JPH0323634B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0323634B2 JPH0323634B2 JP59210996A JP21099684A JPH0323634B2 JP H0323634 B2 JPH0323634 B2 JP H0323634B2 JP 59210996 A JP59210996 A JP 59210996A JP 21099684 A JP21099684 A JP 21099684A JP H0323634 B2 JPH0323634 B2 JP H0323634B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bath
- copper plating
- dipyridyl
- chemical copper
- tensile strength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、伸び及び引張強さといつた機械的性
質が高く、特に熱処理によりこれらの機械的性質
が向上する化学銅めつき皮膜を与える化学銅めつ
き浴に関する。 従来の技術及びその問題点 従来より、フルアデイテイブ法によるプリント
配線基板の製造においては、接着剤付積層板に化
学銅めつき皮膜による回路を形成した後、化学銅
めつき皮膜と接着剤付積層板との密着性を向上さ
せる目的で熱処理（通常約150℃）することが行
なわれている。このようなフルアデイテイブ法に
よるプリント配線基板の製造に用いる化学銅めつ
き浴としては、従来より種々の浴が提案されてい
るが、従来の化学銅めつき浴から得られる化学銅
めつき皮膜は、上述した熱処理により銅皮膜の伸
びは向上するものの、引張強さが低下する問題が
あり、このためこの化学銅めつき皮膜により回路
を形成したフルアデイテイブ法によるプリント配
線基板の品質は十分満足し得ないものであつた。 発明の概要 本発明者らは上記事情に鑑み、良好な機械的性
質を与え、特に熱処理により機械的性質の低下し
ない化学銅めつき皮膜を形成できる化学銅めつき
浴につき鋭意研究を行なつた結果、銅イオンと、
この銅イオンを錯化する錯化剤と、還元剤とを含
有する化学銅めつき浴において、錯化剤としてエ
チレンジアミンテトラ酢酸又はその塩を用いると
共に、この浴に更にエチレンジアミンとα，α′−
ジピリジルとを添加した浴が上記目的を達成する
ことを知見した。 即ち、このエチレンジアミンテトラ酢酸又はそ
の塩（以下、EDTA類という）を錯化剤としエ
チレンジアミンとα，α′−ジピリジルとを添加し
た化学銅めつき浴から得られるめつき皮膜は、伸
び及び引張強さといつた機械的性質が良好である
上、外観が優れ、しかもこのめつき皮膜を熱処理
した場合、伸びと共に引張強さが向上するもので
あつた。上述したように、従来の化学銅めつき浴
からのめつき皮膜は、熱処理によつて伸びは向上
するものの引張強さは低下するものであり、従来
は化学銅めつき皮膜の引張強さは熱処理により低
下するものと考えられていたにもかかわらず、
EDTA類を錯化剤とし、エチレンジアミン及び
α，α′−ジピリジルを添加した化学銅めつき浴か
らのめつき皮膜は、意外にも熱処理により伸びが
向上する上、引張強さも向上するという新知見を
得たものである。更に、α，α′−ジピリジルをエ
チレンジアミンと併用した場合、α，α′−ジピリ
ジルの使用濃度範囲が広がることを知見した。即
ち、α，α′−ジピリジルは従来化学銅めつき浴中
に0.00025モル／以上添加すると析出速度が低
下する上、めつき皮膜に亜酸化銅の膜が生じてそ
の物性が著しく低下するという問題があり、この
ためα，α′−ジピリジルは通常0.00015〜0.00025
モル／の濃度範囲で使用していたもので、使用
濃度範囲が狭いという問題があつた。ところが、
α，α′−ジピリジルをエチレンジアミンと併用す
るとその使用濃度範囲の上限が上昇し、例えば
0.025モル／程度でも支障なく使用することが
できるという予想外の事実を見い出し、本発明を
なすに至つたものである。 以下、本発明につき更に詳しく説明する。 発明の構成 本発明に係る化学銅めつき浴は、銅イオンと、
銅イオンを錯化する錯化剤として銅イオンと等モ
