JPH0350787B2 - - Google Patents
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- JPH0350787B2 JPH0350787B2 JP57208492A JP20849282A JPH0350787B2 JP H0350787 B2 JPH0350787 B2 JP H0350787B2 JP 57208492 A JP57208492 A JP 57208492A JP 20849282 A JP20849282 A JP 20849282A JP H0350787 B2 JPH0350787 B2 JP H0350787B2
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Description
本発明は、耐熱性の薄膜を形成することがで
き、紫外線、遠紫外線、電子線などの光または電
離放射線に感応する樹脂組成物に関するものであ
る。
従来、耐熱性の優れた高分子化合物としてポリ
イミド樹脂が知られており、この優れた耐熱性を
利用するために、ポリイミド樹脂を形成する組成
物であつて感光性を有し例えばホトレジスト材と
して好適な材料を得るための研究がなされてき
た。例えば、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリ
イミド酸の極性溶剤溶液に重クロム酸塩を添加し
てなる感光性樹脂組成物が知られている
(Polymer Engineering and Science 11 426
(1971))。この感光性樹脂組成物は実用的な光感
度を有すること、水で現像し得ること、膜形成能
が高くて薄膜の形成が比較的容易であることなど
の長所を有する反面、最終的に形成される硬化ポ
リイミド樹脂中に重クロム酸塩が残存するために
電気絶縁性が低下すること、暗反応が起こるので
保存安定性に欠けること、および製造工程におけ
る排水中には6価クロムが含まれるので公害処理
を必要とするなどの問題があつた。
一方ポリアミツク酸に感光基を導入した感光性
樹脂、例えばピロメリツト酸無水物と、2−ヒド
ロキシエチルメタアクリレートのような感光基及
び水酸基を有する化合物とを反応させ、さらに塩
化チオニルにより、感光基を有するピロメリツト
酸構造の二塩基酸クロライド化合物を得、これを
芳香族ジアミンと重縮合して得られる感光基を導
入したポリアミツク酸が知られている(Polymer
Engineering and Science 15 92(1976))。こ
のような感光性樹脂は、製造工程が複雑であるの
みならず、感光基を導入する段階において脱塩酸
反応を伴うために最終的に塩酸がポリアミツク酸
中に残存することとなる結果、半導体素子などの
電子部品に応用した場合に塩素イオンの存在が電
子部品の腐食の原因となるので、必ずしも好まし
い感光性樹脂ではない。
さらに、このような欠点を改善した感光性樹脂
組成物として、全芳香族ポリイミドの前駆体であ
るポリアミツク酸に芳香族ビスアジド化合物或い
はオルトキノンジアジドまたはナフトキノンジア
ジドを添加した組成物(特開昭53−127723号公
報、同52−13315号公報)が知られており、これ
らはいずれも腐食性の遊離イオンを生じない長所
を有していることが知られている。しかしこれら
の芳香族ポリイミドの前駆体であるポリアミツク
酸は、一般的に保存性が悪くて室温で保存すると
分子量が低下し、不溶分が析出するなどの問題が
あり、低温保存によつても安定に保存し得る期間
が非常に短いという欠点を有していた。
本発明者らは、以上の如き欠点を改善するため
に鋭意研究を行つた結果、特定のテトラカルボン
酸またはその無水物とジアミン化合物とにより得
られるポリアミツク酸に、光または電離放射線に
より架橋反応活性種を発生する化合物を添加して
なる樹脂組成物は、保存安定性に優れ、光または
電離放射線に対して高い感応性を有し、高い解像
度が得られ、また基板との接着性に優れているこ
とを見出し、本発明を完成したものである。
即ち、本発明の目的は、優れた保存安定性と、
光または電離放射線に対して高い感応性を有し、
高い解像度が得られ、しかも膜形成能及び基板等
に対する接着性の優れた樹脂組成物を提供するに
ある。
本発明の特徴とするところは、脂環族テトラカ
ルボン酸またはその無水物とジアミン化合物とに
より得られるポリアミツク酸と、光または電離放
射線により架橋反応活性種を発生する化合物とを
含有して成る点にある。
以下本発明を具体的に説明する。
本発明においては、脂環族テトラカルボン酸及
びこれらの無水物のうちから選ばれた少なくとも
1種とジアミン化合物とを反応させることによつ
てポリアミツク酸を得、これに光または電離放射
線により架橋反応活性種を発生する化合物を添加
して樹脂組成物を得る。
本発明に用いられる脂環族テトラカルボン酸ま
たはその無水物の具体例としては、1,1,2,
2−シクロプロパンテトラカルボン酸、1,2,
3,4−シクロブタンテトラカルボン酸、1,
2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸、
1,2,3,4−シクロヘキサン−テトラカルボ
ン酸、2,3,5−トリカルボキシ−シクロペン
チル酢酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン
酸、及びこれらの無水物、その他を挙げることが
できる。このように、脂環族テトラカルボン酸ま
たはその無水物を用いることにより、本発明の樹
脂組成物の基板などに対する接着性を大きいもの
とすることができる。なおテトラカルボン酸の無
水物を使用する場合は、通常は二無水物を用い
る。
また上述のテトラカルボン酸またはその無水物
と反応してポリアミツク酸を与えるジアミン化合
物は、一般式
H2N−R−NH2で示される化合物
(Rは2価の芳香族基または脂肪族もしくは脂環
族炭化水素基)である。
上記一般式における好ましいRは、例えば
The present invention relates to a resin composition that can form a heat-resistant thin film and is sensitive to light such as ultraviolet rays, deep ultraviolet rays, and electron beams, or to ionizing radiation. Polyimide resin has conventionally been known as a polymer compound with excellent heat resistance, and in order to take advantage of this excellent heat resistance, a composition forming polyimide resin that is photosensitive and suitable as, for example, a photoresist material is used. Research has been carried out to obtain suitable materials. For example, a photosensitive resin composition is known in which dichromate is added to a polar solvent solution of polyimide acid, which is a precursor of polyimide resin (Polymer Engineering and Science 11 426
