JPH052005B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、テレビジヨン受像機等に用いられる
高周波増幅装置に関するものである。

従来の技術 近年、高周波増幅装置として、CATU帯の発
達などに伴い、２以上の周波数帯域で使用される
ものが増加している。

以下、図面を参照しながら、従来の高周波増幅
装置の一例について説明する。

第２図は、従来例の高周波増幅装置を示すもの
である。第２図において、２Ａ，２Ｂは異なつた
帯域の入力端子である。２０１，２０２は高周波
増幅器で、それぞれ異なつた帯域（ここでは
VHF帯域とUHF帯域）の信号を増幅する。２０
３，２０４はスイツチングダイオードで、前置の
高周波増幅器２０１，２０２中のFET（あるいは
バイポーラ）トランジスタのドレイン（あるいは
コレクタ）に直列に接続されていて、高周波増幅
されたそれぞれの信号の後段への供給をオン／オ
フさせている。２０５，２０６はチヨークコイル
で、それぞれスイツチングダイオード２０３，２
０４を介して高周波増幅器２０１，２０２の
FET（あるいはバイポーラ）トランジスタドレイ
ン（あるいはコレクタ）に接続されている。２
Ｃ，２Ｄはそれぞれの電源の供給端子であり、た
とえば、VHF受信時には端子２Ｃが高レベルと
なつて端子２Ｄが低レベルになり、UHF受信時
には逆に端子２Ｄが高レベルになつて端子２Ｃが
低レベルになる。２０７は結合容量であり、上記
のような異なつた帯域の信号のうちから選択され
た一方の信号を出力端子２Ｅより次段に供給す
る。２０８，２０９は回路に存在する浮遊容量を
示す。

以上のように構成された高周波増幅装置につい
て、以下その動作について説明する。

まず、第１の帯域（ここでは、VHF帯域とす
る）を受信する時には、端子２Ｃは高レベル、端
子２Ｄは低レベルの電源電圧に設定されるから、
高周波増幅器２０１、スイツチングダイオード２
０３、チヨークコイル２０５および端子２Ａから
供給される信号系路がオンになり、端子２Ｂから
供給される信号系路はオフになる。これにより
VHF帯域の信号のみが増幅されて、結合容量７
を介して端子２Ｅより次段に供給される。この
時、スイツチングダイオード２０４は逆バイアス
になり、VHF帯域の信号が減衰するのを防ぐ。

第２の帯域（ここでは、UHF帯域とする）を
受信するときには、上述の場合とは逆に、端子２
Ｄは高レベル、端子２Ｃは低レベルの電源電圧に
設定され、UHF帯域用の系路の信号が増幅され、
端子２Ｅり次段に供給される。

（例えば、特開昭59−36431号公報参照） 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような構成では、浮遊容
量２０８，２０９が0.5〜1pF程度ある場合には一
系統の増幅器に比べて浮遊容量が２倍になり、周
波数の高いUHF帯域における利得が３〜4dBも
劣化するという問題があつた。

本発明は、上記問題点に鑑み、周波数の高い帯
域での利得劣化を招くことなく２つの帯域の信号
を切換えて一系路に結合することのできる装置を
提供することを目的とするものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の高周波増
幅装置は、異なつた帯域を増幅する２つの高周波
増幅器に使用する素子のドレイン又はコレクタ
を、スイツチダイオードを介して、周波数の低い
帯域の信号は、チヨークコイルを介して電源に接
続し、周波数の高い帯域の信号はダンピング抵抗
にて両端を接続した結合コイルとチヨークコイル
を介して、電源に接続し、結合コイルとチヨーク
コイルの交点と周波数の低い帯域の該スイツチダ
イオードとチヨークコイルの交点を結合容量によ
り結合し、該結合コイルとスイツチダイオードの
交点から信号をとり出す。ここで、周波数の低い
帯域の信号に対しては、結合容量と結合コイルに
よる共振周波数がその帯域内にあるピーキング回
路になり、高い帯域の信号は、結合コイルがチヨ
ークコイルとなり、低い周波数帯域系路に存在す
る浮遊容量の影響を軽減するような構成にする。

作 用 本発明は、上記した構成によつて、高い周波数
の帯域を受信しようとしたときに、従来利得劣化
の原因となつていた低い周波数の帯域の系路ある
いはチヨークコイルに発生する浮遊容量による影
響を結合コイルにより軽減することができ、高い
周波数の帯域の信号を受信する時の利得の劣化を
軽減することができるものである。

実施例 以下、本発明の一実施例の高周波増幅装置につ
いて、図面を参照しながら説明する。

第１図は、本発明の一実施例の高周波増幅装置
の回路を示すものである。第１図において１０
１，１０２はFET（あるいはバイポーラ）トラン
ジスタを用いた高周波増幅器、１０３，１０４は
それぞれのドレイン（あるいはコレクタ）に接続
されたスイツチングダイオード、１０５，１０６
はそれぞれのスイツチングダイオード１０３，１
０４と電源端子との間に接続されたチヨークコイ
ル、１０７は結合容量、１０８，１０９は回路に
存在する浮遊容量、１１０結合インダクタンス、
１１１はダンピング抵抗である。１Ａは低い周波
数の第１の帯域（ここでは、VHF帯域）の信号
の入力端子、１Ｂは高い周波数の第２の帯域（こ
こでは、UHF帯域）の信号の入力端子、１Ｃは
VHF帯域の受信時に高レベルとなりUHF帯域の
受信時に低レベルになる電源（VHF電源）端子、
１ＤはUHF帯域の受信時に低レベルになりVHF
帯域の受信時に高レベルになる電源（UHF電源）
端子、１Ｅは信号出力端子である。