ル以上の量のエチレンジアミンテトラ酢酸又はそ
の塩と、ホルムアルデヒド還元剤と、エチレンジ
アミンと、α，α′−ジピリジルとを含有してなる
ものである。 ここで、銅イオンは２価の銅イオンを与える硫
酸銅等により供給され、銅イオンの濃度は0.01〜
１モル／、特に0.02〜0.5モル／であること
が好ましい。 また、銅の錯化剤としては、上述したようにエ
チレンジアミンテトラ酢酸又はその塩を使用する
もので、その濃度は銅イオンと等モル又はそれ以
上である。 更に、本発明において、還元剤としてはホルム
アルデヒドで代表されるホルムアルデヒド類を使
用するもので、その濃度は0.02〜１モル／、特
に0.05〜0.5モル／とすることが好ましい。 本発明の化学銅めつき浴には、上記成分に加え
て更にエチレンジアミンを加える。この場合、エ
チレンジアミンはそれ単独では前記銅イオンの錯
化剤になり得るものであるが、上述した銅イオン
の錯化剤、即ちEDTA類の存在下においては実
質的に銅イオンの錯化剤として作用しないもので
ある。 ここで、添加剤として用いるエチレンジアミン
の使用量は特に制限されないが、0.001〜0.5モ
ル／、特に0.005〜0.1モル／とすることが好
ましい。この場合、エチレンジアミンは、還元剤
（ホルムアルデヒド）１モルに対し0.002〜２モル
となるように添加することができ、還元剤（ホル
ムアルデヒド）１モルに対し0.1モルより少ない
使用量でも十分その効果を有する。 本発明の化学銅めつき浴には、更にα，α′−ジ
ピリジルを添加するもので、上述したように、
EDTA類を錯化剤とする化学銅めつき浴にエチ
レンジアミンとα，α′−ジピリジルとを併用して
添加することにより、初めて熱処理により引張強
さが向上する化学銅めつき皮膜が得られ、しかも
α，α′−ジピリジルの使用濃度範囲を広げること
ができたものである。これに対し、α，α′−ジピ
リジルと同様に従来から化学銅めつき浴の安定剤
として知られたシアン類をエチレンジアミンと併
用しても熱処理による化学銅めつき皮膜の引張強
さの増大という本発明の目的は達成されない。こ
の場合、α，α′−ジピリジルの使用量は必ずしも
制限されないが、0.00001〜0.025モル／、特に
0.00005〜0.01モル／とすることが好ましい。 本発明の化学銅めつき浴は、以上述べた銅イオ
ン、EDTA類、ホルムアルデヒド類、更にエチ
レンジアミン及びα，α′−ジピリジルを必須成分
とするものであるが、更に必要に応じて種々の成
分、例えばホルマリンと付加生成物を形成する化
合物やシアン類、フエロシアン類等の安定剤など
を添加することもできる。 なお、本発明化学銅めつき浴はアルカリ性、特
にpH11〜13.5とすることが好ましい。 本発明に係る化学銅めつき浴の使用方法は通常
の化学銅めつき浴の場合と同様であり、被めつき
物を常法により前処理した後、浴中に浸漬するも
のであるが、めつき温度は室温〜80℃の温度、特
に45〜75℃とすることが好適である。また、めつ
き時間は必要とする膜厚、めつき浴の析出速度等
により適宜設定される。なお、本発明の化学銅め
つき浴の析出速度は、浴組成、めつき温度などに
より種々コントロールすることができるが、一般
的には１〜6μｍ／ｈの範囲でコントロールする
ことが好ましい。 本発明めつき浴でめつきされ得る被めつき物に
は特に制限はないが、常法により前処理されたプ
リント配線板製作用の基板、プラスチツク成形
品、セラミツクなどを好適にめつきすることがで
き、特にフルアデイテイブ法によるプリント配線
基板の回路形成、その他熱処理として熱処理を行
なう部品のめつきに有効に用いられる。 この場合、本発明めつき浴でめつきされた部品
は後処理として熱処理を行なうことが好ましく、
これにより化学銅めつき皮膜の伸び及び引張強さ
を析出したままの状態よりも向上させることがで
きる。なお、熱処理条件は必ずしも制限されない
が、熱処理温度は50〜900℃、特に100〜300℃と
することができ、熱処理時間は熱処理温度等によ
つて相違し、数分〜24時間以上、特に0.5〜３時
間とすることができ、例えば50℃の場合であれば
24時間以上、600℃の場合であれば数分程度とす
ることができる。なお、雰囲気も制限はなく、例
