JPH0341405B2 - - Google Patents
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- JPH0341405B2 JPH0341405B2 JP18496883A JP18496883A JPH0341405B2 JP H0341405 B2 JPH0341405 B2 JP H0341405B2 JP 18496883 A JP18496883 A JP 18496883A JP 18496883 A JP18496883 A JP 18496883A JP H0341405 B2 JPH0341405 B2 JP H0341405B2
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Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はハロゲンシランから低ハロゲン化シラ
ンまたはモノシランを製造する方法に関し、詳し
くはハロゲンシランを特定の化合物と接触させる
ことにより、安価にかつ容易に低ハロゲン化シラ
ンまたはモノシランを製造する方法に関する。
ンまたはモノシランを製造する方法に関し、詳し
くはハロゲンシランを特定の化合物と接触させる
ことにより、安価にかつ容易に低ハロゲン化シラ
ンまたはモノシランを製造する方法に関する。
特にモノシランは高純度の半導体シリコンある
いは太陽電池用アモルフアスシリコンの原料とし
て、またエピタキシヤル用原料としても有用な物
質であり、今後さらに需要の拡大が見込まれる。
従つて、より安価なかつ効率的なモノシランの製
造が望まれる。
いは太陽電池用アモルフアスシリコンの原料とし
て、またエピタキシヤル用原料としても有用な物
質であり、今後さらに需要の拡大が見込まれる。
従つて、より安価なかつ効率的なモノシランの製
造が望まれる。
従来、モノシランの製造方法としては、例え
ば、 (1) マグネシウムシリサイドと希塩酸を作用させ
る方法 (2) テトラクロルシランを溶融塩中でLiHと反応
させる方法 (3) 金属シリコンに水素ガスを高温，高圧の条件
下にNi微粉末を用いて反応させる方法 などが知られている。
ば、 (1) マグネシウムシリサイドと希塩酸を作用させ
る方法 (2) テトラクロルシランを溶融塩中でLiHと反応
させる方法 (3) 金属シリコンに水素ガスを高温，高圧の条件
下にNi微粉末を用いて反応させる方法 などが知られている。
しかしながら、上記(1)は原料の調整が煩雑、副
生する高次シランの再利用などを考慮する設備費
が高くなる。(2)はモノシランの収率が良好である
が、LiHが極めて高価、溶融塩を用いるためエネ
ルギー消費及び腐食の点に間題がある。(3)は高
温，高圧下の反応であるため設備費が高くなり、
また高次シランの副生を伴う欠点がある。
生する高次シランの再利用などを考慮する設備費
が高くなる。(2)はモノシランの収率が良好である
が、LiHが極めて高価、溶融塩を用いるためエネ
ルギー消費及び腐食の点に間題がある。(3)は高
温，高圧下の反応であるため設備費が高くなり、
また高次シランの副生を伴う欠点がある。
他方、トリクロルシランを第３級アミノ基また
は第４級アンモニウム塩基を含む陰イオン交換樹
脂と不均化反応させる方法(4)が提案されている。
この方法(4)はイオン交換樹脂の熱安定性に問題が
あるが、エネルギーコスト及び大量生産の点で優
れている。
は第４級アンモニウム塩基を含む陰イオン交換樹
脂と不均化反応させる方法(4)が提案されている。
この方法(4)はイオン交換樹脂の熱安定性に問題が
あるが、エネルギーコスト及び大量生産の点で優
れている。
本発明者らは、モノシランを主たる目的として
安価にかつ効率よく製造するために、上記(4)に相
当する不均化反応について鋭意研究した。その結
果、ハロゲンシランをアミノ基及びホスホン基を
有する化合物と接触させることによつて、低ハロ
ゲン化シランまたはモノシランが容易に得られる
ことを見出し、本発明を提供するに至つたもので
ある。
安価にかつ効率よく製造するために、上記(4)に相
当する不均化反応について鋭意研究した。その結
果、ハロゲンシランをアミノ基及びホスホン基を
有する化合物と接触させることによつて、低ハロ
ゲン化シランまたはモノシランが容易に得られる
ことを見出し、本発明を提供するに至つたもので
ある。
本発明の原料であるハロゲンシランとしては、
