JPH0453048B2 - - Google Patents
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- JPH0453048B2 JPH0453048B2 JP60102762A JP10276285A JPH0453048B2 JP H0453048 B2 JPH0453048 B2 JP H0453048B2 JP 60102762 A JP60102762 A JP 60102762A JP 10276285 A JP10276285 A JP 10276285A JP H0453048 B2 JPH0453048 B2 JP H0453048B2
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Description
〔発明の技術分野〕
本発明は、化合物超電導体の製造方法に係り、
たとえば、長尺のA−15型化合物超電導体または
長尺のシエブレル型化合物超電導体を安定に、か
つ効率良く製造できるようにした製造方法に関す
る。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
周知のように、現在実用化されている化合物超
電導体は、Nb3Sn、V3Gaである。しかし、これ
らの化合物超電導体を用いて形成されたマグネツ
トは、20Tまでの磁界発生が限界とされている。
一方、上述した化合物超電導体より優れた超電
導特性を持つものとして、Nb3Al、Nb3Ga、
Nb3Ge、Nb3(Al・Ge)等のA−15型化合物超電
導体と、PbMo6S8等のシエブレル型化合物超電
導体が知られている。たとえば、Nb3Al、
PbMo6S8は、それぞれ18.9K、14.4Kの臨界温度、
30T、50〜60Tの臨界磁場という高い値が報告さ
れている。
ところで、A−15型化合物超電導体、シエブレ
ル型化合物超電導体は、現在、スパツタリング、
CVDなどの気相蒸着法によつて実験室規模で作
製されているのが実状である。しかし、これらの
製造方法では、生成速度にも限界があるため、幅
1cm、長さ数cm、厚さ2〜3μm程度の超電導体
を得るのが限界であつた。なかには、数mの試料
を作製した例も報告されているが、長さ方向に沿
つて超電導特性のバラツキが大きく実用化はされ
ていない。また、膜厚が数μmのものでしか高い
超電導特性が得られないため臨界電流Icは、高々
数100mAと小さいものであつた。
このように、Nb3Sn、V3Ga以外のA−15型化
合物超電導体、シエブレル型化合物超電導体は、
従来の化合物超電導体より超電導特性に優れてい
ることが判明しているが、これらの実用化できる
化合物超電導体をどのようにして製造するかと言
う点が未解決として残されていた。
〔発明の目的〕
本発明は、このような事情に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、長尺で、かつ高
い臨界電流を持つ化合物超電導体(たとえばA−
15型化合物超電導体やシエブレル型化合物超電導
体)を容易に、しかも安定に製造できる製造方法
を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明によれば、化合物超電導体の生成母材と
なる複数種類の粉末材料を混合し、この混合物に
成形加工を施して長尺の成形加工物を形成する第
1の工程と、この工程によつて得られた成形加工
物の表面部に上記成形加工物の長手方向に沿つて
定められた相対速度でレーザービームを照射し、
この照射で上記成形加工物の表面部を順次、急速
溶融させた後に急速冷却固化させることによつて
上記溶融、固化部分中に化合物超電導層を生成さ
せる第2の工程とを具備してなる化合物超電導体
の製造方法が提供される。
さらに詳しく述べると、レーザービームの照射
は、真空中あるいはArガス中で行われる。そし
て、レーザービームのパワーは、100W以上に設
定される。100W未満では、試料が充分に溶融混
合されず、構成元素同志が反応しない。したがつ
て、化合物超電導体を形成することはできない。
また、第2の工程に、レーザービーム照射前後に
熱処理を行なう工程を含ませると好ましい結果が
得られる。これらの熱処理工程は、超電導特性の
向上に寄与する。特に、レーザービーム照射前の
