JPH0346885B2 - - Google Patents
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- JPH0346885B2 JPH0346885B2 JP29805085A JP29805085A JPH0346885B2 JP H0346885 B2 JPH0346885 B2 JP H0346885B2 JP 29805085 A JP29805085 A JP 29805085A JP 29805085 A JP29805085 A JP 29805085A JP H0346885 B2 JPH0346885 B2 JP H0346885B2
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は強磁性薄膜の磁気抵抗効果を応用した
磁気抵抗効果素子（以下MR素子と称す）を用い
て磁気記録媒体に記録された信号の検出を行なう
薄膜磁気ヘツドに関する。
磁気抵抗効果素子（以下MR素子と称す）を用い
て磁気記録媒体に記録された信号の検出を行なう
薄膜磁気ヘツドに関する。
＜従来技術＞
強磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用した薄膜磁気
ヘツドは、一般に多用されている巻線型磁気ヘツ
ドと比較して多くの利点を有することが知られて
いる。即ち上記薄膜磁気ヘツドは磁気記録媒体に
記録された磁化パターンから発生する信号磁界を
受け、これをMR素子の抵抗変化に基く電圧変化
として取り出すものであるため、磁気記録媒体の
移送速度に依存せずに信号を再生することがで
き、特に磁気記録媒体の移送速度が低い場合に巻
線型の磁気ヘツドよりも高出力の再生信号が得ら
れるという利点を備えている。実際の使用に際し
てはMR素子単体で薄膜磁気ヘツドを構成するよ
りもMR素子部をヘツド先端から離し、磁気記録
媒体にて発生した磁束をMR素子部まで導く磁束
導入路（ヨーク）を配置した第２図の如き構造の
通常ヨークタイプMRヘツド（以下MRヘツドと
称す）と呼ばれる薄膜磁気ヘツドの方が信号の分
解能の向上やMR素子の耐久性の向上の為に有効
であり、近年このタイプのヘツドが固定ヘツド・
デイジタルオーデイオ用再生ヘツドとして注目さ
れている（第８回日本応用磁気学会学術講演概要
集（1984）14PB−11「ヨークタイプMRヘツドの
再生特性」参照）。
ヘツドは、一般に多用されている巻線型磁気ヘツ
ドと比較して多くの利点を有することが知られて
いる。即ち上記薄膜磁気ヘツドは磁気記録媒体に
記録された磁化パターンから発生する信号磁界を
受け、これをMR素子の抵抗変化に基く電圧変化
として取り出すものであるため、磁気記録媒体の
移送速度に依存せずに信号を再生することがで
き、特に磁気記録媒体の移送速度が低い場合に巻
線型の磁気ヘツドよりも高出力の再生信号が得ら
れるという利点を備えている。実際の使用に際し
てはMR素子単体で薄膜磁気ヘツドを構成するよ
りもMR素子部をヘツド先端から離し、磁気記録
媒体にて発生した磁束をMR素子部まで導く磁束
導入路（ヨーク）を配置した第２図の如き構造の
通常ヨークタイプMRヘツド（以下MRヘツドと
称す）と呼ばれる薄膜磁気ヘツドの方が信号の分
解能の向上やMR素子の耐久性の向上の為に有効
であり、近年このタイプのヘツドが固定ヘツド・
デイジタルオーデイオ用再生ヘツドとして注目さ
れている（第８回日本応用磁気学会学術講演概要
集（1984）14PB−11「ヨークタイプMRヘツドの
再生特性」参照）。
第２図は従来のYMRヘツドのトラツク幅方向
に垂直な方向の断面図である。上側ヨーク７，８
は通常0.5〜1.0μｍ程度の膜厚のパーマロイ膜で
作製されており磁気記録媒体（磁気テープ）１０
で発生した磁界をMR素子５に導くための磁路と
なる。MR素子５はパーマロイ蒸着膜で作製さ
れ、膜厚は300〓乃至500〓、長さはトラツク幅の
約50μｍに設定されている。またMR素子５にバ
イアス磁界を印加すめにAl−Cuから成る導体４
が絶縁膜２，３間に配設されている。尚、３′も
絶縁膜である。ヘツドギヤツプ６は実際に使用さ
れる記録波長が最小0.5μｍ程度であるので0.2乃
