JPH0413680B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0413680B2 JPH0413680B2 JP10666883A JP10666883A JPH0413680B2 JP H0413680 B2 JPH0413680 B2 JP H0413680B2 JP 10666883 A JP10666883 A JP 10666883A JP 10666883 A JP10666883 A JP 10666883A JP H0413680 B2 JPH0413680 B2 JP H0413680B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- target
- slit
- current
- deflection coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 61
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は、例えば鋼管の溶接部をX線の透過像
の撮影などによつて検査するような場合に使用さ
れる全周照射型X線装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a full-circle irradiation type X-ray device used when, for example, inspecting a welded part of a steel pipe by taking an X-ray transmission image. Regarding.
[発明の技術的背景とその問題点]
従来技術による全周照射型のX線装置は、第1
図に示すように構成されている。加速された電子
線eは、真空に近い状態に保たれたX線管1の内
部を通過し、ターゲツト2の先端2tに衝突す
る。衝突した際にターゲツト2の先端2tから
は、X線がターゲツト2に対して全周方向XA、
XBに照射される。このとき照射されたX線は、
ターゲツトホルダー3および被検査体4を透過し
たのち、X線フイルム5に到達してフイルムを感
光させる。[Technical background of the invention and its problems] The all-round irradiation type X-ray device according to the prior art is
It is configured as shown in the figure. The accelerated electron beam e passes through the interior of the X-ray tube 1, which is maintained in a near-vacuum state, and collides with the tip 2t of the target 2. At the time of collision, X-rays from the tip 2t of the target 2 are directed toward the target 2 in the entire circumferential direction X A ,
Irradiated by X B. The X-rays irradiated at this time are
After passing through the target holder 3 and the object to be inspected 4, the light reaches the X-ray film 5 and exposes the film.
このように電子線eがターゲツト2の先端の正
確な位置に衝突した場合には、X線が円周方向に
均一に発生する。しかし、外部からの機械的要因
によるX線管の変形や電磁気的な要因による電子
線eの進路の変化などによつて電子線がe′のよう
にターゲツト2の先端2tに正確に衝突しない場
合にはX線が発生しないことになる。このような
現象を防ぐために通常の全周照射型X線装置に
は、電子線の通過を制限するためのスリツト6お
よびターゲツト2に電子線eが衝突した場合に、
絶縁体7によつてX線管1と電気的に絶縁されて
いるターゲツト2上に発生する微少なターゲツト
電流を読みとるための増巾器8および電流計9を
備えている。また前述のような外的要因により電
子線eとターゲツト2との相対的な位置関係が変
化し、ターゲツト2に対して電子線eがe′のよう
な状態になつた場合に、電子線の進路を補正する
ための偏向コイル10を有している。 When the electron beam e collides with the precise position of the tip of the target 2, X-rays are generated uniformly in the circumferential direction. However, if the electron beam does not exactly collide with the tip 2t of the target 2 as shown in e' due to deformation of the X-ray tube due to external mechanical factors or changes in the course of the electron beam e due to electromagnetic factors, etc. This means that no X-rays will be generated. To prevent such a phenomenon, a normal all-round irradiation type X-ray device has a slit 6 for restricting the passage of the electron beam, and a slit 6 for restricting the passage of the electron beam, and a
It is equipped with an amplifier 8 and an ammeter 9 for reading a minute target current generated on a target 2 which is electrically insulated from the X-ray tube 1 by an insulator 7. Furthermore, when the relative positional relationship between the electron beam e and the target 2 changes due to the external factors mentioned above, and the electron beam e becomes in a state like e' with respect to the target 2, the electron beam It has a deflection coil 10 for correcting the course.
第2図および第3図は従来技術による電子線e
の偏向機構の原理図で、電子線eは偏向コイル1
0によつてXおよびY方向の位置が定められたの
ち、集束コイル11によつて電子線eが集束させ
られ、ターゲツト2の先端に正確に衝突し、かつ
最も効率良くX線に変換されるように調整され
る。偏向コイル11は電子線eの進路をXおよび
Y方向に補正するため、第3図に示すようにX線
管1に対して円周方向に4つのコイル10a,1
0b,10c,10dを有している。この4つの
コイル10a〜10dには例えば第3図の結線方
法によつて磁界φXおよびφYが矢示のように発生
し、かつその磁界の大きさが変化するように電源
が供給されている。 Figures 2 and 3 show the electron beam e according to the prior art.
