JPH032838B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH032838B2 JPH032838B2 JP57122009A JP12200982A JPH032838B2 JP H032838 B2 JPH032838 B2 JP H032838B2 JP 57122009 A JP57122009 A JP 57122009A JP 12200982 A JP12200982 A JP 12200982A JP H032838 B2 JPH032838 B2 JP H032838B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- crucible
- melt
- shape
- cross
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/34—Silicates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチヨクラルスキー法による酸化物単結
晶、とくにシンチレータ材料として有用なユーリ
タイト族、Bi4（GexSi1-x）3O12（ここでｘ＝０〜
１）の単結晶育成方法に関するものである。
晶、とくにシンチレータ材料として有用なユーリ
タイト族、Bi4（GexSi1-x）3O12（ここでｘ＝０〜
１）の単結晶育成方法に関するものである。
放射線検出用シンチレータ材料として有用なゲ
ルマニウム酸ビスマス（Bi4Ge3O12）に代表され
るユーリタイト族の単結晶は、チヨクラルスキー
法によつて育成される。放射線に対する検出感
度、すなわちシンチレータから発生する蛍光の強
さは結晶の品質に強く影響される。とくに結晶中
に泡｛ボイド（void）｝が存在すると、結晶中で
発生した蛍光が散乱、吸収され、放射線検出感度
は大幅に低下する。この泡をなくすには、融液の
温度を高め、固液界面の形状を平らにすることが
望ましい。固液界面の形状を平らにし、泡をなく
す育成方法は特開昭54−112789に述べられてい
る。一方、高エネルギー放射線の検出のための大
型シンチレータの作成や単結晶からシンチレータ
を歩留りよく作成するためには、育成結晶の大型
化が望まれる。しかしながら、例えばゲルマニウ
ム酸ビスマス単結晶は育成過程において、結晶外
形がねじれやすく、とくに直径35mm以上の大型単
結晶の育成ではこの傾向が強くなる。
ルマニウム酸ビスマス（Bi4Ge3O12）に代表され
るユーリタイト族の単結晶は、チヨクラルスキー
法によつて育成される。放射線に対する検出感
度、すなわちシンチレータから発生する蛍光の強
さは結晶の品質に強く影響される。とくに結晶中
に泡｛ボイド（void）｝が存在すると、結晶中で
発生した蛍光が散乱、吸収され、放射線検出感度
は大幅に低下する。この泡をなくすには、融液の
温度を高め、固液界面の形状を平らにすることが
望ましい。固液界面の形状を平らにし、泡をなく
す育成方法は特開昭54−112789に述べられてい
る。一方、高エネルギー放射線の検出のための大
型シンチレータの作成や単結晶からシンチレータ
を歩留りよく作成するためには、育成結晶の大型
化が望まれる。しかしながら、例えばゲルマニウ
ム酸ビスマス単結晶は育成過程において、結晶外
形がねじれやすく、とくに直径35mm以上の大型単
結晶の育成ではこの傾向が強くなる。
一例としてゲルマニウム酸ビスマス単結晶
（Bi4Ge3O12：BGO）の育成について述べる。第
１図に示すように直径70mm、深さ60mm、板厚２mm
の白金るつぼ１から、結晶径35mmの単結晶を育成
した。白金るつぼに約1.3Kgの焼結体原料を充填
した場合、融液表面はるつぼ１の上端から７mm下
に位置する。高周波誘導加熱によるチヨクラルス
キーの単結晶育成では、るつぼ１と高周波コイル
３の位置は、それによつてるつぼ内の融液の温度
分布が大きく変化するので重要である。この方法
では、るつぼ１の深さ方向の中心に対する高周波
コイル３の長さ方向の中心の位置を13mm下にし
た。この位置で育成を開始し、第２図に示すよう
に結晶の肩部５を結晶回転速度を30min-1にして
作成した。結晶外部の断面はほぼ円形で、その時
の結晶の固液界面の形状は融液に向つて凸であつ
た。ところが結晶肩部において固液界面形状が凸
から平らに変化する時、結晶の成長軸に垂直な断
面の形状は、円形からゆがんだものになる。第３
図は結晶肩部で外形が変形した結晶の外観と成長
軸に垂直な断面形状を示したものである。第３図
の８は結晶肩部から10mm成長させた結晶平行部の
断面である。すでに四角に変形しており、４ケ所
がへこんでいる。さらに育成を続けると第３図の
９のようにヒトデ状になつた。
（Bi4Ge3O12：BGO）の育成について述べる。第
１図に示すように直径70mm、深さ60mm、板厚２mm
の白金るつぼ１から、結晶径35mmの単結晶を育成
した。白金るつぼに約1.3Kgの焼結体原料を充填
