JPH0357453B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0357453B2 JPH0357453B2 JP57136521A JP13652182A JPH0357453B2 JP H0357453 B2 JPH0357453 B2 JP H0357453B2 JP 57136521 A JP57136521 A JP 57136521A JP 13652182 A JP13652182 A JP 13652182A JP H0357453 B2 JPH0357453 B2 JP H0357453B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beams
- scanning direction
- light receiving
- detected
- shifted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、変調可能な複数のビームをポリゴン
ミラー等の走査装置を用いて偏向させて被走査面
上を同時に走査するマルチビーム走査装置に関す
るものであり、さらに詳しくは、被走査面上で印
字開始位置を決めるための記号（以下SOS信号と
いう。）を検知するビーム位置検知方法に係わる。
ミラー等の走査装置を用いて偏向させて被走査面
上を同時に走査するマルチビーム走査装置に関す
るものであり、さらに詳しくは、被走査面上で印
字開始位置を決めるための記号（以下SOS信号と
いう。）を検知するビーム位置検知方法に係わる。
上記マルチビーム走査装置はシングルビーム走
査装置に比べポリゴンミラーの回転数を低減する
ことができるので耐久性や振動の面から利点が大
きい。しかし、SOS信号の検知については各ビー
ム相互の関係が加わるので非常に難しくなる。
査装置に比べポリゴンミラーの回転数を低減する
ことができるので耐久性や振動の面から利点が大
きい。しかし、SOS信号の検知については各ビー
ム相互の関係が加わるので非常に難しくなる。
一つの方法として、ビーム発生装置の相互位置
を正確に決めておいて各ビームのうちの１つのビ
ーム位置のみを検出し他のビームの位置は検知さ
れたビームの位置を補正してSOS信号とするやり
方が考えられる。
を正確に決めておいて各ビームのうちの１つのビ
ーム位置のみを検出し他のビームの位置は検知さ
れたビームの位置を補正してSOS信号とするやり
方が考えられる。
例えば、第１図に示すように100μｍ間隔で発
光部をもつ半導体レーザー１を主走査方向に対し
てθ傾けて設置し、第２図に示す焦点距離５mmの
コリメータレンズ２ポリゴンミラー３及び焦点距
離500mmのfθレンズ４とで被走査面上に投影する
場合を考えると、100μｍのビーム間隔に対し被
走査面上で±30μｍの誤差を許容するとしても、
ビームは100倍に拡大されるので半導体レーザー
１を傾ける角度θを sin-1（1/100±3/1000） の精度としなければならない。また、半導体レー
ザ１の各発光部を段階状にずらす場合は±0.3μｍ
の精度でずらさねばならない。このような高精度
での半導体レーザーの配置或いは、製作は非常に
難しいものである。
光部をもつ半導体レーザー１を主走査方向に対し
てθ傾けて設置し、第２図に示す焦点距離５mmの
コリメータレンズ２ポリゴンミラー３及び焦点距
離500mmのfθレンズ４とで被走査面上に投影する
場合を考えると、100μｍのビーム間隔に対し被
走査面上で±30μｍの誤差を許容するとしても、
ビームは100倍に拡大されるので半導体レーザー
１を傾ける角度θを sin-1（1/100±3/1000） の精度としなければならない。また、半導体レー
ザ１の各発光部を段階状にずらす場合は±0.3μｍ
の精度でずらさねばならない。このような高精度
での半導体レーザーの配置或いは、製作は非常に
難しいものである。
上記方法の変形として、第３図に示すように被
走査面上でのビームの相互位置を各ビーム毎に設
けたミラー５，５，５で調整することが考えられ
る。即ち、各ミラー５，５，５を主走査方向と平
行な軸のまわりに回動してビーム間隔を調整する
とともに副走査方向と平行な軸のまわりに回動し
て各ビームの主走査方向の位置を調整するのであ
る。しかし、この方法もミラー５，５，５の調整
という新たな調整要素が加わるうえにその調整が
非常に微妙なものであり、実際には難しい方法で
ある。
走査面上でのビームの相互位置を各ビーム毎に設
けたミラー５，５，５で調整することが考えられ
る。即ち、各ミラー５，５，５を主走査方向と平
行な軸のまわりに回動してビーム間隔を調整する
とともに副走査方向と平行な軸のまわりに回動し
て各ビームの主走査方向の位置を調整するのであ
る。しかし、この方法もミラー５，５，５の調整
という新たな調整要素が加わるうえにその調整が
非常に微妙なものであり、実際には難しい方法で
ある。
そこで各ビーム毎に別々にビーム位置を検知す
ることが考えられるが、通常のレーザービームプ
リンタでは走査線の間にすきまができないように
するために被走査面上ではビームがオーバーラツ
プするように設定されている（第４図）。例えば、
ビーム間隔を100μｍとした場合中心強度１／e2で
定義したビーム径を被走査面上で200μｍ程度に
なるように設定する訳である。しかしこのような
オーバーラツプは、各ビーム毎に設けられた検知
装置が他のビームをも検知してしまい誤動作の原
因となる。
ることが考えられるが、通常のレーザービームプ
リンタでは走査線の間にすきまができないように
するために被走査面上ではビームがオーバーラツ
プするように設定されている（第４図）。例えば、
ビーム間隔を100μｍとした場合中心強度１／e2で
定義したビーム径を被走査面上で200μｍ程度に
なるように設定する訳である。しかしこのような
オーバーラツプは、各ビーム毎に設けられた検知
装置が他のビームをも検知してしまい誤動作の原