至0.3μｍ程度に設定される。下側ヨーク１は高透
磁率磁性体から成り、一般には多結晶NiZnフエ
ライト基板や単結晶（又は多結晶）MnZnフエラ
イト基板が用いられる。トラツク幅は通常YMR
ヘツドが多トラツク構成となるため50μｍ程度に
設定される。
に垂直な方向の断面図である。上側ヨーク７，８
は通常0.5〜1.0μｍ程度の膜厚のパーマロイ膜で
作製されており磁気記録媒体（磁気テープ）１０
で発生した磁界をMR素子５に導くための磁路と
なる。MR素子５はパーマロイ蒸着膜で作製さ
れ、膜厚は300〓乃至500〓、長さはトラツク幅の
約50μｍに設定されている。またMR素子５にバ
イアス磁界を印加すめにAl−Cuから成る導体４
が絶縁膜２，３間に配設されている。尚、３′も
絶縁膜である。ヘツドギヤツプ６は実際に使用さ
れる記録波長が最小0.5μｍ程度であるので0.2乃
至0.3μｍ程度に設定される。下側ヨーク１は高透
磁率磁性体から成り、一般には多結晶NiZnフエ
ライト基板や単結晶（又は多結晶）MnZnフエラ
イト基板が用いられる。トラツク幅は通常YMR
ヘツドが多トラツク構成となるため50μｍ程度に
設定される。
上記の如くMR素子を構成した薄膜磁気ヘツド
において、MR素子５を作製する際にその磁化容
易軸はトラツク幅方向に選ばれている。又、バイ
アス磁場発生用の電流IB（以下バイアス電流IBと
称す）を導体４（以下バイアス導体と称す）に流
すことにより、MR素子５部に所要のバイアス磁
場を与え、MR素子５の動作点を線型性の良い点
に移動させている。又、MR素子５のトラツク幅
方向にセンス電流ISを流し、磁気媒体１０より発
生する信号磁場をMR素子５両端の電圧変化に変
換する。尚、このときMR素子５から得られる出
力信号の中には、MR素子５内部の磁区が不連続
に移動することに起因するバルク・ハウゼン・ノ
イズが含まれており、このノイズは上記YMRヘ
ツドの出力信号処理を行う上で極めて悪い影響を
与えることが知られている（上記第８回日本応用
磁気学会学術講演概要集（1984）14PB−11「ヨー
クタイプMRヘツドの再生特性」参照）。
において、MR素子５を作製する際にその磁化容
易軸はトラツク幅方向に選ばれている。又、バイ
アス磁場発生用の電流IB（以下バイアス電流IBと
称す）を導体４（以下バイアス導体と称す）に流
すことにより、MR素子５部に所要のバイアス磁
場を与え、MR素子５の動作点を線型性の良い点
に移動させている。又、MR素子５のトラツク幅
方向にセンス電流ISを流し、磁気媒体１０より発
生する信号磁場をMR素子５両端の電圧変化に変
換する。尚、このときMR素子５から得られる出
力信号の中には、MR素子５内部の磁区が不連続
に移動することに起因するバルク・ハウゼン・ノ
イズが含まれており、このノイズは上記YMRヘ
ツドの出力信号処理を行う上で極めて悪い影響を
与えることが知られている（上記第８回日本応用
磁気学会学術講演概要集（1984）14PB−11「ヨー
クタイプMRヘツドの再生特性」参照）。
バルク・ハウゼン・ノイズは前記したように
MR素子５内部の磁区の移動に起因するものであ
るが、そもそもMR素子５内部に磁区が発生し不
連続に移動する原因としては、MR素子５内部の
磁気異方性の乱れ（以下、異方性分散と称す）が
挙げられる。MR素子５は第３図の平面図中の符
号Ｋ−K′で示すようにそのトラツク幅方向に磁
化容易軸を持つように成膜されるが、種々の外的
要因の影響により薄膜磁気ヘツド完成時にはこの
一軸異方性は乱される。この外的要因としては、
ヘツド製作工程における熱履歴等によりMR素子
５の膜自身が劣化し異方性分散が増大すること
や、MR素子５の膜に外部より応力が加わり、
MR素子５の膜の逆磁歪効果により応力誘起の磁
気異方性がMR素子膜の中に発生した成膜時の一
軸異方性を乱すことなどが挙げられる。
MR素子５内部の磁区の移動に起因するものであ
るが、そもそもMR素子５内部に磁区が発生し不
連続に移動する原因としては、MR素子５内部の
磁気異方性の乱れ（以下、異方性分散と称す）が
挙げられる。MR素子５は第３図の平面図中の符
号Ｋ−K′で示すようにそのトラツク幅方向に磁
化容易軸を持つように成膜されるが、種々の外的
要因の影響により薄膜磁気ヘツド完成時にはこの