熱処理は、構成元素同志を予備的に反応させ、そ
の後のレーザービーム照射による超電導体の形成
を助ける役目をする。ただし、この時の熱処理温
度を400〜2000℃に限定する必要がある。熱処理
温度が400℃未満では構成元素同志の反応がほと
んど進まず、2000℃を越えると超電導体以外の化
合物が形成されて好ましい結果は得られない。一
方、レーザービーム照射後の熱処理は、レーザー
ビーム照射で形成された化合物の結晶の規則性を
高め、超電導特性の向上に寄与する。この場合
も、熱処理温度を300〜1500℃に限定する必要が
ある。熱処理温度が300℃未満では元素の移動が
ほとんど起こらないため結晶の規則性の改善には
ほとんど寄与しない。熱処理温度が1500℃を越え
ると結晶粒の粗大化が顕著となり、かえつて超電
導特性が劣化する。
〔発明の効果〕
本発明製造方法によれば、レーザービーム照射
によつて急速に溶融させた後に急速に冷却固化さ
せたことによる効果、つまり急速に溶融させたこ
とによつて反応材料の混合を促進できると共に反
応の均一化を図ることができ、また急速に冷却固
化させたことによつて反応結晶粒の微細化を図る
ことができ、この結果として特性の優れた、たと
えばA−15型化合物超電導体またはシエブレル型
化合物超電導体を容易に作製することができる。
特に、本発明製造方法では、第1の工程によつて
得られた成形加工物の表面に、単にレーザービー
ムを照射するだけなので、レーザービームを固定
して成形加工物を高速で移動させるか、成形加工
物を固定してレーザービームを高速で掃引するな
どによつて長尺の超電導体を容易に作製すること
ができる。また、レーザービームの照射によつて
厚さ数100μmの超電導体層を形成することが可
能であるため臨界電流Icの充分高い超電導体を作
製することができる。
このように、本発明製造方法によれば、現在実
用化されているNb3Sn、V3Gaに比べて臨界温度
Tc、臨界磁界Bc2、臨界電流密度Jcがはるかに高
く、しかも長尺の化合物超電導体を容易に製造す
ることができる。したがつて、より強磁界を発生
させる超電導マグネツトの実現に寄与することが
できる。また、従来のNb3Sn、V3Ga超電導体
は、複合加工法によつて作製されているため、線
引き、押し出し、中間焼鈍等の多くの工程を必要
とし、さらに最終工程の拡散熱処理にも数10〜数
100時間を必要としている。しかし、本発明製造
方法によれば、極く短時間のレーザービーム照射
で超電導体を作製できるので、製造コストを大幅
に低減させることができる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を説明する。
実施例 1
試料番号1として、純度99%のNb粉末と純度
99.9%のAl粉末とをNb−25at%Alの割合いで混
合し、これをA−15型化合物超電導体形成の母材
料として外径10mm、内径8mmのCu管に充填した。
次に、上記Cu管の両端を溶接密閉し、続いて全
体を線引き後、圧延してテープ状とした。その
後、外側のCuを硝酸で取り除いた。得られたNb
−Al粉末混合体テープは、厚さ0.5mm、幅3mmで
あつた。以上が第1の工程である。
上記した以外に表1に示す試料番号2から試料
番号11の組成の試料を同様な方法で作製した。
このようにして準備された試料番号1から試料
番号11の各試料の表面に第1図に示すレーザ照射
装置1を用いてレーザービームを照射した(第2
の工程)。
ここで、レーザ照射装置1の構成を簡単に説明
すると以下の通りである。
すなわち、図中2は、CO2レーザー発振器(最
大出力10KW)である。このCO2レーザ発振器2
から送出されたレーザービーム3はCu製の反射
鏡4、ZnSe製のレンズ5を介して真空容器6内
に導かれるようになつている。真空容器6内には
試料7を送り出す送りドラム8と、試料7を巻取
る巻取りドラム9とが設けてあり、送りドラム8
から送りされた試料7はレーザービーム3の照射
を受けた後、巻取りドラム9に巻取られるように
なつている。また、真空容器6は排気ポンプ10
およびArガスボンベ11に選択的に接続される
ようになつている。
しかして、各試料へのレーザービーム照射を次
のようにして行なつた。すなわち、まず、試料7
を送りドラム8と巻取りドラム9とにセツトした
後、真空容器6内を10-5torrまで減圧し、続いて