因となる。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので
あり、マルチビーム走査装置のビーム位置検知を
ビームがオーバーラツプしているにもかかわらず
各ビーム毎に精度よく検知できるビーム位置検知
方法を提供することを目的とする。
あり、マルチビーム走査装置のビーム位置検知を
ビームがオーバーラツプしているにもかかわらず
各ビーム毎に精度よく検知できるビーム位置検知
方法を提供することを目的とする。
上述の目的は、複数のビームを各ビームによる
被走査面の照射が隣り合うビームに対して主走査
方向にずれるように構成し、受光部により各ビー
ムを検知する毎に検知されたビームをその検知の
直後に消灯することによつて達成される。
被走査面の照射が隣り合うビームに対して主走査
方向にずれるように構成し、受光部により各ビー
ムを検知する毎に検知されたビームをその検知の
直後に消灯することによつて達成される。
第５図は本発明の実施例を示す図で、複数のビ
ームB1，B2，B3，B4，B5を走査線上で主走査方
向にずれるようにし、これに対し１つの受光素子
Ｅを走査線上に垂直に配置したものである。この
受光素子Ｅは便宜的に第３図に示すように感光ド
ラム６の側方に配置され、応答性のよい、例えば
フオトダイドードを用いる。
ームB1，B2，B3，B4，B5を走査線上で主走査方
向にずれるようにし、これに対し１つの受光素子
Ｅを走査線上に垂直に配置したものである。この
受光素子Ｅは便宜的に第３図に示すように感光ド
ラム６の側方に配置され、応答性のよい、例えば
フオトダイドードを用いる。
副走査方向にオーバーラツプした複数のビーム
Ｂは主走査方向に他のビームに影響を与えない距
離Ｄだけ夫々ずらされている。
Ｂは主走査方向に他のビームに影響を与えない距
離Ｄだけ夫々ずらされている。
ビームＢはカウスビームであるのでこれを受光
素子Ｅで検知する際スレツシヨールドThをピー
クの中間にとるのがもつとも誤差の影響を受けに
くい。それ故前記距離Ｄは最低ビームの大きさの
半分は必要である。ここでビームの大きさとはビ
ーム強度が中心強度の１／e2になる大きさを言
う。尚実際にはセツテイングの誤差もありビーム
の大きさの２倍程度の距離Ｄをあけた方がよい。
素子Ｅで検知する際スレツシヨールドThをピー
クの中間にとるのがもつとも誤差の影響を受けに
くい。それ故前記距離Ｄは最低ビームの大きさの
半分は必要である。ここでビームの大きさとはビ
ーム強度が中心強度の１／e2になる大きさを言
う。尚実際にはセツテイングの誤差もありビーム
の大きさの２倍程度の距離Ｄをあけた方がよい。
第７図は第５図の実施例の制御の一例を示すタ
イムチヤートである。この場合ビームB1〜B5は
最初に全て点灯される。そしてビームが受光素子
Ｅに検知される順に消灯されてゆき、受光素子Ｅ
からは各ビームのSOS信号が出力される。
イムチヤートである。この場合ビームB1〜B5は
最初に全て点灯される。そしてビームが受光素子
Ｅに検知される順に消灯されてゆき、受光素子Ｅ
からは各ビームのSOS信号が出力される。
ビームの点滅制御はまた第８図のようにおこな
うこともできる。第８図のタイムチヤートにおい
ては、各ビームは前のビームが消灯されてから点
灯しそのビームが受光素子Ｅに検知されると消灯
する。従つて、あるビームが受光素子Ｅにさしか
かるとき他のビームは消灯しているので各ビーム
間の主走査方向の距離Ｄは第７図の制御方式より
短くすることができる。
うこともできる。第８図のタイムチヤートにおい
ては、各ビームは前のビームが消灯されてから点
灯しそのビームが受光素子Ｅに検知されると消灯
する。従つて、あるビームが受光素子Ｅにさしか
かるとき他のビームは消灯しているので各ビーム
間の主走査方向の距離Ｄは第７図の制御方式より
短くすることができる。
第９図はビーム数が多い場合のビームの配置例
を示すもので、ビームを副走査方向に２つのグル
ープ（B1，B2，B3，B4）と（B5，B6，B7，B8）
に分けこのグループを副走査方向に２段に並べる
とともに主走査方向にずらしたものである。ここ
で各ビームの主走査方向の距離は2Dだけ離し各
グループを距離Ｄだけずらすようにする。
を示すもので、ビームを副走査方向に２つのグル
ープ（B1，B2，B3，B4）と（B5，B6，B7，B8）
に分けこのグループを副走査方向に２段に並べる
とともに主走査方向にずらしたものである。ここ
で各ビームの主走査方向の距離は2Dだけ離し各
グループを距離Ｄだけずらすようにする。
上述の通り本発明は、少なくとも２つの変調可
能なビームによつて被走査面を同時に、かつ、各
ビームの照射が副走査方向においてオーバーラツ
プするように走査するマルチビーム走査装置にお
いて、各ビームによる被走査面の照射が主走査方
向にずれるように構成するとともに、少なくとも
２つのビームを同時に受光可能な大きさの受光部
により各ビームを順次検知し、各ビームが検知さ
れる毎にその検知されたビームを消灯するように
したものであるから、ビームが被走査面上で副走
査方向にオーバーラツプするにもかかわらず各ビ
ームの位置を正確に検知することができるもので
ある。
能なビームによつて被走査面を同時に、かつ、各
ビームの照射が副走査方向においてオーバーラツ
プするように走査するマルチビーム走査装置にお
いて、各ビームによる被走査面の照射が主走査方
向にずれるように構成するとともに、少なくとも
２つのビームを同時に受光可能な大きさの受光部
により各ビームを順次検知し、各ビームが検知さ
れる毎にその検知されたビームを消灯するように
したものであるから、ビームが被走査面上で副走
査方向にオーバーラツプするにもかかわらず各ビ
ームの位置を正確に検知することができるもので
ある。
第１図は複数の発光部をもつ半導体レーザーを
示す図、第２，３図はマルチビーム走査装置のビ
ーム位置検知の一例として本発明者により提案検
討された方法を説明する図、第４図は複数のビー
ムの発光部と被走査面上における相互の関係を示
す図、第５，９図は本発明各実施例のビームと受
