JPH044332B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH044332B2 JPH044332B2 JP17533183A JP17533183A JPH044332B2 JP H044332 B2 JPH044332 B2 JP H044332B2 JP 17533183 A JP17533183 A JP 17533183A JP 17533183 A JP17533183 A JP 17533183A JP H044332 B2 JPH044332 B2 JP H044332B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- polythienylene
- methyl derivative
- heat treatment
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子デバイスの分野に利用される高
分子フイルム及びその製造方法に関する。
分子フイルム及びその製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
従来、高分子を無定形状態にする方法として、
一般的に知られているのは、高分子を溶融状態か
ら室温に急冷する方法である。
一般的に知られているのは、高分子を溶融状態か
ら室温に急冷する方法である。
ここで無定形状態とは、高分子フイルムを形成
する高分子鎖が規則性を持たずに配列しているこ
とと定義する。また、この無定形状態はＸ線回折
による測定で、回折像が得られてもごくわずかで
あることによつて確認される。
する高分子鎖が規則性を持たずに配列しているこ
とと定義する。また、この無定形状態はＸ線回折
による測定で、回折像が得られてもごくわずかで
あることによつて確認される。
ポリチエニレンおよびそのメチル誘導体は急冷
法により無定形状態にして、アモルフアス化（無
定形状態化）ポリチエニレンおよびそのメチル誘
導体を製造しようとしてもできない。
法により無定形状態にして、アモルフアス化（無
定形状態化）ポリチエニレンおよびそのメチル誘
導体を製造しようとしてもできない。
というのは、ポリチエニレンおよびそのメチル
誘導体フイルムは、はつきりとした融点を持た
ず、溶融状態のポリチエニレン誘導体が得られな
いからである。
誘導体フイルムは、はつきりとした融点を持た
ず、溶融状態のポリチエニレン誘導体が得られな
いからである。
発明の目的
本発明は、アモルフアス化したポリチエニレン
もしくはそのメチル誘導体とその簡単な製造法を
提供することを目的とする。
もしくはそのメチル誘導体とその簡単な製造法を
提供することを目的とする。
発明の構成
本発明のアモルフアス化ポリチエニレンもしく
はそのメチル誘導体は、高分子鎖が無定形状態に
なつている。そのため、本発明のフイルムは通常
の、一部結晶状態を持つポリチエニレンもしくは
そのメチル誘導体フイルムに比べて、柔軟性に富
み、強靭である。
はそのメチル誘導体は、高分子鎖が無定形状態に
なつている。そのため、本発明のフイルムは通常
の、一部結晶状態を持つポリチエニレンもしくは
そのメチル誘導体フイルムに比べて、柔軟性に富
み、強靭である。
このアモルフアス化ポリチエニレンもしくはそ
のメチル誘導体は、通常の合成手段により得られ
たポリチエニレンもしくはそのメチル誘導体を熱
処理することにより得られる。熱処理することに
よつて、高分子鎖が動きやすくなり、ばらばらに
なつて規則性を失うことによつて得られる。
のメチル誘導体は、通常の合成手段により得られ
たポリチエニレンもしくはそのメチル誘導体を熱
処理することにより得られる。熱処理することに
よつて、高分子鎖が動きやすくなり、ばらばらに
なつて規則性を失うことによつて得られる。
この方法は急冷法と違つて、ポリチエニレンも
しくはそのメチル誘導体を溶融する必要がないの
で、簡単にアモルフアス化できる。
しくはそのメチル誘導体を溶融する必要がないの
で、簡単にアモルフアス化できる。
ここで、熱処理は不活性雰囲気で行なうのがよ
い。
い。
この不活性雰囲気とは、ポリチエニレンもしく
はそのメチル誘導体フイルムを数百度に加熱して
も、酸化あるいは熱分解しない雰囲気のことであ
る。
はそのメチル誘導体フイルムを数百度に加熱して
も、酸化あるいは熱分解しない雰囲気のことであ
る。
不活性雰囲気の例としては、窒素ガス中、ヘリ
ウムガス中、ネオンガス中、アルゴンガス中ある
いは、空気圧が10mmHg以下の減圧状態などがあ
げられる。
ウムガス中、ネオンガス中、アルゴンガス中ある
いは、空気圧が10mmHg以下の減圧状態などがあ
げられる。
空気圧が数十mmHgになると、酸素の影響を受
けやすくなる。そのため、減圧の場合は、１mm
Hg以下が望ましい。
けやすくなる。そのため、減圧の場合は、１mm
Hg以下が望ましい。
熱処理温度は、熱処理時間と深い関係があり、
例えば、400℃なら20分、600℃なら１分、800℃
なら30秒程度である。熱処理温度が低いほど、熱
処理時間を長くする必要がある。熱処理温度とし
ては、100〜1000℃が有効で、望ましくは400〜
800℃である。
例えば、400℃なら20分、600℃なら１分、800℃
なら30秒程度である。熱処理温度が低いほど、熱
処理時間を長くする必要がある。熱処理温度とし
ては、100〜1000℃が有効で、望ましくは400〜
800℃である。
実施例の説明
実施例 １
チオフエン5.05ｇ、支持電解質としてのテトラ
−ｎ−ブチル アンモニウム パークロレート
2.05ｇを300mmのニトロベンゼンに溶解する。
陰極として白金板を用い、陽極としてスズをドー
プした酸化インジウム薄膜を備えたガラス電極を
用い、電解酸化重合を行ない、緑黒色のフイルム
状の重合体を陽極上に得た。電流密度は2mA／
cm2、反応温度は５℃、反応時間は10分とした。そ
の後、引き続いて、２つの電極を反転し、電解還
元を行なつた。電流密度は4mA／cm2、反応時間
は３分とした。反応後、フイルムを電極面から剥
離し、メタノールで洗浄後、一昼夜真空燥し、ポ
リチエニレンフイルムを得た。
−ｎ−ブチル アンモニウム パークロレート
2.05ｇを300mmのニトロベンゼンに溶解する。
陰極として白金板を用い、陽極としてスズをドー
プした酸化インジウム薄膜を備えたガラス電極を
用い、電解酸化重合を行ない、緑黒色のフイルム
状の重合体を陽極上に得た。電流密度は2mA／
cm2、反応温度は５℃、反応時間は10分とした。そ
の後、引き続いて、２つの電極を反転し、電解還