In the principle diagram of the deflection mechanism, the electron beam e is connected to the deflection coil 1.
After the position in the X and Y directions is determined by 0, the electron beam e is focused by the focusing coil 11, collides accurately with the tip of the target 2, and is most efficiently converted into X-rays. It is adjusted as follows. In order to correct the course of the electron beam e in the X and Y directions, the deflection coil 11 includes four coils 10a and 1 in the circumferential direction of the X-ray tube 1, as shown in FIG.
It has 0b, 10c, and 10d. Power is supplied to these four coils 10a to 10d so that magnetic fields φ There is.
このような電子線eの偏向機構を用いて、第2
図における電子線eがスリツト6内を通過し、タ
ーゲツト2に到達するように調整してX線を発生
させるわけである。さらにスリツト6に対してそ
の中心を正確に電子線eが通過し、ターゲツト2
の先端2tに電子線eが正確に衝突しないと、例
えば先端2tが円錐型の形状をなしているターゲ
ト2を用いた場合では、照射されるX線XA、XB
が円周方向に均一な強度とならず、XA≠XBとな
る。このため電子線eがスリツト6の中心を正確
に通過し、スリツト6に対して同心軸上に置かれ
たターゲツト2の先端2tに正確に衝突するよう
に偏向コイル10に供給される電圧(あるいは電
流)を細かく調整する必要がある。 Using such a deflection mechanism for the electron beam e, the second
The electron beam e in the figure passes through the slit 6 and is adjusted so as to reach the target 2 to generate X-rays. Furthermore, the electron beam e passes through the center of the slit 6 accurately, and the target 2 is
If the electron beam e does not collide accurately with the tip 2t of the target 2, for example, when using the target 2 whose tip 2t has a conical shape, the irradiated X-rays X A , X B
The strength is not uniform in the circumferential direction, and X A ≠ X B. Therefore, the voltage (or current) must be finely adjusted.
第4図は従来の電子線の偏向機構を用いた場合
に電子eがスリツト6の中心先端2tを通過する
ように調整するための手順を模式的に示したもの
である。スリツト6は電子線eの進路に対して垂
直方向の断面で表わされている。いま、偏向コイ
ル10の磁界φx、φyが調整されていない場合に、
電子線eが位置Pを通過しているとすると、電子
線eはターゲツトまで到達していないため、ター
ゲツト電流を検出することはできない。 FIG. 4 schematically shows the procedure for adjusting the electron e to pass through the center tip 2t of the slit 6 when a conventional electron beam deflection mechanism is used. The slit 6 is shown in cross section perpendicular to the path of the electron beam e. Now, if the magnetic fields φ x and φ y of the deflection coil 10 are not adjusted,
Assuming that the electron beam e is passing through the position P, the target current cannot be detected because the electron beam e has not reached the target.
したがつて、調整の第1ステツプとして偏向コ
イル10の磁界φx、φyの調整を行ない、電子線
eの経路がスリツト6の孔の内部を通過するよう
にし、ターゲツト電流が検出されるようにする。 Therefore, as the first step of adjustment, the magnetic fields φ x and φ y of the deflection coil 10 are adjusted so that the path of the electron beam e passes through the inside of the slit 6, and the target current is detected. Make it.
第2ステツプとしてターゲツト電流が検出され
たのち電子線eの進路のx軸方向の位置調整を行
なう。ターゲツト電流が検出された時点での電子
線eの位置をQとすると、x軸方向に配置された
偏向コイル10に印加される電圧(電流)を調整
することによつて電子線eの進路は、A→Q→
O′→Bのように変化し、それにともなつてター
ゲツト電流Itも第4図に示すよう変化する。した
がつて、ターゲツト電流が最大の時の電流値Itに
対し、1/2Itの電流値を示す状態の偏向コイル1
0の電圧(電流)値VA(IA)およびVB(IB)を読
み取り、Vo′=(VA+VB)/2、(Io′=(IA+
IB)/2)の値に偏向コイル10の電圧(電流)
を調整することによつて電子線の進路は、O′の
位置を通過するようになる。 As a second step, after the target current is detected, the position of the path of the electron beam e in the x-axis direction is adjusted. If the position of the electron beam e at the time when the target current is detected is Q, the course of the electron beam e can be changed by adjusting the voltage (current) applied to the deflection coil 10 arranged in the x-axis direction. ,A→Q→
The target current It changes as shown in FIG. 4 as O'→B. Therefore, the deflection coil 1 is in a state where the current value is 1/2It compared to the current value It when the target current is maximum.
