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JPH0318365B2 - - Google Patents
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JPH0318365B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0318365B2
JPH0318365B2 JP57148035A JP14803582A JPH0318365B2 JP H0318365 B2 JPH0318365 B2 JP H0318365B2 JP 57148035 A JP57148035 A JP 57148035A JP 14803582 A JP14803582 A JP 14803582A JP H0318365 B2 JPH0318365 B2 JP H0318365B2
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transistor
collector
amplifier circuit
base
differential
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JP57148035A
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Inventor
Takeshi Kuwajima
Koichi Tanaka
Kyoshi Amasawa
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0017Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid-state elements
    • H03G1/0023Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid-state elements in emitter-coupled or cascode amplifiers

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  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野の説明〕 本発明は、トランジスタ回路における利得制御
回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Description of the Technical Field] The present invention relates to a gain control circuit in a transistor circuit.

〔従来技術の説明〕[Description of prior art]

従来この種の回路は第1図に示すものが知られ
ている。第1図において、導電形式の等しいトラ
ンジスタ1および2は差動回路を構成し、トラン
ジスタ1のエミツタとトランジスタ2のエミツタ
とは共通に接続され、この接続点と基準電位点3
との間に定電流源4が接続されている。上記トラ
ンジスタ1および2の各々のベースには、それぞ
れ端子6および端子7が接続されている。また、
上記トランジスタ1のコレクタにはトランジスタ
8のベースが接続されるとともに、このトランジ
スタ1のコレクタと電源電圧供給点9との間に抵
抗10が接続されている。上記トランジスタ2の
コレクタには上記トランジスタ8と差動回路を構
成するトランジスタ11のベースが接続されると
ともにこのトランジスタ2のコレクタと電源電圧
供給点9との間に上記抵抗10と抵抗値の等しい
抵抗12が接続されている。
Conventionally, this type of circuit is known as shown in FIG. In FIG. 1, transistors 1 and 2 of the same conductivity type constitute a differential circuit, the emitter of transistor 1 and the emitter of transistor 2 are commonly connected, and this connection point and a reference potential point 3
A constant current source 4 is connected between the two. A terminal 6 and a terminal 7 are connected to the bases of each of the transistors 1 and 2, respectively. Also,
The base of a transistor 8 is connected to the collector of the transistor 1, and a resistor 10 is connected between the collector of the transistor 1 and a power supply voltage supply point 9. The base of a transistor 11 forming a differential circuit with the transistor 8 is connected to the collector of the transistor 2, and a resistor having a resistance equal to that of the resistor 10 is connected between the collector of the transistor 2 and the power supply voltage supply point 9. 12 are connected.

上記トランジスタ8およびトランジスタ11の
各々のエミツタにはそれぞれ抵抗14および15
が接続され、この抵抗15の他端は上記抵抗14
の他端およびトランジスタ16のコレクタが接続
されている。上記トランジスタ11のコレクタに
は端子17が接続されるとともに電源電圧供給点
9との間に抵抗18が接続されている。また、上
記トランジスタ8のコレクタは電源電圧供給点9
に接続されている。また、上記トランジスタ16
のベースには端子19が接続されエミツタは基準
電位点3に接続されている。
Resistors 14 and 15 are connected to the emitters of the transistors 8 and 11, respectively.
is connected, and the other end of this resistor 15 is connected to the resistor 14.
The other end and the collector of transistor 16 are connected. A terminal 17 is connected to the collector of the transistor 11, and a resistor 18 is connected between it and the power supply voltage supply point 9. Further, the collector of the transistor 8 is connected to the power supply voltage supply point 9.
It is connected to the. Further, the transistor 16
Terminal 19 is connected to the base of , and the emitter is connected to reference potential point 3 .