(1971)). Although this photosensitive resin composition has advantages such as having practical photosensitivity, being able to be developed with water, and having a high film-forming ability and being relatively easy to form a thin film, it is difficult to form a final film. dichromate remains in the cured polyimide resin, resulting in a decrease in electrical insulation; a dark reaction occurs, resulting in a lack of storage stability; and wastewater from the manufacturing process contains hexavalent chromium. Therefore, there were problems such as the need for pollution treatment. On the other hand, a photosensitive resin in which a photosensitive group has been introduced into polyamic acid, such as pyromellitic anhydride, is reacted with a compound having a photosensitive group and a hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl methacrylate, and then thionyl chloride is used to react the photosensitive resin with a photosensitive group. Polyamic acid, which is obtained by obtaining a dibasic acid chloride compound with a pyromellitic acid structure and introducing a photosensitive group obtained by polycondensing this with an aromatic diamine (Polymer
Engineering and Science 15 92 (1976)). Such photosensitive resins not only have a complicated manufacturing process, but also involve a dehydrochloric acid reaction at the stage of introducing the photosensitive group, which ultimately results in hydrochloric acid remaining in the polyamic acid, resulting in poor performance in semiconductor devices. When applied to electronic parts such as, the presence of chlorine ions causes corrosion of the electronic parts, so it is not necessarily a preferable photosensitive resin. Furthermore, as a photosensitive resin composition that has improved such drawbacks, a composition in which an aromatic bisazide compound, orthoquinonediazide, or naphthoquinonediazide is added to polyamic acid, which is a precursor of fully aromatic polyimide, has been proposed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 127723-1989). No. 52-13315) are known, and it is known that both of these have the advantage of not producing corrosive free ions. However, polyamic acid, which is the precursor of these aromatic polyimides, generally has poor storage stability, with problems such as a decrease in molecular weight and precipitation of insoluble matter when stored at room temperature, and is not stable even when stored at low temperatures. It has the disadvantage that it can be stored for a very short period of time. As a result of intensive research to improve the above-mentioned drawbacks, the present inventors have found that polyamic acid obtained from a specific tetracarboxylic acid or its anhydride and a diamine compound has a crosslinking reaction activated by light or ionizing radiation. A resin composition containing a compound that generates seeds has excellent storage stability, high sensitivity to light or ionizing radiation, high resolution, and excellent adhesion to substrates. The present invention was completed based on the discovery that That is, the object of the present invention is to provide excellent storage stability;
highly sensitive to light or ionizing radiation;
