JPH0345834B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

技術分野 本発明は光導電性作像方法特に電荷転写光導電
性作像方法に関する。 背景技術 最初の像作成部材として作用する光導電体から
誘電性表面への静電像の転写（TESI）はよく知
られている（R.M.シヤフアート著
「Electrophoto−graphy」第167〜177頁、Focal
Press発行、1975年、参照）。典型的な電荷転写方
法においては、従来の方法で作成された電荷像を
担持する光導電性層は誘電性受像層近くに配置さ
れ、そしてこれ等層の互いに対面していない側の
導電性支持体間に適当極性の電圧が印加される。
層の配置は、無理のない最大電圧（例えば代表的
なものは2000ボルト未満）を印加したときに層間
の空気が絶縁破壊を起し得るようにしなければな
らない。その後、バイアス電圧を印加したまま、
誘電性受像層は光導電体から分離される。分離に
おける臨界点で放電電流が空隙を通して流れるた
め、光導電体上の元の像電荷の少なくとも一部が
誘電性受像層に像様に転写される。この転写され
た静電像を従来の調色技術によつて可視化しても
よい。この技術はいろいろと開発され、そして記
述されている。しかしながら、供与部材と受容部
材間の間隙の大きさおよび均一性は重要な一因子
である。 良質な画像を得るため、転写工程中に光導電性
層と受像層の間に正確な空隙を維持することが望
ましい。一般に数ミクロンオーダーの空隙隔離が
望ましいものと思われている。間隙が大きすぎる
と電荷の転写は起らない又は殆とんど起らない；
一方、間隙が小さすぎると背景部の電荷がかなり
転写されて汚れた背景部を生ずることがある。さ
らに、空隙に絶縁破壊を起させるために必要な電
圧と空隙間隔との関係（パツシエン曲線）は一定
でないので高品質の転写像を得るためには均一な
空隙間隔が必要とされる。 静電像の転写（TESI）について従来公知の方
法は市販の電子写真複写機または静電印刷機に実
際に応用されているが解像力の悪い画像をもたら
す。 電子写真または静電印刷における一方の表面か
ら他方に電荷を転写するための従来技術は：（１）
空隙を介しての電荷の伝導、または（２）空隙を
無くした場合の直接電荷転写、のいずれかであ
る。空気の絶縁破壊による電荷転写技術は簡単で
あるが、高解像力が得られない〔80lp／mm（線
数／mm）未満〕又は連続半階調の再現が難しい。
また、この方法は空気絶縁破壊を確実にするため
供与部材表面を高表面電位に維持する必要があ
る。直接電荷転写のため現在知られている技術は
極めて平滑な表面、供与体フイルムと受容体フイ
ルムの間に介在する転写液体、又は空隙を無くす
ための非常に高い圧力を必要とする。150lp／mm
までの高解像力の電荷転写が得られると主張され
ているが、これ等技術は実用的でなく、しかも電
荷転写効率が概して低い。それ故、半階調再現性
および高転写効率をもつて高解像度の電荷転写像
を得る簡単な方法が必要とされている。 本発明の一つは有効な電荷供与光導電性絶縁性
表面を提供するものである。 本発明の別の一つは電荷供与光導電性絶縁性表
面から電荷受容体（これ等表面は見かけ上接触し
ている）へ高解像度の静電荷潜像を効率よく転写
するものである。 米国特許第2825814号は比較的均一な粒子径に
紛砕することによつて得られた粒状樹脂またはプ
ラスチツクの少量は光導電性層表面と受像層表面
との間に配置することによつて間隙を保持する方
法を教示している。しかしながら散布粒子は両表
面に付着する傾向があり、最終画像領域は間隙を
保持するために使用された粒子の存在によつて生
ずる突状汚れをしばしば有し、また樹脂粒子が一
様でないので間隔も一様にならない。これ等欠陥