一般式SiHX3，SiH2X2，SiH3X（Ｘ：ハロゲン）
で表わされ、例えばトリクロルシラン，ジクロル
シラン，モノクロルシランが適用されるが、その
ほか同様にブロムシラン，フルオルシラン，ヨー
ドシランも使用可能である。従つて、本発明によ
れば、上記のハロゲンシランが低ハロゲン化され
て、それぞれSiHX3からはSiH2X2，SiH3X，
SiH4を、SiH2X2からはSiH3X，SiH4を、また
SiH3XからSiH4をそれぞれ目的物に応じて製造
することが出来るが、特にSiH2X2からSiH4を好
適に得ることが出来る。
一般式SiHX3，SiH2X2，SiH3X（Ｘ：ハロゲン）
で表わされ、例えばトリクロルシラン，ジクロル
シラン，モノクロルシランが適用されるが、その
ほか同様にブロムシラン，フルオルシラン，ヨー
ドシランも使用可能である。従つて、本発明によ
れば、上記のハロゲンシランが低ハロゲン化され
て、それぞれSiHX3からはSiH2X2，SiH3X，
SiH4を、SiH2X2からはSiH3X，SiH4を、また
SiH3XからSiH4をそれぞれ目的物に応じて製造
することが出来るが、特にSiH2X2からSiH4を好
適に得ることが出来る。
本発明に用いるアミノ基及びホスホン基のイオ
ン交換基を有する化合物としては、一般に該イオ
ン交換基がそれぞれ飽和または不飽和のアルキル
基，フエニル基またはベンジル基と直接または間
接に結合した液状の化合物また例えばポリスチレ
ンあるいはスチレン−ジビニルベンゼンの共重合
体など架橋性高分子体に直接または間接に結合し
た不溶性の一般にイオン交換体である固体状化合
物である。上記アミノ基としては、第１級アミノ
基，第２級アミノ基，第３級アミノ基もしくは第
４級アンモニウム基を含み、またホスホン基とし
ては、−PO3H2，−PO2H2，それらのNa型など置
換型を含む。
ン交換基を有する化合物としては、一般に該イオ
ン交換基がそれぞれ飽和または不飽和のアルキル
基，フエニル基またはベンジル基と直接または間
接に結合した液状の化合物また例えばポリスチレ
ンあるいはスチレン−ジビニルベンゼンの共重合
体など架橋性高分子体に直接または間接に結合し
た不溶性の一般にイオン交換体である固体状化合
物である。上記アミノ基としては、第１級アミノ
基，第２級アミノ基，第３級アミノ基もしくは第
４級アンモニウム基を含み、またホスホン基とし
ては、−PO3H2，−PO2H2，それらのNa型など置
換型を含む。
本発明によれば、後記の実施例にも示すよう
に、アミノ基のみを有する化合物、あるいはホス
ホン基のみを有する化合物を用いた場合に比べ
て、目的とする低ハロゲン化シランまたはモノシ
ランを収率よく得ることが出来る。
に、アミノ基のみを有する化合物、あるいはホス
ホン基のみを有する化合物を用いた場合に比べ
て、目的とする低ハロゲン化シランまたはモノシ
ランを収率よく得ることが出来る。
本発明の原料であるハロゲンシランは、一般に
気体または液体として用いられ、また化合物も液
状または固体で用いられるため、反応形態が柔軟
性に富み、必要に応じて有利な形態を選択でき
る。さらに、液状のイオン交換体は例えば活性
炭，アルミナ，シリカ−アルミナなどに担持して
用いる態様も、該イオン交換体の最適量をコント
ロールするために好ましく採用される。
気体または液体として用いられ、また化合物も液
状または固体で用いられるため、反応形態が柔軟
性に富み、必要に応じて有利な形態を選択でき
る。さらに、液状のイオン交換体は例えば活性
炭，アルミナ，シリカ−アルミナなどに担持して
用いる態様も、該イオン交換体の最適量をコント
ロールするために好ましく採用される。
本発明における化合物の使用量，反応温度，接
触時間などの条件は、反応形態などにより異なる
ため一概に決定できない。反応温度は一般に25〜
350℃、特に50〜120℃が反応性及びエネルギー経
済性の面から好ましい。また、接触時間は一般に
0.1〜60秒特に１〜20秒でも十分である。
触時間などの条件は、反応形態などにより異なる
ため一概に決定できない。反応温度は一般に25〜
350℃、特に50〜120℃が反応性及びエネルギー経
済性の面から好ましい。また、接触時間は一般に
0.1〜60秒特に１〜20秒でも十分である。
本発明により得られる反応生成物から目的とす
る低ハロゲン化シランまたはモノシランの分離、
一般に冷却器などを使用して他の反応生成物を適
宜リフラツクスさせることにより、他の反応生成