The object of the present invention is to provide a resin composition that provides high resolution and has excellent film-forming ability and adhesiveness to substrates and the like. The present invention is characterized in that it contains a polyamic acid obtained from an alicyclic tetracarboxylic acid or its anhydride and a diamine compound, and a compound that generates a crosslinking reaction active species when exposed to light or ionizing radiation. It is in. The present invention will be specifically explained below. In the present invention, polyamic acid is obtained by reacting at least one selected from alicyclic tetracarboxylic acids and their anhydrides with a diamine compound, and this is subjected to a crosslinking reaction with light or ionizing radiation. A resin composition is obtained by adding a compound that generates active species. Specific examples of alicyclic tetracarboxylic acids or anhydrides thereof used in the present invention include 1, 1, 2,
2-cyclopropanetetracarboxylic acid, 1,2,
3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid, 1,
2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic acid,
Examples include 1,2,3,4-cyclohexane-tetracarboxylic acid, 2,3,5-tricarboxy-cyclopentyl acetic acid, methylcyclohexenetetracarboxylic acid, anhydrides thereof, and others. As described above, by using the alicyclic tetracarboxylic acid or its anhydride, the adhesiveness of the resin composition of the present invention to a substrate or the like can be increased. Note that when an anhydride of tetracarboxylic acid is used, a dianhydride is usually used. Further, the diamine compound which reacts with the above-mentioned tetracarboxylic acid or its anhydride to give polyamic acid is a compound represented by the general formula H 2 N-R-NH 2 (R is a divalent aromatic group or an aliphatic or aliphatic group). cyclic hydrocarbon group). Preferred R in the above general formula is, for example,
【式】【formula】
【式】
(式中、X1、X2、X3およびX4は同一または異な
り、HまたはCH3であり、YはCH2、C2H4、O、
S、C(CH3)2、C(CF3)2、SO2またはCONHで
あり、nは0または1を示す。)で示される芳香
族基、例えば、−(CH2)2−、−(CH2)3−、−
(CH2)4−、−(CH2)5−、−(CH2)6−、−(CH2)7
−、−(CH2)8−、
[Formula] (wherein, X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are the same or different and are H or CH 3 , and Y is CH 2 , C 2 H 4 , O,
S, C(CH 3 ) 2 , C(CF 3 ) 2 , SO 2 or CONH, and n represents 0 or 1. ), such as -(CH 2 ) 2 -, -(CH 2 ) 3 -, -
(CH 2 ) 4 −, −(CH 2 ) 5 −, −(CH 2 ) 6 −, −(CH 2 ) 7
−, −(CH 2 ) 8 −,
【式】【formula】
【式】【formula】
【式】
で示される炭素数6〜13の脂肪族もしくは脂環族
炭化水素基またはノルボルナン誘導体炭化水素基
であり、本発明の組成物を熱処理することによつ
てイミド化させたときの耐熱性をさらに向上する
ためには、Rは芳香族基であることが好ましい。
上記ジアミンの具体列としては、パラフエニレ
ンジアミン、メタフエニレンジアミン、4,4′−
ジアミノジフエニルメタン、4,4′−ジアミノジ
フエニルエタン、2,2−ジ(P−アミノフエニ
ル)ヘキサフロロプロパン、4,4′−ジアミノジ
フエニルプロパン、ベンジジン、4,4′−ジアミ
ノジフエニルスルフイド、4,4′−ジアミノジフ
エニルスルホン、4,4′−ジアミノジフエニルエ
ーテル、1,5−ジアミノナフタレン、3,3′−
ジメチル−4,4′−ジアミノビフエニル、3,
4′−ジアミノベンズアニリド、3,4′−ジアミノ
ジフエニルエーテル、メタキシリレンジアミンお
よびパラキシリレンジアミン、エチレンジアミ
ン、プロパンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジ
アミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレ
ンジアミン、ノナメチレンジアミン、4,4′−ジ
メチルヘプタメチレンジアミン、1,4−ジアミ
ノシクロヘキサン、テトラヒドロジシクロペンタ
ジエニレンジアミン、ヘキサヒドロ−4,7−メ
タノインダニレンジメチレンジアミン、トリシク
ロ〔6,2,1,02.7〕−ウンデシレンジメチルジ
アミン等を挙げることができる。これらは単独ま
たは混合して用いることができる。
ポリアミツク酸を得るための反応の溶剤として
は、ポリアミツク酸の分子量を高めるためにテト
ラカルボン酸またはその無水物およびジアミン化
合物の両者を溶解するものが好ましく、具体的に
はN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチ
ルホルムアミド、N,N−ジメチレアセトアミ
ド、ジメチルスホキシド、テトラメチル尿素、ヘ
キサメチルホスホルトリアミド等の非プロトン系
双極子極性溶媒が好ましいが、一般的な有機溶媒
であるアルコール類、フエノール類、ケトン類、
エーテル類、例えばエチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、エチレングリコール、プロピレ
ングリコール、1,4−ブタンジオール、トリエ
