JPH0367339B2 - - Google Patents
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- JPH0367339B2 JPH0367339B2 JP59219902A JP21990284A JPH0367339B2 JP H0367339 B2 JPH0367339 B2 JP H0367339B2 JP 59219902 A JP59219902 A JP 59219902A JP 21990284 A JP21990284 A JP 21990284A JP H0367339 B2 JPH0367339 B2 JP H0367339B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体素子の組立方法及びその装置
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a method and apparatus for assembling a semiconductor device.
従来の半導体素子の組立方法では、第６図に示
す如く、リードフレーム１のマウント床に装着さ
れた半導体ペレツト２上の電極パツド３と外部リ
ード４との接続は、金線で作られたボンデイング
線５を架設することにより行われている。このよ
うにボンデイング線５に金線を採用するもので
は、次のような問題がある。
In the conventional semiconductor device assembly method, as shown in FIG. 6, the connection between the electrode pad 3 on the semiconductor pellet 2 mounted on the mounting floor of the lead frame 1 and the external lead 4 is made by bonding made of gold wire. This is done by constructing a line 5. In this way, the bonding wire 5 made of gold wire has the following problems.
高温でボンデイング線５の架設を行うと、
Al製の電極パツド３とボンデイング線５の接
合部に金とアルミニウムの化合物が生じる。こ
のため接合部で電気特性の劣化が生じる。 When the bonding wire 5 is installed at high temperature,
A compound of gold and aluminum is generated at the joint between the electrode pad 3 made of Al and the bonding wire 5. This causes deterioration of electrical characteristics at the joint.
金線からなるボンデイング線５自身に酸化が
起きない場合であつても、接合部の電気特性の
劣化によつて半導体素子の信頼性が低下する。 Even if the bonding wire 5 itself made of gold wire is not oxidized, the reliability of the semiconductor device is reduced due to the deterioration of the electrical characteristics of the bonding portion.
金とアルミニウムの化合物はボンデイング処
理後の放置された状態下でも発生するため、電
気特性の安定した半導体素子が得られない。 Since a compound of gold and aluminum is generated even when the bonding process is left unattended, a semiconductor element with stable electrical characteristics cannot be obtained.
金線は高価であるため、製造価格が高くな
る。 Since gold wire is expensive, manufacturing costs are high.
このような問題を解消するために特願昭55−
88318号公報にて被ボンデイング領域を選択的に
活性化することにより、銅線からなるボンデイン
グ線と銅製のリードフレーム間でボンデイング線
の架設を行う技術が開示されている。しかしなが
ら、この技術ではボンデイング線の方に発生する
酸化物によつて接合不良が発生すると共に、ボン
デイング線の先端部に所定のボールを形成するの
が難しいため、接合不良を招く問題がある。更
に、各々のボンデイング処理毎に被ボンデイング
領域の活性化を行うため、作業性が悪い。 In order to solve this problem, a special patent application was filed in 1983.
Japanese Patent No. 88318 discloses a technique for constructing a bonding wire between a copper wire and a copper lead frame by selectively activating a region to be bonded. However, this technique has problems in that bonding defects occur due to oxides generated on the bonding wire, and that it is difficult to form a predetermined ball at the tip of the bonding wire, resulting in bonding defects. Furthermore, since the bonding target region is activated for each bonding process, workability is poor.
また、特願昭57−51237号公報では、ボンデイ
ング線を導出するキヤピラリの先端部を還元雰囲
気に保たれたカバー内に導入して、所望形状のボ
ールを形成すると共にボンデイング線の酸化防止
をしてボンデイング処理を行う技術が開示されて
いる。しかしながら、この技術では還元雰囲気を
保つためのカバーを含んだ複雑な機構が必要とな
り、１秒以下の処理速度で行われるボンデイング
処理の下では、故障が起き易すく保守管理に手間
を要する問題がある。また、外部リードが形成さ
れたリードフレーム側の酸化物を除去できないた
め、銅線からなるボンデイング線と銅製のリード
フレームとの間では信頼性の高いボンデイング処
理を行うことができない問題がある。 Furthermore, in Japanese Patent Application No. 57-51237, the tip of a capillary leading out the bonding wire is introduced into a cover kept in a reducing atmosphere to form a ball of a desired shape and to prevent the bonding wire from oxidizing. A technique for performing a bonding process is disclosed. However, this technology requires a complicated mechanism including a cover to maintain a reducing atmosphere, and when bonding is performed at a processing speed of less than 1 second, it is prone to breakdowns and requires time-consuming maintenance. be. Furthermore, since the oxide on the lead frame side where the external leads are formed cannot be removed, there is a problem in that highly reliable bonding cannot be performed between a bonding wire made of copper wire and a lead frame made of copper.
