JPH043058B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH043058B2 JPH043058B2 JP57113852A JP11385282A JPH043058B2 JP H043058 B2 JPH043058 B2 JP H043058B2 JP 57113852 A JP57113852 A JP 57113852A JP 11385282 A JP11385282 A JP 11385282A JP H043058 B2 JPH043058 B2 JP H043058B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conversion panel
- radiation
- radiation image
- photocathode
- tube device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/49—Pick-up adapted for an input of electromagnetic radiation other than visible light and having an electric output, e.g. for an input of X-rays, for an input of infrared radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は放射線を用いて医療診断または工業用
検査に用いる放射線像増強管装置に関する。さら
に詳しくは電子管の内部に第１の螢光面を用いて
放射線像を光像に変換し、光電面により光像を電
子像に、該電子像を適当な増倍手段により増倍
し、そして第２の螢光面により光像に変換し、さ
らに光導電面で光像を電荷像に変換し、この電子
像を電子ビーム走査により時系列的に読取つて電
気信号出力を得る新しい放射線像増強管装置に関
するものである。 発明の技術的背景と問題点 第１図は、従来の放射線像増強管装置の１例を
示す。１は放射線像増強管の真空容器で、放射線
９の入射方向から順に、放射線入射窓２、胴部
３、錐部４、出力部５よりなる。そしてこれらは
いずれも軸対象で、放射線入射窓２の有効面は円
形である。放射線入射窓２に内部には放射線像を
電子像に変換する放射線像変換パネル６が内蔵さ
れている。放射線像変換パネル６は、第２図に示
すようにアルミニウム基板１７上に例えば沃化セ
シウムからなる螢光面１８、酸化アルミニウム、
酸化インジウム等の保護膜１９、光電面２０を順
次形成したもので、放射線９は螢光面１８で光に
変換され、この光は光電面２０によつて光電子８
に変換される。光電子８は放射線像変換パネル６
とグリツド電極１５および陽極１６によつて形成
された電子レンズによつて加速・集束作用を受
け、出力螢光面７によつて明るい光像に変換され
る。そして出力螢光面７に形成された光像は１対
のレンズ１０，１１からなるタンデムレンズ系に
よつて、１２で示すような光路をとりテレビカメ
ラ１３に入射し、出力端子１４より電気信号とし
て取り出される。 このような従来の装置の場合、放射線像変換パ
ネル６とグリツド電極１５、陽極１６とは軸対称
の静電レンズを形成するため、放射線像変換パネ
ル６の形状は、放射線入射窓２方向に突き出た球
面である。このため有効面が角形に出来ない、糸
巻歪が大きい、周辺部の輝度が中心部に比し低く
なる傾向をもち、また全長が長いと言つた不都合
がある。特に大視野の有効面を必要とする場合こ
れらの不都合は顕著になる。 また撮像管の解像度は必らずしもよくないの
で、装置全体の解像度が悪い。 さらにタンデムレンズ系、テレビカメラ１３と
結び付けることによつて、はじめて電気信号が取
り出せるので、調整も複雑であり価格的にも高価
なものとなる。 発明の目的 本発明は上述の如く、従来の放射線像増強管装
置の不都合を除去して、性能の優れた新しい放射
線像増強管装置を提供するものである。 即ち本発明の特長は下記の如くなる。 ○イ 角形有効面にすることが出来る。 ○ロ 放射線像を直接電気信号として時系列的に取
り出すことが出来る。 ○ハ 糸巻歪が非常に少ない。 ○ニ 中心と周辺の輝度一様性が良い。 ○ホ 小形、軽量である。 ○ヘ 高解像度である。 発明の概要 径大部とコーン部を介してそれに対向する部分
が径小部からなる真空容器を備え、 放射線像を第１の螢光面で光像に変換し、該
光像を光電面で電子像に変換する放射線像変換
パネル、 上記光電子を増倍する手段、 光透過ガラス基板の放射線入射側に電子線を
透過する遮光膜と電子線照射で発光する第２の
螢光面を順に形成し、他面に光導電面を有して
電子像を蓄積電荷像に変換する光電変換パネ
