Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPH0367339B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPH0367339B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0367339B2
JPH0367339B2 JP59219902A JP21990284A JPH0367339B2 JP H0367339 B2 JPH0367339 B2 JP H0367339B2 JP 59219902 A JP59219902 A JP 59219902A JP 21990284 A JP21990284 A JP 21990284A JP H0367339 B2 JPH0367339 B2 JP H0367339B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
lead frame
wire
bonding wire
section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59219902A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6197937A (ja
Inventor
Mitsuo Kobayashi
Osamu Usuda
Yoshihiko Sano
Koichiro Atsumi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP59219902A priority Critical patent/JPS6197937A/ja
Priority to US06/759,273 priority patent/US4732313A/en
Priority to EP85109406A priority patent/EP0169574B1/en
Priority to DE8585109406T priority patent/DE3577371D1/de
Priority to KR1019850005537A priority patent/KR900000205B1/ko
Priority to CN85106110A priority patent/CN85106110B/zh
Publication of JPS6197937A publication Critical patent/JPS6197937A/ja
Publication of JPH0367339B2 publication Critical patent/JPH0367339B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07173—Means for moving chips, wafers or other parts, e.g. conveyor belts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07511—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07521—Aligning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531—Techniques
    • H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5525—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体素子の組立方法及びその装置
に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来の半導体素子の組立方法では、第６図に示
す如く、リードフレーム１のマウント床に装着さ
れた半導体ペレツト２上の電極パツド３と外部リ
ード４との接続は、金線で作られたボンデイング
線５を架設することにより行われている。このよ
うにボンデイング線５に金線を採用するもので
は、次のような問題がある。
高温でボンデイング線５の架設を行うと、
Al製の電極パツド３とボンデイング線５の接
合部に金とアルミニウムの化合物が生じる。こ
のため接合部で電気特性の劣化が生じる。
金線からなるボンデイング線５自身に酸化が
起きない場合であつても、接合部の電気特性の
劣化によつて半導体素子の信頼性が低下する。
金とアルミニウムの化合物はボンデイング処
理後の放置された状態下でも発生するため、電
気特性の安定した半導体素子が得られない。
金線は高価であるため、製造価格が高くな
る。
このような問題を解消するために特願昭55−
88318号公報にて被ボンデイング領域を選択的に
活性化することにより、銅線からなるボンデイン
グ線と銅製のリードフレーム間でボンデイング線
