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JPH0376573B2 - - Google Patents
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JPH0376573B2 - - Google Patents

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JPH0376573B2
JPH0376573B2 JP57074936A JP7493682A JPH0376573B2 JP H0376573 B2 JPH0376573 B2 JP H0376573B2 JP 57074936 A JP57074936 A JP 57074936A JP 7493682 A JP7493682 A JP 7493682A JP H0376573 B2 JPH0376573 B2 JP H0376573B2
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JP
Japan
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tcnq
salt
solid electrolyte
complex salt
electrolytic capacitor
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JP57074936A
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Japanese (ja)
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JPS58191414A (en
Inventor
Shinichi Niwa
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は固体電解コンデンサに関する。 固体電解コンデンサは陽極酸化皮膜を有するア
ルミニウムなどの皮膜形成性金属に固体電解質を
付着した構造を有している。従来より量産化され
ているこの種コンデンサにおいて、それを構成す
る固体電解質はほとんど二酸化マンガンである
が、近年、二酸化マンガンの弱点、即ち二酸化マ
ンガン形成のための熱分解時に皮膜形成性金属の
陽極酸化皮膜が損傷を受けること、又二酸化マン
ガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏しいことな
どを改善する固体電解質として有機半導体、主に
TCNQ塩を用いることが提案された。こゝに、
TCNQとは7,7,8,8テトラシアノキノジ
メタンを意味する。 しかし乍ら、TCNQ塩は通常粉末状の結晶で
あり、その結晶自体高い電導度や上記皮膜の良好
な修復性を示すものの、粉末状結晶であるがため
に加工性に難がある。即ち、皮膜形成性金属に
TCNQ塩の結晶をどの様にして付着するかとい
う問題がある。特に固定電解コンデンサに用いる
皮膜形成性金属は多孔質の場合が多いが、斯る多
孔質金属へのTCNQ塩の一様な含浸的付着は困
難を極める。更に重要なことは、TCNQ塩自体
がその付着作業時に常に変質などによる劣化の危
険性をはらんでいることである。 従来、提案されたTCNQ塩の付着方法は次の
3つに分類できる。 (1) DMF(ジメチルホルムアミド)などの溶媒に
TCNQ塩を溶かした溶液を上記金属に塗布し、
その後乾燥させて溶媒を飛散除去する方法。 (2) TCNQ塩をボールミル等により微細化した
結晶をアルコール等に分散せしめ、それを上記
金属に塗布し乾燥する方法。 (3) TCNQ塩を上記金属に真空蒸着する方法。 上記(1)の方法では、TCNQ塩に対する溶解度
の高いDMFを溶媒に用い、斯る溶媒を例えば100
℃に加熱したとしても、その溶解度は10%が限度
である。このことは箔状の上記金属に必要なだけ
の厚みの固体電解質を付着したり、あるいは多孔
質の上記金属に固体電解質を十分含浸的に付着す
るには何度も塗布、乾燥を繰り返す必要のあるこ
とを意味している。例えば定格1μF用の多孔質金
属の場合、5〜10回の塗布、乾燥で達せられる含
浸率は、二酸化マンガンを固体電解質に用いた場
合の含浸率を100%として、高々30%である。こ
の様な低い含浸率では、金属が多孔質であるにも
拘らずコンデンサの容量値を大きくできない。更
に溶媒を塗布した金属は上記乾燥の度に高温中に
放置されるが、このとき多かれ少なかれTCNQ
塩の変質が起こり、固体電解質の電導度劣化を招
く。加えて、この様にして上記金属に付着形成さ
れる固体電解質はTCNQ塩の微細結晶からなる
ため、実際には塗布溶液中にポリビニルピロリド
ンなどの凝固用樹脂が添加されて上記微細結晶の
付着強度の強化が図られるが、斯る凝固用樹脂は
電気的絶縁物であるため、上記電導動劣化と相佚
つて固体電解質の電導度を更に低いもの(800Ω
cm程度(25℃))になす。 上記(2)の方法では、TCNQ塩の微細化にも限
界があり、上記金属への付着強度が特に弱いの
で、コンデンサの寿命試験において、TCNQ塩
からなる固体電解質が上記金属よりはがれたりし
て、特性の劣化、例えば、tanδの増加や容量減少
が見られる。上記付着強度の強化は、上に述べた