により劣悪な転写像を生ずることが調色時に明ら
かとなる。 米国特許第3519819号には粒状スペーサー粒子
を含有する電気絶縁性フイルム形成用高分子結合
剤の薄層を被覆することによつて間隙を維持する
ことが開示されている。これ等粒子は重合体結合
材層中に埋設されており、これ等スペーサー粒子
による突出量が空隙間隔を決定する。しかしなが
らスペーサー粒子の粒径分布は不規則でありしか
も各粒子は結合材中で同一方向に位置しないの
で、各粒子が基体周辺に突出する量は一様でな
い。 米国特許第3240596号は作像プロセスにおける
光導電性層と誘電性受像層との直接接触の使用を
教示している。電荷転写は緩慢であり、そして大
きなバイアスによつても効率が悪に又は背景部電
荷が転写される。これは背景部汚れおよび一般に
劣悪な画像をもたらす。 米国特許第4263359号は誘電性受像層と光導電
体層の間の空隙を一様な間隔にするため受像層上
に微粒状の光重合組成物を使用することを教示し
ている。この技術は層間の間隔の精度を改善する
が、電荷転写は尚空隙の絶縁破壊によつて行われ
るのでバイアス電圧の印加を伴う。また、電荷転
写は全く緩慢であり非効率的である。 本発明の開示 本発明は光導電性層と誘電性受像層の間を接触
させることによつて像様分布静電荷を転写する方
法であり、上記層の少なくとも一方はその表面に
付着した約2.5〜9.0ナノメーター範囲の平均径
（表面の平面に沿つて測定）の無機物質からなる
導電性部位を有している。 しかしながら、粒径の分布は大きくてもよい。
例えば、平均径が約7.0nmである場合、粒子径の
範囲は５〜12.0nmであつてもよく又はそれ以上
大きな径の分布を有していてもよい。分布は広く
ともよいが平均粒径は本発明の実施にとつて決定
的である。分布は製造方法のちがいによつて異な
る傾向があるけれども、広い分布範囲は必要でも
ないし又必然的に望ましいものでもない。幅広い
平均径範囲は1.0〜20nmである。好ましい範囲は
2.5〜9.0nmである。より好ましい範囲は3.0〜
8.0nmであり、最も好ましい平均径は3.5〜7.5nm
である。 導電性部位の平均粒径の制限に加えて、部位の
間隔は合理的な限られた範囲内になければならな
い。この部位は表面領域の0.1〜40％、好ましく
は0.15〜30％、より好ましくは0.20〜20％を被覆
していなければならない。それ以上被覆する場合
は、表面が実質的に導体になつてしまう。それ以
下の被覆では、部位の効果が顕著でなくなる。 導電性部位の組成物としては本質的に固体で環
境上安定な無機物質のいずれかを使用することが
できる。環境上安定とは、2.5〜9.0nmの粒状の物
質が室温、湿度30％の空気中で１分以内に蒸発す
る又は周囲環境と反応して環境上不安定な物質に
なるようなものでないことを意味する。金属粒子
は付着可能であるので、それが反応して環境上安
定な金属酸化物粒子になるか又は全く反応しない
ものであるならば容認できる。例えば、銅やニツ
ケルがこの方式で実施できる。使用期間内に反応
して不安定な生成物例えば昇華性の又は液状の金
属酸化物になる金属は不適当である。驚くべきこ
とには、部位の有益な効果は導電性部位の濃度の
みの函数であると思われ、組成物の体積抵抗率
（bulk resistivity）には依存しない；けれども体
積抵抗率１×10¹⁸Ω／cm以下、好ましくは１×
10¹²Ω／cm以下の材料が望ましいことが判明し
た。例えばシリカ（sio₂）、アルミナおよびクロ
ミナは絶縁体であるけれども表面の電荷受容特性
を改善するには確かに有効であると云うことが判
明した。上記の平均粒径および分布を有する環境
上安定な物質は実質的に全て本発明に使用でき
る。具体的物質としては、ニツケル、亜鉛、銅、
銀、コバルト、インジウム、クロム／ニツケル合