の架設を行う技術が開示されている。しかしなが
ら、この技術ではボンデイング線の方に発生する
酸化物によつて接合不良が発生すると共に、ボン
デイング線の先端部に所定のボールを形成するの
が難しいため、接合不良を招く問題がある。更
に、各々のボンデイング処理毎に被ボンデイング
領域の活性化を行うため、作業性が悪い。
また、特願昭57−51237号公報では、ボンデイ
ング線を導出するキヤピラリの先端部を還元雰囲
気に保たれたカバー内に導入して、所望形状のボ
ールを形成すると共にボンデイング線の酸化防止
をしてボンデイング処理を行う技術が開示されて
いる。しかしながら、この技術では還元雰囲気を
保つためのカバーを含んだ複雑な機構が必要とな
り、１秒以下の処理速度で行われるボンデイング
処理の下では、故障が起き易すく保守管理に手間
を要する問題がある。また、外部リードが形成さ
れたリードフレーム側の酸化物を除去できないた
め、銅線からなるボンデイング線と銅製のリード
フレームとの間では信頼性の高いボンデイング処
理を行うことができない問題がある。
〔発明の目的〕
本発明は、半導体ペレツトに高い信頼性と高い
強度の下に、しかも安価にワイヤボンデイングを
施すことができる半導体素子の組立方法及びその
装置を提供することをその目的とするものであ
る。
〔発明の概要〕
本発明は、リードフレームの搬送路、ボンデイ
ング処理を行うボンデイング処理部及びボンデイ
ング線を導出するキヤピラリの周辺領域を常に十
分な還元雰囲気に保つことにより、半導体ペレツ
トに高い信頼性と高い強度の下に、しかも安価に
ワイヤボンデイングを行うことができる半導体素
子の組立方法及びその装置である。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
第１図は、本発明方法及びその装置をリードフ
レームの移動順路に従つて示す説明図である。図
中１０は、リードフレーム１１を搬送する搬送路
である。搬送路１０内には例えばガス源からN2
とH210％のような還元性のガスが連続的に供給
され、十分に還元性の雰囲気に保たれる。搬送路
１０内には、ダイボンデイング部１２、ワイヤボ
ンデイング部１３、ポストボンデイング部１４が
所定の間隔を設けて配置されている。ダイボンデ
イング部の搬送路１０の天井部には、半導体ペレ
ツト１５をダイボンデイング部１２に供給するコ
レツト等の把持具が出入する窓１６が開口してい
る。ワイヤボンデイング部１３の搬送路１０の天
井部には、ボンデイング線１７を供給するキヤピ
ラリ１８をボンデイング部１３内に出入させるた
めの窓１９が開口されている。ポストボンデイン
グ部１４の搬送路１０の天井部は、ボンデイング
線１７をリードフレーム１１の外部リード２１側
に熱圧着させるための押圧具２０が出入する窓２
２が開口されている。また、搬送路１１の床部に
は、ガイドレール等からなる搬送手段が設けられ
ている。ダイボンデイング部１２、ワイヤボンデ
イング部、ポストボンデイング部１４の床部に
は、リードフレーム１１を所定温度に加熱するた
めのヒータ２３，２４，２５が内蔵されている。
而して、先ず、リードフレーム１１を搬送手段
によりダイボンデイング部１２に供給する。リー
ドフレーム１１は、無酸素銅、リン脱酸銅、Cu
−20％Au等の銅または銅合金で形成されている。
ダイボンデイング部１２に供給されたリードフレ
ーム１１は、ヒータ２３で所定温度に加熱され
る。この状態で窓１６から半導体ペレツト１５が
供給され、リードフレーム１１のマウント部に半
田層２６を介して半導体ペレツト１５が装着され
る。
次に、第２図Ａに示す如く、半導体ペレツト１
５が装着されたリードフレーム１１は、ワイヤボ
ンデイング部１３に供給される。ワイヤボンデイ
ング部１３の所定位置に設定されると、リードフ
レーム１１はヒータ２４によつて約300℃に加熱
され、半導体ペレツト１５上の電極も所定温度に
加熱される。次いで、窓１９の入口部までキヤピ
ラリ１８が降下し、窓１９の近傍に設けられたバ
ーナー２８によりキヤピラリ１８の先端部から導
出したボンデイング線１７の先端部分にボール２
９を形成する。ボンデイング線１７は、無酸素
銅、リン脱酸銅、Cu−20％Au等の銅または銅合
金で形成されている。ここで、バーナー２８は、
第３図に示す如く、外管２８ａとこれよりも僅に
内側に入つた内管２８ｂとからなる２重構造を有
している。内管２８ｂからはH2とO2の混合ガス
が噴出して酸水素炎３０を形成し、この酸水素炎
３０によりボール２９を形成するようになつてい
る。外管２８ａからは空気が噴出し、酸水素炎３
０を囲むエアカーテン３１を形成している。而し
て、バーナー２８によるボール２９の形成は、窓
１９を構成する可動カバー３２でボンデイング線
１７の先端部を囲みながら、ワイヤボンデイング
部から噴上げる還元性ガス３３の雰囲気内でエア
カーテン３１に包まれた酸水素炎３０によつて行
われる。
次に、キヤピラリ１８を降下して電極パツド２