様に凝固用樹脂の採用によりある程度改善される
が、同様に固体電解質の電解度の低下を招く。
又、TCNQ塩からなる微細結晶の分散溶液を用
いるので、特に多孔質金属への含浸率が悪く、超
音波拡散含浸法を用いたとしてもその含浸率は
高々上記(1)の方法と同程度である。 上記(3)の方法では、真空蒸着作業の煩雑さはも
とより、特に多孔質金属への付着には全く不向き
である。 本発明は、全く新規な固体電解コンデンサ、よ
り具体的には、コンデンサ素子と、加熱による溶
融液化状態で前記素子に含浸されたTCNQ錯塩
からなる固体電解質とを含む固体電解コンデンサ
を提供するものである。本発明を実施する際に
は、TCNQ塩を溶融液化することが必要である
が、固体電解質形成のためにこの様にTCNQ塩
を溶融液化することは従来全く考えられていなか
つた。 TCNQ塩のみからなる液体を得る最も実際的
な方法は、当初の形態である粉末状TCNQ塩を
加熱融解による液化することである。しかし乍
ら、単なるTCNQ塩の加熱融解は、TCNQ塩を
熱分解してほとんど電気的絶縁物と化し、コンデ
ンサ用固体電解質の機能を全く無くしてしまう。 本発明は、ある種のTCNQ塩は加熱融解して
も、熱分解するまでに短時間ではあるが、付着作
業にとつては十分な時間的余裕を呈し、従つて斯
る時間内に冷却固化すれば高い電導度を保持する
TCNQ塩からなる固体電解質を得られるという
全く新しい知見に基いている。 TCNQ及びその種々の塩、並びにその製法自
体は、例えば、J.Am.Chem.Soc.、Vol.84、
P3374−3387(1962)に開示されている。TCNQ
塩としては、Mn+(TCNQ-)nで表わされる単
塩と、Mn+(TCNQ-)n(TCNQ)mで表わされ
る錯塩とがある。尚上記Mは有機カチオン、nは
カチオンの価、mは1モルの錯塩に含まれる中性
TCNQのモル数に対応する正の数を夫々意味す
る。 本発明では、しなし乍ら、錯塩の使用がコンデ
ンサ特性にとつてより好ましい。そして、錯塩の
上記mは0.5〜1.5が好ましく、より好ましくは約
1である。 本発明で用いられるTCNQ塩の例としては、
N位を置換したキノリン及びイソキノリンの
TCNQ塩が挙げられる。尚、N位の置換体は、
C2〜C13(炭素数2〜18)のアルキル(例えばエチ
レン、プロピル、ブチル、ペンチル、オクチル、
デシル、オクタデシル)、C5〜C8シクロアルキル
(例えばシクロペンチル、シクロヘキシル)、C3
〜C18アルケン(例えばアリル)、フエニル又はフ
エニル(C1〜C18)アルキル(例えばフエネチル)
の様な炭化水素基である。 本発明で用いられるTCNQ塩のより好ましい
例は、N−n−プロピルキノリンのTCNQ塩、
N−エチルイソキノリンのTCNQ塩、N−イソ
プロピルキノリンのTCNQ塩、N−n−ヘシシ
ルキノリンのTCNQ塩、N−n−プロピルイソ
キノリンのTCNQ塩、N−イソプロピルイソキ
ノリンのTCNQ塩、N−n−ブチルイソキノリ
ンのTCNQ塩である。 本発明で用いられる各種TCNQ塩の融点を下
にP−1〜P−9として示す9種類の塩について
記す。 P−1……N−n−プロピルキノリン+
(TCNQ-)(TCNQ) P−2……N−イソプロピルキノリン+
(TCNQ-)(TCNQ) P−3……N−n−プロピルイソキノリン+
(TCNQ-)(TCNQ) P−4……N−イソプロピルイソキノリン+
(TCNQ-)(TCNQ) P−5……N−nブチルイソキノリン+
(TCNQ-)(TCNQ) P−6……N−エチルキノリン+(TCNQ-
(TCNQ) P−7……N−エチルイソキノリン+
(TCNQ-)(TCNQ) P−8……N−n−ヘキシルキノリン+
(TCNQ-)(TCNQ) P−9……N−n−ヘキシルイソキノリン+
(TCNQ-)(TCNQ)
The present invention relates to solid electrolytic capacitors. A solid electrolytic capacitor has a structure in which a solid electrolyte is attached to a film-forming metal such as aluminum having an anodized film. In this type of capacitor, which has traditionally been mass-produced, the solid electrolyte that makes up the capacitor is mostly manganese dioxide, but in recent years, the weak points of manganese dioxide, namely, the anodization of the film-forming metal during thermal decomposition to form manganese dioxide, have been discovered. Organic semiconductors, mainly used as solid electrolytes to improve the damage to the film and the poor repairability of the anodic oxide film with manganese dioxide.