光部との関係を説明する図、第６図はビームと受
光素子出力の関係を説明する図、第７，８図は本
発明のビーム位置検知方法の制御を説明する図で
ある。 １……半導体レーザー、２……コリメータレン
ズ、３……ポリゴンミラー、４……fθ……レン
ズ、５……ミラー、６……感光ドラム、Ｂ……ビ
ーム、Ｅ……受光素子。
示す図、第２，３図はマルチビーム走査装置のビ
ーム位置検知の一例として本発明者により提案検
討された方法を説明する図、第４図は複数のビー
ムの発光部と被走査面上における相互の関係を示
す図、第５，９図は本発明各実施例のビームと受
光部との関係を説明する図、第６図はビームと受
光素子出力の関係を説明する図、第７，８図は本
発明のビーム位置検知方法の制御を説明する図で
ある。 １……半導体レーザー、２……コリメータレン
ズ、３……ポリゴンミラー、４……fθ……レン
ズ、５……ミラー、６……感光ドラム、Ｂ……ビ
ーム、Ｅ……受光素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも２つの変調可能なビームによつて
被走査面を同時に、かつ、各ビームの照射が副走
査方向においてオーバーラツプするように走査す
るマルチビーム走査装置において、 各ビームによる被走査面の照射が主走査方向に
ずれるように構成するとともに、 少なくとも２つのビームを同時に受光可能な大
きさの受光部により各ビームを順次検知し、各ビ
ームが検知される毎にその検知されたビームを消
灯するようにしたビーム位置検知方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13652182A JPS5926006A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | マルチビ−ム走査装置におけるビ−ム位置検知方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13652182A JPS5926006A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | マルチビ−ム走査装置におけるビ−ム位置検知方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5926006A JPS5926006A (ja) | 1984-02-10 |
| JPH0357453B2 true JPH0357453B2 (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=15177117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13652182A Granted JPS5926006A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | マルチビ−ム走査装置におけるビ−ム位置検知方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5926006A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022025022A1 (ja) | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 日本食品化工株式会社 | 糖のエピメリ化反応触媒用の酵素剤、エピメリ化反応生成物の製造方法およびエピメリ化反応生成物 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62262816A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Ricoh Co Ltd | ２ビ−ム検出方法 |
| DE69733279T2 (de) * | 1997-02-06 | 2006-01-19 | Optrand, Inc., Plymouth | Kraftstoffeinspritzeinheiten mit integrierten faseroptischen drucksensoren und zugeordnete kompensations-und uberwachungsvorrichtungen |
| JP3535686B2 (ja) * | 1997-03-03 | 2004-06-07 | 株式会社リコー | マルチビームレーザ走査装置 |
| JPH1152262A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Hitachi Koki Co Ltd | 光走査装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57102609A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-25 | Canon Inc | Method and device for scanning using plural number of beams |
-
1982
- 1982-08-04 JP JP13652182A patent/JPS5926006A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022025022A1 (ja) | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 日本食品化工株式会社 | 糖のエピメリ化反応触媒用の酵素剤、エピメリ化反応生成物の製造方法およびエピメリ化反応生成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5926006A (ja) | 1984-02-10 |
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