チレングリコール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、フエノール、クレゾール、メチルエ
チルケトン、テトラヒドロフラン等も使用するこ
とができる。これらの溶剤の使用量は一般的には
テトラカルボン酸またはその無水物とジアミン化
合物に対して0.5〜20重量倍である。
上記テトラカルボン酸またはその無水物とジア
ミン化合物との反応割合は当モルで行なうのが好
ましいが、本発明の目的が達成される限り、若干
の過不足があつても差支えない。高分子量のポリ
アミツク酸を得るためには、通常テトラカルボン
酸またはその無水物1モルに対してジアミン化合
物を0.7〜1.3モル程度使用する。そしてポリアミ
ツク酸を製造する際の反応温度は、テトラカルボ
ン酸とテトラカルボン酸の無水物のどちらかを出
発原料にするかによつて異なり、テトラカルボン
酸を原料とする場合には脱水縮合を行なわせるた
めに、通常、50〜300℃、好ましくは100〜250℃
で反応を行なうのが効果的である。一方、テトラ
カルボン酸の無水物を原料とする場合には付加重
合であり、必らずしも高温で反応させる必要はな
く、通常は0〜100℃で反応を行えばよい。
以上のようにして得られるポリアミツク酸は、
通常は精製し、溶剤に再溶解して使用するが、本
発明組成物の用途によつては、反応後の溶液をそ
のまま使用することができる。なお、ポリアミツ
ク酸を再溶解させる場合の溶剤としては、前記非
プロトン系、双極子極性溶媒やアルカリ性水溶液
などを例示することができる。また、ポリアミツ
ク酸の還元粘度(ηSP/C、C=1g/100ml、
N,N′−ジメチレアセトアミド中)は好ましく
は0.05dl/g以上、特に好ましくは0.05〜5dl/
gである。
前記架橋反応活性種を発生する化合物における
架橋反応活性種としては、カルベン、ラジカル、
ナイトレンなどを挙げることができる。架橋反応
活性種としてカルベンを発生する化合物として
は、例えばP−ベンゾキノンジアジド、P−ナフ
トキノンジアジドなどのP−キノンジアジド系の
化合物を、架橋反応性種としてラジカルを発生す
る化合物としては、ジアセチル、ベンゾインなど
のカルボニウム化合物、アゾビスイソブチロニト
リルなどのアゾ化合物、メルカプタンジスルフイ
ドなどの有機イオウ化合物などを、架橋反応活性
種としてナイトレンを発生する化合物としては、
4,4′−ジアジドスチルベン、4,4′−ジアジド
スチルベン−2,2′−ジスルホン酸ナトリウム、
1,5−ジアジドナフタレン、1,5−ジアジド
ナフタレン−3,7−ジスルホン酸ナトリウム、
4,4′−ジアジドベンゾフエノン、4,4′−ジア
ジドジフエニルメタン、4,4′−ジアジドカルコ
ン、4,4′−ジアジドベンザルアセトン、2,6
−ジ(4′−アジドベンザル)シクロヘキサノン、
2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−メチル
シクロヘキサノン、6−アジド−2−(4′−アジ
ドスチリル)ベンズイミダゾール、2,6−ジ
(4′−アジドベンザル)シクロペンタノン、4,
4′−ジアジドビフエニル、3,3′−ジアジドビフ
エニル、4,4′−ジアジドフエニルメタン、3,
3′−ジアジドジフエニルメタン、4,4′−ジアジ
ドジフエニルエタン、3,3′−ジアジドジフエニ
ルエタン、4,4′−ジアジドフエニルエーテル、
3,3′−ジアジドフエニルエーテル、4,4′−ジ
アジドジフエニルスルフイド、3,3′−ジアジド
ジフエニルスルフイド、4,4′−ジアジドジフエ
ニルスルフオン、3,3′−ジアジドジフエニルス
ルフオンなどの芳香族ビスアジド化合物を例示す
ることができる。
光または電離放射線により架橋反応活性種を発
生する化合物の添加量は、ポリアミツク酸100重
量部に対して0.5〜30重量部が好ましい。
本発明樹脂組成物は以上のようなものであるの
で、後述する実施例の説明からも理解されるよう
に、従来のポリアミツク酸系の感光性樹脂組成物
に比して優れた保存安定性を有すると共に光また
は電離放射線に対して高い感応性を有し、また高
い解像度が得られ、しかも膜形成能が大きくて薄
膜の形成が容易である上、基板などに対する接着
性の大きい膜体を得ることができ、従つて例えば
レジスト材として、また電気絶縁材として極めて
好適である。
以上の如き優れた作用効果が得られる理由は、
必ずしも明らかではないが、脂環族テトラカルボ
ン酸またはその二無水物と、芳香族テトラカルボ
ン酸またはその二無水物のビスアジド化合物によ
る架橋性を比較すると、芳香族炭化水素の−C−
H結合よりも脂環族の第三級若しくは第二級の−
C−H結合における架橋反応活性種による架橋反
応性がより高く、しかもその結合数が多いため、
架橋に有利に作用すること、並びに上述のような
本発明に使用するポリアミツク酸が優れた接着力
を有することが、例えば従来の全芳香族系ポリア
ミツク酸からなる感光性樹脂組成物に比べて優れ
た特性を発現することのできる理由の一部と考え
られる。
本発明の組成物を、例えばレジスト材として用
いるには、既述のポリアミツク酸の溶液に既述の
光または電離放射線により架橋反応活性種を発生
する化合物を溶解し、この溶液によりレジスト膜
を形成すればよい。即ち本発明の樹脂組成物の溶
液を基板、例えば、アルミニウム板、ガラス板、
バイメタル板、セラミツク板、半導体ウエハー、
プリント基板などの表面にスピンコーテイングな
どの手法によつて塗布し、温度100〜150℃でプレ
ベークを行なつて被膜中の溶剤を除去し、均一な
被膜を形成させる。そして目的の画像を有するホ
トマスクを介して選択的に光または電離放射線を
照射し、その後現像液によつて現像することによ
り露光された部分が不溶のまま残つてパターンの
形成が行なわれる。
前記現像液としては、例えばN,N−ジメチル
アセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、
N,N−ジメチルホルムアミド、テトラメチル尿
素、ヘキサメチルホスホルアミド、ジメチルスル
ホキシドなどの単独もしくは混合溶剤を用いるこ
とができるが、これらの溶剤にさらにメタノー
ル、エタノール、プロパノール、アセトンなどの
貧溶媒を混合することにより、現像時間が適当に
調整された現像液を得ることもできる。
また、アンモニア水や一級アミン、二級アミ
ン、三級アミンの水溶液を現像液として用いるこ
ともできる。この場合においても、アルカリ濃度
を変えることにより現像時間を適当なものに調整
することができる。現像後、貧溶剤でリンスした
後乾燥し、温度200〜400℃の条件で熱処理してイ
ミド化させることにより、耐熱性のポリイミド被
膜が形成される。従つてこの被膜は大きな耐久性
を有するものとなる。
本発明の樹脂組成物は、耐熱性パターン用レジ
スト材料のほか、半導体素子のパツシベーシヨン
膜、多層配線絶縁膜、ジヤンクシヨン保護膜、リ
フトオフ用マスク材、アルフアー線遮蔽膜、高集
積度電子回路の層間絶縁膜、イオン注入マスク、
電子回路の保護膜などの電子材料として特に有用
であるが、その用途がこれらに限定されるもので
はない。
以下本発明を実施例によつて説明する。
実施例 1
2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢
酸と4,4′−ジアミノジフエニルエーテルから得
られたポリアミツク酸(ηSP/C=1.57dl/g、
C=1g/100ml、ジメチルアセトアミド中温度
30℃)のジメチルアセトアミド溶液(ポリアミツ
ク酸濃度12重量%)に、ポリアミツク酸100重量
部に対して5重量部の2,6−ジ(4′−アジドベ
ンザル)−4−メチルシクロヘキサノンを添加し
溶解させて本発明の樹脂組成物を製造した。
この液体を、アルミニウム基板の表面に2000r.