物，未反応生成物及びポリアミン化合物の沸点差
を利用し、蒸留などの好条件下で容易に達成でき
る。
る低ハロゲン化シランまたはモノシランの分離、
一般に冷却器などを使用して他の反応生成物を適
宜リフラツクスさせることにより、他の反応生成
物，未反応生成物及びポリアミン化合物の沸点差
を利用し、蒸留などの好条件下で容易に達成でき
る。
以下、実施例を示すが、本発明はこれらに限定
されるものではない。
されるものではない。
実施例 １
−NH−CH2−PO3H2基を有するキレート樹脂
Duolite ES467（ダイヤモンドシヤムロツク社製）
10ｇをステンレス製の反応器に入れ、温度を60℃
に保つた。次いで、ジクロルシランを0.8／mm
の流量で流した結果、モノシラン25.3mole％，
モノクロルシラン18.9mole％の生成物を得た。
Duolite ES467（ダイヤモンドシヤムロツク社製）
10ｇをステンレス製の反応器に入れ、温度を60℃
に保つた。次いで、ジクロルシランを0.8／mm
の流量で流した結果、モノシラン25.3mole％，
モノクロルシラン18.9mole％の生成物を得た。
実施例 ２
実施例１におけるジクロルシランの代りにトリ
クロルシランを0.5／mmの流量で流した以外は、
実施例１と同様に実施した。その結果、モノシラ
ン12.3mole％，モノクロルシラン10.8mole％，
ジクロルシラン19.6mole％の生成物を得た。
クロルシランを0.5／mmの流量で流した以外は、
実施例１と同様に実施した。その結果、モノシラ
ン12.3mole％，モノクロルシラン10.8mole％，
ジクロルシラン19.6mole％の生成物を得た。
比較例 １
実施例１におけるDuolite ES467の代りに第３
級アミノ基を有するイオン交換樹脂Amberliat
Ａ−21（ロームアンドハース社製）を用いた以外
は、実施例１と同様に実施した。その結果、モノ
シラン16.3mole％，モノクロルシラン12.6mole
％の生成物を得た。
級アミノ基を有するイオン交換樹脂Amberliat
Ａ−21（ロームアンドハース社製）を用いた以外
は、実施例１と同様に実施した。その結果、モノ
シラン16.3mole％，モノクロルシラン12.6mole
％の生成物を得た。
Claims (1)
- １ ハロゲンシランを、アミノ基及びホスホン基
を有する化合物と接触させることを特徴とする低
ハロゲン化シランまたはモノシランの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18496883A JPS6077120A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 低ハロゲン化シランまたはモノシランの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18496883A JPS6077120A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 低ハロゲン化シランまたはモノシランの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077120A JPS6077120A (ja) | 1985-05-01 |
| JPH0341405B2 true JPH0341405B2 (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=16162498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18496883A Granted JPS6077120A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 低ハロゲン化シランまたはモノシランの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077120A (ja) |
-
1983
- 1983-10-05 JP JP18496883A patent/JPS6077120A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6077120A (ja) | 1985-05-01 |
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