した場合、融液表面はるつぼ１の上端から７mm下
に位置する。高周波誘導加熱によるチヨクラルス
キーの単結晶育成では、るつぼ１と高周波コイル
３の位置は、それによつてるつぼ内の融液の温度
分布が大きく変化するので重要である。この方法
では、るつぼ１の深さ方向の中心に対する高周波
コイル３の長さ方向の中心の位置を13mm下にし
た。この位置で育成を開始し、第２図に示すよう
に結晶の肩部５を結晶回転速度を30min-1にして
作成した。結晶外部の断面はほぼ円形で、その時
の結晶の固液界面の形状は融液に向つて凸であつ
た。ところが結晶肩部において固液界面形状が凸
から平らに変化する時、結晶の成長軸に垂直な断
面の形状は、円形からゆがんだものになる。第３
図は結晶肩部で外形が変形した結晶の外観と成長
軸に垂直な断面形状を示したものである。第３図
の８は結晶肩部から10mm成長させた結晶平行部の
断面である。すでに四角に変形しており、４ケ所
がへこんでいる。さらに育成を続けると第３図の
９のようにヒトデ状になつた。
このように一度断面が変形するともとにもどら
ずに変形は加速される。一方、この変形を防ぐた
め、すなわち結晶外形を円形にするために、結晶
回転速度を小さくすると泡が発生しやすくなる。
しかも、結晶化にともなつてるつぼ内の融液面が
低下すると、るつぼ壁面からの輻射熱により、る
つぼ内全体に亘つて温度差が小さくなり、最適な
温度分布が得られずにますます結晶中に多数の泡
が発生する。
ずに変形は加速される。一方、この変形を防ぐた
め、すなわち結晶外形を円形にするために、結晶
回転速度を小さくすると泡が発生しやすくなる。
しかも、結晶化にともなつてるつぼ内の融液面が
低下すると、るつぼ壁面からの輻射熱により、る
つぼ内全体に亘つて温度差が小さくなり、最適な
温度分布が得られずにますます結晶中に多数の泡
が発生する。
単結晶の外形は、融液中の温度分布に強く影響
され、この結晶外形のねじれを防ぐ方法として
は、上記結晶回転速度の他に、るつぼの上端部に
ヒータを置いて融液の周辺の温度を高めることが
すでに知られている（実開昭54−22329）。しか
し、この方法では、結晶化にともなつてるつぼ内
の融液面が低下すると、上記ヒータからの熱が融
液面に届かなくなり、依然としてねじれの問題は
残る。
され、この結晶外形のねじれを防ぐ方法として
は、上記結晶回転速度の他に、るつぼの上端部に
ヒータを置いて融液の周辺の温度を高めることが
すでに知られている（実開昭54−22329）。しか
し、この方法では、結晶化にともなつてるつぼ内
の融液面が低下すると、上記ヒータからの熱が融
液面に届かなくなり、依然としてねじれの問題は
残る。
したがつて、上記のように泡を無くするのに適
した、成長界面の形状が平らになるような育成条
件では結晶外形がねじれやすく、泡の発生防止と
結晶外形の改善を同時に満足することは極めて難
しい問題であつた。
した、成長界面の形状が平らになるような育成条
件では結晶外形がねじれやすく、泡の発生防止と
結晶外形の改善を同時に満足することは極めて難
しい問題であつた。
本発明の目的は融液中の温度分布を最適化し、
結晶中の泡を低減するとともに、結晶外形のねじ
れを防ぎ、大型で良質のBi4（GexSi1-x）O12単結
晶を育成するものである。
結晶中の泡を低減するとともに、結晶外形のねじ
れを防ぎ、大型で良質のBi4（GexSi1-x）O12単結
晶を育成するものである。
結晶中の泡の発生におよぼす融液中の温度分布
の影響について調べた結果、融液中の垂直方向の
温度勾配が大きい場合、ボイドが減少することを
見いだした。このような温度分布を達成するに
は、発熱体であるるつぼの深さ方向の中心を高周
波コイルの長さ方向の中心に対して高い位置にお
くことがよい。
の影響について調べた結果、融液中の垂直方向の
温度勾配が大きい場合、ボイドが減少することを
見いだした。このような温度分布を達成するに
は、発熱体であるるつぼの深さ方向の中心を高周
波コイルの長さ方向の中心に対して高い位置にお
くことがよい。
他方、高周波コイルに対してるつぼが高い位置
にあると、育成される結晶の外形は激しくねじれ
る。しかしながら、結晶肩部から結晶平行部にか
けて成長軸に垂直な結晶断面が円形からずれてい
る場合、ねじれが生じ、一度ねじれると結晶下部
に向かつて一層激しくねじれることが分つた。そ
のためもし、結晶肩部から結晶平行部にかけて、
結晶断面が円形であれば、結晶下部においても、
結晶外形のねじれは少なくなるものと考えられ
る。
にあると、育成される結晶の外形は激しくねじれ
る。しかしながら、結晶肩部から結晶平行部にか
けて成長軸に垂直な結晶断面が円形からずれてい
る場合、ねじれが生じ、一度ねじれると結晶下部
に向かつて一層激しくねじれることが分つた。そ
のためもし、結晶肩部から結晶平行部にかけて、
結晶断面が円形であれば、結晶下部においても、
結晶外形のねじれは少なくなるものと考えられ
る。
そこで、本発明では結晶育成の初期、すなわち
結晶肩部の育成において、結晶回転速度を小さ
く、固液界面の形状融液に向かつて凸にするとと
