JPH0342804B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、テレビジヨン受像機等に用いられる
高周波増幅装置に関するものである。

従来の技術 近年、高周波増幅装置として、CATU帯の発
達などに伴い、２以上の周波数帯域で使用される
ものが増加している。

以下、図面を参照しながら、従来の高周波増幅
装置の一例について説明する。

第２図は、従来例の高周波増幅装置を示すもの
である。第２図において、２Ａ，２Ｂは異なつた
帯域の入力端子である。２０１，２０２は高周波
増器で、それぞれ異なつた帯域（ここではVHF
帯域、UHF帯域）の信号を増幅する。２０３，
２０４はスイツチングダイオードで、前記の高周
波増幅器２０１，２０２中のFET（あるいはバイ
ポーラ）トランジスタのドレイン（あるいはコレ
クタ）に直列に接続されていて、高周波増幅され
た。

それぞれの信号の後段への供給をオン／オフさ
せている。２０５，２０６はチヨークコイルで、
それぞれスイツチングダイオード２０３，２０４
を介して高周波増幅器２０１，２０２のFET（あ
るいはバイパーラ）トランジスタのドレイン（あ
るいはコレクタ）に接続されている。２Ｃ，２Ｄ
はそれぞれの電源の供給端子であり、たとえば
VHF受信時には端子２Ｃが高レベルとなつて端
子２Ｄが低レベルになり、UHF受信時には逆に
端子２Ｄが高レベルになつて端子２Ｃが低レベル
になる。２０７は結合容量であり、上記のような
異なつた帯域の信号のうちから選択された一方の
信号を出力端子２Ｅより次段に供給する。２０
８，２０９は回路に存在する浮遊容量を示す。

以上のように構成された高周波増幅装置につい
て、以下その動作について説明する。

まず、第１の帯域（ここでは、VHF帯域とす
る）を受信する時には、端子２Ｃは高レベル、端
子２Ｄは低レベルの電源電圧に設定されるから、
高周波増幅装置２０１、スイツチングダイオード
２０３，チヨークコイル２０５および端子２Ａか
ら供給される信号系路がオンになり、端子２Ｂか
ら供給される信号系路はオフになる。これにより
VHF帯域の信号のみが増幅されて、結合容量７
を介して端子２Ｅより次段に供給される。この
時、スイツチングダイオード２０４は逆バイアス
になり、VHF帯域の信号が減衰するのを防ぐ。
第２の帯域（UHF帯域とする）を受信するとき
には、上述の場合とは逆に、端子２Ｄは高レベ
ル、端子２Ｃは低レベルの電源電圧に設定され、
UHF帯域用の系路の信号が増幅され、端子２Ｅ
より次段に供給される。（例えば、特開昭59−
36431号公報参照） 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような構成では、浮遊容
量２０８，２０９が0.5〜1PF程度ある場合には
一系統の増幅器に比べて浮遊容量が２倍になり、
周波数の高いUEF帯域における利得が３〜4dBも
劣化するという問題があつた。

本発明は、上記問題点に鑑み、周波数の高い帯
域での利得劣化を招くことなく２つの帯域の信号
を切換えて一系路に結合することのできる装置を
提供することを目的とするものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明の高周波
増幅装置は、異なつた帯域を増幅する２つの高周
波増幅器に使用するFET（あるいはバイパーラ）
トランジスタのドレイン（あるいはコレクタ）を
周波数の低い帯域の信号はスイツチングダイオー
ドとチヨークコイルを介して電源に接続し、周波
数の高い帯域の信号はスイツチングダイオードと
結合コイルとチヨークコイルを介して電源に接続
し、この結合コイルとチヨークコイルの交点と周
波数の低い帯域の信号系路中のスイツチングダイ
オードとチヨークコイルとの交点とを結合容量
（又は結合容量と直列抵抗）により結合し、該結
合コイルとスイツチングダイオードの交点から信
号を取り出すようにする。ここで周波数の低い帯
域の信号に対しては、結合容量と結合コイルによ
る共振周波数が、その帯域内にあるピーキング回
路になり、高い帯域の信号は結合コイルがチヨー
クコイルとなり、低い周波数帯域系路に存在する
浮遊容量の影響を軽減するような構成にする。

作 用 本発明は、上記した構成によつて、高い周波数
の帯域を受信しようとしたときに、従来利得劣化
の原因となつていた低い周波数の帯域の系路ある
いはチヨークコイルに発生する浮遊容量による影
響を結合コイルにより軽減することができ、高い
周波数の帯域の信号を受信する時の利得の劣化を
軽減することができるものである。

実施例 以下、本発明の一実施例の高周波増幅装置につ
いて、図面を参照しながら説明する。

第１図は、本発明の一実施例の高周波増幅装置
の回路を示すものである。第１図において、１０
１，１０２はFET（あるいはバイパーラ）トラン
ジスタを用いた高周波増幅装置１０３，１０４は
それぞれのドレイン（あるいはコレクタ）に接続
されたスイツチングダイオード、１０５，１０６
はそれぞれのスイツチングダイオード１０３，１
０４と電源端子との間に接続されたチヨークコイ
ル、１０７は結合容量、１０８，１０９は回路に
存在する浮遊容量、１１０は結合インダクタン
ス、１１１はダンビング抵抗である。１Ａは低い
周波数の第１の帯域（ここでは、VHF帯域）の
信号の入力端子、１Ｂは高い周波数の第２の帯域
（ここではUHF帯域）の信号の入力端子、１Ｃは
VHF帯域の受信時に高レベルとなりUHF帯域の
受信時に低レベルになる電源（VHF電源）端子、
１ＤはUHF帯域の受信時に低レベルになりVHF
帯域の受信時に高レベルになる電源（UHF電源）
端子、１Ｅは信号出力端子である。