Arガスを導入して1気圧とした。次に、試料7
を巻取りドラム8から10m/minの速度で巻戻し
ながら表1に示すパワーのレーザービーム3を試
料7の表面に照射した。このようにして照射を終
えた試料、たとえばパワー2.5KWのレーザービ
ームを照射した各試料を観察したところ第2図に
示すように、試料7の表面側に幅約0.5mm、深さ
約0.1mmの化合物超電導層12が形成されていた。
そして、その表面は、溶接跡の如きであつた。
このように化合物超電導層の形成された各試料
について、臨界温度Tcと、17Tでの臨界電流Ic
とを測定したところ表1のb欄に示す結果が得ら
れた。この結果から分かるように各試料ともTc
が充分高く、またIcも10A以上の値となつてい
る。これは臨界電流密度Jcに換算すると2×
104A/cm2以上と多きな値である。従来の気相蒸
着法で得られた化合物超電導体のIcは高々数100
mAであること考えると本製造方法の採用によつ
て2桁程度以上に改善されたことになる。
また、各試料について、長さ方向の特性を調べ
たところ、長さ30〜100mの範囲に亙つて表1の
b欄の特性と同一であることが確認された。すな
わち、本製造方法の採用によつて、充分に高い
TcとIcとを有した長尺の化合物超電導体を簡単
に作製することができる。したがつて、本製造方
法で作製された化合物超電導体を用いれば、従来
不可能とされていた20Tあるいはそれ以上の強磁
界を発生する超電導マグネツトの製作が可能であ
る。
一方、レーザビーム照射後に各試料の一部分
に、700℃で100時間の熱処理を施してみた。その
結果、表1のc欄に示すように、各試料とも1K
前後のTcの増加が認められ、さらに17Tにおけ
るIcの増加も認められた。
また、レーザービーム照射前に各試料の一部分
に、1000℃で30分間の熱処理を施してみた。レー
ザービーム照射後に各試料の上記部分について
TcとIcとを測定したところ、表1のd欄に示す
ようにそれぞれ改善されていることが確認され
た。
さらに、表1のd欄の結果を得た各試料の一部
に、レーザービーム照射後に700℃、100時間の熱
処理を施してみた。これらの部分について、Tc
とIcとを測定したところ表1のe欄に示すように
各試料ともTc、Icの増加が認められた。したが
つて、レーザービーム照射前後に熱処理を行なう
ことは有効であることが分つた。
[Technical field of the invention] The present invention relates to a method for producing a compound superconductor,
For example, the present invention relates to a manufacturing method capable of stably and efficiently manufacturing a long A-15 type compound superconductor or a long Siebrel type compound superconductor. [Technical background of the invention and its problems] As is well known, the compound superconductors currently in practical use are Nb 3 Sn and V 3 Ga. However, magnets formed using these compound superconductors are limited to generating a magnetic field of up to 20T. On the other hand, Nb 3 Al, Nb 3 Ga,
A-15 type compound superconductors such as Nb 3 Ge and Nb 3 (Al.Ge) and Siebrel type compound superconductors such as PbMo 6 S 8 are known. For example, Nb 3 Al,
PbMo6S8 has a critical temperature of 18.9K and 14.4K, respectively.