p.m.の条件で回転塗布した後、温度140℃で10分
間のプレベークを行ない均一な被膜を形成した。
そして解像力測定用の0.2〜1.0mmのマスク孔幅を
有するホトマスクを介して高圧水銀灯よりの光を
500mJ/cm2の光エネルギーで被膜に照射し、ジ
メチルアセトアミドで現像し、アセトンでリンス
した後、温度300℃、30分間の熱処理によりイミ
ド化反応を行ない、被膜を硬化させた。
得られたポリイミド被膜によるパターンはピン
ホールがなく1.0mmから0.2mmまでの細線について
もきれいなパターンとなつており、顕微鏡で観察
したところ、エツジもシヤープであることが観察
された。
また、上記の組成物は室温で3ケ月間に亘つて
保存した場合にも分子量の低下や不溶物の析出は
観察されなかつた。そして保存後の組成物により
得られるポリイミド被膜も耐熱性の十分なもので
あつた。
実験例 1
実施例1において得られた組成物により得られ
るポリイミド被膜の基板に対する接着性を評価す
るため、粘着テープによる剥離テストを行なつ
た。即ち、実施例1におけると同様の条件で形成
したポリイミド被膜に、カツターで縦横に切り込
みを入れて縦横各5個、合計25個の2mm四方の片
を形成し、これに粘着テープを空気を入れこまな
いように圧着した後剥離することにより、25個の
片中の粘着テープにより剥離された片の個数を調
べた。剥離されずに残つた片の数の全片数に対す
る割合により接着性を評価したところ、剥離され
た片の数は0で、接着性は1と評価された。
比較例 1
ピロメリツト酸無水物と4,4′−ジアミノジフ
エニルエーテルから得られたポリアミツク酸
(ηSP/C=1.44dl/g、C=1g/100ml、ジメ
チルアセトアミド中、温度30℃)のジメチルアセ
トアミド溶液(ポリアミツク酸濃度12重量%)を
用いたほかは実施例1と同様にして樹脂組成物の
製造、塗布、露光、現像、熱処理を行なつた。
現像、熱処理後のパターンによつて解像度を調
べたところ、0.8mmより小さいパターン部分は、
解像することができなかつた。また硬化後の被膜
にピンホールが観察された。さらにパターンのエ
ツジも実施例1に比してシヤープさが低いもので
あつた。
一方前記樹脂組成物の溶液を室温で保存したと
ころ、数日間のうちに分子量の低下が観察され
た。
また比較例1において得られる被膜について実
験例1と同様の剥離テストを行ない、その接着性
を評価したところ、剥離した片数は9で、接着性
は0.64と評価された。
実施例 2
実施例1における2,3,5−トリカルボキシ
シクロペンチル酢酸の代わりに1,2,3,4−
シクロブタンテトラカルボン酸二無水物を用い
て、得られるポリアミツク酸(ηSP/C=1.08
dl/g、C=1g/100ml、ジメチルアセトアミ
ド中、温度30℃)の100重量部に対し、5重量部
の2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−メチ
ルシクロヘキサノンを添加し溶解させて本発明の
樹脂組成物を製造した。
この樹脂組成物について、実施例1におけると
同様にして感光性及び保存安定性を評価したとこ
ろ、実施例1の樹脂組成物と同様の良好な結果が
得られた。
実施例 3
実施例1における2,3,5−トリカルボキシ
シクロペンチル酢酸の代わりに1,2,3,4−
シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物を用い
て、得られるポリアミツク酸(ηSP/C=1.43
dl/g、C=1g/100ml、ジメチルアセトアミ
ド中、温度30℃)の100重量部に対し、5重量部
の2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−メチ
ルシクロヘキサノンを添加し溶解させて本発明の
樹脂組成物を製造した。
この樹脂組成物について、実施例1におけると
同様にして感光性及び保存安定性を評価したとこ
ろ、実施例1の樹脂組成物と同様の良好な結果が
得られた。
実施例 4
実施例1における2,3,5−トリカルボキシ
シクロペンチル酢酸の代わりに1,2,3,4−
シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物を用い
て、得られるポリアミツク酸(ηSP/C=1.27
dl/g、C=1g/100ml、ジメチルアセトアミ
ド中、温度30℃)の100重量部に対し、5重量部
の2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−メチ
ルシクロヘキサノンを添加し溶解させて本発明の
樹脂組成物を製造した。
この樹脂組成物について、実施例1におけると
同様にして感光性及び保存安全性を評価したとこ
ろ、実施例1の樹脂組成物と同様の良好な結果が
得られた。
実施例 5
実施例1における2,3,5−トリカルボキシ
シクロペンチル酢酸の代わりにメチルシクロヘキ
センテトラカルボン酸二無水物を用いて、得られ
るポリアミツク酸(ηSP/C=1.39dl/g、C=
1g/100ml、ジメチルアセトアミド中、温度30
℃)の100重量部に対し、5重量部の2,6−ジ
(4′−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサ
ノンを添加し溶解させて本発明の樹脂組成物を製
造した。
この樹脂組成物について、実施例1におけると
同様にして感光性及び保存安定性を評価したとこ
ろ、実施例1の樹脂組成物と同様の良好な結果が
得られた。
実施例 6
実施例1における2,3,5−トリカルボキシ
シクロペンチル酢酸の代わりに2,3,5−トリ
カルボキシシクロペンチル酢酸二無水物を用い
て、得られるポリアミツク酸(ηSP/C=1.65
dl/g、C=1g/100ml、ジメチルアセトアミ
ド中、温度30℃)の100重量部に対し、5重量部
の2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−メチ
ルシクロヘキサノンを添加し溶解させて本発明の
樹脂組成物を製造した。
この樹脂組成物について、実施例1におけると
同様にして感光性及び保存安定性を評価したとこ
ろ、実施例1の樹脂組成物と同様の良好な結果が
得られた。
実験例 2
実施例2〜実施例6の樹脂組成物の各々につい
て、実験例1と同様にして基板に対する剥離テス
トを行なつて接着性を評価したところ、第1表に
示す結果が得られた。[Formula] It is an aliphatic or alicyclic hydrocarbon group having 6 to 13 carbon atoms or a norbornane derivative hydrocarbon group, and the heat resistance when the composition of the present invention is imidized by heat treatment. In order to further improve the properties, R is preferably an aromatic group. Specific examples of the above diamine include paraphenylenediamine, metaphenylenediamine, 4,4'-
Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylethane, 2,2-di(P-aminophenyl)hexafluoropropane, 4,4'-diaminodiphenylpropane, benzidine, 4,4'-diaminodiphenyls Ruphid, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 1,5-diaminonaphthalene, 3,3'-
Dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,