７上にボール２９の部分を介してボンデイング線
１７を熱圧着する。この時、ボール２９はボンデ
イング線１７を押し出す荷重に応じて第４図Ａに
示す如く、少なくともボール２９の肉厚の0.5〜
3μｍの厚さｘだけ電極パツド２７内に食込んだ
状態で押し漬されて扁平な形状となつて電極パツ
ド２７と一体化する。この扁平な端部２９の喰込
み深さｘは、例えば電極パツド２７が厚さ１〜
3μのAl層応で形成されており、ボンデイング線
１７が25μｍφの銅線である場合、80〜100ｇの
荷重をボンデイング線１７に加えると0.5〜3μｍ
の範囲に設定することができる。
次に、第２図Ｂに示す如く、キヤピラリ１８を
引き上げて窓１９の部分でバーナー２８によりボ
ンデイング線１７を所定の長さに切断すると共
に、電極パツド２７に接続したボンデイング線１
７ａの端部及びキヤピラリ１８側に残つたボンデ
イング線１７ｂの端部にボール２９ａ，２９ｂを
夫々形成する。この時もボンデイング線１７ａ，
１７ｂは、還元性ガス３３で囲まれている。
次に、第２図Ｃに示す如く、ボンデイング線１
７ａを外部リード２１側に所定の角度で折曲して
ホーミングしてから、リードフレーム１１を次の
ポストボンデイング部１４に供給する。このとき
搬送路１０内の雰囲気ガスの温度は、200〜300℃
に保たれている。
次に、第２図Ｄに示す如く、リードフレーム１
１がポストボンデイン部１４の所定位置に設定さ
れたところで、これを約300℃以上の温度で加熱
しながら、押圧具２０を窓２２から挿入降下し、
ホーミングされたボンデイング線１７ａの端部の
ボール２９ａを部分を外部リード２１に熱圧着す
る。こととき、ボール２９ａには300〜500ｇの荷
重を加えて、第４図Ｂに示す如く、外部リード２
１にボール２９ａを20〜50μｍの深さまで喰込ま
れる。このポストボンデイング処理の際にも押圧
具２０は可動カバー３２で囲まれており、押圧具
２０、ボール２９ａ及びボンデイング線１７ａ
は、還元性ガス３３で包まれている。このように
して銅または銅合金からなるリードフレーム１１
に装着された半導体ペレツト１５に、銅または銅
合金からなるボンデイング線１７を架設する。
このようにしてボンデイング線１７を架設した
半導体素子では、第５図に示す高温放置試験での
不良品発生特性線Ａから明らかなように200℃の
温度下で200時間放置しても不良品は全く発生し
なかつた。これに対して従来の方法でボンデイン
グ線の架設をした半導体素子では不良品発生特性
線Ｂから明らかなように、100時間放置後には不
良品が25％発生し、200時間後には50％の不良品
が発生した。
また、本発明方法では、銅または銅合金からな
るボンデイング線１７を架設するので、引張り強
度は13〜15ｇであり金線の５〜９ｇに比べ２〜
2.5倍向上させることができる。
また、本発明方法では、銅または銅合金からな
るボンデイング線１７を使用するので、電極パツ
ド２７との接合部においてアルミニウム−金の化
合物が発生する虞れはなく、ボンデイング時の温
度を150〜450℃の高音域に設定することができ
る。その結果、ボンデイング線１７と電極パツド
２７及び外部リード２１との接合を良好にして半
導体素子の電気特性を向上させることができる。
また、銅または銅合金からなるボンデイング線
１７を使用するので製造コストを低減させること
ができる。
なお、実施例では、ワイヤボンデイングとポス
トボンデイングの前にボンデイング線１７にボー
ル２９を予め形成しておく所謂ボールツーボール
方式のボンデイング手段を使用した場合について
説明したが、本発明は、この他にもワイヤボンデ
イング後のボンデイング線１７の切断をキヤピラ
リ１８のエツジ部分で行う所謂ウエツジ方式のボ
ンデイング手段を採用しても良いことは勿論であ
る。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明に係る半導体素子の
組立方法及びその装置によれば、半導体ペレツト
に高い信頼性と高い強度の下に、しかも安価にワ
イヤボンデイングを施すことができるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例の概略構成を示す説
明図、第２図Ａ乃至同図Ｄは、本発明方法及びそ
の装置の主な工程を示す説明図、第３図は、本発
明方法及びその装置で使用するバーナーの炎の状
態を示す説明図、第４図Ａ，Ｂは、本発明方法及
びその装置で接続されたボンデイング線の接続部
を示す説明図、第５図は、不良品発生率と時間と
の関係を示す特性図、第６図は、従来方法でボン
デイング線を架設したリードフレームの要部を示
す斜視図である。 １０……搬送路、１１……リードフレーム、１
２……ダイボンデイング部、１３……ワイヤボン
デイング部、１４……ポストボンデイング部、１
５……半導体ペレツト、１６，１９，２２……
窓、１７……ボンデイング線、１８……キヤピラ
リ、２０……押圧具、２１……外部リード、２
３，２４，２５……ヒータ、２６……半田層、２
