JPH0259641B2 - - Google Patents
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- JPH0259641B2 JPH0259641B2 JP58000390A JP39083A JPH0259641B2 JP H0259641 B2 JPH0259641 B2 JP H0259641B2 JP 58000390 A JP58000390 A JP 58000390A JP 39083 A JP39083 A JP 39083A JP H0259641 B2 JPH0259641 B2 JP H0259641B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
- H01P1/20354—Non-comb or non-interdigital filters
- H01P1/20363—Linear resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/2039—Galvanic coupling between Input/Output
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Cable Transmission Systems, Equalization Of Radio And Reduction Of Echo (AREA)
- Communication Cables (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Details Of Aerials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、低周波高出力の寄生インパルスから
同軸ケーブルを保護するフイルタに係る。
同軸ケーブルを保護するフイルタに係る。
同軸ケーブルの使用周波数が約30メガヘルツ乃
至数ギガヘルツの間に含まれ得るのに対し、かか
る寄生インパルスは、数ヘルツ乃至数メガヘルツ
の周波数を持つており、妨害効果による放電によ
り特に生じる。
至数ギガヘルツの間に含まれ得るのに対し、かか
る寄生インパルスは、数ヘルツ乃至数メガヘルツ
の周波数を持つており、妨害効果による放電によ
り特に生じる。
［従来の技術］
従来の低周波高出力の寄生インパルスから同軸
ケーブルを保護するフイルタとしては、Ｔジヤン
クシヨン（moyen de〓 Te）を用いたものがある。
このＴジヤンクシヨンとは、直列アーム（bras
late〓ral）及び並列アーム（bras transversal）に
よりＴ形回路を構成し、四分の一波長線路をイン
ピーダンス変換器乃至同軸線路トラツプとして用
いて、使用信号周波数の通過を促進させ、且つ寄
生インルスの通過を阻止する。実際、四分の一波
長線路は、その一端が短絡されているか又は開放
されていると、他端に無限大インピーダンスか又
は零インピーダンスをもたらす。
ケーブルを保護するフイルタとしては、Ｔジヤン
クシヨン（moyen de〓 Te）を用いたものがある。
このＴジヤンクシヨンとは、直列アーム（bras
late〓ral）及び並列アーム（bras transversal）に
よりＴ形回路を構成し、四分の一波長線路をイン
ピーダンス変換器乃至同軸線路トラツプとして用
いて、使用信号周波数の通過を促進させ、且つ寄
生インルスの通過を阻止する。実際、四分の一波
長線路は、その一端が短絡されているか又は開放
されていると、他端に無限大インピーダンスか又
は零インピーダンスをもたらす。
かかる低周波数高出力の寄生インパルスから同
軸ケーブルを保護するフイルは、フランス特許第
7345204号で既に公知である。
軸ケーブルを保護するフイルは、フランス特許第
7345204号で既に公知である。
同軸線路を用いるかかる従来のフイルタの一例
を第１図に示す。
を第１図に示す。
この従来例では、使用信号周波数の入力及び出
力用の２つの同軸プラグ１，２がＴジヤンクシヨ
ンと組合されており、該Ｔジヤンクシヨンの１つ
の並列アーム及び２つの直列アームは、使用信号
周波数の波長の四分の一の長さを有している。並
列アームの一端においては、その同軸線路の内部
導体は外部導体へ短絡３されている。従つて、Ｔ
ジヤンクシヨンの中心部４のところでは、使用信
号周波数に対して無限大インピーダンスがもたら
され、寄生インパルスの妨害周波数に対しては有
限のリアクタンス乃至実質的に零のインピーダン
スがもたらされる。更に、Ｔジヤンクシヨンの２
つの直列アームは全体として使用信号周波数の二
分の一の波長を持つていて、２つの同軸プラグ
１，２を互に接続する。従つて、使用信号周波数
は入出力同軸プラグ１，２の間を通過するのに対
して、寄生インパルスは大きな減衰を受ける。
