の抵抗値を得るのに多くの処理量を必要とす
るため、コスト的に問題がある。例えば、静電記
録体の導電性支持体では、およそ107Ω程度の抵
抗値が必要であるが、この値を得るのに酸化亜鉛
を約10ｇ強程度塗被する必要がある。 また、通電感熱記録体の場合には、これらの金
属酸化物半導体で得られる抵抗値では不充分なた
め、ヨウ化銅のような導電性物質が用いられる。
しかし、ヨウ化銅はヨウ素を遊離するため、金属
が腐蝕したり、記録体に不必要な着色が生じる等
の欠点が付随する。 「発明が解決しようとする問題点」 かかる現状に鑑み本発明者等は、金属酸化物半
導体の導電性を向上せしめることにより、高価な
金属酸化物半導体の塗工量を減らし、結果的にコ
スト低減、製造工程の省エネ化を図ると共に、腐
蝕や着色といつた問題が付随するヨウ化銅の如き
導電性物質の使用を回避し得る技術について鋭意
研究の結果、還元性を示すスルホキシル酸塩誘導
体を金属酸化物半導体に併用すると、金属酸化物
半導体の導電性が著しく向上することを見出し本
発明を達成するに至つた。 「問題点を解決するための手段」 本発明は、金属酸化物半導体とスルホキシル酸
塩誘導体を含有する導電層を備えたことを特徴と
する導電性支持体である。 「作用」 本発明で用いられる金属酸化物半導体として
は、酸化亜鉛、二酸化錫、酸化カドミウム、二酸
化チタン、酸化インジウム等、さらには酸化チタ
ンの表面に導電性酸化錫を生成させたような、金
属酸化物半導体を主たる導電性成分とした複合体
（特開昭57−11825号）等が挙げられるが、これら
の中でも酸化亜鉛は比較的安価であり、取り扱い
の簡便さ、環境に与える影響の少なさといつた点
からも特に好ましく用いられる。 これらの金属酸化物半導体は、いずれも原子価
制御により導電性がコントロールされるが、例え
ば導電性酸化亜鉛は、酸化亜鉛に少量のアルミニ
ウム、インジウム、スズ等の不純物を添加、焼成
する方法で製造される（特開昭55−162477号）。
製造時の条件、例えば焼成温度や還元雰囲気の制
御によつても導電性をある程度制御できるが、得
られる酸化亜鉛粉末の着色状況や粒子の大きさか
ら、得られる導電性酸化亜鉛の抵抗値には自ずと
限界がある。 本発明の導電性支持体では、かかる金属酸化物
半導体にスルホキシル酸塩誘導体を併用するもの
であるが、スルホキシル酸塩誘導体の具体例とし
ては、下記一般式で表される誘導体が例示され
る。 MSO2・Ｘ・nH2O又は MHSO2・Ｘ・nH2O 〔式中Ｍは１価又は２価の金属、Ｘは有機化合
物、ｎは０以上の整数を示す。〕 さらに、具体的にはNaHSO2、ZnSO2、
CoSO2、NaHSO2・CH2O・2H2O、ZnSO2・
CH2O・H2O等が例示される。これらの中でも、
次亜硫酸ソーダとホルマリンの反応で得られるナ
トリウム・ホルムアルデヒド・スルホキシレート
（NaHSO2・CH2O・2H2O）及び亜鉛ハイドロサ
ルフアイトにホルマリンを加え亜鉛粉末と共に反
応させて得られる亜鉛・ホルムアルデヒド・スル
ホキシレート（ZnSO2・CH2O・H2O）は、特に
優れた導電性向上効果をもたらすため、より好ま
しく用いられる。 これらのスルホキシル酸塩誘導体が、金属酸化
物半導体に対して優れた導電性向上効果をもたら
す原因については、必ずしも明らかではないが、
スルホキシル酸塩誘導体は強い還元性を呈するた
め、金属酸化物半導体の表面に吸着された気体分
子、特に酸素分子を効率良く除去し、結果的に、
吸着分子の影響で阻害されていた金属酸化物半導
体の導電性能が著しく向上するためではないかと
推測される。 なお、スルホキシル酸塩誘導体が強い還元性を
呈するのは、 のように、SO2基が酸素をうばい相手を強く還元
するためである。 本発明において、金属酸化物半導体に対するス
ルホキシル酸塩誘導体の併用割合は、金属酸化物
半導体100重量部に対して、20重量部以下の範囲
で調節されるのが望ましく、より好ましくは
0.001〜５重量部程度の範囲で調節される。なお、
0.001重量部より少ないと充分な改良効果が得ら
れず、逆に20重量部を超えると金属酸化物半導体
同志の接触が妨げられるため、やはり満足すべき
改良効果は得られない。 金属酸化物半導体とスルホキシル酸塩誘導体を
併用する際には、金属酸化物半導体表面に直接ス
ルホキシル酸塩誘導体が接触吸着するように併用
するのが好ましく、例えば金属酸化物半導体粉末
に対し、スルホキシル酸塩誘導体の溶解液を霧状
に噴霧して吸着させたり、金属酸化物半導体スラ
リー中にスルホキシル酸塩誘導体を混合添加する
方法などが採用される。 金属酸化物半導体を支持体に固定するための結