この従来例回路は、端子19を信号入力端子と
し、端子17を出力端子とし、抵抗18を負荷と
するトランジスタ16によるエミツタ接地形の増
幅回路のコレクタ回路を構成する差動回路形式の
上記トランジスタ11のベースおよびトランジス
タ8のベースに、端子6および7に印加される直
流電圧を制御入力とするトランジスタ1および2
による差動回路の出力により電位差を与え、上記
抵抗18に流れる電流を変化させ上記エミツタ接
地形の増幅回路の利得を制御することにより利得
制御回路を構成している。
This conventional circuit has a terminal 19 as a signal input terminal, a terminal 17 as an output terminal, and a transistor 11 of a differential circuit type that constitutes a collector circuit of an emitter-grounded amplifier circuit including a transistor 16 with a resistor 18 as a load. and the base of transistor 8, transistors 1 and 2 whose control inputs are the DC voltages applied to terminals 6 and 7;
A gain control circuit is constructed by applying a potential difference using the output of the differential circuit and changing the current flowing through the resistor 18 to control the gain of the amplifier circuit of the grounded emitter.

ここで、上記端子6の電位すなわちトランジス
タ1のベース電位をV1とし、端子7の電位すな
わちトランジスタ2のベース電位をV2とし、ト
ランジスタ1およびトランジスタ2の各々のコレ
クタ電流をそれぞれIC1、IC2とすると、このコレ
クタ電流はそれぞれ(1)式、(2)式で表わされる。
Here, the potential of the terminal 6, that is, the base potential of the transistor 1, is V1 , the potential of the terminal 7, that is, the base potential of the transistor 2 is V2 , and the collector currents of the transistors 1 and 2 are I C1 and I, respectively. Assuming C2 , this collector current is expressed by equations (1) and (2), respectively.

IC1I4/1+exp+(V2−V1)・q/kT ……(1) IC2I4/1+exp−(V2−V1)・q/kT ……(2) 但し、I4:定電流源4の電流値、q:電子の電
荷、k:ボルツマン定数、 T:絶対温度 上記(1)式および(2)式で表わされるトランジスタ
1および2の各々のコレクタ電流と抵抗10およ
び12との電圧降下により上記エミツタ接地形の
増幅回路を構成するトランジスタ16のコレクタ
回路を構成する差動形式の前記トランジスタ11
および8の各々のベース電圧が与えられる。この
トランジスタ11および8の各々のベース電位を
それぞれV11,V8とすると、このベース電位は(3)
式、(4)式で表わされる。
I C1 I 4 /1 + exp + (V 2 −V 1 )・q/kT …(1) I C2 I 4 /1+exp− (V 2 −V 1 )・q/kT …(2) However, I 4 : Current value of constant current source 4, q: electron charge, k: Boltzmann constant, T: absolute temperature Collector current of each of transistors 1 and 2 and resistors 10 and 12 expressed by equations (1) and (2) above The differential type transistor 11 constitutes the collector circuit of the transistor 16 which constitutes the emitter grounded amplifier circuit due to the voltage drop between the
and 8 base voltages are given. Assuming that the base potentials of transistors 11 and 8 are V 11 and V 8 respectively, the base potential is (3)
It is expressed by equation (4).

V11=VB−IC2×R =VB−I4/1+exp−(V2−V1)・q/kT×R
……(3) V8=VB−IC1×R =VB−I4/1+exp+(V2−V1)・q/kT×R
……(4) 但し、R:抵抗10、抵抗12の抵抗値 VB:電源電圧供給点9の電圧 (3)式、(4)式よりトランジスタ11のコレクタ電流
をIC11とすると、このコレクタ電流は、(5)式で表
わされる。
V 11 = V B −I C2 ×R = V B −I 4 /1+exp−(V 2 −V 1 )・q/kT×R
...(3) V 8 = V B - I C1 × R = V B - I 4 /1 + exp + (V 2 - V 1 )・q/kT × R
...(4) However, R: resistance value of resistor 10 and resistor 12 V B : voltage at power supply voltage supply point 9 If the collector current of transistor 11 is I C11 from equations (3) and (4), then this collector The current is expressed by equation (5).

IC11I16/1+exp+(V8−V11)・q/kT ……(5) 但し、I16:トランジスタ16のエミツタ電流
値 ここで、前記エミツタ接地形の増幅回路を構成
するトランジスタ16および抵抗18による電圧
利得をGVとすると、(5)式よりこの電圧利得は(6)
式で表わされる。
I C11 I 16 /1+exp+(V 8 -V 11 )・q/kT ...(5) However, I 16 : Emitter current value of transistor 16 Here, transistor 16 and resistor constituting the amplification circuit with the grounded emitter If the voltage gain due to 18 is G V , then from equation (5), this voltage gain is (6)
It is expressed by the formula.