えば通常の大気雰囲気（酸化雰囲気）のほか、還
元雰囲気、不活性ガス雰囲気、真空雰囲気等、い
ずれの雰囲気を採用することもできる。 発明の効果 以上説明したように、本発明の化学銅めつき浴
によれば、伸び及び引張強さといつた機械的性質
に優れ、外観も良好である上、熱処理により伸び
及び引張強さを向上する化学銅めつき皮膜を得る
ことができる。また、α，α′−ジピリジルの管理
濃度を広げることができる。 以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的
に説明するが、本発明は下記の実施例に制限され
るものではない。 実施例、比較例 下記組成の化学銅めつき浴を製造し、下記めつ
き条件において常法による脱脂及びパラジウムイ
オンを含んだ酸活性触媒液で触媒化したステンレ
ス鋼板（５×10cm）をめつきし、めつきサンプル
を作成した。なお、めつき膜厚は30μｍであつ
た。
質が高く、特に熱処理によりこれらの機械的性質
が向上する化学銅めつき皮膜を与える化学銅めつ
き浴に関する。 従来の技術及びその問題点 従来より、フルアデイテイブ法によるプリント
配線基板の製造においては、接着剤付積層板に化
学銅めつき皮膜による回路を形成した後、化学銅
めつき皮膜と接着剤付積層板との密着性を向上さ
せる目的で熱処理（通常約150℃）することが行
なわれている。このようなフルアデイテイブ法に
よるプリント配線基板の製造に用いる化学銅めつ
き浴としては、従来より種々の浴が提案されてい
るが、従来の化学銅めつき浴から得られる化学銅
めつき皮膜は、上述した熱処理により銅皮膜の伸
びは向上するものの、引張強さが低下する問題が
あり、このためこの化学銅めつき皮膜により回路
を形成したフルアデイテイブ法によるプリント配
線基板の品質は十分満足し得ないものであつた。 発明の概要 本発明者らは上記事情に鑑み、良好な機械的性
質を与え、特に熱処理により機械的性質の低下し
ない化学銅めつき皮膜を形成できる化学銅めつき
浴につき鋭意研究を行なつた結果、銅イオンと、
この銅イオンを錯化する錯化剤と、還元剤とを含
有する化学銅めつき浴において、錯化剤としてエ
チレンジアミンテトラ酢酸又はその塩を用いると
共に、この浴に更にエチレンジアミンとα，α′−
ジピリジルとを添加した浴が上記目的を達成する
ことを知見した。 即ち、このエチレンジアミンテトラ酢酸又はそ
の塩（以下、EDTA類という）を錯化剤としエ
チレンジアミンとα，α′−ジピリジルとを添加し
た化学銅めつき浴から得られるめつき皮膜は、伸
び及び引張強さといつた機械的性質が良好である
上、外観が優れ、しかもこのめつき皮膜を熱処理
した場合、伸びと共に引張強さが向上するもので
あつた。上述したように、従来の化学銅めつき浴
からのめつき皮膜は、熱処理によつて伸びは向上
するものの引張強さは低下するものであり、従来
は化学銅めつき皮膜の引張強さは熱処理により低
下するものと考えられていたにもかかわらず、
EDTA類を錯化剤とし、エチレンジアミン及び
α，α′−ジピリジルを添加した化学銅めつき浴か
らのめつき皮膜は、意外にも熱処理により伸びが
向上する上、引張強さも向上するという新知見を
得たものである。更に、α，α′−ジピリジルをエ
チレンジアミンと併用した場合、α，α′−ジピリ
ジルの使用濃度範囲が広がることを知見した。即
ち、α，α′−ジピリジルは従来化学銅めつき浴中
に0.00025モル／以上添加すると析出速度が低
下する上、めつき皮膜に亜酸化銅の膜が生じてそ
の物性が著しく低下するという問題があり、この
ためα，α′−ジピリジルは通常0.00015〜0.00025
モル／の濃度範囲で使用していたもので、使用
濃度範囲が狭いという問題があつた。ところが、
α，α′−ジピリジルをエチレンジアミンと併用す
るとその使用濃度範囲の上限が上昇し、例えば
0.025モル／程度でも支障なく使用することが
できるという予想外の事実を見い出し、本発明を
なすに至つたものである。 以下、本発明につき更に詳しく説明する。 発明の構成 本発明に係る化学銅めつき浴は、銅イオンと、
銅イオンを錯化する錯化剤として銅イオンと等モ
ル以上の量のエチレンジアミンテトラ酢酸又はそ
の塩と、ホルムアルデヒド還元剤と、エチレンジ
アミンと、α，α′−ジピリジルとを含有してなる