ル、 上記電荷像を読取るための読取電子ビームが
光電変換パネルにほゞ垂直入射するような電界
形成手段、 とを、径大部に放射線入射側から所定の間隔で順
次に配置し、径小部には読取電子ビームを発生せ
しめる電子銃と集束手段、偏向手段とを備え、径
大部面に入射した放射線像を電気信号に変換する
ことを特徴とした放射線像増強管装置であつて、
実質的に近接集束形イメージ管と撮像管とを一体
化したような装置である。 即ち、角形を含めた任意の平面形状の放射線像
変換パネルで、Ｘ線→光→光電子変換を行ない、
１段または複数段の近接集束形イメージ管、また
はマイクロチヤンネルプレートの原理を用いて、
前記光を増倍し、この光を光導電膜に入射せしめ
て撮像管の原理により光電変換パネルから電気信
号として時系列的に取り出すものである。 発明の実施例 第３図は本発明の一実施例で、第４図、第５図
はその要部拡大図である。 真空容器１００は径大部が放射線入射窓１０
２、胴部１０３よりなり径小のネツク部１０５と
の間はコーン部１０４で接続されている。放射線
入射窓１０２としてはガラスでもよいが、アルミ
ニウム、チタニウム、鉄合金の薄板が耐気圧に強
く、放射線透過もよいので望ましい。径大部の内
部には、放射線入射窓１０２側から順に放射線像
変換パネル１０６、光電変換パネル１０７、２枚
のメツシユ電極１０８，１０９が互いに近接して
配置されている。放射線像変換パネル１０６は、
例えば、厚さ0.5mmのアルミニウム基板１５０、
厚さ200μｍの沃化セシウム蒸着膜よりなる第１
の螢光面１５１、酸化アルミニウム、酸化インジ
ウム等よりなる保護膜１５２、Sb−Cs，Sb−Cs
−Ｋ，Sb−Cs−Ｋ−Na等よりなる光電面１５３
が順次形成されている。 今放射線９、例えばＸ線が放射線入射窓１０２
を透過して入射すると、上記第１の螢光面１５１
により光に変換され、この光は保護膜１５２を透
過して光電面１５３に達し、光の強弱に応じた光
電子１５４を放出する。 次に放射線像変換パネル１０６から距離ｄだけ
離れて光電変換パネル１０７が配置されている。
光電変換パネル１０７は光フアイバープレートま
たは厚さ100〜300μｍの超薄形ガラス板よりな
る。光伝達ガラス基板１６０の放射線像変換パネ
ル１０６側に、電子線で発光する例えば（Zn，
Cd）SiAg，ZnS：Cu，Cl等の硫化物螢光体から
なる第２の螢光面１６１と、メタルバツク層１６
５、光しや光膜１６９が被着され、他面には光導
電面１６８が形成されている。 遮光膜１６９は第２の螢光面の光の一部がメタ
ルバツク層１６５を透過してそれと対向する光電
面１５３を刺激してノイズ成分の光電子を放出さ
せるのを防止するのが目的である。光しや光膜と
しては炭素の蒸着膜、10-1torr程度の圧力のアル
ゴン雰囲気中でアルミニウムを蒸着することによ
つて得られる黒アルミニウム膜等が用い得る。 光導電膜としては用途に応じて種々のものがあ
るが、例えば東芝カルニコン（商品名）撮像管に
使用されているものは、透明導電膜１６２，
CdSe膜１６３、As2S3膜１６４が順次被着されて
いる。 今放射線像変換パネル１０６の光電面１５３と
光電変換パネル１０７の第２の螢光面１６１間の
距離をｄ、その間に印加される電圧をＶとする
と、光電変換パネル１０７の第２の螢光面１６１
での解像度Ｒ（lp／mmで表わす）と、輝度増倍度
BMは次の関係にある。 Ｒ＝Ｋ√Ｖ／ｄ BM＝K′（Ｖ−V0）n ここでＫ，K′は定数、V0はメタルバツク層１
６５と光しや光膜１６９との厚さで決まる定数で
一般に３〜10KVであり、ｎは第２の螢光面１６
１の特性によつて決まる定数で一般には0.5〜1.5
の間にある。 しかるにｄを小さくすればする程解像度は良く
なるが、両電極間の耐電圧が悪くなる。またＶを
大きくすればする程解像度輝度増倍率は向上する
が、耐電圧が悪くなる関係を有する。 以上のことを勘案してｄとＶを決める必要があ
るが、一例としてｄ＝３mm，Ｖ＝10KVとした場
合、解像度は約30lp／mm、輝度増倍度は50倍とな
る。 上記のように光電子増倍手段により輝度増倍さ
れた第２の螢光面１６１の光１６７は、フアイバ
ープレート１６０を通して他面に形成された光導
電面１６８に伝達される。光導電面１６８は光の
強弱に応じて抵抗値が変化しその表面に電荷像を
蓄積する。 第６図は第５図に示す光電変換パネル１０７の
他の実施例で、第５図のフアイバープレート１６
０の代りに、厚さが100〜300μｍの薄いガラス板
１６６を用いたもので、ガラス板厚が充分に薄け
れば、解像度の劣化を最小限に抑えて第２の螢光
面１６１の光１６７を光導電面１６８へ伝達す
る。 一方、ネツク部１０５の内部には電子銃１１０
が内蔵されており、こゝで発生した電子ビーム１
１１は集束コイル１１２、偏向ヨーク１１３の作