着剤としては、ポリビニルアルコール、ヒドロキ
シメチルセルロース、澱粉、スチレン・マレイン
酸共重合体等の水溶性高分子結着剤、ポリビニル
ベンジルアンモニウムクロライド等の如き高分子
電解質、アクリルエマルジヨン、スチレンブタジ
エンラテツクス等のエマルジヨン系結着剤等が好
ましく用いられるが、ブチルメタクリレート、ポ
リビニルブチラール、ポリエステル等の有機溶剤
系結着剤や電子線硬化型、光硬化型の樹脂等も使
用できる。 金属酸化物半導体に対する結着剤の配合割合
は、金属酸化物半導体100重量部に対して、５〜
60重量部程度の範囲で調節するのが望ましい。５
重量部より少ないと接着性が不足して金属酸化物
半導体が脱落する恐れがあり、逆に60重量部を超
える程多量に配合すると、金属酸化物半導体同志
の接触が阻害されて導電性が低下してしまう。 本発明の導電性支持体は、一般に金属酸化物半
導体と結着剤を含有する導電性塗液を適当な支持
体に塗布することによつて製造されるが、導電性
塗液中には例えば分散剤、消泡剤、染料などの各
種助剤を適宜添加することができる。 調整された導電性塗液は、例えば合成紙、紙、
フイルム、プラスチツク板などの適当な支持体の
片面又は両面に塗布されるが、塗布方法について
は特に限定されず、例えばバーコータ、ブレード
コータ、ロールコータ等各種公知のコータヘツド
を備えた塗布機によつて適宜塗布される。 かくして得られる本発明の導電性支持体は、ス
ルホキシル酸塩誘導体の併用によつて金属酸化物
半導体の導電性が著しく改良されているため、比
較的少ない塗布量でも、所望の導電性が得られ
る。従つて、高価な金属酸化物半導体の使用量を
大幅に低減でき、しかも塗布量の減少に伴い、乾
燥エネルギーの消費量も大幅に節約できるもので
ある。加えて、ヨウ化銅の如き導電性物質の使用
が回避されるため、腐蝕や着色といつた問題も解
消される。 〔実施例〕 以下に、実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、勿論これらに限定されるものではな
い。なお、例中の部数は全て重量部を示す。 実施例１〜２、比較例１ アルミニウムを不純物として添加、焼成して製
造された導電性酸化亜鉛100部と水100部を混合
し、更にスルホキシル酸塩誘導体としてナトリウ
ム・ホルムアルデヒド・スルホキシレートを１部
〔実施例１〕、亜鉛・ホルムアルデヒド・スルホキ
シレートを３部〔実施例２〕それぞれ添加してボ
ールミルで分散した。なお、スルホキシル酸塩誘
導体を添加しない例を比較例１とした。 かくして得られた３種類の分散液に、結着剤と
してポリビニルアルコール（クラレ社製、
PVA105）の10％水溶液をそれぞれ100部混合し
て導電性塗液とした。 58ｇ／m2の上質紙の片面に、上記導電性塗液を
乾燥重量で５ｇ／m2から15ｇ／m2まで変化させな
がら塗布し、塗布量が12ｇ／m2の時の表面抵抗値
を測定した。また、表面抵抗値が１×107Ωとな
るのに必要な塗布量を求め、それぞれ第１表に記
載した。 第１表の結果から明らかなように、本発明の各
実施例で得られた導電性支持体は、金属酸化物半
導体の導電性がスルホキシル酸塩誘導体の添加で
著しく向上しているため、少量の塗布量で充分所
望の導電性を有していた。
写体及び通電感熱記録体などに用いられる導電性
支持体に関するものである。 「従来の技術」 静電記録や電子写真記録などでは文字や図形を
電気信号や光信号を介して静電潜像に変換し、ト
ナーなどで可視化して記録されるが、これらの記
録体に用いられる支持体は、一般に何等かの低抵
抗処理が施される。 低抵抗処理の為に用いられる導電性物質の一種
として、無機塩や高分子電解質などのイオン導電
性物質が挙げられるが、外部環境の湿度変化によ
つてその抵抗値が大きく変化するため、その利用
範囲が限定される。その為、湿度変化の影響を受
け難い導電性物質として、結晶内に不純物を含み
電子導電性を示す酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イン
ジウムなどの金属酸化物半導体が好ましく用いら
れる。 しかし、これらの金属酸化物半導体は、通常、
所望の抵抗値を得るのに多くの処理量を必要とす
るため、コスト的に問題がある。例えば、静電記
録体の導電性支持体では、およそ107Ω程度の抵
抗値が必要であるが、この値を得るのに酸化亜鉛
を約10ｇ強程度塗被する必要がある。 また、通電感熱記録体の場合には、これらの金
属酸化物半導体で得られる抵抗値では不充分なた
め、ヨウ化銅のような導電性物質が用いられる。
しかし、ヨウ化銅はヨウ素を遊離するため、金属
が腐蝕したり、記録体に不必要な着色が生じる等
の欠点が付随する。 「発明が解決しようとする問題点」 かかる現状に鑑み本発明者等は、金属酸化物半
導体の導電性を向上せしめることにより、高価な
金属酸化物半導体の塗工量を減らし、結果的にコ
スト低減、製造工程の省エネ化を図ると共に、腐
蝕や着色といつた問題が付随するヨウ化銅の如き
導電性物質の使用を回避し得る技術について鋭意
研究の結果、還元性を示すスルホキシル酸塩誘導
体を金属酸化物半導体に併用すると、金属酸化物
半導体の導電性が著しく向上することを見出し本
発明を達成するに至つた。 「問題点を解決するための手段」 本発明は、金属酸化物半導体とスルホキシル酸
塩誘導体を含有する導電層を備えたことを特徴と
する導電性支持体である。 「作用」 本発明で用いられる金属酸化物半導体として
は、酸化亜鉛、二酸化錫、酸化カドミウム、二酸
化チタン、酸化インジウム等、さらには酸化チタ
ンの表面に導電性酸化錫を生成させたような、金
属酸化物半導体を主たる導電性成分とした複合体
（特開昭57−11825号）等が挙げられるが、これら
の中でも酸化亜鉛は比較的安価であり、取り扱い
の簡便さ、環境に与える影響の少なさといつた点
からも特に好ましく用いられる。 これらの金属酸化物半導体は、いずれも原子価
制御により導電性がコントロールされるが、例え
ば導電性酸化亜鉛は、酸化亜鉛に少量のアルミニ
ウム、インジウム、スズ等の不純物を添加、焼成
する方法で製造される（特開昭55−162477号）。
製造時の条件、例えば焼成温度や還元雰囲気の制
御によつても導電性をある程度制御できるが、得
られる酸化亜鉛粉末の着色状況や粒子の大きさか
ら、得られる導電性酸化亜鉛の抵抗値には自ずと
限界がある。 本発明の導電性支持体では、かかる金属酸化物
半導体にスルホキシル酸塩誘導体を併用するもの
であるが、スルホキシル酸塩誘導体の具体例とし
ては、下記一般式で表される誘導体が例示され
る。 MSO2・Ｘ・nH2O又は MHSO2・Ｘ・nH2O 〔式中Ｍは１価又は２価の金属、Ｘは有機化合
物、ｎは０以上の整数を示す。〕 さらに、具体的にはNaHSO2、ZnSO2、
CoSO2、NaHSO2・CH2O・2H2O、ZnSO2・
CH2O・H2O等が例示される。これらの中でも、
次亜硫酸ソーダとホルマリンの反応で得られるナ
トリウム・ホルムアルデヒド・スルホキシレート
（NaHSO2・CH2O・2H2O）及び亜鉛ハイドロサ
ルフアイトにホルマリンを加え亜鉛粉末と共に反
応させて得られる亜鉛・ホルムアルデヒド・スル
ホキシレート（ZnSO2・CH2O・H2O）は、特に
優れた導電性向上効果をもたらすため、より好ま
しく用いられる。 これらのスルホキシル酸塩誘導体が、金属酸化
物半導体に対して優れた導電性向上効果をもたら
す原因については、必ずしも明らかではないが、
スルホキシル酸塩誘導体は強い還元性を呈するた
め、金属酸化物半導体の表面に吸着された気体分
子、特に酸素分子を効率良く除去し、結果的に、
吸着分子の影響で阻害されていた金属酸化物半導
体の導電性能が著しく向上するためではないかと
推測される。 なお、スルホキシル酸塩誘導体が強い還元性を
呈するのは、 のように、SO2基が酸素をうばい相手を強く還元
するためである。 本発明において、金属酸化物半導体に対するス
ルホキシル酸塩誘導体の併用割合は、金属酸化物
半導体100重量部に対して、20重量部以下の範囲
で調節されるのが望ましく、より好ましくは
0.001〜５重量部程度の範囲で調節される。なお、
0.001重量部より少ないと充分な改良効果が得ら
れず、逆に20重量部を超えると金属酸化物半導体
同志の接触が妨げられるため、やはり満足すべき
改良効果は得られない。 金属酸化物半導体とスルホキシル酸塩誘導体を
併用する際には、金属酸化物半導体表面に直接ス
ルホキシル酸塩誘導体が接触吸着するように併用
するのが好ましく、例えば金属酸化物半導体粉末
に対し、スルホキシル酸塩誘導体の溶解液を霧状
に噴霧して吸着させたり、金属酸化物半導体スラ
リー中にスルホキシル酸塩誘導体を混合添加する
方法などが採用される。 金属酸化物半導体を支持体に固定するための結
着剤としては、ポリビニルアルコール、ヒドロキ
シメチルセルロース、澱粉、スチレン・マレイン
酸共重合体等の水溶性高分子結着剤、ポリビニル
ベンジルアンモニウムクロライド等の如き高分子
電解質、アクリルエマルジヨン、スチレンブタジ
エンラテツクス等のエマルジヨン系結着剤等が好
ましく用いられるが、ブチルメタクリレート、ポ
リビニルブチラール、ポリエステル等の有機溶剤
系結着剤や電子線硬化型、光硬化型の樹脂等も使
用できる。 金属酸化物半導体に対する結着剤の配合割合
は、金属酸化物半導体100重量部に対して、５〜
60重量部程度の範囲で調節するのが望ましい。５
重量部より少ないと接着性が不足して金属酸化物
半導体が脱落する恐れがあり、逆に60重量部を超
える程多量に配合すると、金属酸化物半導体同志
の接触が阻害されて導電性が低下してしまう。 本発明の導電性支持体は、一般に金属酸化物半
導体と結着剤を含有する導電性塗液を適当な支持
体に塗布することによつて製造されるが、導電性
塗液中には例えば分散剤、消泡剤、染料などの各
種助剤を適宜添加することができる。 調整された導電性塗液は、例えば合成紙、紙、
フイルム、プラスチツク板などの適当な支持体の
片面又は両面に塗布されるが、塗布方法について
は特に限定されず、例えばバーコータ、ブレード
コータ、ロールコータ等各種公知のコータヘツド
を備えた塗布機によつて適宜塗布される。 かくして得られる本発明の導電性支持体は、ス
ルホキシル酸塩誘導体の併用によつて金属酸化物
半導体の導電性が著しく改良されているため、比
較的少ない塗布量でも、所望の導電性が得られ
る。従つて、高価な金属酸化物半導体の使用量を
大幅に低減でき、しかも塗布量の減少に伴い、乾
燥エネルギーの消費量も大幅に節約できるもので
ある。加えて、ヨウ化銅の如き導電性物質の使用
が回避されるため、腐蝕や着色といつた問題も解
消される。 〔実施例〕 以下に、実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、勿論これらに限定されるものではな
い。なお、例中の部数は全て重量部を示す。 実施例１〜２、比較例１ アルミニウムを不純物として添加、焼成して製
造された導電性酸化亜鉛100部と水100部を混合
し、更にスルホキシル酸塩誘導体としてナトリウ
ム・ホルムアルデヒド・スルホキシレートを１部
〔実施例１〕、亜鉛・ホルムアルデヒド・スルホキ
シレートを３部〔実施例２〕それぞれ添加してボ
ールミルで分散した。なお、スルホキシル酸塩誘
導体を添加しない例を比較例１とした。 かくして得られた３種類の分散液に、結着剤と
してポリビニルアルコール（クラレ社製、
PVA105）の10％水溶液をそれぞれ100部混合し
て導電性塗液とした。 58ｇ／m2の上質紙の片面に、上記導電性塗液を
乾燥重量で５ｇ／m2から15ｇ／m2まで変化させな
がら塗布し、塗布量が12ｇ／m2の時の表面抵抗値
を測定した。また、表面抵抗値が１×107Ωとな
るのに必要な塗布量を求め、それぞれ第１表に記
載した。 第１表の結果から明らかなように、本発明の各
実施例で得られた導電性支持体は、金属酸化物半
導体の導電性がスルホキシル酸塩誘導体の添加で
著しく向上しているため、少量の塗布量で充分所
望の導電性を有していた。
【表】
実施例３、比較例２
導電性酸化亜鉛の代わりに導電性酸化スズを使
用し、スルホキシル酸塩誘導体としてナトリウ
ム・ホルムアルデヒド・スルホキシレートを0.1
部混合した以外は実施例１と同様にして導電性塗
液を調製した。なお、スルホキシル酸塩誘導体を
添加しない例を比較例２とした。 得られた導電性塗液をポリエステルシートに膜
厚を変化させて塗布し、膜厚5μの時の表面抵抗
値を測定し、さらに表面抵抗値が１×107Ωとな
るのに必要な膜厚量を求め、それぞれ第２表に記
載した。
用し、スルホキシル酸塩誘導体としてナトリウ
ム・ホルムアルデヒド・スルホキシレートを0.1
部混合した以外は実施例１と同様にして導電性塗
液を調製した。なお、スルホキシル酸塩誘導体を
添加しない例を比較例２とした。 得られた導電性塗液をポリエステルシートに膜
厚を変化させて塗布し、膜厚5μの時の表面抵抗
値を測定し、さらに表面抵抗値が１×107Ωとな
るのに必要な膜厚量を求め、それぞれ第２表に記
載した。
実施例１及び比較例１で得られた５種類の導電
性支持体を、それぞれスーパーキヤレンダーでベ
ツク平滑度が300秒となるように処理した。 ポリエステル樹脂（東洋紡績社製、バイロン
200）50部、炭酸カルシウム粉末（備北粉化社製、
ソフトン1800）50部及びメチルエチルケトン200
部を混合し、ボールミルで約１時間分散して調製
した誘電体層用塗液を、上記導電性支持体に乾燥
塗布量が５ｇ／m2となるように塗布し５種類の静
電記録体を得た。 これを静電記録用フアクシミリ装置（松下電送
社製、UF―520）で記録し、その画像濃度をマク
ベス濃度計で測定し、その結果を第３表に記載し
た。 第３表の結果から明らかなように、画像濃度で