Read the voltage (current) values V A (I A ) and V B (I B ) at 0, Vo' = (V A + V B )/2, (Io' = (I A +
The voltage (current) of the deflection coil 10 is determined by the value of I B )/2).
By adjusting , the path of the electron beam will pass through the position O'.
第3ステツプとして同様な操作でy軸方向に配
置された偏向コイル10の電圧(電流)をVp=
(VP+VE)/2、(Io=(ID+IE)/2)に調整す
ることによつて電子線eの進路は、Oの位置とな
り、電子線eがスリツト6の中心を通過するよう
に調整することが可能である。 As a third step, the voltage (current) of the deflection coil 10 arranged in the y-axis direction is determined by the same operation as V p =
By adjusting (V P +V E )/2 and (Io = (I D +I E )/2), the path of the electron beam e becomes position O, and the electron beam e passes through the center of the slit 6. It is possible to adjust it as follows.
このように従来技術による電子線eの偏向機構
では、電子線eの進路の調整方法が複雑であり、
かつ調査のために多大な時間を必要とする。特に
電子線eが通過する部分のスリツト6は、直径が
φ1程度であり、電子線の進路がスリツト孔に対
して離れている場合には、電子線eがφ1のスリ
ツト孔6を通過させるように、xおよびyの方向
の偏向コイル10の磁界φx、φyを調整すること
は、非常に困難である。そして調整に要する時間
が長くなることによつて、作業効率が低下し、ま
たX線の発生時間が長くなるため、放射線作業管
理上も好ましくない。 As described above, in the electron beam e deflection mechanism according to the conventional technology, the method for adjusting the path of the electron beam e is complicated;
Moreover, it requires a large amount of time for investigation. In particular, the diameter of the slit 6 in the portion through which the electron beam e passes is about φ 1 , and when the path of the electron beam is far from the slit hole, the electron beam e passes through the slit hole 6 of φ 1 . It is very difficult to adjust the magnetic fields φ x , φ y of the deflection coil 10 in the x and y directions so that As the time required for adjustment becomes longer, work efficiency decreases and the X-ray generation time becomes longer, which is also unfavorable in terms of radiation work management.
[発明の目的]
本発明の目的は、電子線の進路がスリツト中心
を正確に通過するように短時間で調整することが
できる全周照射型X線装置を提供するにある。[Object of the Invention] An object of the present invention is to provide an all-round irradiation type X-ray device that can adjust the path of an electron beam in a short time so that it passes accurately through the center of a slit.
[発明の概要]
本発明による全周照射型X線装置は、偏向コイ
ルに印加される直流電圧(電流)に対してさらに
鋸波、サイン波および三角波などの連続波の電圧
(電流)を重畳することにより、電子線をXおよ
びY方向に走査し、CRT上で重畳した波形に対
して得られたターゲツト電流で輝度変調すること
により、スリツトの位置を目視で確認することが
できるため、容易に電子線の進路の調整を行なう
ように構成したことを特徴とするものである。[Summary of the Invention] The all-round irradiation type X-ray device according to the present invention further superimposes a continuous wave voltage (current) such as a sawtooth wave, a sine wave, and a triangular wave on the DC voltage (current) applied to the deflection coil. By scanning the electron beam in the X and Y directions and modulating the brightness with the target current obtained for the waveform superimposed on the CRT, the slit position can be easily confirmed visually. The device is characterized in that it is configured to adjust the path of the electron beam.