4'-Diaminobenzanilide, 3,4'-diaminodiphenyl ether, metaxylylene diamine and paraxylylene diamine, ethylene diamine, propane diamine, tetramethylene diamine, pentamethylene diamine, hexamethylene diamine, heptamethylene diamine, octamethylene Diamine, nonamethylene diamine, 4,4'-dimethylheptamethylene diamine, 1,4-diaminocyclohexane, tetrahydrodicyclopentadienyl diamine, hexahydro-4,7-methanoindani dimethylene diamine, tricyclo[6,2 , 1,0 2.7 ]-undecylenedimethyldiamine, and the like. These can be used alone or in combination. The solvent for the reaction to obtain polyamic acid is preferably one that dissolves both tetracarboxylic acid or its anhydride and diamine compound in order to increase the molecular weight of polyamic acid, and specifically N-methyl-2-pyrrolidone. , N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, hexamethylphosphortriamide, and other aprotic dipolar polar solvents are preferred, but alcohols, which are common organic solvents, are preferred. phenols, ketones,
Ethers such as ethyl alcohol, isopropyl alcohol, ethylene glycol, propylene glycol, 1,4-butanediol, triethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, phenol, cresol, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, etc. can also be used. The amount of these solvents used is generally 0.5 to 20 times the weight of the tetracarboxylic acid or its anhydride and the diamine compound. The reaction ratio of the above-mentioned tetracarboxylic acid or its anhydride and the diamine compound is preferably carried out in equimolar amounts, but as long as the object of the present invention is achieved, there may be a slight excess or deficiency. In order to obtain a high molecular weight polyamic acid, the diamine compound is usually used in an amount of about 0.7 to 1.3 moles per mole of the tetracarboxylic acid or its anhydride. The reaction temperature when producing polyamic acid differs depending on whether tetracarboxylic acid or tetracarboxylic acid anhydride is used as the starting material; if tetracarboxylic acid is used as the starting material, dehydration condensation is performed. Normally 50-300℃, preferably 100-250℃
It is effective to carry out the reaction with On the other hand, when tetracarboxylic acid anhydride is used as a raw material, addition polymerization is performed, and the reaction does not necessarily need to be carried out at a high temperature; it is usually sufficient to carry out the reaction at a temperature of 0 to 100°C. The polyamic acid obtained in the above manner is
Usually, it is used after being purified and redissolved in a solvent, but depending on the use of the composition of the present invention, the solution after the reaction can be used as it is. In addition, examples of the solvent for redissolving polyamic acid include the aforementioned aprotic solvents, dipolar polar solvents, alkaline aqueous solutions, and the like. In addition, the reduced viscosity of polyamic acid (ηSP/C, C=1g/100ml,
N,N'-dimethylacetamide) is preferably 0.05 dl/g or more, particularly preferably 0.05 to 5 dl/g.
It is g. Examples of crosslinking active species in the compound that generates crosslinking active species include carbene, radical,
Examples include nitrene. Examples of compounds that generate carbene as a crosslinking reaction active species include P-quinonediazide compounds such as P-benzoquinonediazide and P-naphthoquinonediazide; examples of compounds that generate radicals as a crosslinking reaction species include diacetyl, benzoin, etc. Compounds that generate nitrene as crosslinking reaction active species include carbonium compounds, azo compounds such as azobisisobutyronitrile, and organic sulfur compounds such as mercaptan disulfide.