本発明は、半導体ペレツトに高い信頼性と高い
強度の下に、しかも安価にワイヤボンデイングを
施すことができる半導体素子の組立方法及びその
装置を提供することをその目的とするものであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method and apparatus for assembling semiconductor elements, which can perform wire bonding on semiconductor pellets with high reliability, high strength, and at low cost.
本発明は、リードフレームの搬送路、ボンデイ
ング処理を行うボンデイング処理部及びボンデイ
ング線を導出するキヤピラリの周辺領域を常に十
分な還元雰囲気に保つことにより、半導体ペレツ
トに高い信頼性と高い強度の下に、しかも安価に
ワイヤボンデイングを行うことができる半導体素
子の組立方法及びその装置である。
The present invention provides semiconductor pellets with high reliability and high strength by always maintaining a sufficient reducing atmosphere in the lead frame conveyance path, the bonding processing section that performs the bonding process, and the surrounding area of the capillary that leads out the bonding wire. Moreover, the present invention provides a method and apparatus for assembling a semiconductor element, which allows wire bonding to be performed at low cost.
以下、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は、本発明方法及びその装置をリードフ
レームの移動順路に従つて示す説明図である。図
中１０は、リードフレーム１１を搬送する搬送路
である。搬送路１０内には例えばガス源からN2
とH210％のような還元性のガスが連続的に供給
され、十分に還元性の雰囲気に保たれる。搬送路
１０内には、ダイボンデイング部１２、ワイヤボ
ンデイング部１３、ポストボンデイング部１４が
所定の間隔を設けて配置されている。ダイボンデ
イング部の搬送路１０の天井部には、半導体ペレ
ツト１５をダイボンデイング部１２に供給するコ
レツト等の把持具が出入する窓１６が開口してい
る。ワイヤボンデイング部１３の搬送路１０の天
井部には、ボンデイング線１７を供給するキヤピ
ラリ１８をボンデイング部１３内に出入させるた
めの窓１９が開口されている。ポストボンデイン
グ部１４の搬送路１０の天井部は、ボンデイング
線１７をリードフレーム１１の外部リード２１側
に熱圧着させるための押圧具２０が出入する窓２
２が開口されている。また、搬送路１１の床部に
は、ガイドレール等からなる搬送手段が設けられ
ている。ダイボンデイング部１２、ワイヤボンデ
イング部、ポストボンデイング部１４の床部に
は、リードフレーム１１を所定温度に加熱するた
めのヒータ２３，２４，２５が内蔵されている。 FIG. 1 is an explanatory diagram showing the method and apparatus of the present invention according to the moving route of a lead frame. Reference numeral 10 in the figure is a conveyance path for conveying the lead frame 11. For example, N2 is supplied from a gas source into the conveyance path 10.
A reducing gas such as 10% and H 2 is continuously supplied to maintain a sufficiently reducing atmosphere. In the conveyance path 10, a die bonding section 12, a wire bonding section 13, and a post bonding section 14 are arranged at predetermined intervals. A window 16 is opened in the ceiling of the conveyance path 10 of the die bonding section through which a gripping tool such as a collet for supplying semiconductor pellets 15 to the die bonding section 12 enters and exits. A window 19 is opened in the ceiling of the conveyance path 10 of the wire bonding section 13 for allowing a capillary 18 for supplying the bonding wire 17 to enter and exit the bonding section 13. The ceiling of the conveyance path 10 of the post bonding section 14 is provided with a window 2 through which a pressing tool 20 for thermocompression bonding the bonding wire 17 to the external lead 21 side of the lead frame 11 enters and exits.
2 is open. Further, on the floor of the conveyance path 11, a conveyance means consisting of a guide rail or the like is provided. Heaters 23, 24, and 25 for heating the lead frame 11 to a predetermined temperature are built into the floor portions of the die bonding section 12, the wire bonding section, and the post bonding section 14.