力用の２つの同軸プラグ１，２がＴジヤンクシヨ
ンと組合されており、該Ｔジヤンクシヨンの１つ
の並列アーム及び２つの直列アームは、使用信号
周波数の波長の四分の一の長さを有している。並
列アームの一端においては、その同軸線路の内部
導体は外部導体へ短絡３されている。従つて、Ｔ
ジヤンクシヨンの中心部４のところでは、使用信
号周波数に対して無限大インピーダンスがもたら
され、寄生インパルスの妨害周波数に対しては有
限のリアクタンス乃至実質的に零のインピーダン
スがもたらされる。更に、Ｔジヤンクシヨンの２
つの直列アームは全体として使用信号周波数の二
分の一の波長を持つていて、２つの同軸プラグ
１，２を互に接続する。従つて、使用信号周波数
は入出力同軸プラグ１，２の間を通過するのに対
して、寄生インパルスは大きな減衰を受ける。
［発明が解決しようとする問題点］
上述の同軸線路を用いる従来のフイルタでは、
銅の如きバルク状の剛性を有する導電性金属を用
いるために、その軽量化には限界があり、また嵩
ばるのを避けることができない。同軸線路を用い
るＴジヤンクシヨンをストリツプ線路により構成
し、トラツプ用の四分の一波長線路として終端短
絡のストリツプ線路を用いることも提案したが、
機構上の最大寸法が使用信号周波数の二分の一の
波長であるため、なお嵩ばる欠点があつた。
銅の如きバルク状の剛性を有する導電性金属を用
いるために、その軽量化には限界があり、また嵩
ばるのを避けることができない。同軸線路を用い
るＴジヤンクシヨンをストリツプ線路により構成
し、トラツプ用の四分の一波長線路として終端短
絡のストリツプ線路を用いることも提案したが、
機構上の最大寸法が使用信号周波数の二分の一の
波長であるため、なお嵩ばる欠点があつた。
［問題を解決するための手段］
本発明によれば、Ｔジヤンクシヨンを構成する
ストリツプ線路の２つの直列アームをＴジヤンク
シヨンと同一の平面において並列アームの向きへ
折り曲げて、並列アームと共にＥ字状をなすよう
にして、全体の大きさを縮小する。
ストリツプ線路の２つの直列アームをＴジヤンク
シヨンと同一の平面において並列アームの向きへ
折り曲げて、並列アームと共にＥ字状をなすよう
にして、全体の大きさを縮小する。
また、トラツプを構成する四分の一波長線路と
して、終端開放のものをも用いるべく、誘電体基
板として多層にされたものを用い、Ｔジヤンクシ
ヨンに類似のフイルタの２つの直列アームを別異
の誘電体基板の面に配置する。
して、終端開放のものをも用いるべく、誘電体基
板として多層にされたものを用い、Ｔジヤンクシ
ヨンに類似のフイルタの２つの直列アームを別異
の誘電体基板の面に配置する。
［実施例］
以下に、本発明の実施例を図面について説明す
る。
る。
第２図は第１発明の実施例を示す。
第２図には、高周波乃至超高周波の使用信号の
入力及び出力に使用される２つの同軸プラグ１，
２が示されている。低周波高出力の寄生インパル
スを阻止するＴジヤンクシヨンによるフイルタ
は、ストリツプ状の導体即ちストリツプ線５と、
誘電体基板であつて、その一方の面にストリツプ
線５が配置された誘電体基板６と、誘電体基板６
の対向面を全面的に被覆するように配置された接
地導体板７とから成るストリツプ線路により形成
される。
入力及び出力に使用される２つの同軸プラグ１，
２が示されている。低周波高出力の寄生インパル
スを阻止するＴジヤンクシヨンによるフイルタ
は、ストリツプ状の導体即ちストリツプ線５と、
誘電体基板であつて、その一方の面にストリツプ
線５が配置された誘電体基板６と、誘電体基板６
の対向面を全面的に被覆するように配置された接
地導体板７とから成るストリツプ線路により形成
される。
ストリツプ線５は、導体ペーストインクのシル
クスクリーン印刷により形成したり、銅張り積層
板の化学的エツチングにより形成したり、また電
界メツキ、導電材料の吹付けりよつて形成したり
する。接地導体板７も同様に形成する。
クスクリーン印刷により形成したり、銅張り積層
板の化学的エツチングにより形成したり、また電
界メツキ、導電材料の吹付けりよつて形成したり
する。接地導体板７も同様に形成する。
誘電体基板６は、誘電体としての合成樹脂乃至
高分子材料（例えば、ガラス状高分子）、高誘電
材料の粉末（充填剤）を混入した誘電体としての
合成樹脂乃至高分子材料、セラミツクス（例え
ば、アルミナ、ベリリア、酸化チタン）、エナメ
ル、等の誘電材料で構成する。
高分子材料（例えば、ガラス状高分子）、高誘電
材料の粉末（充填剤）を混入した誘電体としての
合成樹脂乃至高分子材料、セラミツクス（例え
ば、アルミナ、ベリリア、酸化チタン）、エナメ
ル、等の誘電材料で構成する。
Ｔジヤンクシヨンのストリツプ線５は、Ｅ字状
のパターンにされている。同軸プラグ１，２の外
被（gaine exte〓rieure de fiche coaxiale）１
１，２１は、例えばはんだ付け（soudure）によ
り接地導体板７に接続される。また、これらの同
軸プラグ１，２の内部導体１２，２２は、Ｅ字状
のストリツプ線５の下方及び上方水平部にそれぞ
れ接続される。２つの直列アームと１つの並列ア
ームの接続点を点Ａとする。すると、点Ａと同軸
プラグ１，２の内部導体１２，２２との間の距離
は、使用信号周波数においてλg／４（又はその奇
数倍）に等しい。一方、Ｅ字状のストリツプ線５
の中央水平部は、誘電体基板６の側面上の点Ｂに
向つて延長し、折曲して、接地導体板７に接続さ
れ、短絡端を形成している。点AB間のストリツ
プ線５の距離も使用信号周波数においてλg／４
（又はその奇数倍）に等しい。要は、Ｔジヤンク
シヨンを構成する２つの直列アームは、並列アー
ムの向きへ折り曲げられて、並列アームと共にＥ
字状をなしている。
のパターンにされている。同軸プラグ１，２の外
被（gaine exte〓rieure de fiche coaxiale）１
１，２１は、例えばはんだ付け（soudure）によ
り接地導体板７に接続される。また、これらの同
軸プラグ１，２の内部導体１２，２２は、Ｅ字状
のストリツプ線５の下方及び上方水平部にそれぞ
れ接続される。２つの直列アームと１つの並列ア
ームの接続点を点Ａとする。すると、点Ａと同軸
プラグ１，２の内部導体１２，２２との間の距離
は、使用信号周波数においてλg／４（又はその奇
数倍）に等しい。一方、Ｅ字状のストリツプ線５
の中央水平部は、誘電体基板６の側面上の点Ｂに
向つて延長し、折曲して、接地導体板７に接続さ
れ、短絡端を形成している。点AB間のストリツ
プ線５の距離も使用信号周波数においてλg／４
（又はその奇数倍）に等しい。要は、Ｔジヤンク
シヨンを構成する２つの直列アームは、並列アー
ムの向きへ折り曲げられて、並列アームと共にＥ
字状をなしている。
使用周波数においては、点Ａから並列アームを
見たインピーダンスは無限大となり、その前後で
は、２つの直列アームは有限のリアクタンスによ
りシヤントされる。従つて、使用周波数の前後で
通過帯域特性を示し、低周波高出力の寄生インパ
ルスを阻止する。
見たインピーダンスは無限大となり、その前後で
は、２つの直列アームは有限のリアクタンスによ
りシヤントされる。従つて、使用周波数の前後で
通過帯域特性を示し、低周波高出力の寄生インパ
ルスを阻止する。
ストリツプ線路を伝搬する電磁波の波長λgは、
次の関係式 λg＝λ0／√εr に基づき、真空内での波長λ0から求められる。但
し、εrは誘電体基板６の誘電率である。
次の関係式 λg＝λ0／√εr に基づき、真空内での波長λ0から求められる。但
し、εrは誘電体基板６の誘電率である。
従つて、Ｅ字状に曲げられたストリツプ線５と
誘電率の高い誘電体基板６とを使用すれば、スト
リツプ線５のパターンを小さくでき、フイルタの
寸法を公知のものに比して大幅に縮小できる。ス
トリツプ線路の特性インピーダンスはストリツプ
線の導体の幅に依存するから、この幅を適切なも
のに決め、またフアラデー箱（cage de
Faraday）を形成する金属の箱に収納すれば、上
述のフイルタを通過帯域を拡大することができ
る。
誘電率の高い誘電体基板６とを使用すれば、スト
リツプ線５のパターンを小さくでき、フイルタの
寸法を公知のものに比して大幅に縮小できる。ス
トリツプ線路の特性インピーダンスはストリツプ
線の導体の幅に依存するから、この幅を適切なも
のに決め、またフアラデー箱（cage de
Faraday）を形成する金属の箱に収納すれば、上
述のフイルタを通過帯域を拡大することができ
る。
第３図は第２発明の実施例を示す。
第３図には、高周波乃至超高周波の使用信号の
入力及び出力に使用される２つの同軸プラグ１，
２が示されている。低周波高出力の寄生インパル
スを阻止するＴジヤンクシヨンに類似のフイルタ
は、ストリツプ状の導体即ちストリツプ線５１，
５２と、多層６１，６２，６３にされた誘電体基
板であつて、その別異の面にストリツプ線５１，
５２が配置された誘電体基板と、該誘電体基板の
両面を全面的に被覆するように配置された接地導
体板７１，７２とから成るストリツプ線路により
形成される。ストリツプ線５１，５２は、一方は
誘電体層６１，６２の間に他方は誘電体層６２，
６３の間に配置されるか、一方は誘電体層６１に
他方は誘電体層６３に配置されるか、誘電体層６
２の両面にそれぞれ配置される。
入力及び出力に使用される２つの同軸プラグ１，
２が示されている。低周波高出力の寄生インパル
スを阻止するＴジヤンクシヨンに類似のフイルタ
は、ストリツプ状の導体即ちストリツプ線５１，
５２と、多層６１，６２，６３にされた誘電体基
板であつて、その別異の面にストリツプ線５１，
５２が配置された誘電体基板と、該誘電体基板の
両面を全面的に被覆するように配置された接地導