High values of critical magnetic fields of 30T and 50-60T have been reported. By the way, A-15 type compound superconductors and Siebrel type compound superconductors are currently produced by sputtering,
The reality is that they are manufactured on a laboratory scale using vapor phase deposition methods such as CVD. However, in these manufacturing methods, there is a limit to the production speed, and the limit is to obtain a superconductor with a width of 1 cm, a length of several cm, and a thickness of about 2 to 3 μm. Some examples have been reported in which samples of several meters in length were prepared, but they have not been put to practical use because of large variations in superconducting properties along the length. Further, since high superconducting properties can be obtained only with a film thickness of several μm, the critical current Ic is as small as several 100 mA at most. In this way, A-15 type compound superconductors and Siebrel type compound superconductors other than Nb 3 Sn and V 3 Ga are
Although it has been found that superconducting properties are superior to conventional compound superconductors, the question of how to produce compound superconductors that can be put to practical use remains unresolved. [Object of the Invention] The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to develop compound superconductors that are long and have a high critical current (for example, A-
The object of the present invention is to provide a manufacturing method that can easily and stably manufacture 15-type compound superconductors and Siebrel-type compound superconductors. [Summary of the Invention] According to the present invention, the first step is to mix a plurality of types of powder materials that serve as a base material for compound superconductor production, and to form a long shaped product by forming the mixture. and irradiating the surface of the molded product obtained through this step with a laser beam at a predetermined relative speed along the longitudinal direction of the molded product,
A second step of sequentially rapidly melting the surface portion of the molded product by this irradiation and then rapidly cooling and solidifying it to generate a compound superconducting layer in the melted and solidified portion. A method of manufacturing a superconductor is provided. More specifically, the laser beam irradiation is performed in vacuum or Ar gas. The power of the laser beam is then set to 100W or more. If the power is less than 100W, the sample will not be sufficiently melted and mixed, and the constituent elements will not react with each other. Therefore, a compound superconductor cannot be formed.
Moreover, preferable results can be obtained if the second step includes a step of performing heat treatment before and after laser beam irradiation. These heat treatment steps contribute to improving superconducting properties. In particular, the heat treatment before laser beam irradiation serves to cause the constituent elements to react with each other in advance and to assist in the formation of a superconductor by subsequent laser beam irradiation. However, it is necessary to limit the heat treatment temperature at this time to 400 to 2000°C. If the heat treatment temperature is less than 400°C, the reaction between the constituent elements will hardly proceed, and if it exceeds 2000°C, compounds other than superconductors will be formed, and favorable results will not be obtained. On the other hand, heat treatment after laser beam irradiation increases the regularity of the crystals of the compound formed by laser beam irradiation and contributes to improving superconducting properties. In this case as well, it is necessary to limit the heat treatment temperature to 300 to 1500°C. When the heat treatment temperature is less than 300°C, almost no movement of elements occurs, so it hardly contributes to improving crystal regularity. If the heat treatment temperature exceeds 1500°C, crystal grains will become coarser, and the superconducting properties will deteriorate. [Effects of the Invention] According to the production method of the present invention, the effect of rapidly melting by laser beam irradiation and then rapidly cooling and solidifying, that is, the rapid melting makes it possible to improve the mixing of the reaction materials. It is possible to accelerate the reaction and to make the reaction uniform, and by rapidly cooling and solidifying, it is possible to make the reaction crystal grains finer. Superconductors or Siebrel-type compound superconductors can be easily produced.
In particular, in the manufacturing method of the present invention, the surface of the molded workpiece obtained in the first step is simply irradiated with a laser beam, so either the laser beam is fixed and the molded workpiece is moved at high speed, or A long superconductor can be easily produced by fixing a molded workpiece and sweeping a laser beam at high speed. Further, since it is possible to form a superconductor layer several 100 μm thick by laser beam irradiation, a superconductor with a sufficiently high critical current Ic can be produced. As described above, according to the manufacturing method of the present invention, the critical temperature is lower than that of Nb 3 Sn and V 3 Ga, which are currently in practical use.
Tc, critical magnetic field Bc 2 , and critical current density Jc are much higher, and long compound superconductors can be easily produced. Therefore, it is possible to contribute to the realization of a superconducting magnet that generates a stronger magnetic field. In addition, conventional Nb 3 Sn and V 3 Ga superconductors are manufactured using a composite processing method, which requires many steps such as wire drawing, extrusion, and intermediate annealing, as well as diffusion heat treatment in the final step. number 10 ~ number
It requires 100 hours. However, according to the manufacturing method of the present invention, a superconductor can be manufactured by laser beam irradiation in an extremely short period of time, so that manufacturing costs can be significantly reduced. [Embodiments of the Invention] Examples of the present invention will be described below. Example 1 As sample number 1, Nb powder with a purity of 99% and purity
99.9% Al powder was mixed at a ratio of Nb-25 at% Al, and this was filled into a Cu tube with an outer diameter of 10 mm and an inner diameter of 8 mm as a base material for forming an A-15 type compound superconductor.