用を受けて前記径大部に内蔵された光電変換パネ
ル１０７方向へ向う。この際光電変換パネル１０
７の電子銃１１０側に２枚のメツシユ電極１０
８，１０９を設け、電子銃のカソード（図示せ
ず）電圧に対し、例えば第１メツシユ電極１０９
に＋8KV、第２メツシユ電極１０８に第１メツ
シユ電極１０９よりは高い電圧＋10KVを印加す
る。偏向ヨーク１１３で偏向され第１メツシユ電
極１０９で加速された読取電子ビーム１１１は、
第７図に示すように第１メツシユ電極１０９と第
２メツシユ電極１０８との間の加速電界によつ
て、第２メツシユ電極１０８を透過した後は第２
メツシユ電極１０８にほぼ直角方向に曲げられて
いる。この様子を第７図に示す。 そして光導電面１６８に対しほゞ垂直に入射
し、光導電面１６８の表面に形成された電荷像に
対応した電気信号が、光導電面１６８の出力端子
１１５より取出せる。尚光導電面１６８の透明導
電膜１６２に印加されている電圧は数10Vであ
る。 上記２ケのメツシユ電極のピッチは読取電子ビ
ーム１１１の大きさに対して充分小さく、かつ電
子ビーム透過の良いものが良く、一例としてニツ
ケル、タングステン、銅等を材料とした50〜500
メツシユが適当である。メツシユ電極はさらに増
設してもよい。 このように本発明では放射線像変換パネル１０
６と光電変換パネル１０７とが平面であり、この
間で近接集束を行なうので、有効面を角形にする
ことが出来る。 さらに上記読取電子ビーム１１１は径小のネツ
ク部１０５で発生せしめ偏向ヨーク１１３を使つ
て、有効面全体を走査し、かつ２ケのメツシユ電
極を設けてこの間に加速電界を作つて、光導電面
１６８に入射する読取電子ビーム１１１を垂直入
射させるので全面均一な画像読出しが出来る。 第８図は本発明の別の実施例で、光電変換パネ
ルを２ケ用いて光電子増倍を２段設けたものであ
る。電子銃１１０側の光電変換パネル２０２は第
３図に示す光電変換パネル１０７と全く同一であ
るが、放射線入射窓１０２側の光電変換パネル２
０１ではガラス基板の電子銃側に光電面２０６を
形成している。また２ケの光電変換パネル２０
１，２０２の間隔と印加電圧に関しても第３図の
放射線像変換パネル１０６と光電変換パネル１０
７の場合と全く同じである。放射線像変換パネル
１０６より放出された第１の光電子２０３は第１
の光電変換パネル２０１の螢光面２０５を光らし
光増倍を行なう。この光は他面に形成された光電
面２０６に導かれて第２の光電子２０４を放出す
る。そしてこの光電子２０４は第２の光電変換パ
ネル２０２の螢光面２０７を光らし光増倍を行な
う。この光が他面に形成された光導電膜２０８を
刺激し、その表面に電荷像を形成する。この電荷
像は読取ビーム１１１によつて出力端子１１５よ
り電気信号として読出される。 この方式は近接集束形イメージ管の輝度増倍を
２回くり返すので全体の輝度増倍度は50×50＝
2500倍となる。しかし解像度は若干悪くなる。 光電子増倍のためにマイクロチヤンネルプレー
トを用いてもよい。マイクロチヤンネルプレート
は、例えば直径50μｍのガラス細管の内壁に二次
電子放出均質例えばPbO膜が形成されたもので、
その長さ方向に連続的に電圧が印加されているの
で、その低電圧側に入射した電子は上記ガラス細
管内壁で二次電子増倍され、高電圧側に出てくる
時には数百倍から数万倍に増倍されている。しか
るにこのようなガラス細管をフアイバープレート
のように束ねることにより、一面に入射した光電
子像は、増倍されて他面より光電子像として放出
される。このマイクロチヤンネルプレートを放射
線像変換パネルに近接して設け光電子を増倍して
放出するように構成することができる。 発明の効果 上記したように本発明は有効面が角形で従来方
式のようなタンデムレンズ系とテレビカメラが不
要なので装置全体を考えると著しく小形軽量であ
り、放射線像を直接電気信号として取り出し、テ
レビモニターでの透視や画像処理装置と接続して
診断能の高い画像を高速で再構成することが出来
るので、Ｘ線を用いた医療診断用として特に有効
である。 従来のＸ線螢光増倍管装置と比較して次のよう
な利点がある。 入力面が平面にできるので、糸巻歪、輝度一
様性が優れている。また同一最大径に対して有
効面が広くとれる。 入力有効面を角形にすることができるので、
胸部、腹部等への診断領域が拡がる。 放射線像を時系列的な電気信号として、直接
取出すことができる。 装置全体として従来装置よりも小形軽量にで
きる。 解像度が優れている。
検査に用いる放射線像増強管装置に関する。さら
に詳しくは電子管の内部に第１の螢光面を用いて
放射線像を光像に変換し、光電面により光像を電
子像に、該電子像を適当な増倍手段により増倍
し、そして第２の螢光面により光像に変換し、さ
らに光導電面で光像を電荷像に変換し、この電子
