JPH0318756B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0318756B2 JPH0318756B2 JP58231975A JP23197583A JPH0318756B2 JP H0318756 B2 JPH0318756 B2 JP H0318756B2 JP 58231975 A JP58231975 A JP 58231975A JP 23197583 A JP23197583 A JP 23197583A JP H0318756 B2 JPH0318756 B2 JP H0318756B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- green sheet
- glass
- pitch
- pad portion
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ICパツケージまたは多層配線基板
の製造方法に関する。 [従来の技術] 従来の技術を第1図とともに説明する。 (1) タングステン、モリブデン粉末等を調製した
ペーストをグリーンシート上に配線印刷する。 (2) これらを積層接着し還元雰囲気中で焼成す
る。 3 ニツケ鍍金を施し、電極パツト部3にピン4
を銀ろうを用いて接合する。なお、1はセラミ
ツク配線基板、2はIC素子を搭載するための
載置部、Pはパツド部3のピツチ寸法である。 [発明が解決しようとする課題] 従来の技術はつぎのような欠点がある。 上記(2)の工程において、積層物は10%〜20%の
焼成収縮を起こす。その収縮率は使用するセラミ
ツク原料、グリーンシートの成形条件、配線印刷
や積層の加工条件、更には焼成条件に影響を受
け、常に一定の収縮率にコントロールすることは
非常に困難である。このためピツチ寸法Pは不均
一である。 一方、この配線基板1に接合するピン4の配列
ピツチは2.54mm(100mil)あるいは1.27mm
(50mil)等定まつ寸法である。 従つて、ピン4の配列ピツチとパツド部3の配
列とに差が生じ、銀ろうによりピン4をパツド部
3に接合しようとすると、ピン4は電極パツド部
3の中心からずれたり、電極パツド部3から食み
出したりする(配線基板が大きい程顕著)。 このため、往々にして、ピン4と隣接するパツ
ド部3とがシヨートしたり、ピン4とパツド部3
との接合強度の低下を起こしたりする。 本発明の目的は、同一並設ピツチを有する外部
電極をパツド部の中心に接合できるようにするこ
とにより、外部電極と隣接するパツド部とのシヨ
ートを招かず、外部電極とパツド部との均一な接
合強度が得られる配線基板の製造方法の提供にあ
る。 [課題を解決するための手段] 上記目的達成のため、本発明は、セラミツクグ
リーンシートの外面にタングステンまたはモリブ
デン粉末を調製したペーストを一定間隔で印刷
し、このグリーンシートを焼成して、同一並設ピ
ツチを有する外部電極の先端面より大面積であ
り、内部配線と電気導通を図つた電極取り出し用
パツド部を形成し、前記並設ピツチで、かつ前記
先端面より大きい面積でもつて前記パツド部が露
出するように、前記焼成温度より低い軟化点を有
するガラスペーストを塗布し、還元雰囲気中、前
記焼成温度より低い温度で前記ガラスペーストを
焼付けて電気絶縁性のガラス被覆を形成した構成
を採用した。 [作用および発明の効果] 本発明はつぎの作用および効果を奏する。 外部電極の並設ピツチと同じ寸法で、かつ外部
電極の先端面より大きい面積でもつてパツド部が
露出するように、ガラスペーストを塗布してい
る。このガラスの軟化点は、グリーンシートの焼
成温度より低いから、該焼成温度より低い温度で
焼き付けることが可能である。従つて、一旦焼成
収縮したグリーンシートがガラス焼成時に更に収
縮することはなく、焼付けると、パツド部のピツ
チは外部電極のピツチと同じになり外部電極をパ
ツド部の中心に接合することができる。 よつて、外部電極と隣接するパツド部との絶縁
が確実になり、外部電極と対応するパツド部との
接合強度の均一化が図れる。 [実施例] 本発明の一実施例を第2図に基づき説明する。 第2図において、11はセラミツク配線基板、
12はIC素子の搭載部、13はタングステンま