GVgn×R18 =q×IC11/kT×hFE/1+hFE×R18 ……(6) 但し、gn:伝達コンダクタンス R18:抵抗18の抵抗値 (6)式、すなわちトランジスタ16による電圧利
得は前記(1)式〜(5)式より端子6および7の電位に
関する関数として与えられるため、電圧利得GV
は端子6および7に印加される電圧によつて制御
される。
G V g n ×R 18 = q × I C11 /kT × h FE /1 + h FE ×R 18 ... (6) However, g n : Transfer conductance R 18 : Resistance value of resistor 18 (6), that is, transistor Since the voltage gain due to G V
is controlled by the voltage applied to terminals 6 and 7.

第2図は、第1図に示した利得制御回路におい
て、トランジスタ1および2の各々のエミツタと
定電流源4との間にそれぞれ抵抗値の等しい抵抗
21および22を接続したものである。これによ
り、端子6および7に印加される電圧に対するト
ランジスタ1およびトランジスタ2による差動回
路の伝達特性の直線性を良くしたものである。
FIG. 2 shows the gain control circuit shown in FIG. 1 in which resistors 21 and 22 having the same resistance value are connected between the emitters of transistors 1 and 2 and constant current source 4, respectively. This improves the linearity of the transfer characteristic of the differential circuit formed by transistor 1 and transistor 2 with respect to the voltage applied to terminals 6 and 7.

しかし、第1図および第2図に示す従来回路例
では、第3図にその制御入力対出力特性を示すよ
うにトランジスタ1およびトランジスタ2の各々
のコレクタ電流の変化に対するトランジスタ16
による増幅回路の電圧利得は、トランジスタ1お
よび2の各々のコレクタ電流が等しくなる点の近
傍で直線性が悪化する欠点がある。これは、上記
トランジスタ1および2が共に導通状態である場
合、特に各々のベース電位が等しくなる点の近傍
でオフセツトの影響が生じ、上記トランジスタ1
1のコレクタ電流変化の直線性が悪化するためで
ある。
However, in the conventional circuit example shown in FIGS. 1 and 2, as shown in FIG. 3, the control input versus output characteristics of the transistor 16 correspond to changes in the collector current of each of the transistors 1 and 2.
The voltage gain of the amplifier circuit according to the above has a drawback that linearity deteriorates near the point where the collector currents of transistors 1 and 2 are equal. This is because when the transistors 1 and 2 are both conductive, an offset effect occurs especially near the point where the base potentials of the transistors 1 and 2 are equal, and the transistor 1 and 2 are in a conductive state.
This is because the linearity of collector current change in No. 1 deteriorates.

〔目的の説明〕[Explanation of purpose]

本発明はこの点を改良するもので、制御電圧に
対してその電圧利得変化の直線性が良好な利得制
御回路を提供することを目的とする。
The present invention improves this point, and aims to provide a gain control circuit whose voltage gain change has good linearity with respect to the control voltage.

〔発明の要旨〕[Summary of the invention]