像を電子ビーム走査により時系列的に読取つて電
気信号出力を得る新しい放射線像増強管装置に関
するものである。 発明の技術的背景と問題点 第１図は、従来の放射線像増強管装置の１例を
示す。１は放射線像増強管の真空容器で、放射線
９の入射方向から順に、放射線入射窓２、胴部
３、錐部４、出力部５よりなる。そしてこれらは
いずれも軸対象で、放射線入射窓２の有効面は円
形である。放射線入射窓２に内部には放射線像を
電子像に変換する放射線像変換パネル６が内蔵さ
れている。放射線像変換パネル６は、第２図に示
すようにアルミニウム基板１７上に例えば沃化セ
シウムからなる螢光面１８、酸化アルミニウム、
酸化インジウム等の保護膜１９、光電面２０を順
次形成したもので、放射線９は螢光面１８で光に
変換され、この光は光電面２０によつて光電子８
に変換される。光電子８は放射線像変換パネル６
とグリツド電極１５および陽極１６によつて形成
された電子レンズによつて加速・集束作用を受
け、出力螢光面７によつて明るい光像に変換され
る。そして出力螢光面７に形成された光像は１対
のレンズ１０，１１からなるタンデムレンズ系に
よつて、１２で示すような光路をとりテレビカメ
ラ１３に入射し、出力端子１４より電気信号とし
て取り出される。 このような従来の装置の場合、放射線像変換パ
ネル６とグリツド電極１５、陽極１６とは軸対称
の静電レンズを形成するため、放射線像変換パネ
ル６の形状は、放射線入射窓２方向に突き出た球
面である。このため有効面が角形に出来ない、糸
巻歪が大きい、周辺部の輝度が中心部に比し低く
なる傾向をもち、また全長が長いと言つた不都合
がある。特に大視野の有効面を必要とする場合こ
れらの不都合は顕著になる。 また撮像管の解像度は必らずしもよくないの
で、装置全体の解像度が悪い。 さらにタンデムレンズ系、テレビカメラ１３と
結び付けることによつて、はじめて電気信号が取
り出せるので、調整も複雑であり価格的にも高価
なものとなる。 発明の目的 本発明は上述の如く、従来の放射線像増強管装
置の不都合を除去して、性能の優れた新しい放射
線像増強管装置を提供するものである。 即ち本発明の特長は下記の如くなる。 ○イ 角形有効面にすることが出来る。 ○ロ 放射線像を直接電気信号として時系列的に取
り出すことが出来る。 ○ハ 糸巻歪が非常に少ない。 ○ニ 中心と周辺の輝度一様性が良い。 ○ホ 小形、軽量である。 ○ヘ 高解像度である。 発明の概要 径大部とコーン部を介してそれに対向する部分
が径小部からなる真空容器を備え、 放射線像を第１の螢光面で光像に変換し、該
光像を光電面で電子像に変換する放射線像変換
パネル、 上記光電子を増倍する手段、 光透過ガラス基板の放射線入射側に電子線を
透過する遮光膜と電子線照射で発光する第２の
螢光面を順に形成し、他面に光導電面を有して
電子像を蓄積電荷像に変換する光電変換パネ
ル、 上記電荷像を読取るための読取電子ビームが
光電変換パネルにほゞ垂直入射するような電界
形成手段、 とを、径大部に放射線入射側から所定の間隔で順
次に配置し、径小部には読取電子ビームを発生せ
しめる電子銃と集束手段、偏向手段とを備え、径
大部面に入射した放射線像を電気信号に変換する
ことを特徴とした放射線像増強管装置であつて、
実質的に近接集束形イメージ管と撮像管とを一体
化したような装置である。 即ち、角形を含めた任意の平面形状の放射線像
変換パネルで、Ｘ線→光→光電子変換を行ない、
１段または複数段の近接集束形イメージ管、また
はマイクロチヤンネルプレートの原理を用いて、
前記光を増倍し、この光を光導電膜に入射せしめ
て撮像管の原理により光電変換パネルから電気信
号として時系列的に取り出すものである。 発明の実施例 第３図は本発明の一実施例で、第４図、第５図
はその要部拡大図である。 真空容器１００は径大部が放射線入射窓１０
２、胴部１０３よりなり径小のネツク部１０５と
の間はコーン部１０４で接続されている。放射線
入射窓１０２としてはガラスでもよいが、アルミ
ニウム、チタニウム、鉄合金の薄板が耐気圧に強
く、放射線透過もよいので望ましい。径大部の内
部には、放射線入射窓１０２側から順に放射線像
変換パネル１０６、光電変換パネル１０７、２枚
のメツシユ電極１０８，１０９が互いに近接して
配置されている。放射線像変換パネル１０６は、
例えば、厚さ0.5mmのアルミニウム基板１５０、
厚さ200μｍの沃化セシウム蒸着膜よりなる第１
の螢光面１５１、酸化アルミニウム、酸化インジ
ウム等よりなる保護膜１５２、Sb−Cs，Sb−Cs
−Ｋ，Sb−Cs−Ｋ−Na等よりなる光電面１５３
が順次形成されている。 今放射線９、例えばＸ線が放射線入射窓１０２
を透過して入射すると、上記第１の螢光面１５１
により光に変換され、この光は保護膜１５２を透
過して光電面１５３に達し、光の強弱に応じた光