元を行なつた。電流密度は4mA／cm2、反応時間
は３分とした。反応後、フイルムを電極面から剥
離し、メタノールで洗浄後、一昼夜真空燥し、ポ
リチエニレンフイルムを得た。
このフイルムを、石英ガラス製の密封管に入れ
て脱気した後、窒素ガスを封入し、電気炉で600
℃の温度で１分間加熱した。熱処理後、封管の温
度が室温に下がつてから、ポリチエニレンフイル
ムを取り出した。緑赤色のフイルムを得た。
て脱気した後、窒素ガスを封入し、電気炉で600
℃の温度で１分間加熱した。熱処理後、封管の温
度が室温に下がつてから、ポリチエニレンフイル
ムを取り出した。緑赤色のフイルムを得た。
実施例 ２
実施例１において、ポリチエニレンフイルム
を、１mmHgに減圧した密封管中で、同じ条件で
熱処理し、緑赤色のポリチエニレンフイルムを得
た。
を、１mmHgに減圧した密封管中で、同じ条件で
熱処理し、緑赤色のポリチエニレンフイルムを得
た。
実施例 ３
実施例１において、チオフエン5.05ｇを３−メ
チルチオフエン5.89ｇにかえて同様の実験を行な
い、黄赤色のフイルムを得た。
チルチオフエン5.89ｇにかえて同様の実験を行な
い、黄赤色のフイルムを得た。
実施例 ４
実施例１において、チオフエン5.05ｇを３−メ
チルチオフエン5.89ｇにかえ、また、熱処理を１
mmHgに減圧した密封管で、同じ条件で熱処理し、
黄赤色のフイルムを得た。
チルチオフエン5.89ｇにかえ、また、熱処理を１
mmHgに減圧した密封管で、同じ条件で熱処理し、
黄赤色のフイルムを得た。
実施例１〜４で得られたフイルムは、熱処理前
のフイルムに比べて、いずれのフイルムも柔軟性
に富み、引つ張り強度は数倍強靭であつた。ま
た、理学電機FR−Ｂ、Ｘ線発生器とArndt−
Wanacottオツシレーシヨンカメラを用いて0.1×
0.1mmのCuKα放射線をフイルム面に垂直に入射さ
せてこれらのフイルムのラウエ写真を撮つた。い
ずれの写真も、回折像は、はつきりとしたパター
ンが見えず、無定形状態を示していた。その１例
として、ポリ（３−メチルチエニレン）（実施例
４）のラウエ写真を図に示す。
のフイルムに比べて、いずれのフイルムも柔軟性
に富み、引つ張り強度は数倍強靭であつた。ま
た、理学電機FR−Ｂ、Ｘ線発生器とArndt−
Wanacottオツシレーシヨンカメラを用いて0.1×
0.1mmのCuKα放射線をフイルム面に垂直に入射さ
せてこれらのフイルムのラウエ写真を撮つた。い
ずれの写真も、回折像は、はつきりとしたパター
ンが見えず、無定形状態を示していた。その１例
として、ポリ（３−メチルチエニレン）（実施例
４）のラウエ写真を図に示す。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明のアモ
ルフアス化ポリチエニレンもしくはメチル誘導体
フイルムは、柔軟性に富みかつ強靭である。ま
た、本発明の製造法を用いることにより、簡単に
アモルフアス化ポリチエニレンもしくはそのメチ
ル誘導体フイルムが得られる。
ルフアス化ポリチエニレンもしくはメチル誘導体
フイルムは、柔軟性に富みかつ強靭である。ま
た、本発明の製造法を用いることにより、簡単に
アモルフアス化ポリチエニレンもしくはそのメチ
ル誘導体フイルムが得られる。
図は、ポリ（３−メチルチエニレン）のＸ線回
折像である。
折像である。
Claims (1)
- １ チオフエンもしくはそのメチル誘導体を、支
持電解質の存在下で通電し電解酸化重合して、陽
極上にポリチエニレンもしくはそのメチル誘導体
フイルムを形成する工程，電極の極性を反転し、
前記ポリチエニレンフイルムもしくはそのメチル
誘導体フイルムを電解還元する工程，不活性雰囲
気下で少なくとも30秒間100〜1000℃で熱処理し
て前記フイルムをアモルフアス化する工程を有す
ることを特徴とする、ポリチエニレンもしくはそ
のメチル誘導体フイルムの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175331A JPS6067534A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | ポリチェニレンもしくはそのメチル誘導体フィルムの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175331A JPS6067534A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | ポリチェニレンもしくはそのメチル誘導体フィルムの製造法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1283257A Division JPH0791383B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | ポリチェニレンもしくはそのメチル誘導体フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067534A JPS6067534A (ja) | 1985-04-17 |
| JPH044332B2 true JPH044332B2 (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=15994200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58175331A Granted JPS6067534A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | ポリチェニレンもしくはそのメチル誘導体フィルムの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067534A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310621A (ja) * | 1986-03-12 | 1988-01-18 | Katsumi Yoshino | 高導電性物質の製造方法 |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP58175331A patent/JPS6067534A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6067534A (ja) | 1985-04-17 |
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