而して、先ず、リードフレーム１１を搬送手段
によりダイボンデイング部１２に供給する。リー
ドフレーム１１は、無酸素銅、リン脱酸銅、Cu
−20％Au等の銅または銅合金で形成されている。
ダイボンデイング部１２に供給されたリードフレ
ーム１１は、ヒータ２３で所定温度に加熱され
る。この状態で窓１６から半導体ペレツト１５が
供給され、リードフレーム１１のマウント部に半
田層２６を介して半導体ペレツト１５が装着され
る。 First, the lead frame 11 is supplied to the die bonding section 12 by the conveying means. The lead frame 11 is made of oxygen-free copper, phosphorus-deoxidized copper, Cu
-Made of copper or copper alloy such as 20% Au.
The lead frame 11 supplied to the die bonding section 12 is heated to a predetermined temperature by the heater 23. In this state, the semiconductor pellet 15 is supplied through the window 16, and is mounted on the mount portion of the lead frame 11 via the solder layer 26.
次に、第２図Ａに示す如く、半導体ペレツト１
５が装着されたリードフレーム１１は、ワイヤボ
ンデイング部１３に供給される。ワイヤボンデイ
ング部１３の所定位置に設定されると、リードフ
レーム１１はヒータ２４によつて約300℃に加熱
され、半導体ペレツト１５上の電極も所定温度に
加熱される。次いで、窓１９の入口部までキヤピ
ラリ１８が降下し、窓１９の近傍に設けられたバ
ーナー２８によりキヤピラリ１８の先端部から導
出したボンデイング線１７の先端部分にボール２
９を形成する。ボンデイング線１７は、無酸素
銅、リン脱酸銅、Cu−20％Au等の銅または銅合
金で形成されている。ここで、バーナー２８は、
第３図に示す如く、外管２８ａとこれよりも僅に
内側に入つた内管２８ｂとからなる２重構造を有
している。内管２８ｂからはH2とO2の混合ガス
が噴出して酸水素炎３０を形成し、この酸水素炎
３０によりボール２９を形成するようになつてい
る。外管２８ａからは空気が噴出し、酸水素炎３
０を囲むエアカーテン３１を形成している。而し
て、バーナー２８によるボール２９の形成は、窓
１９を構成する可動カバー３２でボンデイング線
１７の先端部を囲みながら、ワイヤボンデイング
部から噴上げる還元性ガス３３の雰囲気内でエア
カーテン３１に包まれた酸水素炎３０によつて行
われる。 Next, as shown in FIG. 2A, the semiconductor pellet 1
The lead frame 11 to which the lead frame 5 is attached is supplied to the wire bonding section 13. When set at a predetermined position in the wire bonding section 13, the lead frame 11 is heated to about 300 DEG C. by the heater 24, and the electrodes on the semiconductor pellet 15 are also heated to a predetermined temperature. Next, the capillary 18 is lowered to the entrance of the window 19, and a burner 28 installed near the window 19 attaches the ball 2 to the tip of the bonding wire 17 led out from the tip of the capillary 18.
form 9. The bonding wire 17 is made of copper or copper alloy such as oxygen-free copper, phosphorus-deoxidized copper, Cu-20% Au, or the like. Here, the burner 28 is
As shown in FIG. 3, it has a double structure consisting of an outer tube 28a and an inner tube 28b slightly inside. A mixed gas of H 2 and O 2 is ejected from the inner tube 28b to form an oxyhydrogen flame 30, and the ball 29 is formed by this oxyhydrogen flame 30. Air blows out from the outer tube 28a, and an oxyhydrogen flame 3
An air curtain 31 surrounding 0 is formed. Thus, the formation of the ball 29 by the burner 28 is carried out by enclosing the tip of the bonding wire 17 with the movable cover 32 constituting the window 19, and applying it to the air curtain 31 in the atmosphere of the reducing gas 33 spouted from the wire bonding part. This is carried out by a wrapped oxyhydrogen flame 30.
次に、キヤピラリ１８を降下して電極パツド２
７上にボール２９の部分を介してボンデイング線
１７を熱圧着する。この時、ボール２９はボンデ
イング線１７を押し出す荷重に応じて第４図Ａに
示す如く、少なくともボール２９の肉厚の0.5〜
3μｍの厚さｘだけ電極パツド２７内に食込んだ
状態で押し漬されて扁平な形状となつて電極パツ
ド２７と一体化する。この扁平な端部２９の喰込
み深さｘは、例えば電極パツド２７が厚さ１〜
3μのAl層応で形成されており、ボンデイング線
１７が25μｍφの銅線である場合、80〜100ｇの
荷重をボンデイング線１７に加えると0.5〜3μｍ
の範囲に設定することができる。 Next, the capillary 18 is lowered to the electrode pad 2.
