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JPH0348895B2 - - Google Patents
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JPH0348895B2 - - Google Patents

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JPH0348895B2
JPH0348895B2 JP18357986A JP18357986A JPH0348895B2 JP H0348895 B2 JPH0348895 B2 JP H0348895B2 JP 18357986 A JP18357986 A JP 18357986A JP 18357986 A JP18357986 A JP 18357986A JP H0348895 B2 JPH0348895 B2 JP H0348895B2
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JP
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ether
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atom
tetradecine
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JP18357986A
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Akira Yamamoto
Takehiko Fukumoto
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は11−テトラデセニルアセテートの製造
方法、特にはナトリウムアセチリドから合成した
11−テトラデシル誘導体を経由してハマキ虫類の
性フエロモンとして有用とされる11−テトラデセ
ニルアセテートを短い工程で収率よく製造する方
法に関するものである。
(従来の技術) ハマキ虫の性フエロモン化合物である11−テト
ラデセニルアセテートが11−テトラデシン誘導体
から得られることはよく知られているところであ
り、この11−テトラデシン誘導体の製造方法につ
いては例えばClHg(CH24OCH2OCH3
CH3CH2C≡C(CH26Clとを塩化第1銅(CuCl)
の存在下にテトラハイドロフラン中で反応させる
方法(ケミカル・アブストラクト100,15622/S
参照)、HO(CH212OHを出発物質とし
Br2CH2CHBr(CH210OHを中間体としてCH≡
C(CH210OHに導きアルキレーシヨンする方法
(ケミカル・アブストラクト102,203564j参照)
が知られているが、これらはいずれも工程が長い
し、収率もわるく、さらにはこの原料が高価で入
手困難であるという欠点がある。
(発明の構成) 本発明はこのような不利を解決した11−テトラ
デセニルアセテートの製造方法に関するものであ
り、これは式CH3CH2C≡CNaで示されるナトリ
ウムアセチリドを液体アンモニアの存在下に一般
式X(CH210Y(こゝにXは臭素原子または沃素
原子、Yは塩素原子、臭素原子またはメチルエー
テル、テトラヒドロピラニルエーテル、トリメチ
ルシリルエーテルなどで保護された水酸基)で示
されるハロゲン化合物と反応させて一般式
CH3CH2C≡C(CH210Y(Yは前記に同じ)で示
される11−テトラデシン誘導体とし、ついでこれ
を直接もしくは官能基Yを脱保護基化した後、水
素添加、アセチル化することを特徴とするもので
ある。
すなわち、本発明者らは11−テトラデセニルア
セテート製造中の中間体としての11−テトラデシ
ン誘導体を効率よく製造する方法について種々検
討した結果、上記したナトリウムアセチリドを始
発材としてこれに1−ブロモ−10−クロロデカン
などの一般式X(CH210Y(X、Yは上記の通り)
で示される化合物を反応させると容易に11−テト
ラデシン誘導体を得ることができるし、このもの
を直接もしくは官能基Yの脱保護基化を行つた
後、水素添加、アセチル化すれば目的とする11−
テトラデセニルアセテートを短い工程で収率よく
得ることができることを見出し、ここに使用する
各成分についての種類、反応条件などについての
研究を進めて本発明を完成させた。
本発明の方法で始発剤とされるナトリウムアセ
チリドは式CH3CH2C≡CNaで示されるものであ
るが、このものは金属ナトリウムを不活性溶媒中
に微細に分散させたのち、こゝにエチルアセチレ
ンまたは1,2−ブタジエンを添加して加熱下に