4,4'-diazidostilbene, sodium 4,4'-diazidostilbene-2,2'-disulfonate,
1,5-diazidnaphthalene, sodium 1,5-diazidnaphthalene-3,7-disulfonate,
4,4'-Diazidobenzophenone, 4,4'-diazidodiphenylmethane, 4,4'-diazidochalcone, 4,4'-diazidobenzalacetone, 2,6
-di(4′-azidobenzal)cyclohexanone,
2,6-di(4'-azidobenzal)-4-methylcyclohexanone, 6-azido-2-(4'-azidostyryl)benzimidazole, 2,6-di(4'-azidobenzal)cyclopentanone, 4,
4'-Diazidobiphenyl, 3,3'-Diazidobiphenyl, 4,4'-Diazidophenylmethane, 3,
3'-Diazidiphenylmethane, 4,4'-Diazidiphenyl ethane, 3,3'-Diazidiphenyl ethane, 4,4'-Diazidiphenyl ether,
3,3'-Diazidophenyl ether, 4,4'-Diazidiphenyl sulfide, 3,3'-Diazidiphenyl sulfide, 4,4'-Diazidiphenyl sulfone, 3 , 3'-diazide diphenyl sulfon and other aromatic bisazide compounds. The amount of the compound that generates crosslinking active species when exposed to light or ionizing radiation is preferably 0.5 to 30 parts by weight per 100 parts by weight of polyamic acid. Since the resin composition of the present invention is as described above, it has excellent storage stability compared to conventional polyamic acid-based photosensitive resin compositions, as will be understood from the explanation of the examples below. obtain a film body that has high sensitivity to light or ionizing radiation, high resolution, high film-forming ability, easy to form a thin film, and high adhesion to substrates, etc. Therefore, it is extremely suitable as, for example, a resist material or an electrical insulating material. The reason why the above excellent effects can be obtained is as follows.
Although it is not necessarily clear, when comparing the crosslinking properties of alicyclic tetracarboxylic acids or their dianhydrides and aromatic tetracarboxylic acids or their dianhydrides with bisazide compounds, it is found that -C- of aromatic hydrocarbons
Alicyclic tertiary or secondary - than H bond
The crosslinking reactivity due to the crosslinking active species in the C-H bond is higher, and the number of bonds is large, so
The fact that the polyamic acid used in the present invention has an advantageous effect on crosslinking and has an excellent adhesive force as described above is superior to, for example, a photosensitive resin composition made of a conventional wholly aromatic polyamic acid. This is considered to be part of the reason why it is possible to express such characteristics. In order to use the composition of the present invention as a resist material, for example, a compound that generates a crosslinking reaction active species by light or ionizing radiation as described above is dissolved in a solution of the polyamic acid described above, and a resist film is formed with this solution. do it. That is, a solution of the resin composition of the present invention is applied to a substrate such as an aluminum plate, a glass plate,
Bimetal plates, ceramic plates, semiconductor wafers,
It is applied to the surface of a printed circuit board or the like by a technique such as spin coating, and prebaked at a temperature of 100 to 150°C to remove the solvent in the film and form a uniform film. Then, light or ionizing radiation is selectively irradiated through a photomask having a desired image, and then developed with a developer, whereby the exposed portion remains insoluble and a pattern is formed. Examples of the developer include N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone,
Single or mixed solvents such as N,N-dimethylformamide, tetramethylurea, hexamethylphosphoramide, and dimethyl sulfoxide can be used, but these solvents may be further mixed with a poor solvent such as methanol, ethanol, propanol, or acetone. By doing so, it is also possible to obtain a developer whose development time is appropriately adjusted. Furthermore, aqueous ammonia or aqueous solutions of primary amines, secondary amines, and tertiary amines can also be used as the developer. Even in this case, the development time can be adjusted to an appropriate value by changing the alkali concentration. After development, the film is rinsed with a poor solvent, dried, and heat-treated at a temperature of 200 to 400°C to imidize, thereby forming a heat-resistant polyimide film. Therefore, this coating has great durability. The resin composition of the present invention can be used not only as a resist material for heat-resistant patterns, but also as a passivation film for semiconductor devices, a multilayer wiring insulating film, a junction protective film, a lift-off mask material, an alpha ray shielding film, and an interlayer insulation film for highly integrated electronic circuits. membrane, ion implantation mask,
Although it is particularly useful as an electronic material such as a protective film for electronic circuits, its uses are not limited to these. The present invention will be explained below with reference to Examples. Example 1 Polyamic acid obtained from 2,3,5-tricarboxycyclopentyl acetic acid and 4,4'-diaminodiphenyl ether (ηSP/C=1.57 dl/g,
C=1g/100ml, temperature in dimethylacetamide
Add and dissolve 5 parts by weight of 2,6-di(4'-azidobenzal)-4-methylcyclohexanone per 100 parts by weight of polyamic acid into a dimethylacetamide solution (polyamic acid concentration 12% by weight) at 30℃). A resin composition of the present invention was produced. Spread this liquid onto the surface of the aluminum substrate for 2000r.
After spin coating under pm conditions, prebaking was performed at a temperature of 140°C for 10 minutes to form a uniform film.
Then, light from a high-pressure mercury lamp is passed through a photomask with a mask hole width of 0.2 to 1.0 mm for resolution measurement.
