JPH0344291B2 - - Google Patents
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- JPH0344291B2 JPH0344291B2 JP59094620A JP9462084A JPH0344291B2 JP H0344291 B2 JPH0344291 B2 JP H0344291B2 JP 59094620 A JP59094620 A JP 59094620A JP 9462084 A JP9462084 A JP 9462084A JP H0344291 B2 JPH0344291 B2 JP H0344291B2
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
- G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子、磁気バブル素子及び光
応用部品等の製造に利用しうる感光性樹脂組成物
に関する。 〔従来技術〕 LSIの製造に用いられるレジストについて、高
精細で高アスペクト比のパターンを形成するため
に、レジストを２層構造とする方法が提案されて
いる。 すなわち、有機高分子材料層の上に薄いレジス
ト層を置き、レジストパターンを形成後、それを
マスクとし、酸素ガスプラズマにより有機高分子
材料をエツチングする。このレジストには酸素プ
ラズマ耐性に優れていると同時に高感度、高解像
性が要求され、酸素プラズマ耐性に優れたシリコ
ン含有ポリマーに高感応性基を導入したレジスト
材料が有望視されている。 しかし、現在知られているシリコーン系レジス
トではガラス転移温度（Tg）が室温より低く、
分子量の低いポリマーは液状のため、非常に扱い
難く、高エネルギー線に対しても感度が悪くな
る。また分子量が高い場合はゴム状であり、現像
溶媒中での膨潤のためパターンのうねり等により
解像度の低下を招く欠点があつた。 また、レジスト膜厚を薄くすることにより、更
に高解像度とするためには耐酸素プラズマ性を向
上させる必要があつた。そのため、シリコン含有
率を大幅に向上させる必要があつた。 〔発明の目的〕 本発明はこれらの欠点を解消するためになされ
たものであり、その目的は光に対して高感度、高
解像性を有し、しかもドライエツチング耐性の高
い感光性樹脂組成物を提供することにある。 〔発明の構成〕 すなわち、本発明を概説すれば、本発明の第１
の発明は、感光性樹脂組成物の発明であつて、下
記一般式： （式中Ｘは、
応用部品等の製造に利用しうる感光性樹脂組成物
に関する。 〔従来技術〕 LSIの製造に用いられるレジストについて、高
精細で高アスペクト比のパターンを形成するため
に、レジストを２層構造とする方法が提案されて
いる。 すなわち、有機高分子材料層の上に薄いレジス
ト層を置き、レジストパターンを形成後、それを
マスクとし、酸素ガスプラズマにより有機高分子
材料をエツチングする。このレジストには酸素プ
ラズマ耐性に優れていると同時に高感度、高解像
性が要求され、酸素プラズマ耐性に優れたシリコ
ン含有ポリマーに高感応性基を導入したレジスト
材料が有望視されている。 しかし、現在知られているシリコーン系レジス
トではガラス転移温度（Tg）が室温より低く、
分子量の低いポリマーは液状のため、非常に扱い
難く、高エネルギー線に対しても感度が悪くな
る。また分子量が高い場合はゴム状であり、現像
溶媒中での膨潤のためパターンのうねり等により
解像度の低下を招く欠点があつた。 また、レジスト膜厚を薄くすることにより、更
に高解像度とするためには耐酸素プラズマ性を向
上させる必要があつた。そのため、シリコン含有
率を大幅に向上させる必要があつた。 〔発明の目的〕 本発明はこれらの欠点を解消するためになされ
たものであり、その目的は光に対して高感度、高
解像性を有し、しかもドライエツチング耐性の高
い感光性樹脂組成物を提供することにある。 〔発明の構成〕 すなわち、本発明を概説すれば、本発明の第１
の発明は、感光性樹脂組成物の発明であつて、下