反応させることによつて得ることができる。この
不活性溶媒としてはトルエン、キシレンなどの芳
香族炭化水素、ヘキサン、オクタンなどの脂肪族
炭化水素、ジブチルエーテル、ジフエニルエーテ
ルなどのエーテル類が例示されるが、この使用量
は金属ナトリウム1モルに対し100〜1000g、好
ましくは200〜400gとすればよい。また、この金
属ナトリウムは1000μm以下、好ましくは100μm
以下のような微細な粒子に分散させればよく、こ
の金属ナトリウムと反応させるエチルアセチレ
ン、1,2−ブタジエンは金属ナトリウム1モル
に対して1〜3モル、好ましくは1.5〜2モルと
すればよい。なお、この反応温度は低温では反応
速度が遅くなり、130℃以上とすると生成するナ
トリウムアセチリドが分解するので80〜130℃の
範囲とすればよいが、この好ましい範囲は95〜
115℃とされる。
このナトリウムアセチリドはついで一般式X
(CH210Yで示され、Xは臭素原子または沃素原
子、Yは塩素原子、臭素原子またはメチルエーテ
ル、メトキシメチルエーテル、テトラヒドロピラ
ニルエーテルなどのエーテル、トリメチルシリ
ル、tert−ブチルジメチルシリルなどのオルガノ
シリルにより保護された水酸基である、ハロゲン
化合物と反応させるのであるが、このハロゲン化
合物としては1−ブロモ−10−クロロデカン、10
−ブロモデカン−1−オルテトラヒドロピラニル
エーテル、1−クロロ−10−ヨードデカン、1,
10−ジブロムデカン、10−ヨードデカン−1−オ
ールテトラヒドロピラニルエーテルなどが例示さ
れる。しかし、この反応は液体アンモニアを加え
て不活性溶媒との混合溶媒系を形成させることに
特徴があるということから液体アンモニアの存在
下で行なわせなければならない。このアンモニア
の添加量はナトリウムアセチリドの製造時に使用
した不活性溶媒に対して容量比で0.2〜2倍量の
ものとすればよい。ナトリウムアセチリドとこの
ハロゲン化合物との反応はナトリウムアセチリド
1モルに対しハロゲン化合物を0.8〜12モルの範
囲で添加し、−20〜20℃の温度範囲で反応させた
のち、アンモニアを回収し、洗浄後蒸留すれば目
的とする11−テトラデシン誘導体、例えば11−テ
トラデシニルクロリド、11−テトラデシニルブロ
ミド、11−テトラデシン−1−オールテトラヒド
ロピラニルエーテルなどを金属ナトリウムに対す
る収率65〜85%で容易に得ることができる。
このようにして得られた11−テトラデシン誘導
体はこれを水素添加し、アセチル化することによ
つて容易にハマキ虫類の性フエロセン剤として有
用とされる11−テトラデセニルアセテートとする
ことができるが、この水素添加、アセチル化工程
はどちらを先行させてもよい。したがつて、この
11−テトラデシン誘導体はそのまま、もしくはそ
の官能基Yの脱保護基化を行つたものについて、
まず水素添加してからアセチル化してもよいし、
逆にアセチル化して11−テトラデシンアセテート
としてから水素添加して11−テトラデセニルアセ
テートとしてもよい。なお、この水素添加のアセ
チル化法は常法で行えばよいが、この水素添加は
例えばリンドラー触媒、Pd−BaSO4触媒などの
存在下とすればよく、このアセチル化は例えばア
ルコール体のときには無水酢酸−ピリジン系、塩
化アセチル−ピリジン系で、またハロゲン化物の
ときには酢酸カリ、酢酸ソーダなどでアセチル化
すればよい。
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例 1 (1) 11−テトラデシニルクロリドの合成 反応器中に250gのキシレンと20μm以下に
分散された金属ナトリウム23gを加えて100〜
110℃に加熱し、こゝにエチルアセチレンガス
を1/分の流速で1時間吹き込んだところ、
ナトリウムアセチリド62.7gがほゞ定量的に得
られた。
ついでこのナトリウムアセチリドのキシレン
分散液を内容積2のオートクレーブに仕込
み、液体アンモニア600gを加えたのち、温度
−10〜−5℃、圧力3.5〜4Kg/cm3・Gに保持
し、ここに1−ブロモ−10−クロロデカン
255.5gを1時間かけて滴下し、滴下終了後−
5℃で2時間撹拌したのちアンモニアを蒸留回
収し、反応生成物を20%HCl水中に注ぎ、分液
して有機層のキシレンを除去し、この濃縮物を
減圧蒸留したところ、沸点121〜125℃/4mm
Hgの11−テトラデシニルクロリド172g(収率
75%)が得られた。
(2) 11−テトラデシニルアセテートの合成 上記で得た11−テトラデシニルクロリド172
gを反応器に入れ、こゝに無水酢酸カリ230g、
氷酢酸260gを加えて窒素ガス雰囲気下に160℃
で6〜7時間反応させてアセチル化し、反応後