一軸異方性は乱される。この外的要因としては、
ヘツド製作工程における熱履歴等によりMR素子
５の膜自身が劣化し異方性分散が増大すること
や、MR素子５の膜に外部より応力が加わり、
MR素子５の膜の逆磁歪効果により応力誘起の磁
気異方性がMR素子膜の中に発生した成膜時の一
軸異方性を乱すことなどが挙げられる。
MR素子５の膜に加わる外部からの応力として
はMR素子５の上に積層される薄膜である第３図
に示すギヤツプ用絶縁膜３′、第１のヨーク膜７、
第２のヨーク膜８において発生する内部応力の反
作用としてMR素子５に加わる力が考えられる。
ここで、上記したいずれの膜も内部応力は等方的
と考えられるので、ギヤツプ用絶縁膜３′のよう
にMR素子５の上に一様に被着されている膜では
MR素子５に加わる応力は等方的と考えられ、従
つてこれを基にしてMR素子５には、応力誘起の
磁気異方性は発生しないと考えられる。しかし、
ヨーク膜７，８のようにMR素子５近傍において
パターン化されて被着されている膜からは、MR
素子５に異方的な応力が加わる為、これを原因と
する応力誘起の磁気異方性がMR素子５において
発生する。この現象を第４図に示す。第４図にお
いて第１、第２のヨーク膜７，８の内部応力を圧
縮応力δYとするMR素子５には図中のδMR，δ′MRで
示す応力が発生し、ここでMR素子部の磁歪定数
λSが負であると、応力誘起の磁気異方性はトラツ
ク（成膜時のMR素子の異方性の方向）と垂直な
方向に発生する。従つて異方性の向きが２軸にな
り成膜時の磁気異方性が乱され異方性分散が増大
し、バルク・ハウゼン・ノイズの原因となる。こ
のように、ヨーク膜の内部応力はMR素子部に応
力誘起の異方性を発生させるため、ヘツド特性に
有害な影響を与えるが、ヨーク膜を内部応力が零
の状態で成膜することは、現実的には困難であ
る。すなわち、ヨーク材としては、Fe−Al−Si
−合金、Ni−Fe合金等がもちいられるが、スパ
ツタ、蒸着、メツキ等の成膜方法の何れの方法を
用いても固有の内部応力を有し、ヨーク材として
要求される磁気特性を十分保ちつつ内部応力を小
さくすることは不可能であつた。
はMR素子５の上に積層される薄膜である第３図
に示すギヤツプ用絶縁膜３′、第１のヨーク膜７、
第２のヨーク膜８において発生する内部応力の反
作用としてMR素子５に加わる力が考えられる。
ここで、上記したいずれの膜も内部応力は等方的
と考えられるので、ギヤツプ用絶縁膜３′のよう
にMR素子５の上に一様に被着されている膜では
MR素子５に加わる応力は等方的と考えられ、従
つてこれを基にしてMR素子５には、応力誘起の
磁気異方性は発生しないと考えられる。しかし、
ヨーク膜７，８のようにMR素子５近傍において
パターン化されて被着されている膜からは、MR
素子５に異方的な応力が加わる為、これを原因と
する応力誘起の磁気異方性がMR素子５において
発生する。この現象を第４図に示す。第４図にお
いて第１、第２のヨーク膜７，８の内部応力を圧
縮応力δYとするMR素子５には図中のδMR，δ′MRで
示す応力が発生し、ここでMR素子部の磁歪定数
λSが負であると、応力誘起の磁気異方性はトラツ
ク（成膜時のMR素子の異方性の方向）と垂直な
方向に発生する。従つて異方性の向きが２軸にな
り成膜時の磁気異方性が乱され異方性分散が増大
し、バルク・ハウゼン・ノイズの原因となる。こ
のように、ヨーク膜の内部応力はMR素子部に応
力誘起の異方性を発生させるため、ヘツド特性に
有害な影響を与えるが、ヨーク膜を内部応力が零
の状態で成膜することは、現実的には困難であ
る。すなわち、ヨーク材としては、Fe−Al−Si
−合金、Ni−Fe合金等がもちいられるが、スパ
ツタ、蒸着、メツキ等の成膜方法の何れの方法を
用いても固有の内部応力を有し、ヨーク材として
要求される磁気特性を十分保ちつつ内部応力を小
さくすることは不可能であつた。
＜発明の目的＞
ここで本発明の目的は、上記のMR素子特性に
有害な影響を与えるヨーク膜の内部応力を打ち消
し若しくは低減し、バルク・ハウゼン・ノイズの
少ないYMRヘツドを提供することにある。
有害な影響を与えるヨーク膜の内部応力を打ち消
し若しくは低減し、バルク・ハウゼン・ノイズの
少ないYMRヘツドを提供することにある。