[発明の実施例]
以下本発明を第5図に示す実施例について説明
する。第5図において第1図、第2図および第3
図と同一符号は、同一部分を示すものであるから
その説明を省略する。本発明においては、X線管
1の備えた偏向コイル10の励磁回路に加算器1
2を設け、この加算器12に図示のように鋸波、
三角波およびサイン波などの連続波の電圧(電
流)Vx(t)およびVy(t)(またはIx(t)およ
びIy(t))を直流電圧(電流)VxおよびVy(また
はIxおよひIy)と重畳して加えてxおよびy方向
に配置された偏向コイル10にそれぞれ供給する
とともに、その連続波の電圧(電流)Vx(t)お
よびVy(t)のみをオシロスコープなどのX−Y
CRTデイスプレイ13のXおよびY端子に入
力するように構成している。ターゲツト電流は増
巾器8によつて増巾され、変調器14によつてX
−Y CRTデイスプレイ13のXおよびY端子
に入力された入力信号を輝度変調する。[Embodiments of the Invention] The present invention will be described below with reference to an embodiment shown in FIG. In Figure 5, Figures 1, 2 and 3
The same reference numerals as those in the drawings indicate the same parts, so the explanation thereof will be omitted. In the present invention, an adder 1 is provided in the excitation circuit of the deflection coil 10 provided in the X-ray tube 1.
2 is provided, and this adder 12 has a sawtooth waveform, as shown in the figure.
Continuous wave voltages (currents) such as triangular waves and sine waves V x (t) and V y (t) (or I x (t) and I y (t)) are converted into DC voltages (currents) V x and V y ( In addition, the continuous wave voltages (currents) V x ( t ) and V y ( t ) on an oscilloscope, etc.
It is configured to be input to the X and Y terminals of the CRT display 13. The target current is amplified by amplifier 8 and
-Y Brightness modulates the input signals input to the X and Y terminals of the CRT display 13.
第6図aおよびbは、偏向コイル10に印加さ
れる連続波Vx(t)およびVy(t)(或いはIx(t)
およびIy(t))の一例として鋸波を示し、第6図
aはx軸方向に電子線eを制御する偏向コイル1
0b,10dに印加される波形で、その電位は
Bn→Ao→Bnの順に変化する。また第6図aの
波形の1周期毎の第6図bの波形の電圧変化量は
△Vyである。 6a and b show continuous waves V x (t) and V y (t) (or I x (t)) applied to the deflection coil 10.
FIG . 6a shows the deflection coil 1 which controls the electron beam e in the x-axis direction.
This is the waveform applied to 0b and 10d, and its potential is
Changes in the order of Bn → Ao → Bn. Further, the amount of voltage change in the waveform in FIG. 6b for each cycle of the waveform in FIG. 6a is ΔV y .
第7図aは偏向コイル10に印加される電流電
圧VxおよびVyに第6図a,bに示した連続波Vx
(t)およびVy(t)を重畳した際の電子線eの
照射位置をスリツト6に対して示したものであ
る。第7図bは第6図aおよびbに示した連続波
Vx(t)およびVy(t)をX−Y CRTデイスプ
レイ13のX軸およびY軸に印加した場合のX−
Y CRTデイスプレイ13の表示例を示したも
のである。 FIG. 7a shows that the current and voltage V x and V y applied to the deflection coil 10 are the continuous waves V x shown in FIGS.
The irradiation position of the electron beam e is shown with respect to the slit 6 when (t) and V y (t) are superimposed. Figure 7b is the continuous wave shown in Figures 6a and b.
When V x (t) and V y (t) are applied to the X-axis and Y-axis of the X-Y CRT display 13
A display example of the Y CRT display 13 is shown.
第7図bのX−Y CRTデイスプレイ13の
表示例において、その輝点は印加される第6図
a,bに示した波形のそれぞれ電位の変化にした
がつてAo→Bo→Al→Bl…→An→Bnのように変
化する。この際画面上の輝点のX、Y位置は、時
間t1に対するVx(t1)およびVy(t1)の値によつて
のみ決定される。画面上の輝点の走査範囲は、第
6図で示した電位の最高値maxVx(t)および
maxVy(t)に規定されるが、maxVx(t)およ
びmaxVy(t)を予め適当な設定しておくことに
よつて、輝点の走査範囲および位置は一定とな
る。 In the display example of the X-Y CRT display 13 shown in FIG. 7b, the bright spots change from Ao→Bo→Al→Bl... Changes like →An→Bn. At this time, the X and Y positions of the bright spots on the screen are determined only by the values of V x (t 1 ) and V y (t 1 ) with respect to time t 1 . The scanning range of the bright spot on the screen is determined by the maximum potential value maxV x (t) and
maxV y (t), but by setting maxV x (t) and maxV y (t) appropriately in advance, the scanning range and position of the bright spot can be made constant.