The film was irradiated with light energy of 500 mJ/cm 2 , developed with dimethylacetamide, rinsed with acetone, and then heat-treated at 300° C. for 30 minutes to carry out an imidization reaction and harden the film. The resulting pattern of the polyimide coating had no pinholes and was a clean pattern even with thin lines from 1.0 mm to 0.2 mm, and when observed under a microscope, it was observed that the edges were also sharp. Further, even when the above composition was stored at room temperature for 3 months, no decrease in molecular weight or precipitation of insoluble matter was observed. The polyimide film obtained from the composition after storage also had sufficient heat resistance. Experimental Example 1 In order to evaluate the adhesion of the polyimide film obtained from the composition obtained in Example 1 to a substrate, a peel test using an adhesive tape was conducted. That is, a polyimide film formed under the same conditions as in Example 1 was cut vertically and horizontally with a cutter to form 25 2 mm square pieces, 5 in each direction, and an adhesive tape was injected into the pieces. The number of pieces that were peeled off by the adhesive tape among the 25 pieces was determined by crimping the pieces so that they would not get stuck and then peeling them off. When the adhesion was evaluated based on the ratio of the number of pieces that remained without being peeled off to the total number of pieces, the number of pieces that were peeled off was 0, and the adhesiveness was evaluated as 1. Comparative Example 1 Dimethylacetamide of polyamic acid obtained from pyromellitic anhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether (ηSP/C=1.44 dl/g, C=1 g/100 ml, in dimethylacetamide, temperature 30°C) A resin composition was produced, coated, exposed, developed, and heat treated in the same manner as in Example 1, except that a solution (polyamic acid concentration: 12% by weight) was used. When we investigated the resolution of the pattern after development and heat treatment, we found that the pattern portion smaller than 0.8mm was
I couldn't resolve it. In addition, pinholes were observed in the film after curing. Furthermore, the edge of the pattern was less sharp than in Example 1. On the other hand, when the solution of the resin composition was stored at room temperature, a decrease in molecular weight was observed within several days. Further, the same peeling test as in Experimental Example 1 was carried out on the film obtained in Comparative Example 1, and its adhesiveness was evaluated. The number of peeled pieces was 9, and the adhesiveness was evaluated as 0.64. Example 2 1,2,3,4- instead of 2,3,5-tricarboxycyclopentyl acetic acid in Example 1
Polyamic acid obtained using cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (ηSP/C=1.08
dl/g, C = 1 g/100 ml, in dimethylacetamide, temperature 30°C), 5 parts by weight of 2,6-di(4'-azidobenzal)-4-methylcyclohexanone was added and dissolved. A resin composition of the present invention was produced. When this resin composition was evaluated for photosensitivity and storage stability in the same manner as in Example 1, good results similar to those of the resin composition of Example 1 were obtained. Example 3 1,2,3,4- instead of 2,3,5-tricarboxycyclopentyl acetic acid in Example 1
Polyamic acid obtained using cyclopentanetetracarboxylic dianhydride (ηSP/C=1.43
dl/g, C = 1 g/100 ml, in dimethylacetamide, temperature 30°C), 5 parts by weight of 2,6-di(4'-azidobenzal)-4-methylcyclohexanone was added and dissolved. A resin composition of the present invention was produced. When this resin composition was evaluated for photosensitivity and storage stability in the same manner as in Example 1, good results similar to those of the resin composition of Example 1 were obtained. Example 4 1,2,3,4- instead of 2,3,5-tricarboxycyclopentyl acetic acid in Example 1
Polyamic acid obtained using cyclohexanetetracarboxylic dianhydride (ηSP/C=1.27
dl/g, C = 1 g/100 ml, in dimethylacetamide, temperature 30°C), 5 parts by weight of 2,6-di(4'-azidobenzal)-4-methylcyclohexanone was added and dissolved. A resin composition of the present invention was produced. When this resin composition was evaluated for photosensitivity and storage safety in the same manner as in Example 1, good results similar to those of the resin composition of Example 1 were obtained. Example 5 Using methylcyclohexenetetracarboxylic dianhydride in place of 2,3,5-tricarboxycyclopentyl acetic acid in Example 1, the obtained polyamic acid (ηSP/C=1.39 dl/g, C=
1g/100ml in dimethylacetamide, temperature 30
The resin composition of the present invention was prepared by adding and dissolving 5 parts by weight of 2,6-di(4'-azidobenzal)-4-methylcyclohexanone to 100 parts by weight of 2,6-di(4'-azidobenzal)-4-methylcyclohexanone. When this resin composition was evaluated for photosensitivity and storage stability in the same manner as in Example 1, good results similar to those of the resin composition of Example 1 were obtained. Example 6 Polyamic acid (ηSP/C=1.65
dl/g, C = 1 g/100 ml, in dimethylacetamide, temperature 30°C), 5 parts by weight of 2,6-di(4'-azidobenzal)-4-methylcyclohexanone was added and dissolved. A resin composition of the present invention was produced. When this resin composition was evaluated for photosensitivity and storage stability in the same manner as in Example 1, good results similar to those of the resin composition of Example 1 were obtained. Experimental Example 2 For each of the resin compositions of Examples 2 to 6, a peel test was performed on the substrate in the same manner as in Experimental Example 1 to evaluate the adhesion, and the results shown in Table 1 were obtained. .
【表】
以上の結果より、本発明による樹脂組成物は、
保存安定性が優れ、光または電離放射線に対する
高い感応性を有し、優れた解像度が得られ、しか
も基板との接着性にも優れた耐熱性ポリイミド被
膜を形成することができることがわかる。[Table] From the above results, the resin composition according to the present invention has
It can be seen that it is possible to form a heat-resistant polyimide film that has excellent storage stability, high sensitivity to light or ionizing radiation, excellent resolution, and excellent adhesion to the substrate.
Claims (1)
ジアミン化合物とにより得られるポリアミツク酸
と、光または電離放射線により架橋反応活性種を
発生する化合物とを含有して成ることを特徴とす
る樹脂組成物。1. A resin composition comprising a polyamic acid obtained from an alicyclic tetracarboxylic acid or its anhydride and a diamine compound, and a compound that generates a crosslinking reaction active species when exposed to light or ionizing radiation.
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