It was proposed to use TCNQ salt. Here,
TCNQ means 7,7,8,8 tetracyanoquinodimethane. However, TCNQ salt is usually a powdered crystal, and although the crystal itself exhibits high electrical conductivity and good repairability of the above-mentioned film, it is difficult to process because it is a powdered crystal. That is, film-forming metals
The problem is how to attach TCNQ salt crystals. In particular, film-forming metals used in fixed electrolytic capacitors are often porous, but it is extremely difficult to uniformly impregnate TCNQ salt onto such porous metals. What is more important is that TCNQ salt itself always carries the risk of deterioration due to alteration during the adhesion process. Conventionally proposed methods for attaching TCNQ salt can be classified into the following three types. (1) In solvents such as DMF (dimethylformamide)
Apply a solution of TCNQ salt to the above metal,
The method is then dried to remove the solvent by scattering. (2) A method in which fine crystals of TCNQ salt are made using a ball mill or the like and dispersed in alcohol, etc., and then applied to the above metal and dried. (3) A method of vacuum evaporating TCNQ salt onto the above metal. In method (1) above, DMF, which has high solubility for TCNQ salt, is used as a solvent, and such a solvent is
Even when heated to ℃, its solubility is limited to 10%. This means that it is necessary to apply and dry the solid electrolyte many times in order to adhere the necessary thickness of solid electrolyte to the foil-shaped metal, or to adhere the solid electrolyte to the porous metal in a sufficient impregnation manner. It means something. For example, in the case of a porous metal with a rating of 1 μF, the impregnation rate achieved by applying 5 to 10 times and drying is at most 30%, assuming the impregnation rate when manganese dioxide is used as the solid electrolyte as 100%. At such a low impregnation rate, the capacitance value of the capacitor cannot be increased even though the metal is porous. Furthermore, the metal coated with a solvent is left in a high temperature during each drying process, and at this time more or less TCNQ
Deterioration of the salt occurs, leading to deterioration of the conductivity of the solid electrolyte. In addition, since the solid electrolyte that is formed on the metal in this way consists of fine crystals of TCNQ salt, a coagulating resin such as polyvinylpyrrolidone is actually added to the coating solution to increase the adhesion strength of the fine crystals. However, since the coagulating resin is an electrical insulator, the electrical conductivity deteriorates as described above, and the electrical conductivity of the solid electrolyte is lowered (800Ω).
cm (25℃)). In method (2) above, there is a limit to the miniaturization of the TCNQ salt, and the adhesion strength to the above metal is particularly weak, so the solid electrolyte made of TCNQ salt may peel off from the above metal during the capacitor life test. , deterioration of characteristics, such as an increase in tanδ and a decrease in capacity, is observed. Although the above-mentioned enhancement of adhesive strength can be improved to some extent by employing a coagulating resin as described above, it also causes a decrease in the electrolyte of the solid electrolyte.
Furthermore, since a dispersion solution of microcrystals made of TCNQ salt is used, the impregnation rate is particularly poor for porous metals, and even if an ultrasonic diffusion impregnation method is used, the impregnation rate is at most the same as method (1) above. It is. In the method (3) above, not only is the vacuum evaporation work complicated, but it is also completely unsuitable for adhesion to porous metals. The present invention provides a completely new solid electrolytic capacitor, more specifically, a solid electrolytic capacitor including a capacitor element and a solid electrolyte made of a TCNQ complex salt impregnated into the element in a melted and liquefied state by heating. be. When carrying out the present invention, it is necessary to melt and liquefy TCNQ salt, but until now it has not been considered at all to melt and liquefy TCNQ salt in this way for forming a solid electrolyte. The most practical way to obtain a liquid consisting only of TCNQ salt is to liquefy the powdered TCNQ salt in its original form by heating and melting it. However, simply heating and melting the TCNQ salt thermally decomposes the TCNQ salt and turns it into almost an electrical insulator, completely eliminating the function of a solid electrolyte for a capacitor. The present invention shows that even if some TCNQ salts are heated and melted, it takes a short time to thermally decompose, but there is sufficient time for adhesion, and therefore it is possible to cool and solidify within such a time. maintains high conductivity if
This is based on the completely new knowledge that a solid electrolyte made of TCNQ salt can be obtained. TCNQ and its various salts, as well as its production process, are described in, for example, J.Am.Chem.Soc., Vol.84,
P3374-3387 (1962). TCNQ
Salts include a single salt represented by M n+ (TCNQ - )n and a complex salt represented by M n+ (TCNQ - )n (TCNQ)m. In addition, the above M is an organic cation, n is the value of the cation, and m is the neutrality contained in 1 mol of the complex salt.
Each term means a positive number corresponding to the number of moles of TCNQ. In the present invention, however, the use of complex salts is more preferable in terms of capacitor properties. The above m of the complex salt is preferably 0.5 to 1.5, more preferably about 1. Examples of TCNQ salts used in the present invention include:
Quinoline and isoquinoline substituted at N-position
TCNQ salt is mentioned. In addition, the substituent at the N position is
C2 - C13 (2-18 carbon atoms) alkyl (e.g. ethylene, propyl, butyl, pentyl, octyl,
decyl, octadecyl), C5 - C8 cycloalkyl (e.g. cyclopentyl, cyclohexyl), C3
~ C18 alkene (e.g. allyl), phenyl or phenyl( C1 - C18 )alkyl (e.g. phenethyl)
It is a hydrocarbon group such as. More preferred examples of the TCNQ salt used in the present invention include TCNQ salt of N-n-propylquinoline,
TCNQ salt of N-ethylisoquinoline, TCNQ salt of N-isopropylquinoline, TCNQ salt of N-n-hesysylquinoline, TCNQ salt of N-n-propylisoquinoline, TCNQ salt of N-isopropylisoquinoline, TCNQ salt of N-n-butylisoquinoline It is TCNQ salt. The melting points of various TCNQ salts used in the present invention are described below for nine types of salts shown as P-1 to P-9. P-1...N-n-propylquinoline +
(TCNQ - ) (TCNQ) P-2...N-isopropylquinoline +
(TCNQ - ) (TCNQ) P-3...N-n-propylisoquinoline +
(TCNQ - ) (TCNQ) P-4...N-isopropylisoquinoline +
(TCNQ - ) (TCNQ) P-5...N-n butylisoquinoline +
(TCNQ - ) (TCNQ) P-6...N-ethylquinoline + (TCNQ - )
(TCNQ) P-7...N-ethylisoquinoline +
(TCNQ - ) (TCNQ) P-8...N-n-hexylquinoline +
(TCNQ - ) (TCNQ) P-9...N-n-hexylisoquinoline +
(TCNQ - ) (TCNQ)

【表】 上記各塩の製造は例えば次の通りである。N−
アルキルヨードとキノリン(又はイソキノリン)
とを反応させて得られるN−アルキルキノリン
(又はイソキノリン)ヨーダイドとTCNQとを適
当な溶媒(例えばアセトニトリル)中で、適当な
モル比(例えば3:4)で反応させてTCNQ塩
を作る。この塩は不純物が多いので、適当な溶媒
(例えばアセトニトリル)にて82℃以下の温度で
の加熱溶解−冷却−晶出からなる再結晶操作を繰
り返すことにより塩の純度が上げられる。得られ
る結晶は針状又はロツド状の粉末である。 上記反応又は高純度化で用いられる溶媒の種類
により、キノリン(又はイソキノリン)部と
TCNQ部とのモル比は若干変化する。例えば、
反応時及び高純度化作業での溶媒が共にアセトニ
トニルの場合、mが1の錯塩状態のTCNQ塩が
通常得られるが、高純度化作業時のそれがメタノ
ールであると、mが1より小さくなる。上記モル
比は、TCNQ塩にTCNQを粉細混合しても変化
する。例えば、mが1のTCNQ塩に5%の
TCNQを混合した融解固化塩は、mは約1.14とな
る。この様にmが1より若干変化しても使用可能
である。 本発明に含まれないTCNQ塩、例えばHキノ
リン(又はイソキノリン)のTCNQ塩やN−メ
チルキノリン(又はイソキノリン)のTCNQ塩
は加熱すると融解せずに分解するか、あるいは溶
解と同時に分解してしまう。 これに対し、上記の如き本発明の対象とする
TCNQ塩は加熱すると融解して液化状態を呈す
るが、その状態で熱分解するまでに実質的な時間
を要する。この場合の熱分解は突然起こり、塩は
電気的絶縁物と化す。完全に融解後、絶縁化する
までの時間は次の通りである。
[Table] The production of each of the above salts is, for example, as follows. N-
Alkyl iodo and quinoline (or isoquinoline)
A TCNQ salt is prepared by reacting N-alkylquinoline (or isoquinoline) iodide obtained by reacting with TCNQ in a suitable solvent (for example, acetonitrile) at a suitable molar ratio (for example, 3:4). Since this salt contains many impurities, the purity of the salt can be increased by repeating a recrystallization operation consisting of heating, dissolving, cooling, and crystallizing at a temperature of 82° C. or lower in a suitable solvent (eg, acetonitrile). The resulting crystals are needle-shaped or rod-shaped powders. Depending on the type of solvent used in the above reaction or high purification, the quinoline (or isoquinoline) moiety and
The molar ratio with the TCNQ portion varies slightly. for example,
If the solvent used during the reaction and during the purification process is acetonityl, a TCNQ salt in the form of a complex salt with m of 1 is usually obtained, but if methanol is used during the purification process, m becomes smaller than 1. . The above molar ratio changes even if TCNQ is mixed in fine powder with TCNQ salt. For example, 5% of TCNQ salt with m=1
In the melt-solidified salt mixed with TCNQ, m is approximately 1.14. In this way, it can be used even if m changes slightly from 1. TCNQ salts not included in the present invention, such as TCNQ salts of H-quinoline (or isoquinoline) and TCNQ salts of N-methylquinoline (or isoquinoline), decompose without melting when heated, or decompose at the same time as they dissolve. . In contrast, the objects of the present invention as described above
When TCNQ salt is heated, it melts and becomes liquefied, but it takes a substantial amount of time for it to thermally decompose in that state. Thermal decomposition in this case occurs suddenly and the salt becomes an electrical insulator. The time required for insulation after complete melting is as follows.

【表】 但し、加熱は、アルミケースにTCNQ塩の結
晶粉末を詰め、上記温度の金属板上に接触させて
行なつた。 従つて、液化状態のTCNQ塩はその分解前に
冷却固化されねばならない。それにより、高電導
度を有する固体電解質が得られる。例えば、P−
1及びP−2の場合、融点以上で約300℃以下の
温度に加熱され、そして液化完了後1分以内、好
ましくは20秒以内の室温での冷却又は水等の冷媒
中での冷却が開始される。P−3及びP−4、P
−5では、融点以上で約320℃以下の温度に加熱
され液化完了後約4分以内、好ましくは1分以内
に室温での冷却又は水等の冷媒中での冷却が開始
される。 この様に分解前に冷却固化して得られる
TCNQ塩の電導度は次の通りである。
[Table] However, heating was performed by filling an aluminum case with TCNQ salt crystal powder and bringing it into contact with a metal plate at the above temperature. Therefore, TCNQ salt in liquefied state must be cooled and solidified before its decomposition. Thereby, a solid electrolyte with high electrical conductivity is obtained. For example, P-
In the case of 1 and P-2, it is heated to a temperature above the melting point and below about 300°C, and cooling at room temperature or cooling in a refrigerant such as water is started within 1 minute, preferably within 20 seconds after completion of liquefaction. be done. P-3 and P-4, P
-5, it is heated to a temperature above the melting point and below about 320° C., and cooling at room temperature or cooling in a coolant such as water is started within about 4 minutes, preferably within 1 minute after completion of liquefaction. In this way, it is obtained by cooling and solidifying before decomposition.
The conductivity of TCNQ salt is as follows.

【表】 本発明により得られる固体電解質は上記従来法
(1)や(2)の場合の如きTCNQ塩の微細結晶の集り
ではなく、ほゞ多結晶塊状態に近い。又本発明に
より得られる固体電解質は、TCNQ塩本来の性
質、例えば皮膜形成性金属表面の酸化皮膜に対す
る優れた修復性を維持している。 本発明によれば、TCNQ塩を100%溶解した溶
液により皮膜形成性金属へのTCNQ塩の付着を
なすのと同じことであるから、上記従来方法(1)と
は全く異なり、ほとんど1回の付着作業で、上記
金属が箔状のみならず多孔質の場合でも、必要な
量の固体電解質を形成することができ、量産性の
向上はもとより、乾燥の度にTCNQ塩が劣化す
るといつた従来の欠点が克服される。更に、本発
明によれば、固体電解質は多結晶状態に近いか
ら、上記金属への付着力が十分大きく、従つて従
来の如き凝固用樹脂を用いる必要がなく、固体電
解質の不所望な電導度の低下を避けることができ
る。 以下本発明実施例を説明する。 アルミニウム加成箔を陽極箔とし、アルミニウ
ムエツチング箔を陰極箔として、これらをマニラ
紙からなるセパレータと共に巻取つたコンデンサ
素子を準備する。この素子は次いで250℃の恒温
槽中に約4時間放置されて、上記セパレータの炭
化処理がなされる。尚、この処理は素子への固体
電解質の含浸度をより高めるためのものであり、
省略し得るものである。その後上記素子は250℃
程度に予熱しておく。 一方、既述の方法で作成された粉末状の
TCNQ塩(本実施例では上記P−1、P−3、
P−5を使用)を有底円筒状のアルミニウムケー
ス内に充填し、このケースを加熱した金属板上に
載置することによりケース内のTCNQ塩を融解
液化する。 続く工程として、斯る融解液化後、直にに、上
記予熱保持されているコンデンサ素子をケース内
の液化状態のTCNQ塩に挿入し、次いでこのケ
ースを水中に浸漬して急冷する。これによりコン
デンサ素子のセパレータにTCNQ塩が含浸した
状態で固化し、このTCNQ塩は高電導度を示す
固体電解質を形成する。 最後に、陽極リード及び陰極リードの先端を露
出した状態で上記ケースの開口を樹脂封口し、エ
ージングすることにより目的とする固体電解コン
デンサが完了すると 下表に本実施例固体電解コンデンサの特性を示
す。表中、Cap、tanδは夫々120Hzでの静電容量、
損失、ESRは100KHzでの等価直列抵抗、△capは
+25℃のcapに対する静電容量変化率、Lcは25V
印加後15秒後の濡れ電流を夫々意味する。
[Table] The solid electrolyte obtained by the present invention is obtained by the above conventional method.
It is not a collection of microcrystals of TCNQ salt like in cases (1) and (2), but is almost in the state of a polycrystalline mass. Furthermore, the solid electrolyte obtained by the present invention maintains the inherent properties of TCNQ salt, such as excellent repairability for oxide films on film-forming metal surfaces. According to the present invention, it is the same as attaching TCNQ salt to a film-forming metal using a solution containing 100% TCNQ salt. During the adhesion process, the required amount of solid electrolyte can be formed not only when the metal is in the form of a foil but also when it is porous, which not only improves mass productivity but also eliminates the conventional problem of TCNQ salt deteriorating each time it is dried. disadvantages are overcome. Further, according to the present invention, since the solid electrolyte is close to a polycrystalline state, the adhesion force to the metal is sufficiently large, so there is no need to use a conventional coagulating resin, and the undesirable conductivity of the solid electrolyte is eliminated. can be avoided. Examples of the present invention will be described below. A capacitor element is prepared by winding processed aluminum foil as an anode foil and etched aluminum foil as a cathode foil together with a separator made of manila paper. This element is then left in a constant temperature bath at 250° C. for about 4 hours to carbonize the separator. This treatment is intended to further increase the degree of impregnation of the solid electrolyte into the element.
It can be omitted. After that, the above element is heated to 250℃.
Preheat to a certain degree. On the other hand, powdered
TCNQ salt (in this example, the above P-1, P-3,
P-5) was filled into a bottomed cylindrical aluminum case, and the case was placed on a heated metal plate to melt and liquefy the TCNQ salt inside the case. As a subsequent step, immediately after the melting and liquefaction, the preheated capacitor element is inserted into the liquefied TCNQ salt in the case, and then the case is immersed in water to be rapidly cooled. As a result, the separator of the capacitor element is impregnated with TCNQ salt and solidified, and this TCNQ salt forms a solid electrolyte that exhibits high conductivity. Finally, the opening of the case is sealed with resin with the tips of the anode and cathode leads exposed, and the intended solid electrolytic capacitor is completed by aging.The table below shows the characteristics of the solid electrolytic capacitor of this example. . In the table, Cap and tanδ are the capacitance at 120Hz, respectively.
Loss, ESR is equivalent series resistance at 100KHz, △cap is capacitance change rate with respect to cap at +25℃, Lc is 25V
Each means the wetting current 15 seconds after application.

【表】 上記実施例では、コンデンサ素子を構成する箔
金属はアルミニウムであつたが、他の被膜形成性
金属、例えばタンタルやニオブでも良い。 以上の説明より明らから如く、本発明によれ
ば、有機半導体からなる固体電解質を用いた固体
電解コンデンサにおいて、固体電解質の皮膜形成
性金属への含浸付着が簡単な作業で行え、かつ斯
る作業時に固体電解質の劣化も少なく、更に固体
電解質の電導度が優れていることから、温度特
性、周波数特性、特に高周波でのESRなどに優
れたものが得られ十分実用的なものである。
[Table] In the above embodiments, the foil metal constituting the capacitor element was aluminum, but other film-forming metals such as tantalum or niobium may be used. As is clear from the above description, according to the present invention, in a solid electrolytic capacitor using a solid electrolyte made of an organic semiconductor, impregnating and adhering the solid electrolyte to a film-forming metal can be performed with a simple operation, and Since the solid electrolyte has little deterioration and the solid electrolyte has excellent conductivity, it has excellent temperature characteristics, frequency characteristics, especially ESR at high frequencies, and is fully practical.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 コンデンサ素子と、溶媒を含まない溶融液化
状態で前記素子に含浸されるTCNQ錯塩からな
る固体電解質とを含み、上記TCNQ錯塩は加熱
による溶融液化後所定時間の間熱分解することな
く安定状態を保持することを特徴とする固体電解
コンデンサ。 2 特許請求の範囲第1項において、TCNQ錯
塩はN−n−ヘキシルキノリン、N−エチルイソ
キノリン又はN−n−ブチルイソキノリンの
TCNQ錯塩であることを特徴とする固体電解コ
ンデンサ。 3 特許請求の範囲第1項において、上記
TCNQ錯塩は、N位を炭化水素基で置換したキ
ノリン又はイソキノリンのTCNQ錯塩であるこ
とを特徴とする固定電解コンデンサ。 4 特許請求の範囲第3項において、上記炭化水
素基は炭素数2から18までのアルキリ基であるこ
とを特徴とする固体電解コンデンサ。 5 特許請求の範囲第4項において、中性
TCNQと炭素数2から18までのアルキル基でN
位を置換したイソキノリンとのモル比はほぼ1:
1であることを特徴とする固体電解コンデンサ。
[Scope of Claims] 1. A capacitor element, and a solid electrolyte made of a TCNQ complex salt impregnated into the element in a melted and liquefied state without containing a solvent, wherein the TCNQ complex salt is thermally decomposed for a predetermined period of time after being melted and liquefied by heating. A solid electrolytic capacitor that is characterized by maintaining a stable state without causing any damage. 2 In claim 1, the TCNQ complex salt is N-hexylquinoline, N-ethylisoquinoline, or N-butylisoquinoline.
A solid electrolytic capacitor characterized by being a TCNQ complex salt. 3 In claim 1, the above
A fixed electrolytic capacitor characterized in that the TCNQ complex salt is a TCNQ complex salt of quinoline or isoquinoline whose N position is substituted with a hydrocarbon group. 4. The solid electrolytic capacitor according to claim 3, wherein the hydrocarbon group is an alkyl group having 2 to 18 carbon atoms. 5 In claim 4, neutral
N with TCNQ and an alkyl group with 2 to 18 carbon atoms
The molar ratio with the isoquinoline substituted at the position is approximately 1:
1. A solid electrolytic capacitor characterized by:
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