電子１５４を放出する。 次に放射線像変換パネル１０６から距離ｄだけ
離れて光電変換パネル１０７が配置されている。
光電変換パネル１０７は光フアイバープレートま
たは厚さ100〜300μｍの超薄形ガラス板よりな
る。光伝達ガラス基板１６０の放射線像変換パネ
ル１０６側に、電子線で発光する例えば（Zn，
Cd）SiAg，ZnS：Cu，Cl等の硫化物螢光体から
なる第２の螢光面１６１と、メタルバツク層１６
５、光しや光膜１６９が被着され、他面には光導
電面１６８が形成されている。 遮光膜１６９は第２の螢光面の光の一部がメタ
ルバツク層１６５を透過してそれと対向する光電
面１５３を刺激してノイズ成分の光電子を放出さ
せるのを防止するのが目的である。光しや光膜と
しては炭素の蒸着膜、10-1torr程度の圧力のアル
ゴン雰囲気中でアルミニウムを蒸着することによ
つて得られる黒アルミニウム膜等が用い得る。 光導電膜としては用途に応じて種々のものがあ
るが、例えば東芝カルニコン（商品名）撮像管に
使用されているものは、透明導電膜１６２，
CdSe膜１６３、As2S3膜１６４が順次被着されて
いる。 今放射線像変換パネル１０６の光電面１５３と
光電変換パネル１０７の第２の螢光面１６１間の
距離をｄ、その間に印加される電圧をＶとする
と、光電変換パネル１０７の第２の螢光面１６１
での解像度Ｒ（lp／mmで表わす）と、輝度増倍度
BMは次の関係にある。 Ｒ＝Ｋ√Ｖ／ｄ BM＝K′（Ｖ−V0）n ここでＫ，K′は定数、V0はメタルバツク層１
６５と光しや光膜１６９との厚さで決まる定数で
一般に３〜10KVであり、ｎは第２の螢光面１６
１の特性によつて決まる定数で一般には0.5〜1.5
の間にある。 しかるにｄを小さくすればする程解像度は良く
なるが、両電極間の耐電圧が悪くなる。またＶを
大きくすればする程解像度輝度増倍率は向上する
が、耐電圧が悪くなる関係を有する。 以上のことを勘案してｄとＶを決める必要があ
るが、一例としてｄ＝３mm，Ｖ＝10KVとした場
合、解像度は約30lp／mm、輝度増倍度は50倍とな
る。 上記のように光電子増倍手段により輝度増倍さ
れた第２の螢光面１６１の光１６７は、フアイバ
ープレート１６０を通して他面に形成された光導
電面１６８に伝達される。光導電面１６８は光の
強弱に応じて抵抗値が変化しその表面に電荷像を
蓄積する。 第６図は第５図に示す光電変換パネル１０７の
他の実施例で、第５図のフアイバープレート１６
０の代りに、厚さが100〜300μｍの薄いガラス板
１６６を用いたもので、ガラス板厚が充分に薄け
れば、解像度の劣化を最小限に抑えて第２の螢光
面１６１の光１６７を光導電面１６８へ伝達す
る。 一方、ネツク部１０５の内部には電子銃１１０
が内蔵されており、こゝで発生した電子ビーム１
１１は集束コイル１１２、偏向ヨーク１１３の作
用を受けて前記径大部に内蔵された光電変換パネ
ル１０７方向へ向う。この際光電変換パネル１０
７の電子銃１１０側に２枚のメツシユ電極１０
８，１０９を設け、電子銃のカソード（図示せ
ず）電圧に対し、例えば第１メツシユ電極１０９
に＋8KV、第２メツシユ電極１０８に第１メツ
シユ電極１０９よりは高い電圧＋10KVを印加す
る。偏向ヨーク１１３で偏向され第１メツシユ電
極１０９で加速された読取電子ビーム１１１は、
第７図に示すように第１メツシユ電極１０９と第
２メツシユ電極１０８との間の加速電界によつ
て、第２メツシユ電極１０８を透過した後は第２
メツシユ電極１０８にほぼ直角方向に曲げられて
いる。この様子を第７図に示す。 そして光導電面１６８に対しほゞ垂直に入射
し、光導電面１６８の表面に形成された電荷像に
対応した電気信号が、光導電面１６８の出力端子
１１５より取出せる。尚光導電面１６８の透明導
電膜１６２に印加されている電圧は数10Vであ
る。 上記２ケのメツシユ電極のピッチは読取電子ビ
ーム１１１の大きさに対して充分小さく、かつ電
子ビーム透過の良いものが良く、一例としてニツ
ケル、タングステン、銅等を材料とした50〜500
メツシユが適当である。メツシユ電極はさらに増
設してもよい。 このように本発明では放射線像変換パネル１０
６と光電変換パネル１０７とが平面であり、この
間で近接集束を行なうので、有効面を角形にする
ことが出来る。 さらに上記読取電子ビーム１１１は径小のネツ
ク部１０５で発生せしめ偏向ヨーク１１３を使つ
て、有効面全体を走査し、かつ２ケのメツシユ電
極を設けてこの間に加速電界を作つて、光導電面
１６８に入射する読取電子ビーム１１１を垂直入
射させるので全面均一な画像読出しが出来る。 第８図は本発明の別の実施例で、光電変換パネ
ルを２ケ用いて光電子増倍を２段設けたものであ
る。電子銃１１０側の光電変換パネル２０２は第
３図に示す光電変換パネル１０７と全く同一であ
