JPH0424187B2 - - Google Patents
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- JPH0424187B2 JPH0424187B2 JP62280243A JP28024387A JPH0424187B2 JP H0424187 B2 JPH0424187 B2 JP H0424187B2 JP 62280243 A JP62280243 A JP 62280243A JP 28024387 A JP28024387 A JP 28024387A JP H0424187 B2 JPH0424187 B2 JP H0424187B2
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- particle size
- particles
- abrasive
- fine powder
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Links
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体、光学関係機材等の表面を研
摩するのに有用な研摩材、とくにはこれらの被研
摩材に対して優れた研摩面を速やかに付与する微
粉研摩材に関するものである。 （従来技術とその問題点） 従来、上述した分野の表面研摩には褐色溶融ア
ルミナとジルコン（ZrSiO4）の約50−50重量％
混合物からなる微粉研摩材が使用されている。こ
の研摩材は最大粒子径が16μｍ以下で、粒子径４
〜16μｍの範囲の粒子が全体の99〜100重量％を
占め、4μｍ以下の粒子は殆んど含まれていない。
この微粉研摩材を用いて上記の被研摩材の表面を
研摩すると、その表面にスクラツチの発生が多
く、製品の歩止まりを著しく低下させるほか、研
摩速度を上げることができない。そこで生産性と
砥粒原単位を上げるため、これより粒径の大きい
砥粒を使用して研摩速度を上げる方法が試みられ
たが、その速度に比例して研摩面の加工精度が低
下するという問題があり実用化には至らなかつ
た。このためスクラツチの無い優れた加工面を速
やかに付与できる微粉研摩材の出現が強く望まれ
ていた。 （問題点を解決するための手段） 本発明はかかる事情に基づいて達成されたもの
で、研摩速度が大きくても優れた加工面を付与で
きる微粉研摩材を提供することを目的とする。 すなわち、本発明者らは種々検討の結果、この
微粉研摩材として、褐色溶融アルミナ10〜90重量
％とジルコン90〜10重量％との混合物からなる最
大粒子径16μｍ以下、平均粒子径が６〜7μｍの微
粉であつて、粒子径4μｍ以上〜16μｍ以下の粒子
が全体の85〜95重量％（好ましくは粒子径10.1μ
ｍ以上〜16μｍ以下の粒子が全体の２〜７重量
％、6.35μｍ以上〜10.1μｍ以下の粒子が40〜60重
量％、4.00μｍ以上〜6.35μｍ以下の粒子が30〜40
重量％）であり4μｍ未満の粒子が15〜５重量％
である粒度分布を持つものとするときは、これを
研摩加工、とくには半導体、光学関係機材等の表
面の研摩加工に使用すると、速い研摩速度でスク
ラツチのない優れた加工面が得られ、4μｍ未満
の粒子が５重量％未満のときは効果が無く、また
10重量％を超すとスクラツチの発生が多くなるこ
とを見出し本発明を完成させた。 （実施例） 以下、本発明の詳細を実施例に基づいて説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例 １ 褐色溶融アルミナ50重量％とジルコン50重量％
との混合物からなる第１表に示す粒度分布（粒度
の測定は電気抵抗法による）を有する微粉研摩材
を試作した。この試作品の評価のため、これと市
販品（その粒度分布は第１表に併記する）とを、
それぞれ水に懸濁したスラリーに調製し、被加工
物としてシリコンウエハを用い、ラツピングマシ
ン（不二越機械工業(株)製）により定盤回転数
63rpm、荷重100ｇ／cm2の条件で、かけ捨てに供
給して研摩を行つた。その結果を第２表に示し
た。
摩するのに有用な研摩材、とくにはこれらの被研
摩材に対して優れた研摩面を速やかに付与する微
粉研摩材に関するものである。 （従来技術とその問題点） 従来、上述した分野の表面研摩には褐色溶融ア
ルミナとジルコン（ZrSiO4）の約50−50重量％
混合物からなる微粉研摩材が使用されている。こ
の研摩材は最大粒子径が16μｍ以下で、粒子径４
〜16μｍの範囲の粒子が全体の99〜100重量％を
占め、4μｍ以下の粒子は殆んど含まれていない。
この微粉研摩材を用いて上記の被研摩材の表面を
研摩すると、その表面にスクラツチの発生が多
く、製品の歩止まりを著しく低下させるほか、研
摩速度を上げることができない。そこで生産性と
砥粒原単位を上げるため、これより粒径の大きい
砥粒を使用して研摩速度を上げる方法が試みられ
たが、その速度に比例して研摩面の加工精度が低
下するという問題があり実用化には至らなかつ
た。このためスクラツチの無い優れた加工面を速
やかに付与できる微粉研摩材の出現が強く望まれ
ていた。 （問題点を解決するための手段） 本発明はかかる事情に基づいて達成されたもの
で、研摩速度が大きくても優れた加工面を付与で
きる微粉研摩材を提供することを目的とする。 すなわち、本発明者らは種々検討の結果、この
微粉研摩材として、褐色溶融アルミナ10〜90重量
％とジルコン90〜10重量％との混合物からなる最
大粒子径16μｍ以下、平均粒子径が６〜7μｍの微
粉であつて、粒子径4μｍ以上〜16μｍ以下の粒子
が全体の85〜95重量％（好ましくは粒子径10.1μ
ｍ以上〜16μｍ以下の粒子が全体の２〜７重量
％、6.35μｍ以上〜10.1μｍ以下の粒子が40〜60重
量％、4.00μｍ以上〜6.35μｍ以下の粒子が30〜40
重量％）であり4μｍ未満の粒子が15〜５重量％
である粒度分布を持つものとするときは、これを
研摩加工、とくには半導体、光学関係機材等の表
面の研摩加工に使用すると、速い研摩速度でスク