もに、結晶断面の形状を円形に保持する。成長が
安定したところで結晶回転速度を徐々に大きく
し、固液界面の形状を平らにしたのち、るつぼを
高周波コイルに対して徐々に上昇させることにし
た。
結晶肩部の育成において、結晶回転速度を小さ
く、固液界面の形状融液に向かつて凸にするとと
もに、結晶断面の形状を円形に保持する。成長が
安定したところで結晶回転速度を徐々に大きく
し、固液界面の形状を平らにしたのち、るつぼを
高周波コイルに対して徐々に上昇させることにし
た。
これにより、融液中の垂直方向の温度勾配は大
きく維持され、結晶中の泡は大幅に低限されると
同時に、結晶外形の大きなねじれも防止できた。
きく維持され、結晶中の泡は大幅に低限されると
同時に、結晶外形の大きなねじれも防止できた。
以下、本発明を実施例をもつて説明する。
実施例 １
ゲルマニウム酸ビスマス（Bi4Ge3O12）を第１
図に示す直径70mm、深さ60mmの白金るつぼ１から
直径35mmの単結晶を育成した。育成開始時のるつ
ぼ１の深さ方向の中心位置は、高周波コイル３の
長さ方向に対して13mm以下である。種つけ後の結
晶肩部５の作成では、結晶回転速度を20min-1以
下にした。これにより結晶平行部６に入るまで、
結晶の固液界面の形状は融液に向かつて凸であ
り、結晶断面の形状は第４図１１に示すように円
形であつた。20min-1の結晶回転速度は第１図に
示す炉の構造を採用した場合であつて、その数値
が重要ではなく、育成する結晶の直径、本実施例
では35mmにおいて固液界面の形状が融液に向かつ
て凸状であることが重要である。
図に示す直径70mm、深さ60mmの白金るつぼ１から
直径35mmの単結晶を育成した。育成開始時のるつ
ぼ１の深さ方向の中心位置は、高周波コイル３の
長さ方向に対して13mm以下である。種つけ後の結
晶肩部５の作成では、結晶回転速度を20min-1以
下にした。これにより結晶平行部６に入るまで、
結晶の固液界面の形状は融液に向かつて凸であ
り、結晶断面の形状は第４図１１に示すように円
形であつた。20min-1の結晶回転速度は第１図に
示す炉の構造を採用した場合であつて、その数値
が重要ではなく、育成する結晶の直径、本実施例
では35mmにおいて固液界面の形状が融液に向かつ
て凸状であることが重要である。
結晶平行部に入り約５mm育成した時点で、結晶
回転速度を20min-1から40min-1に約１時間で上
昇させた。40min-1に増加後、るつぼを融液面の
低下温度と同じ1.1mm／ｈで上昇させ、融液面と
高周波コイルの相対位置が常に一定になるように
した。なお結晶の引上速度は4.1mm／ｈで、るつ
ぼを停止した場合の引上速度３mm／ｈと成長速度
が等しくなるようにした。
回転速度を20min-1から40min-1に約１時間で上
昇させた。40min-1に増加後、るつぼを融液面の
低下温度と同じ1.1mm／ｈで上昇させ、融液面と
高周波コイルの相対位置が常に一定になるように
した。なお結晶の引上速度は4.1mm／ｈで、るつ
ぼを停止した場合の引上速度３mm／ｈと成長速度
が等しくなるようにした。
その結果、第４図の結晶外観および結晶断面の
１２，１３に示すごとく結晶外形のねじれは防止
された。一方、るつぼの位置が高周波コイルに対
して上昇するために、融液中の垂直方向の温度勾
配が大きく、泡の発生も低減できた。
１２，１３に示すごとく結晶外形のねじれは防止
された。一方、るつぼの位置が高周波コイルに対
して上昇するために、融液中の垂直方向の温度勾
配が大きく、泡の発生も低減できた。
るつぼの上昇速度を融液面の低下速度の75％に
した場合、結晶下部において帯状に泡が発生する
のが顕著に見られ、すくなくとも融液面の低下速
度の80％以上が望ましい。
した場合、結晶下部において帯状に泡が発生する
のが顕著に見られ、すくなくとも融液面の低下速
度の80％以上が望ましい。
実施例 ２
実施例１に述べたゲルマニウム酸ビスマスの育
成と同じ育成装置を用いて、ケイ酸ビスマス
（Bi4Si3O12）を育成した。育成開始時のるつぼ１
の深さ方向の中心位置は、高周波コイル３の長さ
方向の中心に対して13mm下であつた。種つけ後の
結晶肩部５の育成では、結晶回転速度を25min-1
にした。これはBi4Si3O12の方が、固液界面の形
状が凸になり易いためである。結晶径が所定の寸
法になつたのち、すぐに結晶回転速度を25min-1
から45min-1に約１時間で増加した。その後、る
つぼを融液面の低下速度と同じ1.1mm／ｈで上昇
させた。その結果、結晶外形のねじれがない結晶
が育成でき、泡の発生も少ないことが分つた。
成と同じ育成装置を用いて、ケイ酸ビスマス
（Bi4Si3O12）を育成した。育成開始時のるつぼ１
の深さ方向の中心位置は、高周波コイル３の長さ
方向の中心に対して13mm下であつた。種つけ後の
結晶肩部５の育成では、結晶回転速度を25min-1
にした。これはBi4Si3O12の方が、固液界面の形
状が凸になり易いためである。結晶径が所定の寸