金、ステンレス鋼、アルミニウム、錫、クロム、
マンガン、石英、ウインドガラス、およびシリカ
が包含される。これ等物質の酸化物、および金属
とこれ等物質の金属酸化物との混合物も同様に良
好に作用する。金属等の硫化物、炭酸塩、ハロゲ
ン化物およびその他分子も本発明に使用できる。 表面上に導電性部位を付着させることは多数の
いろいろな方法によつて行うことができる。制限
されるものではないが、例えば、高周波（R.F.）
スパツタリング、蒸着、化学的蒸着、熱蒸発、
A.C.スパツタリング、D.C.スパツタリング、無電
解めつき、ゾルの乾燥、および金属または化合物
の希釈液の乾燥がある。これ等方法は全て、制御
された径の粒子分布を目的とするものである。そ
れはこれ等方法において使用する速度、成分濃
度、およびエネルギーレベルを制御することによ
つて達成可能である。大部分の場合、原子または
分子サイズの物質が表面に接触すると、これ等物
質は表面の核部位または小さな傷の処に集合する
傾向がある。粒子は後続物質の吸引および堆積に
よつて生長するので、適当なサイズと分布の粒子
が確実に得られるようにプロセスを慎重に制御し
なければならない。これ等手法はその分野の知識
を有するものにとつて既知のことである。 本発明の層を製造するために使用される方法は
付着させる物質の原子または分子雰囲気を生成
し、そして所望の分布の部位を作成するに十分な
速度と時間で被覆すべき表面に元素および／また
は分子を付着させる方法からなる。この方法は現
在在る熱蒸発（蒸気被覆としても知られている）
装置およびスパツタリング装置で実施することが
できる。この方法の実施にあたり、従来の装置を
改造する必要はないけれども、勿論適切な濃度と
分布を有する部位が得られるように注意して行わ
なければならない。例えば、被覆すべき表面があ
まり長い間金属または金属酸化物の高濃度雰囲気
にさらされると、部位の分布でなくフイルム状に
付着してしまう。 現在のところ、確実な結果を得られること及び
性質を制御し易いことから見るとR.F.、A.C.また
はD.C.スパツタリングおよび熱蒸発を使用する方
法が最良である。 電荷受容表面を作成する方法の有効性は簡単な
テストで測定できる。実施例１で使用されている
シートからなる対照用電子写真シートを450ボル
トに帯電する。このシートを本発明の処理表面と
接触させることによつて電荷転写を行う。５秒以
内の接触シート上の電荷少なくとも25％が転写さ
れる場合は、選択物質は明らかに満足すべきもの
である。 少なくとも一方の表面上にこの導電部位を使用
すると、作像プロセスにおける電荷転写のスピー
ドおよび効率が驚異的に改善される。30％以上の
電荷転写が容易に得られ、時には数秒間で40％以
上の転写が得られる。調色像の解像力も全く優れ
ている。 導電部位を光導電性層または誘電性受像層の一
方にのみ使用する他に、電荷転写効率および電荷
転写スピードをさらに改善するため両層に部位を
使用してもよい。 本発明による接触電荷転写を用いた場合のもう
一つの重要な利点はバイアス電圧を必要としない
ことである。作像プロセスの必要エネルギーを減
少せしめるためにはバイアス電圧を避けるべきで
あるが、バイアス電圧を使用することもできる
し、特定のプロセス条件下では使用することが望
ましいこともあろう。 本発明の目的および効果をさらに下記実施例に
よつて説明するが、これ等実施例で使用した特定
材料およびその量、並びに条件および詳細は本発
明を不当に制限するように解釈されてはならな
い。 実施例 １ 75μ厚ポリエステルの15cm長さ×10cm巾の片を
支持体として選択し、電荷受容部材にするために
加工した。まず、真空蒸着（即ち加熱蒸発）によ
つて支持体に白色光透過度約60％および抵抗約
90Ω／□を有するアルミニウム金属層を形成し