一方第7図aに示すように実際の電子線の走査
位置は、偏向コイル10に加わる電圧Vx+Vx
(t)およびVy+Vy(t)によつて決定されるが、
VxおよびVy(t)は0ボルトを中心とした波形で
あるため、電子線eの走査範囲の中心は、Vx,
Vyで決定される位置と等しくなる。したがつて
VxおよびVyの値が、電子線eをスリツト6の中
心を通すのに必要な適正な電圧値Vx′およびVy′
と異なつている場合には、スリツト6に対して電
子線eの走査位置はずれることになる。この際走
査された電子線の一部は、スリツト6を通過し、
ターゲツト2の先端2tに到達するため、ターゲ
ツト電流で検出され、X−Y CRTデイスプレ
イ13上の輝点は、輝度変調されて輝点の明るさ
が変化する。そのためX−Y CRTデイスプレ
イ13上には、スリツト6の形状が輝度変調され
た点の集まりとして表示されることになる。 On the other hand, as shown in FIG. 7a, the actual scanning position of the electron beam is determined by the voltage V x +V x applied to the deflection coil 10.
(t) and V y +V y (t),
Since V x and V y (t) have waveforms centered on 0 volts, the center of the scanning range of the electron beam e is V x ,
V is equal to the position determined by y . Therefore
The values of V x and V y are the appropriate voltage values V x ′ and V y ′ necessary for passing the electron beam e through the center of the slit 6.
If this is different, the scanning position of the electron beam e will be shifted with respect to the slit 6. At this time, a part of the scanned electron beam passes through the slit 6,
Since it reaches the tip 2t of the target 2, it is detected by the target current, and the brightness of the bright spot on the X-Y CRT display 13 is modulated to change the brightness of the bright spot. Therefore, the shape of the slit 6 is displayed on the X-Y CRT display 13 as a collection of brightness-modulated dots.
この輝度変調された第7図bのスリツト像15
は、電子線eの進路によつて輝度変調されている
ためVx或いはVyの値を変化させることによつて
電子線eの進路が変化し、その結果X−Y
CRTデイスプレイ13上のスリツト像15は、
Vx或いはVyの変化量に伴なつてX軸及びY軸方
向に移動する。VxおよびVyを変化させ、電子線
eがスリツト6の中心を通過するのに必要な電圧
Vx′およびVy′にそれぞれ等しくなると、第8図
aに示すように電子線eはスリツト6の中点を中
心に走査され、その際に得られるX−Y CRT
デイスプレイ13上の表示は、第8図bのように
表示される。 This luminance-modulated slit image 15 in FIG. 7b
Since the brightness is modulated by the path of the electron beam e, changing the value of V x or V y changes the path of the electron beam e, and as a result, X-Y
The slit image 15 on the CRT display 13 is
It moves in the X-axis and Y-axis directions in accordance with the amount of change in V x or V y . Voltage required for electron beam e to pass through the center of slit 6 by changing V x and V y
When V x ' and V y ' are respectively equal to
The display on the display 13 is displayed as shown in FIG. 8b.
すなわち、スリツト像15をX−Y CRTデ
イスプレイ13上で移動させ、輝点の走査範囲
Ao→Bo→Al→…Bo-1→An→Bnの中心に重ね合
わせることによつて偏向コイル10へのVx(t)
およびVy(t)の印加を止めた場合の電子線eの
進路は正確にスリツト6の中心を通過することと
なる(VxおよびVyによつてのみ決定される電子
線eの位置は、常にX−Y CRTデイスプレイ
13上の中心となる。)但し、その際のVx(t)
およびVy(t)の振巾の中心がX−Y CRTデイ
スプレイ13の中心に位置するように予め設定し
ておく必要がある。またVx(t)およびVy(t)
の振巾maxVx(t)およびmaxVy(t)を変化さ
せ、それに伴なつてX−Y CRTデイスプレイ
13のXおよびYの入力の感度を切換えることに
よつて、スリツト像15の相対的な大きさを変化
させることができる。その結果、スリツト像15
をすばやく検出する場合にはスリツト像15を小
さく、正確な位置調整を行なう場合にはスリツト
像15を大きくするなどの使い分けることが可能
である。 That is, the slit image 15 is moved on the X-Y CRT display 13, and the scanning range of the bright spot is
V x (t) to the deflection coil 10 by superimposing it on the center of Ao→Bo→Al→…B o-1 →An→Bn
When the application of V y (t) is stopped, the path of the electron beam e will exactly pass through the center of the slit 6 (the position of the electron beam e determined only by V x and V y is , is always the center on the X-Y CRT display 13.) However, at that time, V x (t)
It is necessary to set in advance so that the center of the amplitude of V y (t) and V y (t) is located at the center of the XY CRT display 13. Also V x (t) and V y (t)
By changing the amplitudes maxV x (t) and maxV y (t) of The size can be changed. As a result, the slit image 15
It is possible to use the slit image 15 in a small size for quick detection and a large slit image 15 for accurate position adjustment.