たはモリブデンの焼成層、14はパツド部、15
はガラス、16はピンである。 ガラス15は、1000℃〜1400℃の還元雰囲気で
焼付け可能なものであり、またニツケル鍍金や金
鍍金を施す工程を経ても何ら影響を受けない組成
であることが要求される。本実施例ではAl2O3−
SiO2−CaO−K2O系であり、焼付けは1400℃で
ある。 つぎに製造方法を述べる。 (1) Al2O392重量%、CaO2重量%、MgO3重量
%、SiO23重量%の混合粉末に対し、エチルセ
ルローズ、ジブチルフタレート、トリクレン、
ノニオンを適量加えて調製した泥漿を既知のド
クターブレード工法にてグリーンシートを成形
する。 (2) このグリーンシートを15.24cm×10.16cm(6
×4inch)寸法に切断したものを3枚作り、そ
れらの規定位置にパンチングにより電気導通を
図る、直径0.254mm(10mil)の細孔を設け、タ
ングステン粉末を調製しペーストをその細孔に
孔埋めする。 (3) 同一のタングステンペーストにてこれらシー
トの規定位置に配線パターンを印刷し、また外
部電極取り出し用パツド部14を従来のパツド
寸法2.1336mmφ±1%(84milφ±1%)を、
2.54mmφ±1%(100milφ±1%)に大きくし
て印刷形成する。なお、各パツドでセンター間
のピツチ寸法は120mil±1%である。 (4) これら3枚を積層接着して250℃にて樹脂抜
後、水素と窒素の混合雰囲気中、1550℃にて焼
成する。焼成品のパツド寸法は2.1082mmφ±1
%(83milφ±1%)で、パツドセンター間の
ピツチ寸法は2.54mmφ±1%(100milφ±1%)
である。 (5) 別にガラス組成として、Al2O313重量%、
SiO275重量%、K2O8重量%、CaO2.8重量%、
Na2O1.2重量%の混合粉末を溶融してフリツト
とし、このガラス軟化点は1100℃であり、これ
を粉末にして溶剤を加え、ペーストを製造す
る。このガラスペーストを前記焼成品のタング
ステンパツドを形成した面上に、パツド寸法
1.778mmφ(70milφ)を残し、各パツドセンタ
ー間ピツチ2.54mm(100milφ)にて、0.0254mm
(1mil)の厚さにガラス印刷を行い、1400℃の
還元雰囲気中に焼き付ける。 この焼付けにより配線基板11は寸法変化を
せず、ガラス印刷で施した所望のピツチ寸法
(2.54mm)、形状寸法(1.778mmφ)を有したタ
ングステンからなるパツド面が形成され、不要
な部分はガラス15で被覆された形状となる。 (6) つぎに、0.00254mm(0.1mil)厚さにニツケ
ル鍍金を施し、一定ピツチ寸法でセツトされて
いる外部取り出しピン16;0.508mm(20mil)に
銀ろう材を用い、850℃中にて接合する。これ
に0.00254mm(0.1mil)の厚さの金鍍金を施し
て完成する。 本実施例における作用効果を述べる。 (1) パツド部14のセンター位置にピン16が接
合でき、接合強度の均一化が図れる。 (2) パツド間が確実に絶縁されたシヨートするこ
とが皆無となり、安定品質となる。 (3) ガラスはAl2O3−SiO2−CaO−K2O系であ
り、熱膨張率は6.0×10-6/℃である。なおセ
ラミツクは5.9×10-6/℃である。このため、
充分な耐急熱急冷性、耐久性、耐薬品性が得ら
れる。 (4) 一般形状品は勿論のこと、セラミツク配線基
板1が大型になる程、その効果を発揮し、信頼
性に優れた安定品質ものを製造できる。 つぎに、上記(5)の工程を省いた比較品と、発明
品との接合強度測定結果を第1表とともに述べ
る。なお、試料は各5個ずつ製造し、ピンの接合
強度はオートグラフ(島津製作所製)で測定し
た。 発明品のピン16の接合強度は、8.5Kg以上の
略一定した強度を示した。また、温度150℃から
15℃のエアー吹付けの反復10回の急熱急冷試験
で、セラミツクとガラスとの剥離およびガラスの
クラツクの発生は殆ど見られなかつた。 【表】
の製造方法に関する。 [従来の技術] 従来の技術を第1図とともに説明する。 (1) タングステン、モリブデン粉末等を調製した
ペーストをグリーンシート上に配線印刷する。 (2) これらを積層接着し還元雰囲気中で焼成す
る。 3 ニツケ鍍金を施し、電極パツト部3にピン4