ものである。 ここで、銅イオンは２価の銅イオンを与える硫
酸銅等により供給され、銅イオンの濃度は0.01〜
１モル／、特に0.02〜0.5モル／であること
が好ましい。 また、銅の錯化剤としては、上述したようにエ
チレンジアミンテトラ酢酸又はその塩を使用する
もので、その濃度は銅イオンと等モル又はそれ以
上である。 更に、本発明において、還元剤としてはホルム
アルデヒドで代表されるホルムアルデヒド類を使
用するもので、その濃度は0.02〜１モル／、特
に0.05〜0.5モル／とすることが好ましい。 本発明の化学銅めつき浴には、上記成分に加え
て更にエチレンジアミンを加える。この場合、エ
チレンジアミンはそれ単独では前記銅イオンの錯
化剤になり得るものであるが、上述した銅イオン
の錯化剤、即ちEDTA類の存在下においては実
質的に銅イオンの錯化剤として作用しないもので
ある。 ここで、添加剤として用いるエチレンジアミン
の使用量は特に制限されないが、0.001〜0.5モ
ル／、特に0.005〜0.1モル／とすることが好
ましい。この場合、エチレンジアミンは、還元剤
（ホルムアルデヒド）１モルに対し0.002〜２モル
となるように添加することができ、還元剤（ホル
ムアルデヒド）１モルに対し0.1モルより少ない
使用量でも十分その効果を有する。 本発明の化学銅めつき浴には、更にα，α′−ジ
ピリジルを添加するもので、上述したように、
EDTA類を錯化剤とする化学銅めつき浴にエチ
レンジアミンとα，α′−ジピリジルとを併用して
添加することにより、初めて熱処理により引張強
さが向上する化学銅めつき皮膜が得られ、しかも
α，α′−ジピリジルの使用濃度範囲を広げること
ができたものである。これに対し、α，α′−ジピ
リジルと同様に従来から化学銅めつき浴の安定剤
として知られたシアン類をエチレンジアミンと併
用しても熱処理による化学銅めつき皮膜の引張強
さの増大という本発明の目的は達成されない。こ
の場合、α，α′−ジピリジルの使用量は必ずしも
制限されないが、0.00001〜0.025モル／、特に
0.00005〜0.01モル／とすることが好ましい。 本発明の化学銅めつき浴は、以上述べた銅イオ
ン、EDTA類、ホルムアルデヒド類、更にエチ
レンジアミン及びα，α′−ジピリジルを必須成分
とするものであるが、更に必要に応じて種々の成
分、例えばホルマリンと付加生成物を形成する化
合物やシアン類、フエロシアン類等の安定剤など
を添加することもできる。 なお、本発明化学銅めつき浴はアルカリ性、特
にpH11〜13.5とすることが好ましい。 本発明に係る化学銅めつき浴の使用方法は通常
の化学銅めつき浴の場合と同様であり、被めつき
物を常法により前処理した後、浴中に浸漬するも
のであるが、めつき温度は室温〜80℃の温度、特
に45〜75℃とすることが好適である。また、めつ
き時間は必要とする膜厚、めつき浴の析出速度等
により適宜設定される。なお、本発明の化学銅め
つき浴の析出速度は、浴組成、めつき温度などに
より種々コントロールすることができるが、一般
的には１〜6μｍ／ｈの範囲でコントロールする
ことが好ましい。 本発明めつき浴でめつきされ得る被めつき物に
は特に制限はないが、常法により前処理されたプ
リント配線板製作用の基板、プラスチツク成形
品、セラミツクなどを好適にめつきすることがで
き、特にフルアデイテイブ法によるプリント配線
基板の回路形成、その他熱処理として熱処理を行
なう部品のめつきに有効に用いられる。 この場合、本発明めつき浴でめつきされた部品
は後処理として熱処理を行なうことが好ましく、
これにより化学銅めつき皮膜の伸び及び引張強さ
を析出したままの状態よりも向上させることがで
きる。なお、熱処理条件は必ずしも制限されない
が、熱処理温度は50〜900℃、特に100〜300℃と
することができ、熱処理時間は熱処理温度等によ
つて相違し、数分〜24時間以上、特に0.5〜３時
間とすることができ、例えば50℃の場合であれば
24時間以上、600℃の場合であれば数分程度とす
ることができる。なお、雰囲気も制限はなく、例
えば通常の大気雰囲気（酸化雰囲気）のほか、還
元雰囲気、不活性ガス雰囲気、真空雰囲気等、い
ずれの雰囲気を採用することもできる。 発明の効果 以上説明したように、本発明の化学銅めつき浴