The bonding wire 17 is thermocompression bonded onto the ball 7 via the ball 29 portion. At this time, the ball 29 depends on the load pushing out the bonding wire 17, as shown in FIG.
It is pressed into the electrode pad 27 by a thickness x of 3 μm and is pressed into a flat shape to be integrated with the electrode pad 27. The biting depth x of the flat end portion 29 is, for example, such that the electrode pad 27 has a thickness of 1 to
If the bonding wire 17 is a copper wire with a diameter of 25 μm, if a load of 80 to 100 g is applied to the bonding wire 17, the thickness of the bonding wire 17 will be 0.5 to 3 μm.
It can be set to a range of .
次に、第２図Ｂに示す如く、キヤピラリ１８を
引き上げて窓１９の部分でバーナー２８によりボ
ンデイング線１７を所定の長さに切断すると共
に、電極パツド２７に接続したボンデイング線１
７ａの端部及びキヤピラリ１８側に残つたボンデ
イング線１７ｂの端部にボール２９ａ，２９ｂを
夫々形成する。この時もボンデイング線１７ａ，
１７ｂは、還元性ガス３３で囲まれている。 Next, as shown in FIG. 2B, the capillary 18 is pulled up and the bonding wire 17 is cut to a predetermined length using the burner 28 at the window 19, and the bonding wire 17 connected to the electrode pad 27 is removed.
Balls 29a and 29b are formed at the end of bonding wire 7a and the end of bonding wire 17b remaining on the capillary 18 side, respectively. At this time as well, the bonding wire 17a,
17b is surrounded by reducing gas 33.
次に、第２図Ｃに示す如く、ボンデイング線１
７ａを外部リード２１側に所定の角度で折曲して
ホーミングしてから、リードフレーム１１を次の
ポストボンデイング部１４に供給する。このとき
搬送路１０内の雰囲気ガスの温度は、200〜300℃
に保たれている。 Next, as shown in FIG. 2C, bonding wire 1
7a is bent at a predetermined angle toward the external lead 21 and homed, and then the lead frame 11 is supplied to the next post bonding section 14. At this time, the temperature of the atmospheric gas in the conveyance path 10 is 200 to 300°C.
is maintained.
次に、第２図Ｄに示す如く、リードフレーム１
１がポストボンデイン部１４の所定位置に設定さ
れたところで、これを約300℃以上の温度で加熱
しながら、押圧具２０を窓２２から挿入降下し、
ホーミングされたボンデイング線１７ａの端部の
ボール２９ａを部分を外部リード２１に熱圧着す
る。こととき、ボール２９ａには300〜500ｇの荷
重を加えて、第４図Ｂに示す如く、外部リード２
１にボール２９ａを20〜50μｍの深さまで喰込ま
れる。このポストボンデイング処理の際にも押圧
具２０は可動カバー３２で囲まれており、押圧具
２０、ボール２９ａ及びボンデイング線１７ａ
は、還元性ガス３３で包まれている。このように
して銅または銅合金からなるリードフレーム１１
に装着された半導体ペレツト１５に、銅または銅
合金からなるボンデイング線１７を架設する。 Next, as shown in FIG. 2D, the lead frame 1
1 is set at a predetermined position in the post bonding part 14, the pressing tool 20 is inserted and lowered through the window 22 while heating it at a temperature of about 300° C. or more,
A portion of the ball 29a at the end of the homed bonding wire 17a is bonded to the external lead 21 by thermocompression. At this time, a load of 300 to 500 g is applied to the ball 29a, and as shown in FIG. 4B, the external lead 2
1, the ball 29a is bitten to a depth of 20 to 50 μm. During this post bonding process, the pressing tool 20 is surrounded by a movable cover 32, and includes the pressing tool 20, the ball 29a, and the bonding line 17a.
is surrounded by reducing gas 33. In this way, the lead frame 11 made of copper or copper alloy
A bonding wire 17 made of copper or a copper alloy is installed on the semiconductor pellet 15 attached to the semiconductor pellet.