＜実施例＞
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘツドの一実施
例を示すもので、トラツク幅方向に垂直な面にお
ける断面図を示している。同図で第２図と同一部
分は同一符号で示す。
例を示すもので、トラツク幅方向に垂直な面にお
ける断面図を示している。同図で第２図と同一部
分は同一符号で示す。
第１図において１は高透磁率基板であり、例え
ばNi−Znフエライト基板が使用される。５は
MR素子部であり、Ni−Fe、Ni−Co等の強磁性
薄膜で形成される。尚、これらの膜は有限な値の
磁歪定数を有する。ギヤツプ部絶縁膜６を被着加
工した後に、ヨーク膜７，８（例えばNi−Fe膜）
をスパツタリングで成膜すると、そのヨーク膜
７，８の内部応力は一般に強い圧縮応力となる。
従つて、MR素子部５に加わる応力を打ち消すた
めに、引つ張り応力を有する上記ヨーク膜７，８
に対する応力キヤンセル膜９をヨーク膜７，８上
に積層した後に、イオンミリング法などのエツチ
ング法により、ヨーク膜７，８及び応力キヤンセ
ル膜９を二層同時に所定のヨーク形状に加工す
る。上記応力キヤンセル膜９としてはNi−Feの
蒸着膜を使用した。
ばNi−Znフエライト基板が使用される。５は
MR素子部であり、Ni−Fe、Ni−Co等の強磁性
薄膜で形成される。尚、これらの膜は有限な値の
磁歪定数を有する。ギヤツプ部絶縁膜６を被着加
工した後に、ヨーク膜７，８（例えばNi−Fe膜）
をスパツタリングで成膜すると、そのヨーク膜
７，８の内部応力は一般に強い圧縮応力となる。
従つて、MR素子部５に加わる応力を打ち消すた
めに、引つ張り応力を有する上記ヨーク膜７，８
に対する応力キヤンセル膜９をヨーク膜７，８上
に積層した後に、イオンミリング法などのエツチ
ング法により、ヨーク膜７，８及び応力キヤンセ
ル膜９を二層同時に所定のヨーク形状に加工す
る。上記応力キヤンセル膜９としてはNi−Feの
蒸着膜を使用した。
第１図の薄膜磁気ヘツドに働く応力の様子を第
５図に示す。図中、δYはヨーク膜７，８である
Ni−Feスパツタ膜の圧縮応力であり、δCは応力
キヤンセル膜９であるNi−Fe蒸着膜の引つ張り
応力である。ここでMR素子部５に加わる応力は
（δY−δC）に比例するため、δYδCに選べばMR素
子部５に加わる応力を著しく低減することが可能
である。
５図に示す。図中、δYはヨーク膜７，８である
Ni−Feスパツタ膜の圧縮応力であり、δCは応力
キヤンセル膜９であるNi−Fe蒸着膜の引つ張り
応力である。ここでMR素子部５に加わる応力は
（δY−δC）に比例するため、δYδCに選べばMR素
子部５に加わる応力を著しく低減することが可能
である。
本実施例において使用したヨーク膜７，８の
Ni−Feスパツタ膜の内部応力は約−７×
109dyne／cm2であり、応力キヤンセル膜９のNi−
Fe蒸着膜の内部応力は約＋15×109dyne／cm2であ
つた。従つて、NiFeスパツタ膜の1/2の膜厚の
Ni−Fe蒸着膜を積層することによりヨーク膜７，
８と応力キヤンセル膜９の２層膜からMR素子部
５に加わる応力を著しく低減できた。この様子を
第６図に示す。同図はトラツク幅方向と垂直な面
における断面図であり、ヨーク膜７，８に、その
１／２の膜厚の応力キヤンセル膜９を積層すること
により、全体として応力がキヤンセルされた状態
を示す。
Ni−Feスパツタ膜の内部応力は約−７×
109dyne／cm2であり、応力キヤンセル膜９のNi−
Fe蒸着膜の内部応力は約＋15×109dyne／cm2であ
つた。従つて、NiFeスパツタ膜の1/2の膜厚の
Ni−Fe蒸着膜を積層することによりヨーク膜７，
８と応力キヤンセル膜９の２層膜からMR素子部
５に加わる応力を著しく低減できた。この様子を
第６図に示す。同図はトラツク幅方向と垂直な面
における断面図であり、ヨーク膜７，８に、その
１／２の膜厚の応力キヤンセル膜９を積層すること
により、全体として応力がキヤンセルされた状態
を示す。
第７図に一つの基板上に本発明に係る薄膜磁気
ヘツドと従来の薄膜磁気ヘツドの両方を並設した
例を示す。同図で各チツプは、それぞれ20トラツ
クのヘツドから構成される。このうち、斜線を付
