JPH0360649B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明はプラスチツクモールド形成方法、詳し
くはモールド金型に近接して加熱炉を配置し、プ
ラスチツク材を金型内で短時間の加熱の後前記加
熱炉内で引続き加熱硬化するモールド形成方法に
関する。

(2) 技術の背景 第１図の平面図に示す如きリードフレームを用
いる半導体集積回路ICが多用されている。なお
これらの図において、１はプラスチツクモール
ド、２は半導体チツプ（この半導体チツプはモー
ルド１に覆われて外からは見えない）、３はリー
ド、４は送り用のクレードルを示す。なお半導体
チツプ２の所定の部分は図示しないボンデイング
ワイヤによりリード３のそれぞれに接続されてい
る。

かかる半導体ICを製造する工程においてモー
ルド１の形成のためにモールド装置を用いる。第
２図には摸式的にかかるモールド装置金型の下型
１１が平面図で示され、同図において、１２はプ
ラスチツクが注入されるカル、１３は溶融プラス
チツクが流れる流路に当るランナを示し、半導体
ICはランナ１３の両側に対になつて配置される。
実際の使用においてはより多くのランナが形成さ
れ、より多くの半導体ICに樹脂封止がされるの
であるが、図においてこれらは簡略化して示し
た。

操作においては、モールド装置を摸式的に断面
図で示す第３図を参照すると、半導体ICを第２
図図示の如く配置し、金型加圧用プレス１４で加
圧した後プラスチツクを注入シリンダ１５から注
入し、プラスチツクが半ば硬化した後製品を取り
出し、恒温槽にて完全にキユアする。なお第３図
において１１Ａは上型を示す。

(3) 従来技術と問題点 前記したプラスチツクは注入時の温度が70〜80
℃であり、これが160〜180℃に加熱された金型内
に１〜２分間程度おかれると半ば硬化する。とい
うことは、モールド金型と加圧用プレスを含むモ
ールド装置は、プラスチツク注入後は単にプラス
チツクを硬化させる加熱のためにのみ用いられ、
そのとき１〜２分の時間が浪費される。これは、
モールド装置が非常に高価であることを計算にい
れると、設備のための投資が十分に活用されてい
ないことを意味する。また作業効率の見地からも
１〜２分の加熱時間はなんら活用されていないこ
とになる。

(4) 発明の目的 本発明は上記従来の問題点に鑑み、高価な設備
の稼働率を高めると同時に、プラスチツクの完全
硬化を、一定室温におく工程を経ることなく実施
し得るモールド形成方法を提供するにある。

(5) 発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、モールド金
型とプレスを含むモールド装置は本来のプラスチ
ツク注入作業にのみ使用し、プラスチツクが金型
内で取り扱い可能な程度に、すなわちモールドが
変形しない程度に硬化した後、プラスチツクの温
度を下げることなく金型に近接して設けられた加
熱炉に投入してプラスチツク硬化を実施するモー
ルド形成方法によつて達成される。

(6) 発明の実施例 以下本発明実施例を図面によつて詳述する。

第４図には本発明の方法を実施するために用い
るモールド装置が摸式的に断面図で示され、同図
において既に図示したものと同じ部分は同じ符号
を付して示す。

プラスチツク注入シリンダ１３から従来技術の
場合と同様にプラスチツクを注入する。このとき
のプラスチツク材の温度は前記した如く70〜80℃
である。他方、金型すなわち下型１１と上型１１
Ａとは160〜180℃に加熱されている。このような
条件において、プラスチツクは例えば10〜20秒で
取り扱い可能な程度に、すなわちモールドが変形
しない程度に硬化する。

従来技術においては、前記したプラスチツクの
硬化に例えば60〜90秒要し、その間中モールド金
型とプレスを含むモールド装置はただプラスチツ
クの硬化のための用しかなさなかつたものであ
る。本願の発明者は、第５図の線図に示される溶
融プラスチツクの硬度の経時変化の特徴に着目し
た。すなわち、図のグラフのボートの底またはＵ
字の底の如き領域Ａにおいて、プラスチツク硬度
は時間が経過してもほとんど変化しない。そして
従来技術においては、プラスチツク硬度がこの状
態にあるとき60〜90秒もの間金型内に放置された
のである。モールド装置は現在千万円台の高価な
ものであつて、そのような高価な装置が場合によ
つては２分も遊んだままで放置されることは無駄
が多い。

本願の発明者は更に、プラスチツクが160〜180
℃に加熱された金型内に10〜20秒置かれると、取
り扱い可能な程度に硬化することに着目した。そ
して本発明の方法においては、プラスチツク注入
後、10〜20秒経過しプラスチツクモールドが変形
しない程度の硬さになつたところで、プラスチツ
クモールドを金型から取り出し、室温にて放置す
ることなくモールド装置の直ぐ近くに配置された
加熱炉１６に移す。この加熱炉１６はプラスチツ
クを注入したときの金型温度（160〜180℃）と同
程度に加熱しておき、この加熱炉内で従来金型内
で進行したと同様のプラスチツクの硬化を進める
のである。

かかる加熱炉１６は第４図には摸式的に示され
るが、その内部は160〜180℃に加熱されれば足り
るから公知の技術で容易に作成し得る。また半導
体ICの移動は、例えば図示しないチヤツク手段
でそれをコンベヤ１７上にのせ、このコンベヤに
よつて加熱炉１６内に移す。加熱炉１６内に例え
ば90秒おいてプラスチツクが十分に硬化した後半
導体ICは従来と同様恒温槽に移す。かくして、
本発明の方法における経時関係は次式で要約され
得るが、この式において左辺は本発明の方法によ
る場合、右辺は従来技術による場合である。（金
型内時間）＋（加熱炉内時間）＝（従来の金型内時
間） (7) 発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明の方法に
よる半導体ICのモールド形成においては、モー
ルドがモールド装置の金型内に留まる時間が大幅
に短縮されるので、高価な装置の稼動率を高めつ
つプラスチツクの完全硬化が実現され、半導体
IC製造の歩留りの向上に硬化大である。

なお上記の説明においては半導体ICを例にと
つたが、本発明の適用範囲はその場合に限られる
ものでなく、プラスチツクモールド形成のその他
のあらゆる場合にも適用可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は半導体ICの平面図、第２図はモール
ド装置金型の下型の摸式的平面図、第３図は従来
のモールド装置の摸式図断面図、第４図は本発明
の方法を実施するために用いるモールド装置と加
熱炉の結合システムの摸式的断面図、第５図は溶
融プラスチツクの硬度と時間との関係を示す線図
である。 １……プラスチツクモールド、１１……下型、
１１Ａ……上型、１２……カル、１３……ラン
ナ、１４……金型加圧用プレス、１５……プラス
チツク注入シリンダ、１６……加熱炉、１７……
コンベヤ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ モールド金型と金型加圧用プレスとから成る
   モールド装置を用いてプラスチツクモールドを形
   成する方法において、前記モールド装置に近接し
   て加熱炉を設け、該モールド装置に注入したプラ
   スチツク材が変形しない程度に硬化するまで前記
   金型内に留め、しかる後当該プラスチツク材を前
   記金型とほぼ同じ温度に加熱した加熱炉に移して
   硬化せしめることを特徴とするプラスチツクモー
   ルド形成方法。