このようにしてボンデイング線１７を架設した
半導体素子では、第５図に示す高温放置試験での
不良品発生特性線Ａから明らかなように200℃の
温度下で200時間放置しても不良品は全く発生し
なかつた。これに対して従来の方法でボンデイン
グ線の架設をした半導体素子では不良品発生特性
線Ｂから明らかなように、100時間放置後には不
良品が25％発生し、200時間後には50％の不良品
が発生した。 In the semiconductor device in which the bonding wires 17 are installed in this way, no defective products occur even if the semiconductor device is left at a temperature of 200°C for 200 hours, as is clear from the defect occurrence characteristic line A in the high temperature storage test shown in FIG. It didn't happen at all. On the other hand, in semiconductor devices with bonding lines constructed using the conventional method, 25% of the products are defective after being left for 100 hours, and 50% of the products are defective after 200 hours, as is clear from the defective product occurrence characteristic line B. A good product was found.
また、本発明方法では、銅または銅合金からな
るボンデイング線１７を架設するので、引張り強
度は13〜15ｇであり金線の５〜９ｇに比べ２〜
2.5倍向上させることができる。 In addition, in the method of the present invention, since the bonding wire 17 made of copper or copper alloy is constructed, the tensile strength is 13 to 15 g, which is 2 to 2 g compared to 5 to 9 g for gold wire.
It can be improved by 2.5 times.
また、本発明方法では、銅または銅合金からな
るボンデイング線１７を使用するので、電極パツ
ド２７との接合部においてアルミニウム−金の化
合物が発生する虞れはなく、ボンデイング時の温
度を150〜450℃の高音域に設定することができ
る。その結果、ボンデイング線１７と電極パツド
２７及び外部リード２１との接合を良好にして半
導体素子の電気特性を向上させることができる。 Furthermore, in the method of the present invention, since the bonding wire 17 made of copper or copper alloy is used, there is no possibility that an aluminum-gold compound will be generated at the joint with the electrode pad 27, and the temperature at the time of bonding is set at 150 to 450. Can be set in the treble range of °C. As a result, it is possible to improve the bonding between the bonding wire 17, the electrode pad 27, and the external lead 21, thereby improving the electrical characteristics of the semiconductor element.
また、銅または銅合金からなるボンデイング線
１７を使用するので製造コストを低減させること
ができる。 Furthermore, since the bonding wire 17 made of copper or copper alloy is used, manufacturing costs can be reduced.
なお、実施例では、ワイヤボンデイングとポス
トボンデイングの前にボンデイング線１７にボー
ル２９を予め形成しておく所謂ボールツーボール
方式のボンデイング手段を使用した場合について
説明したが、本発明は、この他にもワイヤボンデ
イング後のボンデイング線１７の切断をキヤピラ
リ１８のエツジ部分で行う所謂ウエツジ方式のボ
ンデイング手段を採用しても良いことは勿論であ
る。 In addition, in the embodiment, a case has been described in which a so-called ball-to-ball type bonding means is used, in which a ball 29 is formed in advance on the bonding line 17 before wire bonding and post bonding, but the present invention is also applicable to other methods. It goes without saying that a so-called wedge type bonding means in which the bonding wire 17 is cut at the edge portion of the capillary 18 after wire bonding may be employed.
以上説明した如く、本発明に係る半導体素子の
組立方法及びその装置によれば、半導体ペレツト
に高い信頼性と高い強度の下に、しかも安価にワ
イヤボンデイングを施すことができるものであ
る。
As described above, according to the method and apparatus for assembling a semiconductor element according to the present invention, wire bonding can be performed on semiconductor pellets with high reliability and high strength at a low cost.