体板７１，７２とから成るストリツプ線路により
形成される。ストリツプ線５１，５２は、一方は
誘電体層６１，６２の間に他方は誘電体層６２，
６３の間に配置されるか、一方は誘電体層６１に
他方は誘電体層６３に配置されるか、誘電体層６
２の両面にそれぞれ配置される。
ストリツプ線５１，５２の形成の仕方は第２図
について説明したのと同様である。接地導体板７
１，７２についても同様である。
について説明したのと同様である。接地導体板７
１，７２についても同様である。
ストリツプ線５１，５２は、互いに平行な平面
上にあつて鍵形に折曲げらている。同軸プラグ
１，２の外被１１，２１は、接地導体板７２に接
続される。ストリツプ線５１，５２の並列アーム
は近接して配置される。ストリツプ線５１，５２
の並列アームの端部である点Ｃにおいて、並列ア
ームは開放端を形成している。ストリツプ線５
１，５２の鍵形に折曲げられた点をＤとする。す
ると、点CD間のストリツプ線５１，５２の距離
は使用信号周波数においてλg／４に等しい。スト
リツプ線５１，５２の直列アームは逆の向きに延
長して、同軸プラグ１，２の内部導体１２，２２
へ接続される。
上にあつて鍵形に折曲げらている。同軸プラグ
１，２の外被１１，２１は、接地導体板７２に接
続される。ストリツプ線５１，５２の並列アーム
は近接して配置される。ストリツプ線５１，５２
の並列アームの端部である点Ｃにおいて、並列ア
ームは開放端を形成している。ストリツプ線５
１，５２の鍵形に折曲げられた点をＤとする。す
ると、点CD間のストリツプ線５１，５２の距離
は使用信号周波数においてλg／４に等しい。スト
リツプ線５１，５２の直列アームは逆の向きに延
長して、同軸プラグ１，２の内部導体１２，２２
へ接続される。
使用周波数においては、点Ｄから並列アーム５
１，５２を見たインピーダンスは零となり、２つ
の直列アームを零インピーダンスを接続する。そ
の前後では、２つの直列アームは有限のリアクタ
ンスを介して接続されるので、使用周波数の前後
で通過帯域特性を示し、低周波高出力の寄生イン
パルスを阻止する。
１，５２を見たインピーダンスは零となり、２つ
の直列アームを零インピーダンスを接続する。そ
の前後では、２つの直列アームは有限のリアクタ
ンスを介して接続されるので、使用周波数の前後
で通過帯域特性を示し、低周波高出力の寄生イン
パルスを阻止する。
［発明の効果］
本発明によれば、ストリツプ線路によるＴジヤ
ンクシヨンを用い、しかも一端短絡の四分の一波
長トラツプを用いるものにあつては、ストリツプ
線路のパターンをＥ字形にしたので、小形化を徹
底することができ、しかも四分の一波長トラツプ
の短絡端及び同軸プラグの接続点を誘電体基板の
一側面に設けることができるので、量産性を高め
ることができる。また、一端開放の四分の一波長
トラツプを用いるものにあつては、直列アームを
零インピーダンスで接続することを可能にして、
小型、軽量、簡易な構造にすることができる。
ンクシヨンを用い、しかも一端短絡の四分の一波
長トラツプを用いるものにあつては、ストリツプ
線路のパターンをＥ字形にしたので、小形化を徹
底することができ、しかも四分の一波長トラツプ
の短絡端及び同軸プラグの接続点を誘電体基板の
一側面に設けることができるので、量産性を高め
ることができる。また、一端開放の四分の一波長
トラツプを用いるものにあつては、直列アームを
零インピーダンスで接続することを可能にして、
小型、軽量、簡易な構造にすることができる。
第１図は、同軸線路による従来のＴジヤンクシ
ヨンを用いたフイルタを示し、第２図は、本発明
によるストリツプ線路を用いたフイルタの１実施
例を示し、第３図は別の実施例を示す。 １，２……同軸プラグ、５，５１，５２……ス
トリツプ線、６……誘電体基板、６１，６２，６
３……誘電体基板の多層、７，７１，７２……接
地導体板、１１，２１……同軸プラグ外被、１
２，２２……同軸プラグ内部導体。
ヨンを用いたフイルタを示し、第２図は、本発明
によるストリツプ線路を用いたフイルタの１実施
例を示し、第３図は別の実施例を示す。 １，２……同軸プラグ、５，５１，５２……ス
トリツプ線、６……誘電体基板、６１，６２，６
３……誘電体基板の多層、７，７１，７２……接
地導体板、１１，２１……同軸プラグ外被、１
２，２２……同軸プラグ内部導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 誘電体基板と、該誘電体基板に配置されてＴ
ジヤンクシヨンを形成するストリツプ状の導体
と、該誘電体基板と一体にされた接地導体板と、
入力用同軸プラグ及び出力用同軸プラグとから成
るストリツプ線路を用いるフイルタであつて、該
Ｔジヤンクシヨンの２つの直列アーム及び並列ア
ームの一方の端部は共に接続され、該直列アーム
の他方の端部は該同軸プラグの内部導体へそれぞ