1.0以上の値を得るには、通常12ｇ／m2前後の導
電性塗液を塗布する必要があるが、本発明の実施
例の導電性支持体では８ｇ／m2以下の塗布量で満
足すべき画像濃度が得られた。
性支持体を、それぞれスーパーキヤレンダーでベ
ツク平滑度が300秒となるように処理した。 ポリエステル樹脂（東洋紡績社製、バイロン
200）50部、炭酸カルシウム粉末（備北粉化社製、
ソフトン1800）50部及びメチルエチルケトン200
部を混合し、ボールミルで約１時間分散して調製
した誘電体層用塗液を、上記導電性支持体に乾燥
塗布量が５ｇ／m2となるように塗布し５種類の静
電記録体を得た。 これを静電記録用フアクシミリ装置（松下電送
社製、UF―520）で記録し、その画像濃度をマク
ベス濃度計で測定し、その結果を第３表に記載し
た。 第３表の結果から明らかなように、画像濃度で
1.0以上の値を得るには、通常12ｇ／m2前後の導
電性塗液を塗布する必要があるが、本発明の実施
例の導電性支持体では８ｇ／m2以下の塗布量で満
足すべき画像濃度が得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属酸化物半導体とスルホキシル酸塩誘導体
を含有する導電層を備えたことを特徴とする導電
性支持体。 ２ スルホキシル酸塩誘導体が、ナトリウム・ホ
ルムアルデヒド・スルホキシレート又は亜鉛・ホ
ルムアルデヒド・スルホキシレートから選ばれる
少なくとも１種である請求の範囲第１項記載の導
電性支持体。 ３ 金属酸化物半導体が酸化亜鉛である請求の範
囲第１項記載の導電性支持体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26572885A JPS62124563A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 導電性支持体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26572885A JPS62124563A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 導電性支持体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62124563A JPS62124563A (ja) | 1987-06-05 |
| JPH0250466B2 true JPH0250466B2 (ja) | 1990-11-02 |
Family
ID=17421174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26572885A Granted JPS62124563A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 導電性支持体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62124563A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01153864A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Seiko Epson Corp | 伝達歯車 |
| DE69319814T2 (de) * | 1992-08-28 | 1999-01-28 | Tomoegawa Paper Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Elektrostatisches Aufzeichnungsmedium |
| JP5123736B2 (ja) * | 2008-05-20 | 2013-01-23 | 株式会社リコー | 電子写真感光体、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
| JP2009210735A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
-
1985
- 1985-11-26 JP JP26572885A patent/JPS62124563A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62124563A (ja) | 1987-06-05 |
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