第１図は、本発明の実施例の概略構成を示す説
明図、第２図Ａ乃至同図Ｄは、本発明方法及びそ
の装置の主な工程を示す説明図、第３図は、本発
明方法及びその装置で使用するバーナーの炎の状
態を示す説明図、第４図Ａ，Ｂは、本発明方法及
びその装置で接続されたボンデイング線の接続部
を示す説明図、第５図は、不良品発生率と時間と
の関係を示す特性図、第６図は、従来方法でボン
デイング線を架設したリードフレームの要部を示
す斜視図である。
１０……搬送路、１１……リードフレーム、１
２……ダイボンデイング部、１３……ワイヤボン
デイング部、１４……ポストボンデイング部、１
５……半導体ペレツト、１６，１９，２２……
窓、１７……ボンデイング線、１８……キヤピラ
リ、２０……押圧具、２１……外部リード、２
３，２４，２５……ヒータ、２６……半田層、２
７……電極パツド、２８……バーナー、２９……
ボール、３０……酸水素炎、３１……エアカーテ
ン、３２……可動カバー、３３……還元性ガス。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of an embodiment of the present invention, FIGS. 2A to 2D are explanatory diagrams showing the main steps of the method and apparatus of the present invention, and FIG. 3 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of an embodiment of the present invention. FIGS. 4A and 4B are explanatory diagrams showing the state of the flame of the burner used in the method and the device; FIG. FIG. 6, which is a characteristic diagram showing the relationship between the defective product incidence rate and time, is a perspective view showing the main part of a lead frame in which a bonding line is installed using a conventional method. 10... Conveyance path, 11... Lead frame, 1
2...Die bonding part, 13...Wire bonding part, 14...Post bonding part, 1
5... Semiconductor pellets, 16, 19, 22...
Window, 17... Bonding wire, 18... Capillary, 20... Pressing tool, 21... External lead, 2
3, 24, 25...Heater, 26...Solder layer, 2
7... Electrode pad, 28... Burner, 29...
Ball, 30...Oxyhydrogen flame, 31...Air curtain, 32...Movable cover, 33...Reducing gas.
Claims (1)
ドフレーム、及び銅若しくは銅合金製のボンデイ
ング線を使用して半導体素子を組立てる方法であ
つて、 前記リードフレームに前記半導体ペレツトを接
着する為のダイボンデイング部、前記半導体ペレ
ツトに前記ボンデイング線の一方の端部を接着す
る為のワイヤボンデイング部、及び、前記リード
フレームに前記ボンデイング線の他方の端部を接
着する為のポストボンデイング部、を搬送路に沿
つて一体的に順次形成し、且つ前記搬送路全体を
還元性ガス雰囲気の概ね閉鎖された空間として形
成し、前記搬送路に沿つて前記リードフレームを
搬送する工程と、 前記ダイボンデイング部において、前記還元性
ガス雰囲気中で、前記リードフレームを加熱しな
がら前記リードフレーム上に半田層を介して前記
半導体ペレツトを接着する工程と、 前記ワイヤボンデイング部において、前記ボン
デイング線の原材を供給すると共に、前記還元性
ガス雰囲気中で、前記ボンデイング線の前記一方
の端部を加熱してボール状に変形する工程と、 前記ワイヤボンデイング部において、前記還元
性ガス雰囲気中で、前記リードフレームを加熱し
ながら前記ボンデイング線の前記一方の端部を前
記半導体ペレツトに対して熱圧着する工程と、 前記ワイヤボンデイング部において、前記還元
性ガス雰囲気中で、前記ボンデイング線の原材を
所定寸法に溶断し、前記ボンデイング線の前記他
方の端部を得る工程と、 前記ポストボンデイング部において、前記還元
性ガス雰囲気中で、前記リードフレームを加熱し
ながら前記ボンデイング線の前記他方の端部を前
記リードフレームに対して熱圧着する工程と、 を具備することを特徴とする半導体素子の組立方
法。 ２ 半導体ペレツト、銅若しくは銅合金製のリー
ドフレーム、及び銅若しくは銅合金製のボンデイ
ング線を使用して半導体素子を組立てる装置であ
つて、 前記リードフレームを搬送する為の搬送手段を
有すると共に、全体が還元性ガス雰囲気の概ね閉
鎖された空間を形成する搬送路と、 前記搬送路に沿つて一体的に順次形成された、
前記リードフレームに前記半導体ペレツトを接着
する為のダイボンデイング部、前記半導体ペレツ
トに前記ボンデイング線の一方の端部を接着する
為のワイヤボンデイング部、及び、前記リードフ
レームに前記ボンデイング線の他方の端部を接着
する為のポストボンデイング部と、 前記リードフレームを加熱する為、前記ダイボ
ンデイング部、ワイヤボンデイング部、及びポス
トボンデイング部に配設されたヒータと、 前記リードフレーム上に前記半導体ペレツトを
供給する為、前記ダイボンデイング部に配設され
たペレツト供給部材と、 前記ボンデイング線を供給すると共に、前記半
導体ペレツトに対して前記ボンデイング線の前記
一方の端部を押圧する為、前記ワイヤボンデイン
グ部に配設された上下駆動型のキヤピラリと、 前記ボンデイング線を溶断すると共に前記ボン
デイング線の端部を加熱してボール状に変形する
為、前記ワイヤボンデイング部に配設されたバー
ナーと、 前記ボンデイング線の前記他方の端部を前記リ
ードフレームに押圧する為、前記ポストボンデイ
ング部に配設された押圧具と、 を具備することを特徴とする半導体素子の組立装
置。[Scope of Claims] 1. A method for assembling a semiconductor element using a semiconductor pellet, a lead frame made of copper or a copper alloy, and a bonding wire made of copper or a copper alloy, the method comprising bonding the semiconductor pellet to the lead frame. a die bonding section for bonding one end of the bonding wire to the semiconductor pellet; and a post bonding section for bonding the other end of the bonding wire to the lead frame. , integrally and sequentially formed along a conveyance path, and forming the entire conveyance path as a generally closed space with a reducing gas atmosphere, and conveying the lead frame along the conveyance path; a step of bonding the semiconductor pellet onto the lead frame via a solder layer while heating the lead frame in the reducing gas atmosphere in the die bonding section; supplying a material and heating the one end of the bonding wire in the reducing gas atmosphere to deform it into a ball shape; bonding the one end of the bonding wire to the semiconductor pellet by thermocompression while heating the lead frame; and in the wire bonding section, the raw material of the bonding wire is heated to a predetermined value in the reducing gas atmosphere. fusing to size to obtain the other end of the bonding wire; and in the post bonding section, heating the lead frame in the reducing gas atmosphere while cutting the other end of the bonding wire. A method for assembling a semiconductor device, comprising the steps of thermocompression bonding to the lead frame. 