るが、放射線入射窓１０２側の光電変換パネル２
０１ではガラス基板の電子銃側に光電面２０６を
形成している。また２ケの光電変換パネル２０
１，２０２の間隔と印加電圧に関しても第３図の
放射線像変換パネル１０６と光電変換パネル１０
７の場合と全く同じである。放射線像変換パネル
１０６より放出された第１の光電子２０３は第１
の光電変換パネル２０１の螢光面２０５を光らし
光増倍を行なう。この光は他面に形成された光電
面２０６に導かれて第２の光電子２０４を放出す
る。そしてこの光電子２０４は第２の光電変換パ
ネル２０２の螢光面２０７を光らし光増倍を行な
う。この光が他面に形成された光導電膜２０８を
刺激し、その表面に電荷像を形成する。この電荷
像は読取ビーム１１１によつて出力端子１１５よ
り電気信号として読出される。 この方式は近接集束形イメージ管の輝度増倍を
２回くり返すので全体の輝度増倍度は50×50＝
2500倍となる。しかし解像度は若干悪くなる。 光電子増倍のためにマイクロチヤンネルプレー
トを用いてもよい。マイクロチヤンネルプレート
は、例えば直径50μｍのガラス細管の内壁に二次
電子放出均質例えばPbO膜が形成されたもので、
その長さ方向に連続的に電圧が印加されているの
で、その低電圧側に入射した電子は上記ガラス細
管内壁で二次電子増倍され、高電圧側に出てくる
時には数百倍から数万倍に増倍されている。しか
るにこのようなガラス細管をフアイバープレート
のように束ねることにより、一面に入射した光電
子像は、増倍されて他面より光電子像として放出
される。このマイクロチヤンネルプレートを放射
線像変換パネルに近接して設け光電子を増倍して
放出するように構成することができる。 発明の効果 上記したように本発明は有効面が角形で従来方
式のようなタンデムレンズ系とテレビカメラが不
要なので装置全体を考えると著しく小形軽量であ
り、放射線像を直接電気信号として取り出し、テ
レビモニターでの透視や画像処理装置と接続して
診断能の高い画像を高速で再構成することが出来
るので、Ｘ線を用いた医療診断用として特に有効
である。 従来のＸ線螢光増倍管装置と比較して次のよう
な利点がある。 入力面が平面にできるので、糸巻歪、輝度一
様性が優れている。また同一最大径に対して有
効面が広くとれる。 入力有効面を角形にすることができるので、
胸部、腹部等への診断領域が拡がる。 放射線像を時系列的な電気信号として、直接
取出すことができる。 装置全体として従来装置よりも小形軽量にで
きる。 解像度が優れている。
第１図は従来の放射線像増強管装置の説明図、
第２図はその放射線像変換パネルの構造説明図、
第３図は本発明の一実施例を示す放射線像増倍管
の構成図、第４図、第５図は各々その要部拡大
図、第６図は第５図に示す光電変換パネルの別の
実施例を示し、第７図は第３図に示す読取電子ビ
ームの軌道説明図、第８図は本発明の他の実施例
を示す構成図である。 １００……真空容器、９……放射線、１０６…
…放射線像変換パネル、１１４……光電子、１０
７……光電変換パネル、１１１……読取ビーム、
１０８，１０９……メツシユ電極、１１０……電
子銃、１１５……信号出力端子、１１２……集束
コイル、１１３……偏向ヨーク。
第２図はその放射線像変換パネルの構造説明図、
第３図は本発明の一実施例を示す放射線像増倍管
の構成図、第４図、第５図は各々その要部拡大
図、第６図は第５図に示す光電変換パネルの別の
実施例を示し、第７図は第３図に示す読取電子ビ
ームの軌道説明図、第８図は本発明の他の実施例
を示す構成図である。 １００……真空容器、９……放射線、１０６…
…放射線像変換パネル、１１４……光電子、１０
７……光電変換パネル、１１１……読取ビーム、
１０８，１０９……メツシユ電極、１１０……電
子銃、１１５……信号出力端子、１１２……集束
コイル、１１３……偏向ヨーク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 放射線を透過する材料からなる入射窓を有す
る径大部、コーン部、径小部を順次形成してなる
真空容器と、 上記径大部にあつて上記真空容器の放射線入射
窓の内側に設けられ、入射放射線により励起され
光像に変換する第１の螢光面および該光像を電子
像に変換する光電面を順次備える放射線像変換パ
ネルと、 上記径大部にあつて上記放射線像変換パネルの
光電面に近接対面して設けられ、上記光電面から
発する光電子により励起されて発光する第２の螢
光面、該第２の螢光面から発する光を上記放射線
像変換パネル側で光遮蔽し且つ光電面からの光電
子を透過する光遮蔽膜、および第２の蛍光面から
発する光を受ける光導電面を備える光電変換パネ
ルと、 上記光電変換パネルに対向し真空容器の径小部
内に設けられ読取電子ビームを発生する電子銃