れ接続され、該同軸プラグの外被は該接地導体板
へそれぞれ接続され、該並列アームの他方の端部
は接地導体板へ接続されて短絡端を形成してお
り、更に２つの直列アームは該Ｔジヤンクシヨン
の平面と同一の平面において並列アームの向きへ
折曲げられて、並列アームと共にＥ字状をなして
おり、トラツプを形成するべく並列アームは使用
信号周波数において実質的に四分の一波長の長さ
を有して、同軸ケーブルを低周波高出力の寄生イ
ンパルスから保護することを特徴とするフイル
タ。 ２ 該ストリツプ状の導体、該接地導体板の少く
とも一方は、導電材料をシルクスクリーン印刷に
より付着したものであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載のフイルタ。 ３ 該ストリツプ状の導体、該接地導体板の少く
とも一方は、導電箔の化学的エツチング、導電材
料の吹付け、又は電解めつきにより付着したもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載のフイルタ。 ４ 該誘電体基板は、充填剤を含有するか含有し
ない高分子材料、セラミツクス又はエナメルから
成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載のフイルタ。 ５ 多層にされた誘電体基板と、該誘電体基板の
別異の面に配置され、互いに平行な平面上にあつ
て鍵形に折曲げられた２つのストリツプ状の導体
と、該誘電体基板と一体にされた接地導体板と、
入力用同軸プラグ及び出力用同軸プラグとから成
るストリツプ線路を用いるフイルタであつて、該
鍵形に折曲げられた２つのストリツプ状の導体の
並列アームは近接して配置されて、その端部は開
放端を形成しており、該鍵形に折曲げられた２つ
のストリツプ状の導体の直列アームは逆の向きに
延長して、その端部は該同軸プラグの内部導体へ
それぞれ接続されており、該同軸プラグの外被は
該接地導体板へそれぞれ接続され、トラツプを形
成するべく並列アームは使用信号周波数において
実質的に四分の一波長の長さを有して、同軸ケー
ブルを低周波高出力の寄生インパルスから保護す
ることを特徴とするフイルタ。 ６ 該ストリツプ状の導体、該接地導体板の少く
とも一方は、導電材料をシルクスクリーン印刷に
より付着したものであることを特徴とする特許請
求の範囲第５項に記載のフイルタ。 ７ 該ストリツプ状の導体、該接地導体板の少く
とも一方は、導電箔の化学的エツチング、導電材
料の吹付け、又は電解めつきにより付着したもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第５項に
記載のフイルタ。 ８ 該誘電体基板は、充填剤を含有するか含有し
ない高分子材料、セラミツクス又はエナメルから
成ることを特徴とする特許請求の範囲第５項に記
載のフイルタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8200032A FR2519474B1 (fr) | 1982-01-05 | 1982-01-05 | Dispositif de protection d'un cable coaxial contre les impulsions parasites de basse frequence et de forte puissance |
| FR8200032 | 1982-01-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58121801A JPS58121801A (ja) | 1983-07-20 |
| JPH0259641B2 true JPH0259641B2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58000390A Granted JPS58121801A (ja) | 1982-01-05 | 1983-01-05 | 低周波高出力の寄生インパルスから同軸ケーブルを保護するフィルタ |
Country Status (6)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS58121801A (ja) |
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- 1983-01-04 US US06/455,457 patent/US4542358A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1983-01-05 JP JP58000390A patent/JPS58121801A/ja active Granted
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