法になつたのち、すぐに結晶回転速度を25min-1
から45min-1に約１時間で増加した。その後、る
つぼを融液面の低下速度と同じ1.1mm／ｈで上昇
させた。その結果、結晶外形のねじれがない結晶
が育成でき、泡の発生も少ないことが分つた。
以上実施例でも説明したように、本発明によれ
ば、Bi4Ge3O12単結晶、Bi4Si3O12単結晶中の中泡
は低減し、しかも結晶外形のすぐれた単結晶が育
成できることにより、単結晶から作製できるシン
チレータの個数および大型シンチレータの作製が
可能となつた。
ば、Bi4Ge3O12単結晶、Bi4Si3O12単結晶中の中泡
は低減し、しかも結晶外形のすぐれた単結晶が育
成できることにより、単結晶から作製できるシン
チレータの個数および大型シンチレータの作製が
可能となつた。
実施例では、Bi4Ge3O12、Bi4Si3O12について述
べたが、同じ結晶構造をもつこれらの混晶におい
ても同じ効果のあることは明白である。
べたが、同じ結晶構造をもつこれらの混晶におい
ても同じ効果のあることは明白である。
第１図は結晶育成用のるつぼ近傍の保温構造を
示す図、第２図はチヨクラルスキー法により単結
晶を育成する場合の形状を示す図、第３図は従来
法で育成したゲルマニウム酸ビスマス単結晶又は
ケイ酸ビスマス単結晶の外観と結晶の成長軸に垂
直な断面の形状を示す図、第４図は本発明によつ
て育成したゲルマニウム酸ビスマス単結晶又はケ
イ酸ビスマス単結晶の外観と結晶の断面形状を示
す図である。 １……白金るつぼ、２……アルミナ耐火物、３
……高周波コイル、４……るつぼの深さ方向の中
心に対する高周波コイルの長さ方向の中心の位
置、５……結晶肩部、６……結晶平行部、７……
結晶肩部における固液界面の形状、８……平行部
から10mmの所の断面形状、９……平行部から70mm
の所の断面形状、１０……平行部から150mmの所
の断面形状、１１……平行部から10mmの所の断面
形状、１２……平行部から70mmの所の断面形状、
１３……平行部から150mmの所の断面形状。
示す図、第２図はチヨクラルスキー法により単結
晶を育成する場合の形状を示す図、第３図は従来
法で育成したゲルマニウム酸ビスマス単結晶又は
ケイ酸ビスマス単結晶の外観と結晶の成長軸に垂
直な断面の形状を示す図、第４図は本発明によつ
て育成したゲルマニウム酸ビスマス単結晶又はケ
イ酸ビスマス単結晶の外観と結晶の断面形状を示
す図である。 １……白金るつぼ、２……アルミナ耐火物、３
……高周波コイル、４……るつぼの深さ方向の中
心に対する高周波コイルの長さ方向の中心の位
置、５……結晶肩部、６……結晶平行部、７……
結晶肩部における固液界面の形状、８……平行部
から10mmの所の断面形状、９……平行部から70mm
の所の断面形状、１０……平行部から150mmの所
の断面形状、１１……平行部から10mmの所の断面
形状、１２……平行部から70mmの所の断面形状、
１３……平行部から150mmの所の断面形状。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高周波誘導加熱を用いたチヨクラルスキー法
によるBi4（GexSi1-X）3O12（ここでｘ＝０〜１）単
結晶の育成において、結晶の固液界面形状を融液
に対して凸とし、かつ結晶外形の断面形状をほぼ
円形に保つ小さな結晶回転速度を有する工程と、
前記固液界面形状を融液に対し凸から平坦にする
ために結晶回転速度を増加する工程と、その後る
つぼを高周波コイルに対し相対的に上昇させる工
程を有することを特徴とするBi4（GexSi1-x）3O12
単結晶の育成方法。 ２ 上記るつぼの相対的上昇速度は、上記融液の
面の低下速度の80〜100％である特許請求の範囲
第１項記載のBi4（GexSi1-x）3O12単結晶の育成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122009A JPS5913692A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | Ｂｉ↓４（Ｇｅ，Ｓｉ）↓３Ｏ↓１↓２単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122009A JPS5913692A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | Ｂｉ↓４（Ｇｅ，Ｓｉ）↓３Ｏ↓１↓２単結晶の育成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913692A JPS5913692A (ja) | 1984-01-24 |