を銀ろうを用いて接合する。なお、1はセラミ
ツク配線基板、2はIC素子を搭載するための
載置部、Pはパツド部3のピツチ寸法である。 [発明が解決しようとする課題] 従来の技術はつぎのような欠点がある。 上記(2)の工程において、積層物は10%〜20%の
焼成収縮を起こす。その収縮率は使用するセラミ
ツク原料、グリーンシートの成形条件、配線印刷
や積層の加工条件、更には焼成条件に影響を受
け、常に一定の収縮率にコントロールすることは
非常に困難である。このためピツチ寸法Pは不均
一である。 一方、この配線基板1に接合するピン4の配列
ピツチは2.54mm(100mil)あるいは1.27mm
(50mil)等定まつ寸法である。 従つて、ピン4の配列ピツチとパツド部3の配
列とに差が生じ、銀ろうによりピン4をパツド部
3に接合しようとすると、ピン4は電極パツド部
3の中心からずれたり、電極パツド部3から食み
出したりする(配線基板が大きい程顕著)。 このため、往々にして、ピン4と隣接するパツ
ド部3とがシヨートしたり、ピン4とパツド部3
との接合強度の低下を起こしたりする。 本発明の目的は、同一並設ピツチを有する外部
電極をパツド部の中心に接合できるようにするこ
とにより、外部電極と隣接するパツド部とのシヨ
ートを招かず、外部電極とパツド部との均一な接
合強度が得られる配線基板の製造方法の提供にあ
る。 [課題を解決するための手段] 上記目的達成のため、本発明は、セラミツクグ
リーンシートの外面にタングステンまたはモリブ
デン粉末を調製したペーストを一定間隔で印刷
し、このグリーンシートを焼成して、同一並設ピ
ツチを有する外部電極の先端面より大面積であ
り、内部配線と電気導通を図つた電極取り出し用
パツド部を形成し、前記並設ピツチで、かつ前記
先端面より大きい面積でもつて前記パツド部が露
出するように、前記焼成温度より低い軟化点を有
するガラスペーストを塗布し、還元雰囲気中、前
記焼成温度より低い温度で前記ガラスペーストを
焼付けて電気絶縁性のガラス被覆を形成した構成
を採用した。 [作用および発明の効果] 本発明はつぎの作用および効果を奏する。 外部電極の並設ピツチと同じ寸法で、かつ外部
電極の先端面より大きい面積でもつてパツド部が
露出するように、ガラスペーストを塗布してい
る。このガラスの軟化点は、グリーンシートの焼
成温度より低いから、該焼成温度より低い温度で
焼き付けることが可能である。従つて、一旦焼成
収縮したグリーンシートがガラス焼成時に更に収
縮することはなく、焼付けると、パツド部のピツ
チは外部電極のピツチと同じになり外部電極をパ
ツド部の中心に接合することができる。 よつて、外部電極と隣接するパツド部との絶縁
が確実になり、外部電極と対応するパツド部との
接合強度の均一化が図れる。 [実施例] 本発明の一実施例を第2図に基づき説明する。 第2図において、11はセラミツク配線基板、
12はIC素子の搭載部、13はタングステンま
たはモリブデンの焼成層、14はパツド部、15
はガラス、16はピンである。 ガラス15は、1000℃〜1400℃の還元雰囲気で
焼付け可能なものであり、またニツケル鍍金や金
鍍金を施す工程を経ても何ら影響を受けない組成
であることが要求される。本実施例ではAl2O3−
SiO2−CaO−K2O系であり、焼付けは1400℃で
ある。 つぎに製造方法を述べる。 (1) Al2O392重量%、CaO2重量%、MgO3重量
%、SiO23重量%の混合粉末に対し、エチルセ
ルローズ、ジブチルフタレート、トリクレン、
ノニオンを適量加えて調製した泥漿を既知のド
クターブレード工法にてグリーンシートを成形
する。 (2) このグリーンシートを15.24cm×10.16cm(6
×4inch)寸法に切断したものを3枚作り、そ
れらの規定位置にパンチングにより電気導通を
図る、直径0.254mm(10mil)の細孔を設け、タ
ングステン粉末を調製しペーストをその細孔に
孔埋めする。 (3) 同一のタングステンペーストにてこれらシー
トの規定位置に配線パターンを印刷し、また外
部電極取り出し用パツド部14を従来のパツド
寸法2.1336mmφ±1%(84milφ±1%)を、
2.54mmφ±1%(100milφ±1%)に大きくし
て印刷形成する。なお、各パツドでセンター間
のピツチ寸法は120mil±1%である。 (4) これら3枚を積層接着して250℃にて樹脂抜
後、水素と窒素の混合雰囲気中、1550℃にて焼
成する。焼成品のパツド寸法は2.1082mmφ±1
%(83milφ±1%)で、パツドセンター間の
ピツチ寸法は2.54mmφ±1%(100milφ±1%)
である。 (5) 別にガラス組成として、Al2O313重量%、
SiO275重量%、K2O8重量%、CaO2.8重量%、
Na2O1.2重量%の混合粉末を溶融してフリツト
とし、このガラス軟化点は1100℃であり、これ
を粉末にして溶剤を加え、ペーストを製造す
る。このガラスペーストを前記焼成品のタング
ステンパツドを形成した面上に、パツド寸法
1.778mmφ(70milφ)を残し、各パツドセンタ
ー間ピツチ2.54mm(100milφ)にて、0.0254mm
(1mil)の厚さにガラス印刷を行い、1400℃の
還元雰囲気中に焼き付ける。 この焼付けにより配線基板11は寸法変化を
せず、ガラス印刷で施した所望のピツチ寸法
(2.54mm)、形状寸法(1.778mmφ)を有したタ
ングステンからなるパツド面が形成され、不要
な部分はガラス15で被覆された形状となる。 (6) つぎに、0.00254mm(0.1mil)厚さにニツケ
ル鍍金を施し、一定ピツチ寸法でセツトされて
いる外部取り出しピン16;0.508mm(20mil)に
銀ろう材を用い、850℃中にて接合する。これ
に0.00254mm(0.1mil)の厚さの金鍍金を施し
て完成する。 本実施例における作用効果を述べる。 (1) パツド部14のセンター位置にピン16が接
合でき、接合強度の均一化が図れる。 (2) パツド間が確実に絶縁されたシヨートするこ
とが皆無となり、安定品質となる。 (3) ガラスはAl2O3−SiO2−CaO−K2O系であ
り、熱膨張率は6.0×10-6/℃である。なおセ
ラミツクは5.9×10-6/℃である。このため、
充分な耐急熱急冷性、耐久性、耐薬品性が得ら
れる。 (4) 一般形状品は勿論のこと、セラミツク配線基
板1が大型になる程、その効果を発揮し、信頼
性に優れた安定品質ものを製造できる。 つぎに、上記(5)の工程を省いた比較品と、発明
品との接合強度測定結果を第1表とともに述べ
る。なお、試料は各5個ずつ製造し、ピンの接合
強度はオートグラフ(島津製作所製)で測定し
た。 発明品のピン16の接合強度は、8.5Kg以上の
略一定した強度を示した。また、温度150℃から
15℃のエアー吹付けの反復10回の急熱急冷試験
で、セラミツクとガラスとの剥離およびガラスの
クラツクの発生は殆ど見られなかつた。 【表】
第1図は従来の配線基板でありピンを接合した
ところを示し、Aはその要部断面図、Bはその一
部下面図である。第2図は本発明の一実施例にお
ける配線基板であり、ピンを接合したところを示
し、Aはその要部断面図、Bはその一部下面図で
ある。 図中、11……配線基板、14……パツド部(電
極取り出し用パツド部)、15……ガラス(ガラ
ス被覆)、16……ピン(外部電極)。
ところを示し、Aはその要部断面図、Bはその一
部下面図である。第2図は本発明の一実施例にお
ける配線基板であり、ピンを接合したところを示
し、Aはその要部断面図、Bはその一部下面図で
ある。 図中、11……配線基板、14……パツド部(電
極取り出し用パツド部)、15……ガラス(ガラ
ス被覆)、16……ピン(外部電極)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 セラミツクグリーンシートの外面にダングス
テンまたはモリブデン粉末を調製したペーストを
一定間隔で印刷し、 このグリーンシートを焼成して、同一並設ピツ
チを有する外部電極の先端面より大面積であり、
内部配線と電気導通を図つた電極取り出し用パツ
ド部を形成し、 前記並設ピツチで、かつ前記先端面より大きい
面積でもつて前記パツド部が露出するように、前
記焼成温度より低い軟化点を有するガラスペース
トを塗布し、 還元雰囲気中、前記焼成温度より低い温度で前
記ガラスペーストを焼付けて電気絶縁性のガラス
被覆を形成したことを特徴とする配線基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23197583A JPS60123088A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23197583A JPS60123088A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60123088A JPS60123088A (ja) | 1985-07-01 |
| JPH0318756B2 true JPH0318756B2 (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=16931978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23197583A Granted JPS60123088A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60123088A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50131063A (ja) * | 1974-04-05 | 1975-10-16 | ||
| JPS51106058A (ja) * | 1975-03-14 | 1976-09-20 | Citizen Watch Co Ltd | Seramitsukukiban |
| JPS6228794U (ja) * | 1985-08-03 | 1987-02-21 |
-
1983
- 1983-12-07 JP JP23197583A patent/JPS60123088A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60123088A (ja) | 1985-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0361359B2 (ja) | ||
| JPH0318756B2 (ja) | ||
| JPH0266916A (ja) | 積層型セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPS63144554A (ja) | 厚膜混成集積回路基板の製造方法 | |
| JP3231370B2 (ja) | 角形チップ抵抗器の製造方法 | |
| JP2641530B2 (ja) | チップ状電子部品の製造方法 | |
| JP3111823B2 (ja) | 回路検査端子付き角形チップ抵抗器 | |
| JPH08153945A (ja) | セラミック回路基板 | |
| JP2842711B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPS6228794Y2 (ja) | ||
| JPH0217957B2 (ja) | ||
| JPS623522B2 (ja) | ||
| JPH0722221B2 (ja) | セラミツクス回路基板の製造方法 | |
| JP2931910B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP2718178B2 (ja) | 角板型薄膜チップ抵抗器の製造方法 | |
| JP2515165B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPH0316220Y2 (ja) | ||
| JPH0484494A (ja) | 多層回路基板 | |
| JP2505197B2 (ja) | 積層セラミツクコンデンサの外部電極形成方法 | |
| JPH07211509A (ja) | チップ抵抗器とその製造方法 | |
| JP2842710B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPH0380358B2 (ja) | ||
| JPH02254791A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH04169082A (ja) | クロスコンダクターとその製造方法 | |
| JPH0430172B2 (ja) |