ラツチのない優れた加工面が得られ、4μｍ未満
の粒子が５重量％未満のときは効果が無く、また
10重量％を超すとスクラツチの発生が多くなるこ
とを見出し本発明を完成させた。 （実施例） 以下、本発明の詳細を実施例に基づいて説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例 １ 褐色溶融アルミナ50重量％とジルコン50重量％
との混合物からなる第１表に示す粒度分布（粒度
の測定は電気抵抗法による）を有する微粉研摩材
を試作した。この試作品の評価のため、これと市
販品（その粒度分布は第１表に併記する）とを、
それぞれ水に懸濁したスラリーに調製し、被加工
物としてシリコンウエハを用い、ラツピングマシ
ン（不二越機械工業(株)製）により定盤回転数
63rpm、荷重100ｇ／cm2の条件で、かけ捨てに供
給して研摩を行つた。その結果を第２表に示し
た。
【表】
【表】
表から明らかなように、本発明の研摩材を用い
てシリコンウエハを研摩した場合（とくに4μｍ
未満の粒子が15〜５重量％の粒度分布をしている
試作品ＡおよびＢの場合）、市販品を用いたとき
に比較して研摩面におけるスクラツチの発生が極
端に少なく、優れた研摩表面が得られると共に、
試作品の平均粒径の方が小さいにもかかわらず研
摩速度の大きいことが判明した。 実施例 ２ 褐色溶融アルミナとジルコンとの混合比が15：
85、45：55、75：25であり、第３表に示す粒度分
布を有する３種の研摩材を試作し、前例と同様に
して研摩加工を行い、その研摩特性を測定して試
作品の評価を行つた。その結果を第４表に示し
た。
てシリコンウエハを研摩した場合（とくに4μｍ
未満の粒子が15〜５重量％の粒度分布をしている
試作品ＡおよびＢの場合）、市販品を用いたとき
に比較して研摩面におけるスクラツチの発生が極
端に少なく、優れた研摩表面が得られると共に、
試作品の平均粒径の方が小さいにもかかわらず研
摩速度の大きいことが判明した。 実施例 ２ 褐色溶融アルミナとジルコンとの混合比が15：
85、45：55、75：25であり、第３表に示す粒度分
布を有する３種の研摩材を試作し、前例と同様に
して研摩加工を行い、その研摩特性を測定して試
作品の評価を行つた。その結果を第４表に示し
た。
【表】
【表】
【表】
表から明らかなように、微粉研摩材の褐色溶融
アルミナとジルコンとの混合比を変えてもスクラ
ツチの発生はなく表面粗さも優れている。 （発明の効果） 以上のように、本発明の微粉研摩材はSi、
GaP、GaAs等の半導体、光学ガラス材料などの
研摩材として極めて有用である。
アルミナとジルコンとの混合比を変えてもスクラ
ツチの発生はなく表面粗さも優れている。 （発明の効果） 以上のように、本発明の微粉研摩材はSi、
GaP、GaAs等の半導体、光学ガラス材料などの
研摩材として極めて有用である。
Claims (1)
- １ 褐色溶融アルミナ10〜90重量％とジルコン90
〜10重量％との混合物からなる最大粒子径が16μ
ｍ以下、平均粒子径が６〜7μｍの微粉であつて、
粒子径4μｍ以上〜16μｍ以下の粒子が全体の85〜
95重量％、4μｍ未満の粒子が15〜５重量％の粒
度分布を有することを特徴とする微粉研摩材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62280243A JPH01121164A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 微粉研摩材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62280243A JPH01121164A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 微粉研摩材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01121164A JPH01121164A (ja) | 1989-05-12 |
| JPH0424187B2 true JPH0424187B2 (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17622292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62280243A Granted JPH01121164A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 微粉研摩材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01121164A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03220810A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-09-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 圧電体単結晶ウエーハおよびその製造方法 |
| JP3416855B2 (ja) * | 1994-04-15 | 2003-06-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨方法 |
| TWI547552B (zh) * | 2012-03-19 | 2016-09-01 | 福吉米股份有限公司 | 硏光加工用硏磨材及使用此之基板的製造方法 |
-
1987
- 1987-11-05 JP JP62280243A patent/JPH01121164A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01121164A (ja) | 1989-05-12 |
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