| JPH032838B2 true JPH032838B2 (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=14825303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57122009A Granted JPS5913692A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | Ｂｉ↓４（Ｇｅ，Ｓｉ）↓３Ｏ↓１↓２単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913692A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02199374A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-07 | Eagle Ind Co Ltd | メカニカルシールの特性変化計測方法およびその計測装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5944213B2 (ja) * | 1977-08-15 | 1984-10-27 | 松下電工株式会社 | 自在管の製造方法 |
| JPS54152683A (en) * | 1978-05-23 | 1979-12-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Growing method for single crystal |
| JPS5560093A (en) * | 1978-10-25 | 1980-05-06 | Toshiba Corp | Production of single crystal |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP57122009A patent/JPS5913692A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5913692A (ja) | 1984-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6046998A (ja) | 単結晶引上方法及びそのための装置 | |
| Red'kin et al. | Investigation of the growth conditions of gadolinium molybdate crystals | |
| JPH032838B2 (ja) | ||
| JP3121192B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| CN110230089A (zh) | 一种基于提拉法的提高晶体利用率的生产方法 | |
| JP3132412B2 (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
| JP2878794B2 (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| JPH0788269B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ用ルツボ | |
| JP3255753B2 (ja) | ルチル棒状単結晶の育成方法 | |
| JP2006151745A (ja) | 単結晶の製造方法及びそれらを用いた酸化物単結晶 | |
| JP7760577B2 (ja) | 水平磁場チョクラルスキーにより単結晶シリコンインゴットを製造する方法 | |
| JP2004217504A (ja) | 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法 | |
| JP2814325B2 (ja) | ルチル単結晶の育成方法 | |
| JP2700145B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPS5933558B2 (ja) | Ｇｇｇ単結晶を製造する方法 | |
| CN121802540A (zh) | 利用24寸热场拉制多根6英寸重掺晶棒的方法 | |
| JPS5933560B2 (ja) | Ｂｉ↓４Ｇｅ↓３Ｏ↓１↓２単結晶の製造方法 | |
| JPS58181792A (ja) | 単結晶シリコン引上装置 | |
| JPH0692781A (ja) | 単結晶の製造方法及び製造装置 | |
| JPH0341432B2 (ja) | ||
| JPS62182190A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| TW574443B (en) | Process for eliminating neck dislocations during Czochralski crystal growth | |
| JPS58140387A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH09227280A (ja) | 単結晶育成方法 | |
| JPS63182289A (ja) | 単結晶の育成方法 |