７……電極パツド、２８……バーナー、２９……
ボール、３０……酸水素炎、３１……エアカーテ
ン、３２……可動カバー、３３……還元性ガス。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体ペレツト、銅若しくは銅合金製のリー
    ドフレーム、及び銅若しくは銅合金製のボンデイ
    ング線を使用して半導体素子を組立てる方法であ
    つて、 前記リードフレームに前記半導体ペレツトを接
    着する為のダイボンデイング部、前記半導体ペレ
    ツトに前記ボンデイング線の一方の端部を接着す
    る為のワイヤボンデイング部、及び、前記リード
    フレームに前記ボンデイング線の他方の端部を接
    着する為のポストボンデイング部、を搬送路に沿
    つて一体的に順次形成し、且つ前記搬送路全体を
    還元性ガス雰囲気の概ね閉鎖された空間として形
    成し、前記搬送路に沿つて前記リードフレームを
    搬送する工程と、 前記ダイボンデイング部において、前記還元性
    ガス雰囲気中で、前記リードフレームを加熱しな
    がら前記リードフレーム上に半田層を介して前記
    半導体ペレツトを接着する工程と、 前記ワイヤボンデイング部において、前記ボン
    デイング線の原材を供給すると共に、前記還元性
    ガス雰囲気中で、前記ボンデイング線の前記一方
    の端部を加熱してボール状に変形する工程と、 前記ワイヤボンデイング部において、前記還元
    性ガス雰囲気中で、前記リードフレームを加熱し
    ながら前記ボンデイング線の前記一方の端部を前
    記半導体ペレツトに対して熱圧着する工程と、 前記ワイヤボンデイング部において、前記還元
    性ガス雰囲気中で、前記ボンデイング線の原材を
    所定寸法に溶断し、前記ボンデイング線の前記他
    方の端部を得る工程と、 前記ポストボンデイング部において、前記還元
    性ガス雰囲気中で、前記リードフレームを加熱し
    ながら前記ボンデイング線の前記他方の端部を前
    記リードフレームに対して熱圧着する工程と、 を具備することを特徴とする半導体素子の組立方
    法。 ２ 半導体ペレツト、銅若しくは銅合金製のリー
    ドフレーム、及び銅若しくは銅合金製のボンデイ
    ング線を使用して半導体素子を組立てる装置であ
    つて、 前記リードフレームを搬送する為の搬送手段を
    有すると共に、全体が還元性ガス雰囲気の概ね閉
    鎖された空間を形成する搬送路と、 前記搬送路に沿つて一体的に順次形成された、
    前記リードフレームに前記半導体ペレツトを接着
    する為のダイボンデイング部、前記半導体ペレツ
    トに前記ボンデイング線の一方の端部を接着する
    為のワイヤボンデイング部、及び、前記リードフ
    レームに前記ボンデイング線の他方の端部を接着
    する為のポストボンデイング部と、 前記リードフレームを加熱する為、前記ダイボ
    ンデイング部、ワイヤボンデイング部、及びポス
    トボンデイング部に配設されたヒータと、 前記リードフレーム上に前記半導体ペレツトを
    供給する為、前記ダイボンデイング部に配設され
    たペレツト供給部材と、 前記ボンデイング線を供給すると共に、前記半
    導体ペレツトに対して前記ボンデイング線の前記
    一方の端部を押圧する為、前記ワイヤボンデイン
    グ部に配設された上下駆動型のキヤピラリと、 前記ボンデイング線を溶断すると共に前記ボン
    デイング線の端部を加熱してボール状に変形する
    為、前記ワイヤボンデイング部に配設されたバー
    ナーと、 前記ボンデイング線の前記他方の端部を前記リ
    ードフレームに押圧する為、前記ポストボンデイ
    ング部に配設された押圧具と、 を具備することを特徴とする半導体素子の組立装
    置。
JP59219902A 1984-07-27 1984-10-19 半導体素子の組立方法及びその装置 Granted JPS6197937A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59219902A JPS6197937A (ja) 1984-10-19 1984-10-19 半導体素子の組立方法及びその装置
US06/759,273 US4732313A (en) 1984-07-27 1985-07-26 Apparatus and method for manufacturing semiconductor device
EP85109406A EP0169574B1 (en) 1984-07-27 1985-07-26 Apparatus for manufacturing semiconductor device
DE8585109406T DE3577371D1 (de) 1984-07-27 1985-07-26 Apparat zum herstellen einer halbleiteranordnung.