によれば、伸び及び引張強さといつた機械的性質
に優れ、外観も良好である上、熱処理により伸び
及び引張強さを向上する化学銅めつき皮膜を得る
ことができる。また、α，α′−ジピリジルの管理
濃度を広げることができる。 以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的
に説明するが、本発明は下記の実施例に制限され
るものではない。 実施例、比較例 下記組成の化学銅めつき浴を製造し、下記めつ
き条件において常法による脱脂及びパラジウムイ
オンを含んだ酸活性触媒液で触媒化したステンレ
ス鋼板（５×10cm）をめつきし、めつきサンプル
を作成した。なお、めつき膜厚は30μｍであつ
た。
【表】
次に、上記めつきサンプルの銅めつき箔の伸び
及び引張強さを測定し、第１表に示す結果を得
た。また、各めつきサンプルを定温乾燥機に入
れ、160℃で所定時間熱処理した後、伸び及び引
張強さを測定した。第１図に実施例の浴を用いて
得られためつきサンプルの結果、第２図に比較例
の浴を用いて得られためつきサンプルの結果を示
す。更に、各めつきサンプルを種々の温度で３時
間熱処理した後、伸び及び引張強さを測定した。
第３図に実施例の浴からのめつきサンプルの結
果、第４図に比較例の浴からのめつきサンプルの
結果を示す。なお、図面においてＥは伸び、
UTSは引張強さを表わす。 ここで、伸び及び引張強さは、それぞれ島津引
張試験機MP100を用いて測定した。
及び引張強さを測定し、第１表に示す結果を得
た。また、各めつきサンプルを定温乾燥機に入
れ、160℃で所定時間熱処理した後、伸び及び引
張強さを測定した。第１図に実施例の浴を用いて
得られためつきサンプルの結果、第２図に比較例
の浴を用いて得られためつきサンプルの結果を示
す。更に、各めつきサンプルを種々の温度で３時
間熱処理した後、伸び及び引張強さを測定した。
第３図に実施例の浴からのめつきサンプルの結
果、第４図に比較例の浴からのめつきサンプルの
結果を示す。なお、図面においてＥは伸び、
UTSは引張強さを表わす。 ここで、伸び及び引張強さは、それぞれ島津引
張試験機MP100を用いて測定した。
【表】
第１表及び第１図〜第４図の結果より本発明浴
から得られためつき皮膜は熱処理により伸び及び
引張強さがいずれも増大するものであることが認
められた。 実施例、比較例 下記組成の化学銅めつき浴を製造し、実施例、
比較例と同様にしてめつきを行なつた。
から得られためつき皮膜は熱処理により伸び及び
引張強さがいずれも増大するものであることが認
められた。 実施例、比較例 下記組成の化学銅めつき浴を製造し、実施例、
比較例と同様にしてめつきを行なつた。
【表】
上記浴でα，α′−ジピリジルの量を変えてめつ
きを行なつた場合の析出速度を第５図に示す。な
お、図中Ａは実施例浴、Ｂは比較例浴のうちエチ
レンジアミン無添加浴の析出速度である。 第５図の結果より、錯化剤にEDTA・4Naを
使用しているが、エチレンジアミンを添加しない
比較例浴Ｂは、α，α′−ジピリジル量が0.25ミリ
モル／（0.00025モル／）を越えると析出速
度が著しく低下し、めつきもむらづきするもので
あつたが、EDTA・4Na錯化剤にエチレンジア
ミンを併用した実施例浴Ａは、α，α′−ジピリジ
ル量を多くしても析出速度の低下度合は少なく、
α，α′−ジピリジル量は比較例浴Ｂの約10倍の許
容範囲があることが認められた。 なお、錯化剤としてEDTA・4Naを用いず、
その代りにエチレンジアミンを用いた比較例浴
は、60℃のめつき温度ではめつきが析出しないも
のであつた。この場合、90℃にめつき温度を上げ
ると析出が可能となつたが、エチレンジアミンの
臭気が著しく、実用性のないものであつた。
きを行なつた場合の析出速度を第５図に示す。な
お、図中Ａは実施例浴、Ｂは比較例浴のうちエチ
レンジアミン無添加浴の析出速度である。 第５図の結果より、錯化剤にEDTA・4Naを
使用しているが、エチレンジアミンを添加しない
比較例浴Ｂは、α，α′−ジピリジル量が0.25ミリ
モル／（0.00025モル／）を越えると析出速
度が著しく低下し、めつきもむらづきするもので
あつたが、EDTA・4Na錯化剤にエチレンジア