た。次いで、15重量％Vitel PE200（グツドイ
ヤー タイヤ＆ラバー社製のポリエステル）と85
重量％ジクロロエタンの溶液から乾燥膜厚約5μ
を生ずる＃20メイヤ−バーを用いて手動で誘電層
を被覆した。可変インピ−ダンス整合回路を包含
するように改造されたVeeco モデル776高周
波ダイオ−ドスパツタリング装置を13.56MHzで
操作してさらに処理した。この装置は実質的に平
行な２個の遮蔽されたアルミニウム円形電極を有
しており、その一方（陰極）は直径40cmであり、
他方（陽極）は直径20cmであり、両者の間隔は
6.25cmであつた。電極はR.F.シールドを行うガラ
ス容器内に収容されている。ベル型容器は排気可
能であり、また、陰極（励振電極）および陽極
（浮動電極）は循環水によつて冷却された。 上記積層物の誘電層が陰極に対面するように上
記積層物をアルミニウム陽極の中央部に載置し
た。スパツター付着物質源は銅板であり、この板
を陰極に取り付けて陽極上の積層物と対面させ
た。 それからこのシステムを排気して約１×10^-5ト
ルにし、そして酸素ガスをニードル弁から導入し
た。酸素を連続的にシステムに導入・排出した時
平衡圧は５×10^-4トル〜８×10^-4トルに維持され
た。 陽極およびその上の積層物をシヤツターでシー
ルドし、陰極にR.F.エネルギーを容量的に結合し
プラズマを発生させた。陰極の出力密度が0.38ワ
ツト／cm²に達する迄結合エネルギーを増大させた
ので陰極から銅がスパツタリングされてシヤツタ
ーに付着した。この陰極クリーニング操作を約10
分間行い、ばらつきのないスパツタリング表面を
作成した。それから陰極出力を0.15ワツト／cm²に
低げてスパツタリング速度を一定にすることがで
きた。それは石英結晶モニターで確認した。代表
的なスパツタリング速度は公称0.1nm／60秒であ
つた。それからシヤツターを開けて、誘電層上へ
の銅金属の反応性スパツター付着を約60秒間続行
した。反射能は２％未満でルあつた。結合キヤパ
シタンスは上記出力密度を維持した。60秒での平
均膜厚は従つて約0.1nmであつた。こうして、平
均径約7.0nmおよび平均間隔約20nmを有する銅
即ち酸化第二銅導電部位からなる電荷受容表面が
作成された。 電荷供与部材を同様の方法で処理した。75μ厚
のポリエステル層を導電性ヨウ化インジウム層で
被覆して成る積層物を、イーストマンコダツク社
からEK SO−102として市販されている8.5μ厚の
絶縁性有機光導電層で被覆し、次いで上記R.F.ス
パツタリング装置で304ステンレス鋼を付着させ
た。付着ステンレス鋼の平均厚さは公称0.05nm
であり、絶縁性光導電層の表面に導電部位の分布
が作成された。 上記の絶縁性光導電層（EK SO−102）は(1)テ
レフタル酸、エチレングリコールおよび２，２ビ
ス（４−ヒドロキシエトキシフエニル）プロパン
から誘導されたポリエステル結合材、(2)ビス（４
−ジエチルアミノ−２−メチルフエニル）フエニ
ルメタンからなる電荷輸送物質、および(3)写真用
強色増感剤との組合わせで緑と赤の波長を吸収す
る分光増感染料の混合物からなる。 それから、コロナ電源を使用して電荷供与部材
を＋900ボルトに帯電し、そして像様に露光して
高解像度の静電荷パターンを作成した。それか
ら、表面に静電荷パターンを有する電荷供与部材
と電荷受容部材を、接地された導電性ゴムローラ
ーによつて直接接触させた。このローラーは良好
な接触に必要な中程度の圧力を付与しながら電荷
受容部材の背面電極に電気的に接触する。電荷供
与部材から剥離した後の電荷受容部材の表面電位
を測定したところ、約50％の静電荷が転写された
ことを示していた。それから、転写された静電荷
パターンを数日間程保存した後トナーで現像した