と、 この電子銃から発する電子ビームを上記光電変
換パネルの光導電面に垂直に入射するような電界
を形成する電子ビーム垂直入射用電極と、 上記電子ビームを偏向走査する偏向装置と、 を具備し、上記光電変換パネルから放射線像に対
応する電気信号を取り出すようになされた放射線
像増強管装置。 ２ 放射線像変換パネルは、平坦なアルミニウム
基板に沃化セシウム蛍光体が蒸着されてなる第１
の蛍光面と、この蛍光面上に蒸着された保護膜
と、さらにこの保護膜上に形成された光電面とを
具備してなる特許請求の範囲第１項記載の放射線
像増強管装置。 ３ 光電変換パネルは、光透過性基板を有し該基
板の放射線像変換パネル側の面に第２の蛍光面が
設けられ、電子銃側の面に光導電面が設けられて
なる特許請求の範囲第１項記載の放射線像増強管
装置。 ４ 両パネルの２枚の基板が平行に対置され、そ
れらの相対する面の一面に光電面が形成され、他
面に電子線照射で発光する第２の蛍光面が前記光
電面側に光遮光膜を有して設けられ、上記光電面
と第２の蛍光面との相互間隔が10mm以下に保た
れ、且つ上記光電面に対して第２の蛍光面の電位
が5Kv以上の正電位が与えられて光電子の近接集
束作用を伴なう光電子増倍を得るようになされた
特許請求の範囲第１項、第２項、または第３項記
載の放射線像増強管装置。 ５ 放射線像変換パネルの光電面に第２の蛍光面
が近接対面するように配設された光電変換パネル
を放射線入射窓側から電子銃側にむかつて複数組
設けられてなる特許請求の範囲第１項記載の放射
線増強管装置。 ６ 光電子増倍作用をするマイクロチヤンネルプ
レートが放射線像変換パネルに近接して設けられ
てなる特許請求の範囲第１項記載の放射線増強管
装置。 ７ 光電変換パネルの光透過性基板が光フアイバ
フレートまたは厚さ100μｍ〜300μの範囲の薄板
ガラスからなる特許請求の範囲第１項または第３
項記載の放射線増強管装置。 ８ 電子ビーム垂直入射用電極は少なくとも２枚
のメツシユ電極が光電変換パネルに所定の間隔を
おいて配設されてなる特許請求の範囲第１項記載
の放射線像増強管装置。 ９ 複数のメツシユ電極は、光電変換パネル側の
メツシユ電極電位が、電子銃側のメツシユ電極電
位よりも高い電位に保たれてなる特許請求の範囲
第８項記載の放射線像増強管装置。 １０ 放射線入射窓が、アルミニウム、チタニウ
ム、または鉄合金のうちから選ばれた薄板で形成
されてなる特許請求の範囲第１項記載の放射線像
増強管装置。 １１ 放射線入社窓の有効面が角形である特許請
求の範囲第１項記載の放射線像増強管装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11385282A JPS595549A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 防射線像増強管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11385282A JPS595549A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 防射線像増強管装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS595549A JPS595549A (ja) | 1984-01-12 |
| JPH043058B2 true JPH043058B2 (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=14622678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11385282A Granted JPS595549A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 防射線像増強管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS595549A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5951695B2 (ja) * | 1977-07-14 | 1984-12-15 | 三菱電機株式会社 | 開閉器のインタ−ロック装置 |
| JPS5725456U (ja) * | 1980-07-21 | 1982-02-09 | ||
| FR2502842A1 (fr) * | 1981-03-27 | 1982-10-01 | Thomson Csf | Cible de tube intensificateur d'image et tube intensificateur d'image a sortie video muni d'une telle cible |