VHF帯域の信号は、高周波増幅器１０１、ス
イツチングダイオード１０３、およびチヨークコ
イル１０５が直列に接続された系路を通り増幅さ
れる。UHF帯域の信号は、高周波増幅器１０２、
スイツチングダイオード１０４およびチヨークコ
イル１０６が直列に接続された系路を通り増幅さ
れる。スイツチングダイオード１０３とチヨーク
コイル１０５の交点から結合容量１０７を介して
チヨークコイル１０６の電源と反対側の端子に接
続され、その交点から両端にダンピング抵抗が接
続された結合コイル１１０を介してスイツチング
ダイオード１０４に接続されている。１０８，１
０９は各系路の回路に存在する浮遊容量である。

以上のように構成された高周波増幅装置につい
て、第１図を用いてその動作を説明する。

まず、VHF帯域の信号は、端子１Ａより高周
波増幅器１０１に供給される。高周波増幅器１０
１は通常、FETがバイポーラトランジスタを用
いて構成され、そのドレイン（あるいはコレク
タ）がスイツチングダイオード１０３を介してチ
ヨークコイル１０５に持続されている。電源端子
１Ｃが高レベルになるとこの系路に電流が流れて
VHF信号が増幅され、スイツチダイオード１０
３とチヨークコイル１０５との交点にVHF信号
が出力される。この信号は、結合容量１０７と両
端にダンピング抵抗１１１が接続されている結合
コイル１１０を介して、出力端子１Ｅより次段に
供給される。このとき、結合容量１０７と結合コ
イル１１０とから成る直列共振回路の共振周波数
をVHF帯域の中に選定することにより、VHF帯
域の信号を減衰することなく端子１Ｅより次段に
供給できる。

この時には端子１Ｄは低レベルになつているか
らスイツチダイオード１０４は逆バイアスになつ
ており、出力端子１Ｅでの信号減衰は浮遊容量１
０８と１０９の並列容量による減衰になるが、そ
の容量値は小さくしかもVHF帯域では周波数が
低いので、その並列容量による減衰量は問題には
ならない。

一方、UHF帯域の信号を受信するときには、
電源端子１Ｄが高レベルになり端子１Ｃは低レベ
ルになるため、高周波増幅器１０２、スイツチン
グダイオード１０４およびチヨークコイル１０６
に電流が流れ、UHF帯域の信号が増幅されてス
イツチングダイオード１０４とチヨークコイル１
０６との交点に出力される。この場合、UHF帯
域の信号は浮遊容量１０９の影響を受けるが、結
合コイル１１０のインダクタンスがUHF帯域の
信号に対しては充分に大きいため、これにより浮
遊容量１０８は信号系路から遮断され、浮遊容量
１０８による影響は極めて少なくすることができ
る。

結合容量１０７として22pFのコンデンサ、結
合コイル１１０として直径３mmで７ターンのコイ
ル、抵抗１１１として2.2kΩのものを使用するこ
とにより、UHF帯域（470〜770MHz）での利得
を３〜4dB改善することができた。特に、ハイイ
ンピーダンスによる結合時にその改善効果が大き
かつた。

なお、以上の実施例はVHF／UHF帯域の場合
について説明したが、本発明は、これ以外にも、
周波数の差の大きい２以上の帯域の増幅回路用に
実施することができるものである。

発明の効果 以上のように、本発明によれば、周波数の低い
（VHF帯域等）帯域に対しては直列共振回路を構
成ししかも周波数の高い（UHF帯域等の）帯域
に対しては、チヨークコイルとして作用するよう
に設定したインダクタンスと容量との直列回路を
挿入接続するようにしたことにより、低い周波数
の帯域での利得を損うことなくしかも高い周波数
の帯域での利得を同時に向上させることができる
ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による高周波増幅装
置を示す回路図、第２図は従来例の高周波増幅装
置の回路図である。 １０１，１０２……高周波増幅器、１０３，１
０４……スイツチングダイオード、１０５，１０
６……チヨークコイル、１０７……結合容量、１
１０……結合コイル、１１１……ダンピング抵
抗。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 異なつた周波数帯域を有する２系統の信号を
   増幅するそれぞれのFET（あるいはバイポーラ）
   トランジスタのドレイン（あるいはコレクタ）か
   ら、周波数の低い帯域の信号はスイツチングダイ
   オードとチヨークコイルとを介して電源端子に接
   続し、周波数の高い帯域の信号はスイツチングダ
   イオードと結合コイルとチヨークコイルとを介し
   て電源端子に接続し、低い周波数の帯域の信号系
   路のスイツチングダイオードとチヨークコイルと
   の交点を結合容量を介して、高い周波数の信号系
   路のチヨークコイルと結合コイルとの交点に接続
   しこの結合コイルの両端間にダンピング抵抗を挿
   入接続し、出力信号を高い周波数の信号系路のス
   イツチングダイオードと結合コイルとの交点から
   取り出すようにするとともに、上記結合コイルと
   結合容量とにより構成される直列共振回路の共振
   周波数を低い周波数の帯域中に選定したことを特
   徴とする高周波増幅装置。