Next, both ends of the Cu tube were welded and sealed, and the whole was drawn into a wire and rolled into a tape shape. After that, the outer Cu was removed with nitric acid. Obtained Nb
-The Al powder mixture tape had a thickness of 0.5 mm and a width of 3 mm. The above is the first step. In addition to the above, samples having the compositions of Sample No. 2 to Sample No. 11 shown in Table 1 were prepared in the same manner. The surface of each of the samples No. 1 to No. 11 prepared in this way was irradiated with a laser beam using the laser irradiation device 1 shown in FIG.
process). Here, the configuration of the laser irradiation device 1 will be briefly explained as follows. That is, 2 in the figure is a CO 2 laser oscillator (maximum output 10KW). This CO 2 laser oscillator 2
A laser beam 3 emitted from the vacuum chamber 6 is guided into a vacuum vessel 6 via a reflecting mirror 4 made of Cu and a lens 5 made of ZnSe. A feed drum 8 for sending out the sample 7 and a winding drum 9 for winding up the sample 7 are provided in the vacuum container 6.
After being irradiated with the laser beam 3, the sample 7 sent from the sample 7 is wound onto a winding drum 9. In addition, the vacuum container 6 is equipped with an exhaust pump 10.
and is selectively connected to the Ar gas cylinder 11. Then, each sample was irradiated with a laser beam in the following manner. That is, first, sample 7
After setting the feed drum 8 and take-up drum 9, the pressure inside the vacuum container 6 is reduced to 10 -5 torr, and then
Ar gas was introduced to create a pressure of 1 atmosphere. Next, sample 7
The surface of the sample 7 was irradiated with the laser beam 3 having the power shown in Table 1 while being unwound from the winding drum 8 at a speed of 10 m/min. When we observed the samples that had been irradiated in this way, for example, each sample that had been irradiated with a laser beam with a power of 2.5 KW, we found that the surface of sample 7 had a width of about 0.5 mm and a depth of about 0.1 mm, as shown in Figure 2. A compound superconducting layer 12 was formed.
The surface looked like welding marks. For each sample with a compound superconducting layer formed in this way, the critical temperature Tc and the critical current Ic at 17T
When measured, the results shown in column b of Table 1 were obtained. As can be seen from these results, each sample has Tc
is sufficiently high, and Ic is also over 10A. This is converted to critical current density Jc by 2×
This is a large value of 10 4 A/cm 2 or more. The Ic of compound superconductors obtained by conventional vapor phase deposition is several hundred at most.
Considering that it is mA, the adoption of this manufacturing method results in an improvement of about two orders of magnitude or more. Further, when the longitudinal characteristics of each sample were examined, it was confirmed that the characteristics were the same as those in column b of Table 1 over the length range of 30 to 100 m. In other words, by adopting this manufacturing method, a sufficiently high
A long compound superconductor containing Tc and Ic can be easily produced. Therefore, by using the compound superconductor produced by this production method, it is possible to produce a superconducting magnet that generates a strong magnetic field of 20 T or more, which was previously considered impossible. On the other hand, after laser beam irradiation, a portion of each sample was heat-treated at 700°C for 100 hours. As a result, as shown in column c of Table 1, each sample was 1K
An increase in Tc before and after the test was observed, and an increase in Ic at 17T was also observed. In addition, a portion of each sample was heat-treated at 1000°C for 30 minutes before laser beam irradiation. Regarding the above parts of each sample after laser beam irradiation
When Tc and Ic were measured, it was confirmed that each was improved as shown in column d of Table 1. Furthermore, a portion of each sample that obtained the results in column d of Table 1 was subjected to heat treatment at 700° C. for 100 hours after laser beam irradiation. For these parts, Tc
When Tc and Ic were measured, as shown in column e of Table 1, an increase in Tc and Ic was observed in each sample. Therefore, it has been found that it is effective to perform heat treatment before and after laser beam irradiation.