VHF帯域の信号は、高周波増幅器１０１、ス
イツチングダイオード１０３、およびチヨークコ
イル１０５が直列に接続された系路を通り増幅さ
れる。UHF帯域の信号は、高周波増幅器１０２、
スイツチングダイオード１０４およびチヨークコ
イル１０６が直列に接続された系路を通り増幅さ
れる。スイツチングダイオード１０３とチヨーク
コイル１０５の交点から結合容量１０７と抵抗１
１１を介してチヨークコイル１０６の電源と反対
側の端子に接続され、その交点から結合コイル１
１０を介してスイツチングダイオード１０４に接
続されている。１０８，１０９は各系路の回路に
存在する浮遊容量である。

以上のように構成された高周波増幅装置につい
て、第１図を用いてその動作を説明する。

まず、VHF帯域の信号は端子１Ａより高周波
増幅装置１０１に供給される。高周波増幅器１０
１は、FETかバイパーラトランジスタを用いて
構成され、そのドレイン（あるいはコレクタ）が
スイツチングダイオード１０３を介してチヨーク
コイル１０５に持続されている。電源端子１Ｃが
高レベルになるとこの系路に電流が流れてVHF
信号が増幅され、スイツチングダイオード１０３
とチヨークコイル１０５との交点にVHF信号が
出力される。この信号は、結合容量１０７と抵抗
１１１、結合コイル１１０を介して、出力端子１
Ｅより次段に供給される。このとき、結合コイル
１０７と結合コイル１１０と抵抗１１１とから成
る直列共振回路の共振周波数をVHF帯域の中に
選定することにより、VHF帯域の信号を減衰す
ることなく端子１Ｅより次段に供給できる。

この時には端子１Ｄは低レベルになつているか
らスイツチングダイオード１０４は逆バイアスに
なつており、出力端子１Ｅでの信号減衰は浮遊容
量１０８と１０９の並列容量による減衰になる
が、その容量値は小さくしかもVHF帯域では周
波数が低いので、その並列容量による減衰量は問
題にはならない。

一方、UHF帯域の信号を受信するときには、
電源端子１Ｄが高レベルになり端子１Ｃは低レベ
ルになるため、高周波増幅器１０２、スイツチン
グダイオード１０４およびチヨークコイル１０６
に電流が流れ、UHF帯域の信号が増幅されてス
イツチングダイオード１０４とチヨークコイル１
０６との交点に出力される。この場合、UHF帯
域の信号は浮遊容量１０９の影響を受けるが、結
合コイル１１０のインダクタンスがUHF帯域の
信号に対して充分に大きいため、これにより浮遊
容量１０８は信号系路から遮断され、浮遊容量１
０８による影響は極めて少なくすることができ
る。

結合容量１０７として22PFのコンデンサ、結
合コイル１１０として直径３mmで７ターンのコイ
ル、抵抗１１１として2.2KΩのものを使用する
ことにより、UHF帯域（470〜770MHz）での利
得を３〜4dB改善することができた。

特に、ハイインピーダンスによる結合時にその
改善効果が大きかつた。

なお、以上の実施例はVHF／UHF帯域の場合
について説明したが、本発明は、これ以外にも、
周波数の差の大きい２以上の帯域の増幅回路用に
実施することができるものである。

発明の効果 以上のように、本発明によれば、周波数の低い
（VHF帯域等）帯域に対しては直列共振回路を構
成ししかも周波数の高い（UHF帯域等の）帯域
に対してはチヨークコイルとして作用するように
設定したインダクタンスと容量との直列回路を挿
入接続するようにしたことにより、低い周波数の
帯域での利得を損うことなくしかも高い周波数の
帯域での利得を同時に向上させることができるも
のである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による高周波増幅装
置を示す回路図、第２図は従来例の高周波増幅装
置の回路図である。 １０１，１０２……高周波増幅器、１０３，１
０４……スイツチングダイオード、１０５，１０
６……チヨークコイル、１０７……結合容量、１
１０……結合コイル、１１１……結合抵抗。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 異つた周波数帯域を有する２系統の信号を増
   幅するそれぞれのFET（あるいはバイポーラ）ト
   ランジスタのドレイン（あるいはコレクタ）か
   ら、周波数の低い帯域の信号はスイツチングダイ
   オードとチヨークコイルをと介して電源端子に接
   続し、周波数の高い帯域の信号はスイツチングダ
   イオードと結合コイルとチヨークコイルとを介し
   て電源端子に接続し、低い周波数の帯域の信号系
   路のスイツチングダイオードとチヨークコイルと
   の交点を結合容量または結合容量と抵抗を介し
   て、高い周波数の信号系路のチヨークコイルと結
   合コイルとの交点に接続し、出力信号を高い周波
   数の信号系路のスイツチングダイオードと結合コ
   イルとの交点から取り出すようにするとともに、
   上記結合コイルと結合容量とにより構成される直
   列共振回路の共振周波数を低い周波数の帯域中に
   選定したことを特徴とする高周波増幅装置。