このようにして電子線eの走査の中心がスリツ
ト6の中心と同位置に調整されたのち、偏向コイ
ル10に印加されるVx(t)およびVy(t)を0
にすることによつて電子線eは常にスリツト6の
中心を通過することになり、安定したX線を発生
させることが可能となる。 After the scanning center of the electron beam e is adjusted to the same position as the center of the slit 6 in this way, V x (t) and V y (t) applied to the deflection coil 10 are set to 0.
By doing so, the electron beam e always passes through the center of the slit 6, making it possible to generate stable X-rays.
[発明の効果]
以上のように本発明においては、偏向コイルに
電子線の位置を決定するための直流と電子線をX
およびY方向に微小に変化させるための連続波と
を重畳して印加し、得られるターゲツト電流によ
つて輝度変調された連続波をCRTデイスプレイ
上に表示させることにより、スリツト孔位置を
CRTデイスプレイ上に表示させることができる。
この結果として電子線位置に対すスリツト孔位置
を常に目視にて確認することができるため、正確
にかつ短時間で電子線の進路をスリツト孔の中心
に調整することが可能である。[Effects of the Invention] As described above, in the present invention, a direct current and an electron beam are supplied to the deflection coil for determining the position of the electron beam.
The slit hole position can be determined by superimposing and applying a continuous wave for making small changes in the Y direction and displaying the continuous wave whose brightness is modulated by the obtained target current on a CRT display.
It can be displayed on a CRT display.
As a result, the position of the slit hole relative to the position of the electron beam can be visually confirmed at all times, so that the course of the electron beam can be adjusted to the center of the slit hole accurately and in a short time.
第1図は全周照射形X線装置のターゲツト部分
を示す構成図、第2図は全周照射形X線装置の偏
向フイルム部分を含めた全体構成図、第3図は第
2図−線で截断した偏向コイルの配置構成
図、第4図は電子線の位置調整手順を示す説明
図、第5図は本発明による全周照射形X線装置の
一実施例を示す構成図、第6図aおよびbは偏向
コイルのx軸方向コイルおよびY軸方向コイルに
印加する連続波形図、第7図aおよびbは電子線
の走査位置およびデイスプレイの表示例を示す波
形図、第8図aおよびbは電子線の位置調整後の
電子線の走査位置およびデイスプレイの表示例を
示す波形図である。
1……X線管、2……ターゲツト、2t……タ
ーゲツト先端、3……ターゲツトホルダ、4……
被検査体、5……X線フイルム、6……スリツ
ト、8……増巾器、10……偏向コイル、11…
…集束コイル、12……加算器、13……CRT
デイスプレイ、14……変調器、15……スリツ
ト像、Vx,Vy……直流電圧、Vx(t),Vy(t)
……連続波。
Fig. 1 is a block diagram showing the target part of the all-round irradiation type X-ray device, Fig. 2 is an overall block diagram of the all-round irradiation type X-ray device including the deflection film part, and Fig. 3 is the line shown in Fig. 2. FIG. 4 is an explanatory diagram showing the procedure for adjusting the position of the electron beam; FIG. Figures a and b are continuous waveform diagrams applied to the x-axis direction coil and Y-axis direction coil of the deflection coil, Figures 7a and b are waveform diagrams showing the scanning position of the electron beam and display examples, and Figure 8a and b are waveform diagrams showing the scanning position of the electron beam after position adjustment of the electron beam and a display example of the display. 1...X-ray tube, 2...Target, 2t...Target tip, 3...Target holder, 4...
Object to be inspected, 5... X-ray film, 6... Slit, 8... Amplifier, 10... Deflection coil, 11...
...Focusing coil, 12...Adder, 13...CRT
Display, 14...Modulator, 15...Slit image, V x , V y ... DC voltage, V x (t), V y (t)
...Continuous waves.