KR1019850005537A KR900000205B1 (ko) 1984-10-19 1985-07-31 결속상태가 개선된 반도체 장치의 제조장치
CN85106110A CN85106110B (zh) 1984-10-19 1985-08-13 制造半导体器件的装置及其使用方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59219902A JPS6197937A (ja) 1984-10-19 1984-10-19 半導体素子の組立方法及びその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6197937A JPS6197937A (ja) 1986-05-16
JPH0367339B2 true JPH0367339B2 (ja) 1991-10-22

Family

ID=16742820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59219902A Granted JPS6197937A (ja) 1984-07-27 1984-10-19 半導体素子の組立方法及びその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6197937A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63314837A (ja) * 1987-06-18 1988-12-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JP2016028417A (ja) * 2014-07-11 2016-02-25 ローム株式会社 電子装置
JP6810222B2 (ja) * 2014-07-11 2021-01-06 ローム株式会社 電子装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52142485A (en) * 1976-05-21 1977-11-28 Mitsubishi Electric Corp Wire bonding device
JPS58223339A (ja) * 1982-06-22 1983-12-24 Toshiba Corp 半導体ペレツトのワイヤボンデイング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6197937A (ja) 1986-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0169574B1 (en) Apparatus for manufacturing semiconductor device
JP2631013B2 (ja) バンプ形成方法
JPH0367339B2 (ja)
JPH0367340B2 (ja)
JPH0354855B2 (ja)
JPH0462456B2 (ja)
JPS6158246A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS61172343A (ja) ワイヤボンデイング方法及び装置
JPS62152143A (ja) バンプ形成方法
KR900000205B1 (ko) 결속상태가 개선된 반도체 장치의 제조장치
JPH0468548A (ja) 被覆線のワイヤボンデイング装置
JPS61119053A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP3457196B2 (ja) ボールボンディング方法
JPH0587976B2 (ja)
JPH0325019B2 (ja)
JPS5925232A (ja) ワイヤボンディング装置
JPS60177639A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05343446A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS59172732A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH01251628A (ja) ボンディング装置
JPH0527977B2 (ja)
JPS61253827A (ja) 半導体素子の組立方法
JPS6154637A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH06120388A (ja) 半導体装置のリード成形方法および装置
JP2978852B2 (ja) 半導体装置のワイヤボンディング接続方法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term