2. An apparatus for assembling semiconductor elements using semiconductor pellets, a lead frame made of copper or a copper alloy, and a bonding wire made of copper or a copper alloy, which has a conveying means for conveying the lead frame, and also has a conveying means for conveying the lead frame, and a conveyance path forming a generally closed space with a reducing gas atmosphere; and integrally formed sequentially along the conveyance path.
a die bonding part for bonding the semiconductor pellet to the lead frame; a wire bonding part for bonding one end of the bonding wire to the semiconductor pellet; and the other end of the bonding wire to the lead frame. a post bonding section for bonding the lead frame; a heater disposed in the die bonding section, wire bonding section, and post bonding section for heating the lead frame; and supplying the semiconductor pellet onto the lead frame. In order to supply the bonding wire and press the one end of the bonding wire against the semiconductor pellet, a pellet supply member disposed in the die bonding section is provided. a vertically driven capillary disposed therein; a burner disposed in the wire bonding section for fusing the bonding wire and heating the end portion of the bonding wire to deform it into a ball shape; An apparatus for assembling a semiconductor device, comprising: a pressing tool disposed in the post bonding section for pressing the other end of the lead frame against the lead frame.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219902A JPS6197937A (en) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | Method for assembling semiconductor element |
| US06/759,273 US4732313A (en) | 1984-07-27 | 1985-07-26 | Apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| EP85109406A EP0169574B1 (en) | 1984-07-27 | 1985-07-26 | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
| DE8585109406T DE3577371D1 (en) | 1984-07-27 | 1985-07-26 | APPARATUS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT. |
| KR1019850005537A KR900000205B1 (en) | 1984-10-19 | 1985-07-31 | Method for assembling semiconductor element |
| CN85106110A CN85106110B (en) | 1984-10-19 | 1985-08-13 | Apparatus for manufacturing semiconductor device and method of use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219902A JPS6197937A (en) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | Method for assembling semiconductor element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197937A JPS6197937A (en) | 1986-05-16 |
| JPH0367339B2 true JPH0367339B2 (en) | 1991-10-22 |
Family
ID=16742820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59219902A Granted JPS6197937A (en) | 1984-07-27 | 1984-10-19 | Method for assembling semiconductor element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197937A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2016028417A (en) * | 2014-07-11 | 2016-02-25 | ローム株式会社 | Electronic equipment |
| JP6810222B2 (en) * | 2014-07-11 | 2021-01-06 | ローム株式会社 | Electronic device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52142485A (en) * | 1976-05-21 | 1977-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | Wire bonding device |
| JPS58223339A (en) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | Toshiba Corp | Wire bonding method of semiconductor pellet |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP59219902A patent/JPS6197937A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6197937A (en) | 1986-05-16 |
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