Claims (1)
れながらX線管内を通し、その中のスリツトを通
つてターゲツトの先端に衝突させ、その衝突の際
にX線を全周方向に照射させるX線装置におい
て、直流電圧又は電流に電圧又は電流が時間にと
もなつて変化する連続波形を重畳させて前記偏向
コイルに供給する加算器と、電子線がターゲツト
に衝突する際に発生するターゲツト電流を検出す
るための増巾器と、ターゲツト電流によつて前記
電圧又は電流の連続波形を輝度変調するための変
調器と、この変調器の出力をうけて連続波形を表
示するためのCRTデイスプレイとを備え、その
CRTデイスプレイの画面上に電子線の進路に対
するスリツトの位置関係を表示できるように構成
したことを特徴とする全周照射型X線装置。1. An X-ray system in which an accelerated electron beam is deflected by a deflection coil through an X-ray tube, passes through a slit in the tube, and collides with the tip of a target, and upon collision, X-rays are emitted all around the tube. The device includes an adder that superimposes a continuous waveform in which the voltage or current changes over time on a DC voltage or current and supplies it to the deflection coil, and a target current that is generated when the electron beam collides with the target. a modulator for modulating the brightness of the continuous waveform of the voltage or current according to the target current, and a CRT display for displaying the continuous waveform in response to the output of the modulator. ,the
A full-circle irradiation type X-ray device characterized by being configured to display the positional relationship of a slit with respect to the path of an electron beam on a CRT display screen.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10666883A JPS60400A (en) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Circular irradiation type roentgen ray device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10666883A JPS60400A (en) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Circular irradiation type roentgen ray device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60400A JPS60400A (en) | 1985-01-05 |
| JPH0413680B2 true JPH0413680B2 (en) | 1992-03-10 |
Family
ID=14439451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10666883A Granted JPS60400A (en) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Circular irradiation type roentgen ray device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60400A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213000A (en) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | 株式会社日本製鋼所 | Method of correcting beam producing direction |
| JP2004265602A (en) | 2003-01-10 | 2004-09-24 | Toshiba Corp | X-ray equipment |
| JP7194429B2 (en) * | 2019-02-12 | 2022-12-22 | サンレイズ工業株式会社 | RADIATION LEAKAGE INSPECTION METHOD AND RADIATION LEAKAGE INSPECTION SYSTEM |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP10666883A patent/JPS60400A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60400A (en) | 1985-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4169244A (en) | Electron probe testing, analysis and fault diagnosis in electronic circuits | |
| US4807159A (en) | Apparatus and method for controlling irradiation of an electron beam at a fixed position in an electron beam tester system | |
| JPS59163506A (en) | Electronic beam measuring device | |
| GB1444109A (en) | Apparatus and method for generating x-rays | |
| US3609288A (en) | Electron beam seam-finding method and apparatus | |
| US4084095A (en) | Electron beam column generator for the fabrication of semiconductor devices | |
| US4071759A (en) | Scanning electron device | |
| GB1567021A (en) | Scanning transmission microscopes | |
| US5164596A (en) | Focused ion beam irradiating apparatus | |
| GB1594597A (en) | Electron probe testing analysis and fault diagnosis in electronic circuits | |
| JPH0413680B2 (en) | ||
| EP0040855A1 (en) | A method of displaying an image of phase contrast in a scanning transmission electron microscope | |
| US3909610A (en) | Apparatus for displaying the energy distribution of a charged particle beam | |
| JPS6231931A (en) | Electron beam radiation device and test and measurement by said device | |
| US3418520A (en) | Intensity control system for a particle beam device | |
| JPH02160350A (en) | Electron beam irradiation positioning method and device | |
| US2348031A (en) | Method of focusing electron microscopes | |
| JPS63119147A (en) | Focus condition detecting device of changed corpuscular beams | |
| US6744249B2 (en) | Method and instrument for measuring a magnetic field, a method for measuring a current waveform, and method for measuring an electric field | |
| JPS60130031A (en) | Pulse beam generating device | |
| JPH0261951A (en) | Electron microscope with vibration correcting device for filament image | |
| JPS61176810A (en) | Size measuring instrument | |
| JPS59129159U (en) | Charged particle beam device | |
| JPS58173089A (en) | Detector for weld line | |
| JP2005252022A (en) | Charged particle beam device. |