した８チツプは、本発明に係る薄膜磁気ヘツド構
造とし、残り８チツプを従来の薄膜磁気ヘツド構
造とし、同一基板によつて試作した。この様にし
た場合、本発明に係るヘツド（８チツプ）のトラ
ツク（20×８＝160トラツク）中バルク・ハウゼ
ン・ノイズの出現したトラツクは、87トラツク／
160トラツクであり、一方従来の構造のヘツド
（８チツプ）のトラツクについては140トラツク／
160トラツクであつた。この様に、本発明に係る
薄膜磁気ヘツドではバルク・ハウゼン・ノイズの
顕著な低減効果が得られた。
ヘツドと従来の薄膜磁気ヘツドの両方を並設した
例を示す。同図で各チツプは、それぞれ20トラツ
クのヘツドから構成される。このうち、斜線を付
した８チツプは、本発明に係る薄膜磁気ヘツド構
造とし、残り８チツプを従来の薄膜磁気ヘツド構
造とし、同一基板によつて試作した。この様にし
た場合、本発明に係るヘツド（８チツプ）のトラ
ツク（20×８＝160トラツク）中バルク・ハウゼ
ン・ノイズの出現したトラツクは、87トラツク／
160トラツクであり、一方従来の構造のヘツド
（８チツプ）のトラツクについては140トラツク／
160トラツクであつた。この様に、本発明に係る
薄膜磁気ヘツドではバルク・ハウゼン・ノイズの
顕著な低減効果が得られた。
ここで、以上の実施例においてはヨーク膜７，
８としてスパツタリング法で成膜したNi−Fe膜
を用い、応力キヤンセル膜９，９として蒸着法で
成膜したNi−Fe膜を用いた例を示したが、この
逆の組み合わせでもよく、更にこれ以外にもヨー
ク膜７，８及び応力キヤンセル膜９，９の組み合
わせとして種々のものを使用可能である。
８としてスパツタリング法で成膜したNi−Fe膜
を用い、応力キヤンセル膜９，９として蒸着法で
成膜したNi−Fe膜を用いた例を示したが、この
逆の組み合わせでもよく、更にこれ以外にもヨー
ク膜７，８及び応力キヤンセル膜９，９の組み合
わせとして種々のものを使用可能である。
即ちヨーク膜７，８として、Ni−Fe膜（圧縮
応力）、Fe−Al−Si蒸着膜（引つ張り応力）、Fe
−Al−Siスパツタ膜（圧縮若しくは引つ張り応
力）、CoにSi、Ｂ、Ｐ等の反金属あるいはZr、
Ti、Nb、Ta、Hf、Ｗ等の金属を10〜20％程度
含有させてなるアモルフアス蒸着膜（引つ張り応
力）、CoにSi、Ｂ、Ｐ等に反金属あるいはZr、
Ti、Nb、Ta、Hf、Ｗ等の遷移金属を10〜20％
程度含有させてなるアモルフアススパツタ膜（圧
縮応力）が適用可能であり、一方応力キヤンセル
膜９，９として上記ヨーク膜７，８の適用可能な
膜以外にＷ、Ti、Ta、Zr、Nb、Hf等の金属蒸
着膜（引つ張り応力）、Ｗ、Ti、Ta、Zr、Nb、
Hf等の金属スパツタ膜（圧縮応力）、SiO2、
Al2O3、Si3N4等の絶縁物スパツタ膜（圧縮応力）
が適用可能である。但し互いに応力の向きが反対
のものを選択する必要があることは言うまでもな
い。
応力）、Fe−Al−Si蒸着膜（引つ張り応力）、Fe
−Al−Siスパツタ膜（圧縮若しくは引つ張り応
力）、CoにSi、Ｂ、Ｐ等の反金属あるいはZr、
Ti、Nb、Ta、Hf、Ｗ等の金属を10〜20％程度
含有させてなるアモルフアス蒸着膜（引つ張り応
力）、CoにSi、Ｂ、Ｐ等に反金属あるいはZr、
Ti、Nb、Ta、Hf、Ｗ等の遷移金属を10〜20％
程度含有させてなるアモルフアススパツタ膜（圧
縮応力）が適用可能であり、一方応力キヤンセル
膜９，９として上記ヨーク膜７，８の適用可能な
膜以外にＷ、Ti、Ta、Zr、Nb、Hf等の金属蒸
着膜（引つ張り応力）、Ｗ、Ti、Ta、Zr、Nb、
Hf等の金属スパツタ膜（圧縮応力）、SiO2、
Al2O3、Si3N4等の絶縁物スパツタ膜（圧縮応力）
が適用可能である。但し互いに応力の向きが反対
のものを選択する必要があることは言うまでもな
い。
＜発明の効果＞
以上説明した如く本発明によれば、MR素子部
における応力誘起の磁気異方性の発生を低減する
ことが可能になり、その結果、バルク・ハウゼ
ン・ノイズの少ない低雑音のYMRヘツドを実現
することができるため、磁気媒体からの信号を忠
実に再生できる利点がある。
における応力誘起の磁気異方性の発生を低減する
ことが可能になり、その結果、バルク・ハウゼ