ミンを併用した実施例浴Ａは、α，α′−ジピリジ
ル量を多くしても析出速度の低下度合は少なく、
α，α′−ジピリジル量は比較例浴Ｂの約10倍の許
容範囲があることが認められた。 なお、錯化剤としてEDTA・4Naを用いず、
その代りにエチレンジアミンを用いた比較例浴
は、60℃のめつき温度ではめつきが析出しないも
のであつた。この場合、90℃にめつき温度を上げ
ると析出が可能となつたが、エチレンジアミンの
臭気が著しく、実用性のないものであつた。
第１図は本発明浴から得られためつき皮膜を
160℃で所定時間熱処理した後の伸びと引張強さ
の変化を示すグラフ、第２図は比較浴から得られ
ためつき皮膜を160℃で所定時間熱処理した後の
伸びと引張強さの変化を示すグラフ、第３図は本
発明浴から得られためつき皮膜を種々の温度で３
時間熱処理した後の伸びと引張強さを示すグラ
フ、第４図は比較浴から得られためつき皮膜を
種々の温度で３時間熱処理した後の伸びと引張強
さを示すグラフ、第５図はエチレンジアミン添加
浴と無添加浴におけるα，α′−ジピリジル添加量
と析出速度との関係を示すグラフである。
160℃で所定時間熱処理した後の伸びと引張強さ
の変化を示すグラフ、第２図は比較浴から得られ
ためつき皮膜を160℃で所定時間熱処理した後の
伸びと引張強さの変化を示すグラフ、第３図は本
発明浴から得られためつき皮膜を種々の温度で３
時間熱処理した後の伸びと引張強さを示すグラ
フ、第４図は比較浴から得られためつき皮膜を
種々の温度で３時間熱処理した後の伸びと引張強
さを示すグラフ、第５図はエチレンジアミン添加
浴と無添加浴におけるα，α′−ジピリジル添加量
と析出速度との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 銅イオンと、銅イオンを錯化する錯化剤とし
て銅イオンと等モル以上の量のエチレンジアミン
テトラ酢酸又はその塩と、ホルムアルデヒド還元
剤と、エチレンジアミンと、α，α′−ジピリジル
とを含有してなることを特徴とする化学銅めつき
浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21099684A JPS6187876A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 化学銅めつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21099684A JPS6187876A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 化学銅めつき浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187876A JPS6187876A (ja) | 1986-05-06 |
| JPH0323634B2 true JPH0323634B2 (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16598597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21099684A Granted JPS6187876A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 化学銅めつき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187876A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610666B2 (ja) * | 1973-05-15 | 1981-03-10 |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP21099684A patent/JPS6187876A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6187876A (ja) | 1986-05-06 |
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