ところ又は直ちにトナーで現像したところ電荷パ
ターンは可視像になつた。 転写された静電荷の現像に適するトナーは第１
表に示されたものから構成されていた。

【表】 トナー成分は次の順序で混合した： 1. カーボンブラツクを秤量してボールジヤーに
入れた。 2. ポリエチレンAC−６、OLOA 1200および
Isopar Ｍを秤量して普通の容器、好ましくは
ガラスビーカー中に入れて、この混合物を撹拌
しながら熱板上で加熱して溶液にした。ポリエ
チレンを融解するには温度110℃±10℃で十分
であり、透明な褐色溶液が得られた。 3. (2)の溶液を静かにゆつくりと周囲温度、好ま
しくは約20℃に冷却した。冷却するとワツクス
が折出するので、この生成された冷い不透明ス
ラリをボールジヤーに添加した。 4. ボールジヤーを密閉して70〜75rpmで120時
間回転させた。この練り時間は内径18cmを有す
る公称容量2600mLのジヤー用に適するもので
あつた。この寸法のジヤーは第１表に示された
割合の原料重量475ｇを収容していた。 5. 練り時間終了後、ジヤーを開けて内容物を適
当な容量の容器に入れて最終トナー濃縮物
（MNB−２と称す）を作成した。 得られた画像は光学濃度約1.4、解像力約
216lp／mm、およびlog露光量の函数としての光学
濃度の直線部分の傾斜度（ｒ）約1.1を有する優
れた画像であつた。 比較例 １ 電荷受容部材および電荷供与部材を実施例１と
同じように製造したが両部材のいずれにも導電部
位を付着させなかつた。像様露光、静電荷像転
写、および転写電荷の現像を実施例１のように行
つたところ、たつた約９％の静電荷が転写され、
そして現像像の解像力は約100lp／mmにすぎなか
つた。 実施例 1A 電荷受容部材および電荷供与部材を実施例１の
ように製造したが電荷受容部材に導電部位を付着
させなかつた。像様露光、静電荷像転写、および
転写電荷の現像を実施例１のように行つたとこ
ろ、約28％の静電荷が転写され、そして現像像の
解像力は約150lp／mmであつた。 実施例 1B 電荷受容部材および電荷供与部材を実施例１の
ようにして製造したが電荷供与部材に導電部位を
付着させなかつた。像様露光、静電荷像転写、お
よび転写転荷の現像を実施例１のように行つたと
ころ、約39％の静電荷が転写され、そして現像像
の解像力は約170lp／mmであつた。 実施例 ２〜14 電荷受容部材上の導電部位を作成するためにそ
れぞれクロム（Cr）、銀（Ag）、錫（Sn）、コバ
ルト（Co）、マンガン（Mn）、ニツケル（Ni）、
鉄（Fe）、モリブデン（Mo）、ステンレス鋼、亜
鉛（Zn）、アルミニウム（Al）、ウインドガラス
および石英を使用した以外は実施例１のようにし
て、静電荷像パターンを作成し、転写し、そして
現像した。こうして得られたこれ等実施例は全
て、30％以上の電荷転写率および170lp／mm以上
の現像後解像力を示した。 その他の各種材料を使用した部位および表面を
有する本発明の有効性を下記の追加実施例で示
す。 実施例 15 75μ膜厚ポリスチレンの12.5cm×25.0cm片を支
持体として選択した。実施例１のR.F.スパツタリ
ング装置の陽極を直径40cmに代えて使用した。支
持体を陽極上に載置し、チヤンバーを排気し、そ
して５×10^-4トル〜10×10^-4トル範囲の酸素平衡
圧を維持した。0.38ワツト／cm²〜0.46ワツト／cm²
の範囲の陰極パワーで銅をスパツターした。約
0.5nmの銅が付着したときに付着を停止した。 実施例 16 75μ膜厚Tedlar （ポリフツ化ビニル）の
12.5cm〜25.0cm片を支持体として、実施例15のよ
うに処理した。 実施例 17 75μ膜厚ポリエチレンの12.5cm×25.0cm片を支