ン・ノイズの少ない低雑音のYMRヘツドを実現
することができるため、磁気媒体からの信号を忠
実に再生できる利点がある。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘツドの一実施
例の断面図、第２図は従来のYMRヘツドの断面
図、第３図はその平面図、第４図はその応力の作
用を示す説明図、第５図、第６図は本発明に係る
薄膜磁気ヘツドの応力の作用を示す説明図、第７
図は基板の平面図を示す。 図中、１：高透磁率基板、５：MR素子部、
６：ギヤツプ部絶縁膜、７，８：ヨーク膜、９：
応力キヤンセル膜。
例の断面図、第２図は従来のYMRヘツドの断面
図、第３図はその平面図、第４図はその応力の作
用を示す説明図、第５図、第６図は本発明に係る
薄膜磁気ヘツドの応力の作用を示す説明図、第７
図は基板の平面図を示す。 図中、１：高透磁率基板、５：MR素子部、
６：ギヤツプ部絶縁膜、７，８：ヨーク膜、９：
応力キヤンセル膜。
Claims (1)
- １ 磁気抵抗効果素子上に磁束を導く為のヨーク
膜パターンが被覆され、該ヨーク膜パターン上に
該ヨーク膜内部に発生する応力を打ち消し若しく
は低減せしめる応力キヤンセル膜が被覆されてな
ることを特徴とする薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29805085A JPS62154317A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 薄膜磁気ヘツド |
| DE19863644388 DE3644388A1 (de) | 1985-12-27 | 1986-12-24 | Duennfilm-joch-magnetkopf |
| US07/688,701 US5155644A (en) | 1985-12-27 | 1991-04-22 | Yoke thin film magnetic head constructed to avoid Barkhausen noises |
| US07/869,056 US5225951A (en) | 1985-12-27 | 1992-04-16 | Thin film magnetic head with reduced internal stresses |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29805085A JPS62154317A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154317A JPS62154317A (ja) | 1987-07-09 |
| JPH0346885B2 true JPH0346885B2 (ja) | 1991-07-17 |
Family
ID=17854482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29805085A Granted JPS62154317A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62154317A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR940002769A (ko) * | 1992-07-20 | 1994-02-19 | 다니엘 에이. 네펠라 | 박막자기헤드 |
| US20130288078A1 (en) * | 2012-04-30 | 2013-10-31 | Seagate Technology Llc | Thin Film with Reduced Stress Anisotropy |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP29805085A patent/JPS62154317A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62154317A (ja) | 1987-07-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |