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JPH0370357B2 - - Google Patents
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JPH0370357B2 - - Google Patents

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JPH0370357B2
JPH0370357B2 JP8871284A JP8871284A JPH0370357B2 JP H0370357 B2 JPH0370357 B2 JP H0370357B2 JP 8871284 A JP8871284 A JP 8871284A JP 8871284 A JP8871284 A JP 8871284A JP H0370357 B2 JPH0370357 B2 JP H0370357B2
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JP
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radio waves
frequency oscillator
frequency
reflected
heating chamber
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Masaaki Yamaguchi
Shigeru Kusuki
Tomotaka Nobue
Takahiro Matsumoto
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はトランジスタ等の半導体素子を用いた
高周波発振器を用いた高周波加熱装置にかかり、
高周波発振器で発生した高周波を加熱装置へ導く
給電回路の改善に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] Industrial Application Field The present invention relates to a high-frequency heating device using a high-frequency oscillator using a semiconductor element such as a transistor.
This invention relates to improvement of a power supply circuit that guides high frequency waves generated by a high frequency oscillator to a heating device.

従来例の構成とその問題点 従来、高周波加熱装置として広く民生用に用い
られている電子レンジの場合、そのほとんどが高
周波発振器としてマイクロ波真空管であるマグネ
トロンを使用しているが、近年トランジスタ技術
の進歩に伴い、トランジスタ等の半導体素子で高
周波発振器を構成し、低電圧化、軽量小型化、長
寿命化を図ることが検討されている。
Conventional configurations and their problems Conventional microwave ovens, which have been widely used as high-frequency heating devices for consumer use, have mostly used magnetrons, which are microwave vacuum tubes, as high-frequency oscillators, but in recent years transistor technology has improved. As technology advances, studies are underway to construct high-frequency oscillators using semiconductor elements such as transistors to achieve lower voltage, lighter weight, smaller size, and longer life.

しかしながらこうしたトランジスタの電波発生
能力は一般に使用周波数fの一乗から二乗に比例
して低下すると言われ、従来の電子レンジに使用
されている2450MHzの周波数帯で大出力、高効率
のトランジスタを作ることは困難が大きい。従つ
てトランジスタ化をはるかには、現在の技術をも
つてしても、もう一つのI・S・M周波数帯であ
る915MHz帯という低い周波数を使わざるを得な
いのが現状である。
However, it is said that the radio wave generation ability of such transistors generally decreases in proportion to the first to the second power of the operating frequency f, and it is difficult to create high-output, high-efficiency transistors in the 2450MHz frequency band used in conventional microwave ovens. The difficulty is great. Therefore, even with the current technology, the current situation is that transistorization requires the use of the low frequency of the 915MHz band, which is another ISM frequency band.

トランジスタ等の固体素子を用いた高周波発振
器を使用した高周波加熱装置の場合、第1図のよ
うに、高周波発振器1と加熱室3へ電波を放出す
るアンテナ2の間にサーキユレータ7と無反射終
端8を介在させる構成を取るのが一般的である。
In the case of a high-frequency heating device using a high-frequency oscillator using a solid-state element such as a transistor, as shown in FIG. It is common to use a configuration in which

このようにサーキユレータ7といつた高価な部
品を使用する理由は、次の通りである。まず第1
にトランジスタ等の固体素子を用いた高周波発振
器1そのものが、反射電力に対して弱いこと、第
2に固体化する上で必然的な915MHz帯電波の使
用によりアンテナ2から加熱室3側を見た定在波
比(インピーダンス)も負荷量の変化にかかわら
ず常に低い値に抑えておくことは、2450MHz帯の
電波を使用する場合以上に困難となる。以上2つ
の理由により、加熱室3から反射して来る電波を
全て無反射終端8へ吸収して高周波発振器1へ電
波を戻させない構成を取るのが、トランジスタ化
電子レンジの従来の構成である。
The reason for using such an expensive component such as the circulator 7 is as follows. First of all
Second, the high-frequency oscillator 1 itself, which uses solid-state elements such as transistors, is vulnerable to reflected power.Secondly, the use of 915MHz radio waves, which is necessary for solid-state production, makes the heating chamber 3 side visible from the antenna 2. Keeping the standing wave ratio (impedance) at a low value regardless of changes in load is even more difficult than when using radio waves in the 2450MHz band. For the above two reasons, the conventional configuration of a transistorized microwave oven is such that all the radio waves reflected from the heating chamber 3 are absorbed into the non-reflection terminal 8 and the radio waves are not returned to the high frequency oscillator 1.

ここで、915MHzを利用すると2450MHzを使用
するのに比較して、インピーダンス整合を取るの
が困難となる理由について若干述べておく。
915MHzの場合波長が2450MHzの約3倍の33cmで
あり、本発明にかかる一般民生用の高周波加熱装
置の場合、その加熱室の大きさに波長がほぼ対応
する。このため2450MHzに比較して加熱室3で共
振可能なモード数が大巾に減少し、従つて被加熱
物4が変わると、アンテナ2から加熱室3側を見
たインピーダンスが大巾に変動する。このため特
に軽負荷や空に近い状態を含めて、インピーダン
ス整合を取ることは2450MHzの場合以上に困難
で、サーキユレータが無ければ、発振器1から出
た電波は、負荷状態によつては大部分が反射して
戻つて来ることになる。
Here, I will briefly explain why it is more difficult to achieve impedance matching when using 915MHz than when using 2450MHz.
In the case of 915MHz, the wavelength is 33cm, which is about three times that of 2450MHz, and in the case of the high-frequency heating device for general consumer use according to the present invention, the wavelength almost corresponds to the size of the heating chamber. Therefore, compared to 2450MHz, the number of modes that can resonate in the heating chamber 3 is greatly reduced, and therefore, when the object to be heated 4 changes, the impedance seen from the antenna 2 toward the heating chamber 3 changes greatly. . For this reason, impedance matching is more difficult than at 2450MHz, especially under light loads and near-empty conditions, and without a circulator, most of the radio waves emitted from oscillator 1 will be lost depending on the load condition. It will reflect and come back.

しかしながら、このサーキユレータ7は高価な
部品であるばかりでなく、電子レンジに使用する
数百Wクラスの大電力用のものは、非常に大型で
作り悪いという問題があり、電子レンジのような
高周波加熱装置に半導体化した高周波発振器を使
用する場合の一つの大きな障害となつていた。
However, this circulator 7 is not only an expensive component, but also has the problem that the high-power ones used in microwave ovens, such as several hundred W class, are very large and poorly made. This has been one of the major obstacles when using semiconductor high-frequency oscillators in devices.

発明の目的 本発明は、半導体素子を用いた高周波発振器を
用いた高周波加熱装置において、加熱室からの反
射電波から高周波発振器を保護するために従来必
要とされたサーキユレータを省略可能とすること
を目的としたものである。
Purpose of the Invention An object of the present invention is to provide a high-frequency heating device using a high-frequency oscillator using a semiconductor element, in which a circulator, which is conventionally required to protect the high-frequency oscillator from radio waves reflected from a heating chamber, can be omitted. That is.

発明の構成 上記目的を達成するため、本発明の高周波加熱
装置は、サーキユレータより安価で構成の簡単な
方向性結合器と、これにより分割された電波をそ
れぞれ加熱室内へ導く複数のアンテナ、及び加熱
室から反射して来た電波の一部を吸収するための
無反射終端を設けた構成になつている。
Structure of the Invention In order to achieve the above object, the high-frequency heating device of the present invention includes a directional coupler that is cheaper than a circulator and has a simpler configuration, a plurality of antennas that each guide the divided radio waves into a heating chamber, and a heating device. It is configured with a non-reflection termination to absorb some of the radio waves reflected from the room.

この構成により、方向性結合器という簡単な部
品を使つて加熱室からの反射電力の一部又は全て
を無反射終端で吸収し、高周波発振器への反射の
低減を実現することができる。
With this configuration, a part or all of the reflected power from the heating chamber can be absorbed by the non-reflective termination using a simple component called a directional coupler, and reflection to the high frequency oscillator can be reduced.

実施例の説明 以下、本発明の一実施例を第2図を用いて説明
する。第2図における方向性結合器5のうち代表
的なものに3dBカプラーがあり、この場合、端
子1から入つた電波は2分割されて端子2と端子
3に出力される一方、端子4には出力が現われな
いという働きを有している。このような方向性結
合器の一般的な性質は、各端子における入射波と
反射波の関係を表わすSマトリツクスにより、次
式のように表現される。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. A typical example of the directional coupler 5 in FIG. Its function is that no output appears. The general properties of such a directional coupler are expressed by the following equation using an S matrix that expresses the relationship between the incident wave and the reflected wave at each terminal.

b1 b2 b3 b4=O jβ α O jβ O O α α O O jβ O α jβ Oa1 a2 a3 a4 ……(1) 但し、 α2+β2=1(α、β、実数) 式(1)において、a1,a2,a3,a4は、各端子1,
2,3,4へ入射する電波の振幅と位相を複素量
で表わしたもので、ai・ai *(i=1、2、3、
4)は入射電力となるように規定されている。又
b1,b2,b3,b4は各端子1,2,3,4から出て
行く電波の振幅と位相を表わし、aiと同様bi・bi *
は、出てゆく電波の電力を示す。
b 1 b 2 b 3 b 4 = O jβ α O jβ O O α α O O jβ O α jβ Oa 1 a 2 a 3 a 4 ...(1) However, α2+β2=1 (α, β, real number) Formula In (1), a 1 , a 2 , a 3 , a 4 are each terminal 1,
The amplitude and phase of the radio waves incident on 2, 3, and 4 are expressed as complex quantities, and a i・a i * (i=1, 2, 3,
4) is defined to be the incident power. or
b 1 , b 2 , b 3 , and b 4 represent the amplitude and phase of the radio waves going out from each terminal 1, 2, 3, and 4, and as with a i , b i and b i *
indicates the power of the outgoing radio waves.

上述の方向性結合器の働きに従つて本実施例を
説明する。高周波発振器1で発生した電波は端子
1より方向性結合器5に入る。この電波をa1とす
れば、端子2,3,4に出ていく電波b2,b3,b4
は式(1)で a2=a3=a4=0 とおいて得られ、 b2=jβa1、b3=αa1、b4=0 ……(2) 故に (b2・b2 *)/(a1・a1 *)=β2、 (b3・b3 *)/(a1・a1 *)=α2 ……(3) となる。ここで話を簡単にするため、α2=β2=
1/2である3dBカプラーの場合について考えるこ
ととすれば(以降、簡単のためにα=β=1/√2 の3dBカプラーの場合について説明するがα=β
=1/√2以外の場合も同様の働きをすることは容 易に理解される) (b2・b2 *)/(a1・a1 *)=1/2 (b3・b3 *)/(a1・a1 *)=1/2 (b4・b4 *)/(a1・a1 *)=0 ……(4) となり、端子1から入つた電波は2分割されて端
子2,3より出ていく一方、端子4には現われな
い。
This embodiment will be explained according to the function of the above-mentioned directional coupler. Radio waves generated by the high frequency oscillator 1 enter the directional coupler 5 from the terminal 1. If this radio wave is a 1 , the radio waves coming out to terminals 2, 3, and 4 are b 2 , b 3 , b 4
is obtained by setting a 2 = a 3 = a 4 = 0 in equation (1), and b 2 = jβa 1 , b 3 = αa 1 , b 4 = 0...(2) Therefore, (b 2・b 2 * )/( a1a1 * )=β2, ( b3b3 * )/( a1a1 * )=α2...(3). To simplify the discussion here, α2=β2=
If we consider the case of a 3 dB coupler where α = β = 1/√2 (for simplicity, we will explain the case of a 3 dB coupler where α = β = 1/√2, but α = β
It is easy to understand that the same function works in cases other than = 1/√2) (b 2・ b 2 * ) / (a 1・ a 1 * ) = 1/2 (b 3・ b 3 * ) / (a 1 · a 1 * ) = 1/2 (b 4 · b 4 * ) / (a 1 · a 1 * ) = 0 ... (4) Therefore, the radio wave entering from terminal 1 is divided into two. The signal goes out from terminals 2 and 3, but does not appear at terminal 4.

さて、端子2,3から出た電波は、アンテナ2
d,2bを通じて加熱室3内へ放射されるが、各
アンテナから加熱室3側を見たインピーダンス
は、被加熱物4が変わると変動するため常に整合
状態を実現することは不可能である。従つて端子
2,3より出ていつた電波の一部は、反射して再
び方向性結合器5へ戻つて来る。今この反射波の
みを注目して考えるとこれらの反射波は、方向性
結合器5から見た場合、端子2,3への入射波で
あるから、これらをa2′,a3′とおきa1′=a4′=0と
すれば、 と書ける。アンテナ2a,2b、からの反射はア
ンテナ2a,2bを含む加熱室3の設計と被加熱
物4により変化する。端子2,3からアンテナ側
を見た反射係数をP2,P3とし、最も簡単な場合
の一つとして、 P2=P3=Rejo(R、o任意の実数) ……(6) となつたとすると、式(2)の関係を用いて、 式(7)を式(5)に代入すれば b1=0 b4=jbejoa1 ……(8) となり、端子2,3からの反射が式(6)で示される
ように同位相でかつ同振幅であればその反射波は
全て無反射終端6に結合された端子4のみに現わ
れ、高周波発振器1に結合された端子1には現わ
れない。
Now, the radio waves emitted from terminals 2 and 3 are transmitted to antenna 2.
It is radiated into the heating chamber 3 through the antennas d and 2b, but since the impedance seen from each antenna toward the heating chamber 3 changes when the object to be heated 4 changes, it is impossible to always achieve a matching state. Therefore, a part of the radio waves coming out from the terminals 2 and 3 is reflected and returns to the directional coupler 5 again. Now, if we consider only the reflected waves, these reflected waves are incident waves to terminals 2 and 3 when viewed from the directional coupler 5, so we can write them as a 2 ′ and a 3 ′. If a 1 ′=a 4 ′=0, then It can be written as The reflection from the antennas 2a, 2b varies depending on the design of the heating chamber 3 including the antennas 2a, 2b and the object to be heated 4. Let P 2 and P 3 be the reflection coefficients when looking at the antenna side from terminals 2 and 3 , and as one of the simplest cases, P 2 = P 3 = Re jo (R, o arbitrary real numbers) ...(6) Assuming that, using the relationship of equation (2), Substituting equation (7) into equation (5) gives b 1 = 0 b 4 = jbe jo a 1 ...(8), and the reflections from terminals 2 and 3 are in phase as shown in equation (6). and have the same amplitude, all of the reflected waves appear only at the terminal 4 coupled to the non-reflection termination 6, and do not appear at the terminal 1 coupled to the high frequency oscillator 1.

上例と正反対の場合として考えられるのは、 P2=−P3=Rejo(R、o、任意の実数) ……(9) となるときで、反射が同振幅であるが位相が180゜
異なる。式(9)と式(2)の関係から、 式(10)を式(5)に代入すれば、 b1=−Rejoa1 b4=0 ……(11) となり、反射波は全て端子1のみに現われる。
The opposite case to the above example is when P 2 = −P 3 = Re jo (R, o, arbitrary real numbers) ...(9) where the reflections have the same amplitude but the phase is 180゜Different. From the relationship between equation (9) and equation (2), If equation (10) is substituted into equation (5), b 1 =−Re jo a 1 b 4 =0 (11), and all reflected waves appear only at terminal 1.

上記2つの場合は最も単純な条件を設定してみ
たわけであるが、現実にこうした状態が出現する
ことはまずありえず、両者の中間的な状態が実際
には発生すると考えられる。すなわち端子2,3
よりアンテナ2a,2bへ出た電波のうち、イン
ピーダンス不整合のために反射したもののうち、
一部は端子1を通じて高周波発振器1へ、残りは
端子4を通じて無反射終端6で吸収されることに
なる。
Although the simplest conditions have been set in the above two cases, it is highly unlikely that such conditions will actually occur, and it is thought that an intermediate condition between the two will actually occur. That is, terminals 2 and 3
Of the radio waves emitted to the antennas 2a and 2b, those reflected due to impedance mismatch are:
A portion is absorbed by the high-frequency oscillator 1 through the terminal 1, and the rest is absorbed by the non-reflection termination 6 through the terminal 4.

従つて、従来例でもしサーキユレータ7を用い
なければアンテナ2から反射して来た電波の全て
が、高周波発振器1へ戻るのに対し、上述の構成
の場合反射波の一部が無反射終端6で吸収され、
高周波発振器1への反射は大巾に低減される。
Therefore, in the conventional example, if the circulator 7 was not used, all of the radio waves reflected from the antenna 2 would return to the high frequency oscillator 1, whereas in the above configuration, a part of the reflected waves would be transmitted to the non-reflection terminal 6. is absorbed by
Reflection to the high frequency oscillator 1 is greatly reduced.

一方、アンテナ2から加熱室3へ効率良く電波
を供給するためには、被加熱物4の変化にかかわ
らず、できるだけインピーダンス整合を取る必要
があり、915MHz帯の場合、波長と加熱室3との
関係から共振可能モードが大巾に減少して、イン
ピーダンス整合が取り難いことは既に述べた。こ
の問題自身についても、例えば上記実施例では2
つのアンテナ2a,2bによつて給電を行うた
め、それぞれのアンテナが励振し易いモードを持
ち、従つて1つのアンテナ2では実現できない広
範囲でのインピーダンス整合が実現でき、これに
よつても高周波発振器1への反射は大きく低減さ
れる。
On the other hand, in order to efficiently supply radio waves from the antenna 2 to the heating chamber 3, it is necessary to achieve impedance matching as much as possible regardless of changes in the object to be heated. As already mentioned, the number of resonant modes is greatly reduced due to this relationship, making impedance matching difficult. Regarding this problem itself, for example, in the above example, 2
Since power is supplied by two antennas 2a and 2b, each antenna has a mode that is easy to excite, and impedance matching over a wide range that cannot be achieved with one antenna 2 can be achieved. reflections are greatly reduced.