持体として、実施例15のように処理した。 実施例 18 重合体表面に部位を設けるために連続R.F.反応
性スパツター処理を利用した。ウエブ操従装置に
ポリブチレンテレフタレート（PBT）の15cm巾
ロールを装填し、そして平面マグネトロンスパツ
タリングシステムの真空チヤンバーに挿入した。
真空チヤンバーを排気して約５×10^-6トルにし、
それから酸素を導入して10×10^-3トル〜25×10^-3
トル範囲の室圧で54スタンダートc.c.／分の流速に
した。ウエブを銅平面マグネトロンスパツター付
着陰極のそばを0.1〜２cm／秒の速度で通過させ
た。陰極とウエブの間隔は６cmであつた。1.1ワ
ツト／cm²〜3.4ワツト／cm²範囲のパワーの高周波
（13.56MHZ）発振機によつて陰極を励振してガ
スプラズマを発生させた。この製品は優れた結果
を有していた。 実施例 19 ポリエチレンテレフタレートとポリエチレンイ
ソフタレートの60/40共重合体の単一層の15cm巾
ロールを実施例18のように処理した。 実施例 20〜21 実施例18の平面マグネトロンスパツター付着陰
極をクロムにして実施例18の方法で実施例18およ
び19の材料に下塗した。この表面は湿つた環境下
で特に安定であつた。 実施例 22〜23 実施例18の平面マグネトロンスパツター付着陰
極をアルミニウムにし、かつ、ガスプラズマは
1.1ワツト／cm²〜1.3ワツト／cm²範囲のパワーの直
流（D.C.）発振機で陰極を励振することによつて
発生させた以外は実施例18と同じようにして、実
施例18および19の材料に下塗した。 実施例に記載させているようなプラズマ条件下
で処理した重合体表面のESCA（電子分光による
化学分折）試験を行つた。下塗に帰因する性質と
条件並びに下塗に帰因しない性質と条件を探求し
た。クロム（この方法にとつて好ましいものであ
る）を用いて部位を作成した場合、被覆表面に対
するCr 2p^3/2結合エネルギーは576.6eVであつた
が、未被覆表面に対するCr 2p^3/2結合エネルギー
は577.1eVであつた。アルミニウムを用いて部位
を作成した場合、被覆表面に対するAl 2_S結合エ
ネルギーは119.0eVであつたが、未被覆表面に対
するAl2_S結合エネルギーは119.3eVであつた。結
合エネルギーは全て、C1_Sの284.6eVを基本にし
たものである。測定された結合エネルギーはJ.
M.Burkstrand（J.Appl.Phy.，52(7)，4795July，
1981）が報告しているように平均付着金属厚さの
函数ではなく製造条件の函数であることが判明し
た。 実施例 24 ４インチ×６インチ（約10cm×15cm）のポリエ
ステル片の上に導電層としてアルミニウム膜（60
％透過率）蒸着し、さらにその上に5μのポリエ
ステル（Vitel PE200）で被覆した。熱蒸発
装置およびシヤツターを具備した真空チヤンバー
の中に上記積層物を配置した。積層物は付着物質
源の上方約20cmの処に置いた。このシステムを排
気して１〜２×10^-5トルにし、シヤツターを閉じ
て、銅充填タングステン支持ボートに入力した。
膜厚モニターで読み取つて付着速度が一定になつ
たことを確認してから、シヤツター開けて、銅を
0.1nm付着させた。0.1nm被覆物は実施例１に使
用したと同じ方法でテストした結果、現像後の転
写解像力100lp／mm以上を有していた。 実施例 25 導電部位を作成するための金属として金（Au）
を使用する以外は実施例１と同じようにして電荷
受容部材を製造した。電荷供与部材はコルター
（Coulter）システム社からKC101として市販され
ている硫化カドミウム結晶光導電体平面であつ
た。像様露光、静電荷転写、および転写電荷の現
像は実施例１の方法で行つた。現像像は解像力
130lp／mmを有していた。約4.0％の電荷が転写さ