本発明は、共通エミツタ形に接続され差動入力
が各ベースに接続され差動出力が各コレクタから
取出される第1のトランジスタおよび第2のトラ
ンジスタを含む第一の差動増幅回路と、共通エミ
ツタ形に接続され上記第一の差動増幅回路の差動
出力が各ベースに接続された第3のトランジスタ
および第4のトランジスタを含む第二の差動増幅
回路と、ベースに信号入力が接続されコレクタが
上記第二の差動増幅回路のエミツタ回路に接続さ
れた増幅回路とを備え、利得制御信号が上記第一
の差動増幅回路の差動入力に接続され、上記第二
の差動増幅回路のいずれかのトランジスタのコレ
クタ出力を信号出力とする利得制御回路におい
て、 上記第一の差動増幅回路の上記第1のトランジ
スタのコレクタおよびベースにそれぞれそのコレ
クタおよびベースが共通接続された第5のトラン
ジスタと、上記第2のトランジスタのコレクタお
よびベースにそれぞれそのコレクタおよびベース
が共通接続された第6のトランジスタを含み、共
通エミツタ形の第三の差動増幅回路を備え、この
第三の差動増幅回路の第5および第6のトランジ
スタの各エミツタには直列に抵抗が接続されたこ
とを特徴とする。
The present invention provides a first differential amplifier circuit including a first transistor and a second transistor connected in a common emitter configuration, with a differential input connected to each base and a differential output taken out from each collector; a second differential amplifier circuit including a third transistor and a fourth transistor connected in an emitter configuration and having a differential output of the first differential amplifier circuit connected to each base; and a signal input connected to the base. an amplifier circuit whose collector is connected to the emitter circuit of the second differential amplifier circuit, a gain control signal is connected to the differential input of the first differential amplifier circuit, and the gain control signal is connected to the differential input of the first differential amplifier circuit, and the gain control signal is connected to the differential input of the first differential amplifier circuit; In a gain control circuit whose signal output is the collector output of any transistor of the amplifier circuit, a first transistor whose collector and base are commonly connected to the collector and base of the first transistor of the first differential amplifier circuit, respectively. 5 transistor, and a sixth transistor whose collector and base are commonly connected to the collector and base of the second transistor, respectively, and includes a common emitter type third differential amplifier circuit, The differential amplifier circuit is characterized in that a resistor is connected in series to each emitter of the fifth and sixth transistors.

〔実施例による説明〕[Explanation based on examples]

本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第4図は本発明一実施例の要部ブロツク構成図で
ある。端子6に導電形式の等しいトランジスタ2
5および26のベースを接続し、端子7には上記
トランジスタ25および26と導電形式の等しい
トランジスタ27および28のベースを接続し、
上記トランジスタ25と27および上記トランジ
スタ26と28とで各々差動回路を構成する。
An embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
FIG. 4 is a block diagram of essential parts of an embodiment of the present invention. Transistor 2 with the same conductivity type as terminal 6
The bases of transistors 5 and 26 are connected to the terminal 7, and the bases of transistors 27 and 28 having the same conductivity type as the transistors 25 and 26 are connected to the terminal 7.
The transistors 25 and 27 and the transistors 26 and 28 constitute a differential circuit, respectively.

上記トランジスタ25および27のエミツタに
はそれぞれ抵抗値の等しい抵抗29および抵抗3
0を接続し、上記抵抗29の他端には上記抵抗3
0の他端を接続するとともに基準電位点3との間
に定電流源31を接続する。上記トランジスタ2
6のエミツタには上記トランジスタ28のエミツ
タを接続するとともに基準電位点3との間に定電
流源32を接続する。上記トランジスタ25およ
び26のコレクタにはトランジスタ8のベースを
接続するとともに電源電圧供給点9との間に抵抗
10を接続する。上記トランジスタ27および2
8のコレクタには上記トランジスタ8と差動回路
を構成するトランジスタ11のベースを接続する
とともに電源電圧供給点9との間に抵抗12を接
続する。
The emitters of the transistors 25 and 27 are connected to a resistor 29 and a resistor 3 having the same resistance value, respectively.
0 is connected to the other end of the resistor 29, and the resistor 3 is connected to the other end of the resistor 29.
0 and the other end of the constant current source 31 is connected between the reference potential point 3 and the reference potential point 3. Above transistor 2
The emitter of the transistor 28 is connected to the emitter of the transistor 6, and a constant current source 32 is connected between the emitter and the reference potential point 3. The base of the transistor 8 is connected to the collectors of the transistors 25 and 26, and a resistor 10 is connected between the collectors and the power supply voltage supply point 9. The transistors 27 and 2
8 is connected to the base of a transistor 11 forming a differential circuit with the transistor 8, and a resistor 12 is connected between it and a power supply voltage supply point 9.

他の点は第1図で示した従来例と同様であり、
同一符号は同一のものをそれぞれ示す。
Other points are the same as the conventional example shown in Fig. 1,
The same reference numerals indicate the same items.