-
1982
- 1982-07-02 JP JP11385282A patent/JPS595549A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS595549A (ja) | 1984-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2555423A (en) | Image intensifying tube | |
| US2555424A (en) | Apparatus for fluoroscopy and radiography | |
| US2747131A (en) | Electronic system sensitive to invisible images | |
| US4255666A (en) | Two stage, panel type x-ray image intensifier tube | |
| JPS6340351B2 (ja) | ||
| US2699511A (en) | Storage tube for invisible radiation | |
| US2699512A (en) | Camera for invisible radiation images | |
| US4339659A (en) | Image converter having serial arrangement of microchannel plate, input electrode, phosphor, and photocathode | |
| EP0242024B1 (en) | Radiation image intensifier tubes | |
| CA1116316A (en) | Direct view, panel type x-ray image intensifier tube | |
| US2717971A (en) | Device for storage of images of invisible radiation | |
| US3603828A (en) | X-ray image intensifier tube with secondary emission multiplier tunnels constructed to confine the x-rays to individual tunnels | |
| US2739258A (en) | System of intensification of x-ray images | |
| US3749920A (en) | System for x-ray image intensification | |
| US3304455A (en) | Image-converter tube with output fluorescent screen assembly resiliently mounted | |
| US2700116A (en) | Device for intensification of X-ray images | |
| Green Jr | Electro-optical systems for dynamic display of X-ray diffraction images | |
| US2690516A (en) | Method and device for producing neutron images | |
| US3001098A (en) | X-ray image intensifying device | |
| US3835314A (en) | Intensifier radiographic imaging system | |
| CN109686640B (zh) | 一种平板倍增影像增强器及倍增方法 | |
| JPH07294644A (ja) | 放射線二次元検出器 | |
| JPH043058B2 (ja) | ||
| US3424932A (en) | Electrical image device including a vacuum tube provided with endwall having an array of electrical conductors receiving electrical currents forming the image and amplifying means for said currents | |
| US5357100A (en) | Ionizing radiation converter with catadioptric electron focusing |