記一般式： （式中Ｘは、
【式】
【式】及び
【式】よりなる群
から選択した１種の基を示し、ｌ、ｍ及びｎは、
０又は正の整数を示し、ｌとｍが同時に０になる
ことはない）で表されるシロキサンポリマーと、
ビスアジド化合物及び増感剤とを包含することを
特徴とする。 更に、本発明の第２の発明は感光性樹脂組成物
の発明であつて、下記一般式： （式中、Ｘは、
０又は正の整数を示し、ｌとｍが同時に０になる
ことはない）で表されるシロキサンポリマーと、
ビスアジド化合物及び増感剤とを包含することを
特徴とする。 更に、本発明の第２の発明は感光性樹脂組成物
の発明であつて、下記一般式： （式中、Ｘは、
【式】
【式】及び
【式】
よりなる群から選択した１種の基を示し、ｌ、
ｍ、ｎは０又は正の整数を示すが、ｌとｍが同時
に０になることはない）で表されるフエニルシル
セスキオキサンポリマー、ビスアジド化合物及び
増感剤とを包含することを特徴とする。 本発明に係る成分であるビスアジド化合物の例
としては、一般式： （式中、R1は直接結合又は−CH2−、−ｏ−、−
CH＝CH−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｓ−、
ｍ、ｎは０又は正の整数を示すが、ｌとｍが同時
に０になることはない）で表されるフエニルシル
セスキオキサンポリマー、ビスアジド化合物及び
増感剤とを包含することを特徴とする。 本発明に係る成分であるビスアジド化合物の例
としては、一般式： （式中、R1は直接結合又は−CH2−、−ｏ−、−
CH＝CH−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｓ−、
【式】
【式】
【式】若しくは
【式】で示される基であり、
R2は水素原子又はハロゲン原子である）で示さ
れる化合物がある。例えば、３，3′−ジクロロ−
４，4′−ジアジドジフエニルメタン、４，4′−ジ
アジドジフエニルエーテル、４，4′−ジアジドジ
フエニルメタン、４，4′−ジアジドジフエニルス
ルホン、３，3′−ジアジドジフエニルスルホン、
４，4′−ジアジドジフエニルケトン等が挙げられ
る。これらの添加量は前記式のシロキサンポリ
マーあるいは、前記式のフエニルシルセスキオ
キサンポリマーに対し0.5〜30重量％が好ましい。
0.5重量％未満では架橋せず、30重量％超では長
期保存安定性及び塗布性が悪くなる。 また、本発明に係る感光性樹脂組成物の１つの
成分でる増感剤としては、従来のフオトレジスト
で用いられるものが使用できる。例えばベンゾイ
ンメチルエーテル等のベンゾイン系化合物、アゾ
ビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物、クロロ
フイル、メチレンブルー、エオシンＹ等の色素と
ｐ−トルエンスルフイン酸ナトリウム等の還元剤
を組合せた色素レドツクス系化合物、ジベンゾチ
アゾイルジスルフイド等の含硫黄化合物、過酸化
ベンゾイル等の有機過酸化物、ベンゾフエノン、
ミヒラーケトン等の芳香族カルボニル化合物、ニ
トロベンゼン、ｐ−ニトロフエノール、ｐ−ニト
ロアニリン等の芳香族ニトロ化合物、アントラキ
ノン等のキノン系化合物、５−ニトロアセナフテ
ンなどのアセナフテン系化合物、アントロン系化
合物を挙げることができる。 本発明における最も重要な点は、上記感光性樹
脂組成物が光に対して高感度であり、しかも酸素
ガス、四塩化炭素、CF2Cl2などの反応性イオン
エツチングに用いられるエツチヤントガスに対し
ても高い耐性を示すことを見出したことにある。 本発明の一般式で示されるシロキサンポリマ
ーの製造法としては、まずヘキサフエニルシクロ
トリシロキサン、オクタフエニルシクロテトラシ
ロキサンなど環状フエニルシロキサンを水酸化カ
リウムなどのアルカリ金属の水酸化物やブチルリ
チウムなどのアルカリ金属のアルキル化物で開環
重合させ、得られたポリジフエニルシロキサンの
クロロメチルメチルエーテル溶液に触媒として塩
化第二スズを滴下することによりクロロメチル化
ポリジフエニルシロキサンを得る。次にアクリル
酸カリウム、メタクリル酸カリウムあるいは桂皮
酸カリウムと反応させることにより、クロロメチ
ル基のクロル基を
れる化合物がある。例えば、３，3′−ジクロロ−
４，4′−ジアジドジフエニルメタン、４，4′−ジ
アジドジフエニルエーテル、４，4′−ジアジドジ
フエニルメタン、４，4′−ジアジドジフエニルス
ルホン、３，3′−ジアジドジフエニルスルホン、
４，4′−ジアジドジフエニルケトン等が挙げられ
る。これらの添加量は前記式のシロキサンポリ
マーあるいは、前記式のフエニルシルセスキオ
キサンポリマーに対し0.5〜30重量％が好ましい。
0.5重量％未満では架橋せず、30重量％超では長
期保存安定性及び塗布性が悪くなる。 また、本発明に係る感光性樹脂組成物の１つの
成分でる増感剤としては、従来のフオトレジスト
で用いられるものが使用できる。例えばベンゾイ
ンメチルエーテル等のベンゾイン系化合物、アゾ
ビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物、クロロ
フイル、メチレンブルー、エオシンＹ等の色素と
ｐ−トルエンスルフイン酸ナトリウム等の還元剤
を組合せた色素レドツクス系化合物、ジベンゾチ
アゾイルジスルフイド等の含硫黄化合物、過酸化
ベンゾイル等の有機過酸化物、ベンゾフエノン、
ミヒラーケトン等の芳香族カルボニル化合物、ニ
トロベンゼン、ｐ−ニトロフエノール、ｐ−ニト
ロアニリン等の芳香族ニトロ化合物、アントラキ
ノン等のキノン系化合物、５−ニトロアセナフテ
ンなどのアセナフテン系化合物、アントロン系化
合物を挙げることができる。 本発明における最も重要な点は、上記感光性樹
脂組成物が光に対して高感度であり、しかも酸素
ガス、四塩化炭素、CF2Cl2などの反応性イオン
エツチングに用いられるエツチヤントガスに対し
ても高い耐性を示すことを見出したことにある。 本発明の一般式で示されるシロキサンポリマ
ーの製造法としては、まずヘキサフエニルシクロ
トリシロキサン、オクタフエニルシクロテトラシ
ロキサンなど環状フエニルシロキサンを水酸化カ
リウムなどのアルカリ金属の水酸化物やブチルリ
チウムなどのアルカリ金属のアルキル化物で開環
重合させ、得られたポリジフエニルシロキサンの
クロロメチルメチルエーテル溶液に触媒として塩
化第二スズを滴下することによりクロロメチル化
ポリジフエニルシロキサンを得る。次にアクリル
酸カリウム、メタクリル酸カリウムあるいは桂皮
酸カリウムと反応させることにより、クロロメチ
ル基のクロル基を
【式】で表さ
れるアクリロイルオキシ基、
【式】で表されるメタクリロイル
オキシ基、
【式】で表
されるシンナモイルオキシ基、で置換する方法が
ある。 本発明の一般式で示されるフエニルシルセス
キオキサンポリマーの製造法としては
ある。 本発明の一般式で示されるフエニルシルセス
キオキサンポリマーの製造法としては
【式】（ＺはCl又はOCH3）で表さ
れるシラン化合物を加水分解することにより容易
に得られるフエニルシルセスキオキサンポリマー
を上記と同様にクロロメチル化したのち、クロロ
メチル基のクロル基をアクリロイルオキシ基、メ
タクリロイルオキシ基又はシンナモイルオキシ基
で置換する方法がある。 また、感光基の導入率を高め、高感度化を図る
場合には、出発材料として
に得られるフエニルシルセスキオキサンポリマー
を上記と同様にクロロメチル化したのち、クロロ
メチル基のクロル基をアクリロイルオキシ基、メ
タクリロイルオキシ基又はシンナモイルオキシ基
で置換する方法がある。 また、感光基の導入率を高め、高感度化を図る
場合には、出発材料として
次に実施例により本発明を詳細に説明するが本
発明はこれらにより限定されるものではない。 なお、第１図は本発明の１実施例におけるジア
ジドの量（mg）（横軸）と照射量（ｍＪ／cm2）（縦
軸）との関係を示すグラフである。 実施例 １ 製造例１で得たポリマー２ｇをクロロベンゼン
10mlに溶解し、これに２，６−ジ−（4′−アジド
ベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン100mg及
び増感剤としてミヒラーケトン10mgを添加した。
次に石英板に約0.5μｍの厚さに塗布し80℃で20分
間窒素気流中ブリベークした。ブリベーク後、コ
ダツクフオトグラフイツクステツプタブレツトを
マスクとし窒素雰囲気で超高圧水銀灯を用いて照
射した。照射後石英板をメチルエチルケトンで20
秒間現像、イソプロピルアルコールで60秒間リン
スした。この時初期膜厚の50％が残る光照射量は
50ｍＪ／cm2であり実用上十分利用可能な感度であ
る。また、10μｍ以下のラインアンドスペースの
パターンをもつクロムマスクを通して光照射後上
記と同一組成の現像液で現像を行つたところマス
クのパターンを忠実に解像できた。 実施例 ２〜９ 実施例１において、製造例１で得たポリマーの
代りに製造例２（実施例２）、３（実施例３）、４
（実施例４）、５（実施例５）、６（実施例６）、７
（実施例７）、８（実施例８）、９（実施例９）で得
たポリマーを用い、実施例１と同様の照射、現像
を行つた。この時、初期膜厚の50％が残る光照射
量は表１に示す値であつた。また、10μｍ以下の
ラインアンドスペースのパターンをもつクロムマ
スクを通して光照射し現像したところ、どの感光
性樹脂組成物もマスクのパターンを忠実に解像で
きた。
発明はこれらにより限定されるものではない。 なお、第１図は本発明の１実施例におけるジア
ジドの量（mg）（横軸）と照射量（ｍＪ／cm2）（縦
軸）との関係を示すグラフである。 実施例 １ 製造例１で得たポリマー２ｇをクロロベンゼン
10mlに溶解し、これに２，６−ジ−（4′−アジド
ベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン100mg及
び増感剤としてミヒラーケトン10mgを添加した。
次に石英板に約0.5μｍの厚さに塗布し80℃で20分
間窒素気流中ブリベークした。ブリベーク後、コ
ダツクフオトグラフイツクステツプタブレツトを
マスクとし窒素雰囲気で超高圧水銀灯を用いて照
射した。照射後石英板をメチルエチルケトンで20
秒間現像、イソプロピルアルコールで60秒間リン
スした。この時初期膜厚の50％が残る光照射量は
50ｍＪ／cm2であり実用上十分利用可能な感度であ
る。また、10μｍ以下のラインアンドスペースの
パターンをもつクロムマスクを通して光照射後上
記と同一組成の現像液で現像を行つたところマス
クのパターンを忠実に解像できた。 実施例 ２〜９ 実施例１において、製造例１で得たポリマーの
代りに製造例２（実施例２）、３（実施例３）、４
（実施例４）、５（実施例５）、６（実施例６）、７
（実施例７）、８（実施例８）、９（実施例９）で得
たポリマーを用い、実施例１と同様の照射、現像
を行つた。この時、初期膜厚の50％が残る光照射
量は表１に示す値であつた。また、10μｍ以下の
ラインアンドスペースのパターンをもつクロムマ
スクを通して光照射し現像したところ、どの感光
性樹脂組成物もマスクのパターンを忠実に解像で
きた。
【表】
実施例 10〜17
実施例７において、２，６−ジ−（4′−アジド
ベンザル）−４−メチルシクロヘキサノンに代え
て４，4′−ジアジドジフエニルエーテル（実施例
10）、４，4′−ジアジドジフエニルスルホン（実
施例11）、４，4′−ジアジドジフエニルメタン
（実施例12）、３，3′−ジアジドジフエニルスルホ
ン（実施例13）、３，3′−ジアジドジフエニルメ
タル（実施例14）、４，4′−ジアジドジベンザル
アセトン（実施例15）、２，６−ジ−（4′−アジド
ベンザル）シクロヘキサノン（実施例16）、３，
3′−ジクロロ−４，4′−ジアジドジフエニルメタ
ン（実施例17）を用い、3kwの超高圧水銀灯を照
射後現像した。このとき、初期膜厚の50％が残る
光照射量を表２に示す。
ベンザル）−４−メチルシクロヘキサノンに代え
て４，4′−ジアジドジフエニルエーテル（実施例
10）、４，4′−ジアジドジフエニルスルホン（実
施例11）、４，4′−ジアジドジフエニルメタン
（実施例12）、３，3′−ジアジドジフエニルスルホ
ン（実施例13）、３，3′−ジアジドジフエニルメ
タル（実施例14）、４，4′−ジアジドジベンザル
アセトン（実施例15）、２，６−ジ−（4′−アジド
ベンザル）シクロヘキサノン（実施例16）、３，
3′−ジクロロ−４，4′−ジアジドジフエニルメタ
ン（実施例17）を用い、3kwの超高圧水銀灯を照
射後現像した。このとき、初期膜厚の50％が残る
光照射量を表２に示す。
【表】
実施例18〜24及び比較例１
製造例７で得たポリマー２ｇをクロロベンゼン
10mlに溶解し、これに２，６−ジ−（4′−アジド
ベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン100mg及
び増感剤として５−ニトロアセナフテン（実施例
18）、２−ニトロフルオレン（実施例19）、１−ニ
トロビレン（実施例20）、１，８−ジニトロピレ
ン（実施例21）、１，２−ベンゾアントラキノン
（実施例22）、ピレン−１，６−キノン（実施例
23）、ジアノアクリジン（実施例24）をそれぞれ
10mg添加した。また、増感剤無添加の試料も用意
した（比較例１）。これらを実施例１の方法で塗
布、光照射、現像し、初期膜厚の50％が残る光照
射量を表３に示す。
10mlに溶解し、これに２，６−ジ−（4′−アジド
ベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン100mg及
び増感剤として５−ニトロアセナフテン（実施例
18）、２−ニトロフルオレン（実施例19）、１−ニ
トロビレン（実施例20）、１，８−ジニトロピレ
ン（実施例21）、１，２−ベンゾアントラキノン
（実施例22）、ピレン−１，６−キノン（実施例
23）、ジアノアクリジン（実施例24）をそれぞれ
10mg添加した。また、増感剤無添加の試料も用意
した（比較例１）。これらを実施例１の方法で塗
布、光照射、現像し、初期膜厚の50％が残る光照
射量を表３に示す。
【表】
実施例 25〜29
本発明の感光性樹脂組成物の各種反応性ガスに
よる耐ドライエツチング性を調べた。どの組成物
もほぼ同じ特性を示したので、代表として実施例
７の組成物をCF4（実施例25）、CF2Cl2（実施例
26）、CCl4（実施例27）、O2（実施例28）、Ar（実施
例29）の各ガスをエツチヤントガスとして反応性
イオンエツチングを行つた。結果を表４に示す。
よる耐ドライエツチング性を調べた。どの組成物
もほぼ同じ特性を示したので、代表として実施例
７の組成物をCF4（実施例25）、CF2Cl2（実施例
26）、CCl4（実施例27）、O2（実施例28）、Ar（実施
例29）の各ガスをエツチヤントガスとして反応性
イオンエツチングを行つた。結果を表４に示す。
以上説明したように、本発明で得られた感光性
樹脂組成物は、高いガラス転移温度を有するシリ
コーン樹脂と高い光反応性を示すビスアジド化合
物からなるため、フオトレジストとして十分な感
光性と解像性を有している。特に、シリコーン樹
脂の高いガラス転移温度により、従来問題となつ
た現像時の膨潤が抑えられ、解像性の向上が著し
い。更に、環状シロキサンモノマーは、リビング
重合ができるため、分子量分布の非常に狭い、す
なわち、解像性の高いレジスト材料となりうる。
また、樹脂は白色粉末で、溶解性がよく、スピン
コートによる塗布性にも優れ、従来の液体に近い
シリコーン樹脂に比べはるかに扱いやすい。 更に、従来のフオトレジストに比べ、はるかに
高いドライエツチング耐性を有する。これは特に
酸素プラズマをエツチヤントした反応性イオンエ
ツチングにおいて著しい。したがつて、本発明の
感光性樹脂組成物を単独で使用しても作業性、経
済性、レジスト性能などの点で十分に効果がある
が、下層に厚い有機ポリマーを有する２層レジス
トの上層として使用すれば、更に大きな効果が得
られる。
樹脂組成物は、高いガラス転移温度を有するシリ
コーン樹脂と高い光反応性を示すビスアジド化合
物からなるため、フオトレジストとして十分な感
光性と解像性を有している。特に、シリコーン樹
脂の高いガラス転移温度により、従来問題となつ
た現像時の膨潤が抑えられ、解像性の向上が著し
い。更に、環状シロキサンモノマーは、リビング
重合ができるため、分子量分布の非常に狭い、す
なわち、解像性の高いレジスト材料となりうる。
また、樹脂は白色粉末で、溶解性がよく、スピン
コートによる塗布性にも優れ、従来の液体に近い
シリコーン樹脂に比べはるかに扱いやすい。 更に、従来のフオトレジストに比べ、はるかに
高いドライエツチング耐性を有する。これは特に
酸素プラズマをエツチヤントした反応性イオンエ
ツチングにおいて著しい。したがつて、本発明の
感光性樹脂組成物を単独で使用しても作業性、経
済性、レジスト性能などの点で十分に効果がある
が、下層に厚い有機ポリマーを有する２層レジス
トの上層として使用すれば、更に大きな効果が得
られる。
第１図は本発明の１実施例におけるジアジドの
量と照射量との関係を示すグラフである。
量と照射量との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記一般式： （式中Ｘは、【式】 【式】及び 【式】よりなる群 から選択した１種の基を示し、ｌ、ｍ及びｎは、
０又は正の整数を示し、ｌとｍが同時に０になる
ことはない）で表されるシロキサンポリマーと、
ピスアジド化合物及び増感剤とを包含することを
特徴とする感光性樹脂組成物。 ２ 該ビスアジド化合物が、下記一般式： （式中R1は直接結合、又は−CH2−、−０−、−
CH＝CH−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｓ−、【式】 【式】【式】 【式】若しくは 【式】で示される基であり、 R2は水素原子又はハロゲン原子である）で表さ
れる化合物よりなる群から選択した１種以上のも
のである特許請求の範囲第１項記載の感光性樹脂
組成物。 ３ 該増感剤が、芳香族カルボニル化合物、ベン
ゾイン系化合物、色素レドツクス系化合物、アゾ
化合物、含硫黄化合物、有機過酸化物、芳香族ニ
トロ化合物、キノン系化合物、アントロン系化合
物及びアセナフテン系化合物よりなる群から選択
した１種のものである特許請求の範囲第１項記載
の感光性樹脂組成物。 ４ 下記一般式： （式中、Ｘは、【式】 【式】及び 【式】よりなる群 から選択した１種の基を示し、ｌ、ｍ、ｎは０又
は正の整数を示すが、ｌとｍが同時に０になるこ
とはない）で表されるフエニルシルセスキオキサ
ンポリマーと、ビスアジド化合物及び増感剤とを
包含することを特徴とする感光性樹脂組成物。 ５ 該ビスアジド化合物が、下記一般式： （式中R1は直接結合、又は、−CH2−、−０−、−
CH＝CH−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｓ−、【式】 【式】【式】 【式】若しくは 【式】 で示される基であり、R2は水素原子又はハロゲ
ン原子である）で表される化合物よりなる群から
選択した１種以上のものである特許請求の範囲第
４項記載の感光性樹脂組成物。 ６ 該増感剤が、芳香族カルボニル化合物、ベン
ゾイン系化合物、色素レドツクス系化合物、アゾ
化合物、含硫黄化合物、有機過酸化物、芳香族ニ
トロ化合物、キノン系化合物、アントロン系化合
物及びアセナフテン系化合物よりなる群から選択
した１種のものである特許請求の範囲第４項記載
の感光性樹脂組成物。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP9462084A JPS60238827A (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 感光性樹脂組成物 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP9462084A JPS60238827A (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 感光性樹脂組成物 |
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