これを水500ml中に注ぎ分液してから有機層を
減圧蒸留したところ、沸点140〜145℃/4mm
Hgで11−テトラデシニルアセテート226g(収
率90%)が得られた。
(3) z−11−テトラデセニルアセテートの合成 つぎに上記で得た11−テトラデシニルアセテ
ート226gを1のオートクレーブに仕込み、
これにメタノール300mlと5%のPd−BaSO410
gを添加したのち、5Kg圧で水素を導入し、40
〜50℃で撹拌して11−テトラデシニルアセテー
トに水素添加し、理論量の水素吸収を確認して
から反応生成物を濃縮し蒸留したところ、140
〜142℃/4mmHgでz−11−テトラデセニルア
セテート220g(収率96%)が得られた。
実施例 2 (1) 11−テトラデシン−1−オールの合成 実施例1と同じ方法で製造したナトリウムア
セチリドのキシレン分散液を内容積2のオー
トクレーブに仕込み、液体アンモニア600gを
加えたのち温度−10〜−5℃、圧力4.0〜4.2
Kg/cm3・Gに保持し、こゝに10−ブロモデカン
−1−オルテトラヒドロピラニルエーテル321
gを1時間かけて滴下し、滴下終了後−5℃で
2時間撹拌したのちアンモニアを蒸留回収し、
得られた11−テトラデシン−1−オールテトラ
ヒドロピラニルエーテルを20%HCl水中に注
ぎ、分液して有機層のキシレンを除去した。つ
いで、これにメタノール600mlとp−トルエン
スルホン酸2gを加えて還流下に4時間撹拌
し、反応後減圧してメタノールを回収し、5%
のNaHCO3水500mlで洗浄したのち蒸留したと
ころ、136〜138℃/4mmHgで上記エーテルの
脱保護基化物である11−テトラデシン−1−オ
ール142g(収率67%)が得られた。
(2) z−11−テトラデセン−1−オールの合成 上記で得た11−テトラデシン−1−オール
142gを1のオートクレーブ中に仕込み、こ
れにn−ヘキサン200mlとリンドラー触媒1g
を添加し、こゝに水素ガスを5Kg圧で導入して
40〜50℃で撹拌して水素化反応させ、反応の終
点をサンプリングした試料のガスクロトグラフ
分析で確認してから、反応生成物をデカンテー
シヨンして触媒を除き、n−ヘキサンを減圧除
去したのち蒸留したところ、132〜138℃/4mm
Hgでz−11−テトラデセン−1−オール135g
(収率95%)が得られた。
(3) z−11−テトラデセニルアセテートの合成 反応器中に上記で得たz−11−テトラデセン
−1−オール135gとn−ヘキサン600ml、トリ
エチルアミン67gを仕込み、こゝに10〜15℃で
塩化アセチル52gを滴下し、滴下終了後20℃で
約1時間撹拌してz−テトラデセン−1−オー
ルをアセチル化したのち、純水600mlを加えて
生じたトリエチルアミン塩酸塩を溶解して分液
し、ついでその有機層からn−ヘキサンを減圧
除去したのち蒸留したところ、140〜142℃/4
mmHgでz−11−テトラデセニルアセテート145
g(収率90%)が得られた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 式CH3CH2C≡CNaで示されるナトリウムア
    セチリドを液体アンモニアの存在下に一般式X
    (CH210Y(ここにXは臭素原子または沃素原子、
    Yは塩素原子、臭素原子、またはメチルエーテ
    ル、テトラヒドロピラニルエーテル、トリメチル
    シリルエーテルなどのエーテル基、オルガノシリ
    ル基で保護された水酸基)で示されるハロゲン化
    合物と反応させて、一般式 CH3CH2C≡C(CH210Y(ここにYは前記に同
    じ)で示される11−テトラデシン誘導体とし、つ
    いでこれを直接もしくは官能基Yを脱保護基化し
    た後、水素添加し、アセチル化することを特徴と
    する11−テトラデセニルアセテートの製造方法。 2 式CH3CH2C≡CNaで示されるナトリウムア
    セチリドを液体アンモニアの存在下に一般式X
    (CH210Y(ここにXは臭素原子または沃素原子、
    Yは塩素原子、臭素原子、またはメチルエーテ
    ル、テトラヒドロピラニルエーテル、トリメチル
    シリルエーテルなどのエーテル基、オルガノシリ
    ル基で保護された水酸基)で示されるハロゲン化
    合物と反応させて、一般式 CH3CH2C≡C(CH210Y(ここにYは前記に同
    じ)で示される11−テトラデシン誘導体とし、つ
    いでこれを直接もしくは官能基Yを脱保護基化し
    た後、アセチル化し、水素添加することを特徴と
    する11−テトラデセニルアセテートの製造方法。
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