れた。 導電部位を持たない同一の受容部材を用いて作
像および現像工程を繰り回したところ、画像は作
成されず、電荷転写ができなかつたことを示し
た。 実施例 26 光導電体が1.59mm厚アルミニウム板を94重量％
Seと６重量％Teからなる無定形組成物40μで被覆
したものである以外は実施例25を繰り返した。現
像像の解像力は120lp／mmあつた。約40％の電荷
が転写されていた。 上記の金属又は金属化合物の代りに又はそれ等
と組合わせてメタロイドを使用することは本発明
の実施にとつて同程度に有効である。また、金属
合金、金属−メタロイド合金、およびメタロイド
合金は有効であり、上記方法によつて離散部位と
して適用することができる。メタロイドは公知の
元素であり、例えばケイ素、ホウ酸、ヒ素、ゲル
マニウム、ガリウム、テルル、セレン等が包含さ
れる。メタロイドは金属同様、メタロイド化合物
の形態で存在してもよい。「金属化合物」および
「メタロイド化合物」の用語は、本発明では、酸
化物、カルコナイド（例えば硫化物）、ハロゲン
化物、ホウ化物、ヒ化物、アンチモン化物、炭化
物、窒化物、ケイ化物、炭酸塩、硫酸塩、りん酸
塩、金属およびメタロイドのクラスター化合物、
およびこれ等の組合せを意味するものと定義され
る。 「酸化物」のような用語は化学量論量の存在を
要求するものではない。例えば化学量論量より過
剰の又は過少の酸素を有する化合物は有効であ
り、上記技術によつて製造されることがある。例
えば、不活性環境中のシリカのスパツタリング付
着は下級酸化物を生ずる傾向がある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 像様に分布した電荷を一方の表面から他方に
   転写し次いで該電荷が転写されている他方表面上
   に可視像を形成することによつて画像を作成する
   方法において該転写は二表面間を極めて近接せし
   めることによつて行われ、この二表面の少なくと
   も一表面は無機物質の離散部位からなる導電性部
   位を有し、該離散部位は1.0〜20.0nmの平均長さ
   を有しかつ該表面の0.1〜40％を被覆しているこ
   とを特徴とする方法。 ２ 該無機物質は金属、メタロイド、金属化合
   物、メタロイド化合物、およびこれ等の組合わせ
   からなる群から選択された環境上安定な物質から
   なる、特許請求の範囲第１項の方法。 ３ 部位は2.5〜9.0nmの平均長さを有しかつ該表
   面の0.15〜30％を被覆している、特許請求の範囲
   第２項の方法。 ４ 該転写は該二表面間の接触によつて行われ
   る、特許請求の範囲第２項の方法。 ５ 該二表面は光導電性層と誘電性受像層からな
   り、両層は非接触面に導電層を有している、特許
   請求の範囲第２項の方法。 ６ 該二表面は光導電性層と誘電性受像層からな
   り、両層は非接触面に導電層を有している、特許
   請求の範囲第３項の方法。 ７ 該二表面は光導電性層と誘電性受像層からな
   り、両層は非接触面に導電層を有している、特許
   請求の範囲第４項の方法。 ８ 該離散部位は該光導電性層上に存在する、特
   許請求の範囲第２項、第３項、第４項、第５項、
   第６項または第７項の方法。 ９ 該離散部位は該誘電性受像層上に存在する、
   特許請求の範囲第２項、第４項、第５項、第６項
   または第７項の方法。 １０ 該離散部位は金属、金属酸化物、金属硫化
   物、金属炭酸塩、金属ハロゲン化物、またはこれ
   等の混合物からなる、特許請求の範囲第１項、第
   ２項、第３項、第４項または第５項の方法。 １１ 可視像は該他方表面を調色することによつ
   て形成される、特許請求の範囲第１項、第２項、
   第３項、第４項または第５項の方法。