本実施例は、端子6および7を制御入力端子と
し、端子19を信号入力端子とし、端子17を出
力端子とする利得制御回路を構成しており、上記
制御入力端子6および7に対して出力回路が共通
である2つの差動回路が並列に接続されているこ
とを特徴とする。
This embodiment constitutes a gain control circuit in which terminals 6 and 7 are used as control input terminals, terminal 19 is used as a signal input terminal, and terminal 17 is used as an output terminal. It is characterized in that two differential circuits having a common circuit are connected in parallel.

ここで、端子6および7の各々の電位をそれぞ
れV6、V7とし、且つトランジスタ25〜28の
各々のコレクタ電流を、それぞれIC25、IC26
IC27,IC28とする。このとき、トランジスタ26
および28のコレクタ電流IC26、IC28はそれぞれ
(7)式、(8)式で表わされる。
Here, the potentials of terminals 6 and 7 are set to V 6 and V 7 , respectively, and the collector currents of transistors 25 to 28 are set to I C25 , I C26 , and V 7 , respectively.
I C27 and I C28 . At this time, the transistor 26
and the collector currents I C26 and I C28 of 28 are respectively
It is expressed by equations (7) and (8).

IC26I32/1+exp+(V7−V6)・q/kT ……(7) IC28I32/1+exp−(V7−V6)・q/kT ……(8) 但し、I32:定電流源32の電流値 また、トランジスタ25および27のコレクタ
電流IC25およびIC27、端子6および端子7の各々
の電位V6、V7および定電流源31の電流値I31
関し(9)、(10)式が成り立つ。
I C26 I 32 /1 + exp + (V 7 −V 6 )・q/kT …(7) I C28 I 32 /1+exp− (V 7 −V 6 )・q/kT …(8) However, I 32 : Current value of constant current source 32 Also, regarding collector currents I C25 and I C27 of transistors 25 and 27, potentials V 6 and V 7 of terminals 6 and 7, and current value I 31 of constant current source 31 , (9) , Equation (10) holds true.

V7−V6=(VBE27−VBE25)+(IC27×R29−IC25×
R29) ……(9) IC25+IC27=I31 ……(10) 但し、VBE25:トランジスタ25のベース〜
エミツタ間電圧、R29:抵抗29,30の抵
抗値、VBE27:トランジスタ27のベース〜
エミツタ間電圧 (9)式において、トランジスタ25および27の
各々のベースエミツタ間電圧VBE25、VBE27はそれ
ぞれ(11)式および(12)式で表わされる。
V 7 −V 6 = (V BE27 − V BE25 ) + (I C27 × R 29 − I C25 ×
R 29 ) ...(9) I C25 + I C27 = I 31 ... (10) However, V BE25 : Base of transistor 25 ~
Emitter voltage, R 29 : Resistance value of resistors 29 and 30, V BE27 : Base of transistor 27 ~
Emitter voltage In equation (9), base-emitter voltages V BE25 and V BE27 of transistors 25 and 27 are expressed by equations (11) and (12), respectively.

VBE25kT/qlnIC25/IS ……(11) VBE27kT/qlnIC27/IS ……(12) 但しIS:トランジスタ25,27の飽和電流(10)
式〜(12)式を上記(9)式に代入しトランジスタ25お
よび27のコレクタ電流について解くと、(13)式
および(14)式で表わされる。
V BE25 kT/qlnI C25 /I S ...(11) V BE27 kT/qlnI C27 /I S ...(12) However, I S : Saturation current of transistors 25 and 27 (10)
When equations (12) to (12) are substituted into equation (9) and solved for the collector currents of transistors 25 and 27, equations (13) and (14) are obtained.

IC25I31/1+exp+(V7−V6)・q/kT−exp2
IC27−I31)・q/kT……(13) IC27I31/1+exp+(V7−V6)・q/kT−exp2
IC27−I31)・q/kT……(14) ここで、定電流源32の電流値I32と、定電流
源31の電流値I31との間に(15)式が成り立つもの
とする。
I C25 I 31 /1+exp+(V 7 −V 6 )・q/kT−exp2
I C27 −I 31 )・q/kT……(13) I C27 I 31 /1+exp+(V 7 −V 6 )・q/kT−exp2
I C27 −I 31 )・q/kT...(14) Here, it is assumed that equation (15) holds between the current value I 32 of the constant current source 32 and the current value I 31 of the constant current source 31. do.

I31−I32>0 ……(15) また、抵抗10および抵抗12に流れる電流を
それぞれ10、I12とするとこの電流I10,I12は(16)
式、(17)式で表わされる。
I 31 −I 32 >0 ...(15) Also, if the currents flowing through resistor 10 and resistor 12 are respectively 10 and I 12 , these currents I 10 and I 12 are (16)
It is expressed by equation (17).

I10IC25+IC26 ……(16) I12IC27+IC28 ……(17) ここで、前記(7)〜(8)式、(13)〜(14)式および(16)
〜(17)式より、端子6および7に印加される電圧
V6、V7の差電圧に対するトランジスタ25、ト
ランジスタ27の各々のコレクタ電流差IC25
IC27、トランジスタ26、トランジスタ28の
各々のコレクタ電流差IC26−IC28および抵抗10、
抵抗12の各々に流れる電流の差I10−I12の変化
を第5図にそれぞれ実線および破線で示す。
I 10 I C25 + I C26 ……(16) I 12 I C27 + I C28 ……(17) Here, the above formulas (7) to (8), (13) to (14), and (16)
From equation (17), the voltage applied to terminals 6 and 7
Difference in collector current of transistor 25 and transistor 27 with respect to voltage difference between V 6 and V 7 I C25
I C27 , collector current difference I C26 −I C28 of transistor 26 and transistor 28, and resistor 10,
Changes in the difference I 10 −I 12 between the currents flowing through each of the resistors 12 are shown in FIG. 5 by solid lines and broken lines, respectively.

第5図に示すように、抵抗10、抵抗12に流
れる電流I10、I12の電流差I10−I12はトランジスタ
25とトランジスタ27およびトランジスタ26
とトランジスタ28による2つの差動回路が端子
6および7に対して並列に接続されているため、
端子6および端子7の電位が等しくなる点の近傍
において補償される。
As shown in FIG. 5, the current difference I 10 −I 12 between the currents I 10 and I 12 flowing through the resistor 10 and the resistor 12 is the difference between the transistor 25, the transistor 27, and the transistor 26.
and transistor 28 are connected in parallel to terminals 6 and 7,
Compensation occurs near the point where the potentials of terminal 6 and terminal 7 become equal.

一方、トランジスタ11および8の各々のベー
ス電位をそれぞれV11′、V8′とすると、V11′、
V8′は、(18)式、(19)式で表わされる。
On the other hand, if the base potentials of transistors 11 and 8 are V 11 ′ and V 8 ′, respectively, V 11 ′,
V 8 ′ is expressed by equations (18) and (19).

V11′=VB−I12×R ……(18) V8′=VB−I10×R ……(19) (18)式、(19)式より、トランジスタ11および
8のベース電圧の差電圧は(20)式で表わされる。
V 11 ′=V B −I 12 ×R ……(18) V 8 ′=V B −I 10 ×R ……(19) From equations (18) and (19), the base voltage of transistors 11 and 8 The differential voltage between is expressed by equation (20).

V11′−V8′=(VB−I12×R) −(VB−I10×R)=(I10−I12)×R ……(20) これより、トランジスタ11、トランジスタ8
の各々のベース電位差の変化は抵抗10、抵抗1
2を流れる電流I10、I12の差電流と同様に補償さ
れた変化となる。
V 11 ′−V 8 ′=(V B −I 12 ×R) −(V B −I 10 ×R)=(I 10 −I 12 )×R ……(20) From this, transistor 11, transistor 8
The change in the base potential difference of each of the resistors 10 and 1
This is a compensated change similar to the difference current between the currents I 10 and I 12 flowing through 2.

したがつて、電圧利得は第5図にG′Vで示すよ
うにトランジスタ11、トランジスタ8の各々の
ベース電位差の補償によつて従来回路例におい
て、制御入力である端子6および7の電位が等し
くなる点の近傍において問題であつた電圧利得変
化の直線性悪化は補償されその直線性が改善され
る。
Therefore, as shown by G' V in FIG. 5, voltage gain is achieved by compensating for the difference in base potential of transistors 11 and 8, so that the potentials of terminals 6 and 7, which are control inputs, are equal in the conventional circuit example. The deterioration of the linearity of the voltage gain change, which was a problem in the vicinity of this point, is compensated for and the linearity is improved.

〔効果の説明〕[Explanation of effects]

以上説明したように本発明によれば、制御入力
に対する追従性の優れた利得制御回路を簡単に実
現することができる。特に、AM,FM受信機等
の利得制御回路に優れた効果を発揮する。
As described above, according to the present invention, it is possible to easily realize a gain control circuit with excellent followability to control inputs. In particular, it exhibits excellent effects in gain control circuits such as AM and FM receivers.

また、本発明を半導体集積回路に応用すれば、
各素子間の整合がとり易く、制御入力に対しより
追従性の良い利得制御回路を安価に実現できる。
Furthermore, if the present invention is applied to a semiconductor integrated circuit,
It is easy to match each element, and a gain control circuit with better followability to control input can be realized at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図および第2図は従来例の要部回路構成
図。第3図は従来例の制御入力対出力特性を示す
図。第4図は本発明一実施例の要部回路構成図。
第5図は上記実施例の制御入力対出力特性図。 1,2,8,11,16,25〜28…トラン
ジスタ、3…基準電位点、4,31,32…定電
流源、9…電源電圧供給点。
FIG. 1 and FIG. 2 are main circuit configuration diagrams of a conventional example. FIG. 3 is a diagram showing control input versus output characteristics of a conventional example. FIG. 4 is a diagram showing the main circuit configuration of an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a control input versus output characteristic diagram of the above embodiment. 1, 2, 8, 11, 16, 25-28...transistor, 3...reference potential point, 4,31,32...constant current source, 9...power supply voltage supply point.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 共通エミツタ形に接続され差動入力が各ベー
スに接続され差動出力が各コレクタから取出され
る第1のトランジスタ26および第2のトランジ
スタ28を含む第一の差動増幅回路と、 共通エミツタ形に接続され上記第一の差動増幅
回路の差動出力が各ベースに接続された第3のト
ランジスタ11および第4のトランジスタ8を含
む第二の差動増幅回路と、 ベースに信号入力が接続されコレクタが上記第
二の差動増幅回路のエミツタ回路に接続された増
幅回路9と を備え、 利得制御信号が上記第一の差動増幅回路の差動
入力に接続され、上記第二の差動増幅回路のいず
れかのトランジスタのコレクタ出力を信号出力と
する利得制御回路において、 上記第一の差動増幅回路の上記第1のトランジ
スタ26のコレクタおよびベースにそれぞれその
コレクタおよびベースが共通接続された第5のト
ランジスタ25と、上記第2のトランジスタ28
のコレクタおよびベースにそれぞれそのコレクタ
およびベースが共通接続された第6のトランジス
タ27を含み、共通エミツタ形の第三の差動増幅
回路を備え、 この第三の差動増幅回路の第5および第6のト
ランジスタの各エミツタには直列に抵抗が接続さ
れた ことを特徴とする利得制御回路。
Claims: 1. A first differential transistor comprising a first transistor 26 and a second transistor 28 connected in a common emitter configuration, with a differential input connected to each base and a differential output taken from each collector. an amplifier circuit; and a second differential amplifier circuit including a third transistor 11 and a fourth transistor 8 connected in a common emitter configuration and having differential outputs of the first differential amplifier circuit connected to respective bases. , an amplifier circuit 9 having a signal input connected to the base and a collector connected to the emitter circuit of the second differential amplifier circuit, and a gain control signal connected to the differential input of the first differential amplifier circuit. and in a gain control circuit whose signal output is the collector output of any transistor of the second differential amplifier circuit, the collector and base of the first transistor 26 of the first differential amplifier circuit are respectively connected to the collector output of the first transistor 26 of the first differential amplifier circuit. a fifth transistor 25 whose collector and base are commonly connected; and the second transistor 28
includes a sixth transistor 27 whose collector and base are commonly connected to the collector and base of the transistor, respectively, and is provided with a third differential amplifier circuit of a common emitter type; A gain control circuit characterized in that a resistor is connected in series to each emitter of the transistor No.6.
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