又上述の例では、高周波を2分配して給電する
構成について説明したが、2分配した電波をさら
に2分配する2つの方向性結合器を追加し、全部
で3つの方向性結合器で4分配した電波を4つの
アンテナで給電し、上述の効果をさらに向上する
構成を得ることも可能である。
In addition, in the above example, we explained a configuration in which the high frequency is divided into two and then fed, but two directional couplers are added to further divide the two divided radio waves into two, and a total of three directional couplers are used for four distributions. It is also possible to obtain a configuration in which the above-mentioned effects are further improved by feeding the generated radio waves using four antennas.

発明の効果 上記説明のとおり、本発明の構成によれば、ま
ず加熱室からの反射電波のうち高周波発振器へ戻
るのは一部であり、残りは無反射終端で吸収され
るため、基本的に高周波発振器への反射は小さく
なる。又高周波発振器をトランジスタ等の半導体
素子で構成する場合、従来一般的に利用されてい
る2450MHz帯より低いI.M.S周波数帯である
915MHz帯を使うことになるが、この場合に波長
が従来の2450MHz帯に比して約3倍になるために
励振モード数が少なくなり、インピーダンス整合
を取り難い。この問題に対しても、複数のアンテ
ナで給電しているためそれぞれのアンテナが励振
し易いモードを有することになり、その分だけイ
ンピーダンス整合が取り易く、従つて、高周波発
振器1への反射電力を広い負荷範囲にわたつて小
さくできる。上述の2つの理由により、反射電力
に弱いトランジスタ等の半導体素子で構成した高
周波発振器1を使用した場合にも、サーキユレー
タといたつ高価な部品を使用する必要がなくな
り、安価で信頼性の高い高周波加熱装置をトラン
ジスタ等の半導体素子からなる高周波発振器を用
いて構成可能となる。
Effects of the Invention As explained above, according to the configuration of the present invention, only a part of the reflected radio waves from the heating chamber returns to the high-frequency oscillator, and the rest is absorbed by the non-reflection termination, so basically The reflection to the high frequency oscillator is reduced. In addition, when the high-frequency oscillator is constructed with semiconductor elements such as transistors, the IMS frequency band is lower than the 2450MHz band commonly used in the past.
The 915MHz band will be used, but in this case the wavelength is approximately three times that of the conventional 2450MHz band, so the number of excitation modes is reduced and impedance matching is difficult. To solve this problem, since power is being supplied by multiple antennas, each antenna has a mode that is easy to excite, which makes impedance matching easier, and therefore reduces the reflected power to the high-frequency oscillator 1. Can be made small over a wide load range. For the above two reasons, even when using the high frequency oscillator 1 made of semiconductor elements such as transistors that are susceptible to reflected power, there is no need to use expensive parts such as circulators, and it is possible to generate inexpensive and reliable high frequency oscillators. The heating device can be configured using a high frequency oscillator made of a semiconductor element such as a transistor.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の高周波加熱装置の基本構成図、
第2図は本発明の一実施例を示す高周波加熱装置
の構成図である。 1……高周波発振器、2……アンテナ、3……
加熱室、4……被加熱物、5……方向性結合器、
6……無反射終端、7……サーキユレータ、8…
…無反射終端。
Figure 1 is a basic configuration diagram of a conventional high-frequency heating device.
FIG. 2 is a configuration diagram of a high frequency heating device showing an embodiment of the present invention. 1...High frequency oscillator, 2...Antenna, 3...
heating chamber, 4... object to be heated, 5... directional coupler,
6...Reflection-free termination, 7...Circulator, 8...
…Reflection-free termination.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 半導体素子を用いた高周波発振器と、この高
周波発振器の出力電波を分割する方向性結合器
と、分割された電波をそれぞれ加熱室内へ導くた
めの複数のアンテナと、加熱室からの反射電波の
一部を吸収する無反射終端とからなる高周波加熱
装置。
1 A high-frequency oscillator using a semiconductor element, a directional coupler that splits the output radio waves of this high-frequency oscillator, multiple antennas for guiding each of the split radio waves into the heating chamber, and one of the reflected radio waves from the heating chamber. A high-frequency heating device consisting of a non-reflective termination that absorbs the
JP59088712A 1984-05-02 1984-05-02 High frequency heating device Granted JPS60232692A (en)

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