【表】【table】
【表】
実施例 2
実施例1で説明した第1の工程において、各粉
末を充填する管として、Nb基のA−15型化合物
を生成させる場合にはNb管を、V基のA−15型
化合物を生成させる場合にはV管を、シエブレル
型化合物を生成させる場合にはMo管を用い、実
施例1と同様に粉末を充填した後、封止および成
形加工を行ない、上記した管を除去することなく
レーザービームを照射した。このようにして得ら
れた各試料について特性を調べたところ表1のb
欄に示す結果とほぼ同じ結果が得られた。このよ
うな製造方法であると、管を除去する工程を省く
ことができるのでコストの低減化に一層寄与でき
る。
実施例 3
実施例1の表1のa欄に示される試料番号8
(Nb−17.5at%Al−7.5at%Ge)および試料番号
9(V−25at%Si)の試料と同一組成の試料をそ
れぞれ11本ずつ用意し、これらの試料に、レーザ
ーパワーを10W〜10KWの範囲内で異なるパワー
のレーザービームをそれぞれ照射した。これらの
試料について、17TでのIcを測定し、Icのレーザ
ーパワー依存性を調べてみた。第3図はその結果
を示している。図中AはNb−Ai−Geの試料の場
合を、BはV−Siの試料の場合を示している。こ
の第3図から分るように、高い臨界電流Icを得る
には100W以上のレーザーパワーを必要とする。
本実験では、最大出力10KWのCO2レーザー発振
器を用いた。このため、10KWを越えるパワーの
レーザービームを照射することができなかつた
が、第3図の結果から、10KWを越えるパワーで
も充分高い特性が得られるものと判断できる。
実施例 4
実施例1の表1のa欄に示される試料番号6
(Nb−25at%Ge)と同一の試料を15本用意し、
レーザービーム照射前に各試料を100〜2500℃の
範囲内で異なる温度で30分間熱処理を行ない、各
熱処理後の試料にパワーが3KWのレーザービー
ムを照射して15本の化合物超電導体を得た。これ
ら超電導体について、17TでのIcを測定し、Icの
レーザ照射前熱処理温度依存性を調べたところ第
4図に示す結果を得た。なお、第4図中、Cは熱
処理を行なつていない同一組成の超電導体の値を
示している。この第4図から、レーザービーム照
射前の熱処理温度は400〜2000℃の範囲が有効で
あることが分つた。
実施例 5
実施例4で用いた試料(Nb−25at%Ge)と同
一組成の試料を11本用意し、これら各試料を1000
℃で30分間熱処理した後、パワーが3KWのレー
ザービームを照射した。照射した後の各試料につ
いて100〜1800℃の範囲内でそれぞれ異なる温度
で100時間熱処理した。このようにして得られた
11本の超電導体について17Tの条件下でIcを測定
したところ第5図に示す結果を得た。なお、図中
Dはレーザービーム照射後に熱処理を行なわなか
つた同一組成の超電導体の値である。この第5図
から、レーザービーム照射後の熱処理温度は300
〜1500℃が有効であることが分つた。
実施例 6
実施例1の表1のa欄に示される試料番号1
(Nb−25at%Al)と同一組成の試料を11本用意
し、これら試料にパワーが2.5KWのレーザービ
ーム照射後、100〜1800℃の範囲内で、それぞれ
異なる温度で100時間の熱処理を行なつた。この
ようにして得られた11本の超電導体について17T
の条件下でIcを測定したところ第6図に示す結果
を得た。なお、図中Eはレーザービーム照射後に
熱処理を行なつていない同一組成の超電導体の値
を示している。この第6図から、レーザービーム
照射後に単独に熱処理を行なう場合も300〜1500
℃の熱処理温度が有効であることが分つた。
なお、上述した各実施例は、表1のa欄に示さ
れている組成をA−15型化合物超電導体またはシ
エブレル型化合物超電導体形成用の母材料として
いるが、この組成に限られるものでは無い。すな
わち、母材料としては、(1)Nb、Vの中から選ば
れた1種の粉末と、Al、Ge、Siの中から選ばれ
た少なくとも1種の粉末との混合物、(2)Nb、
Al、Ge、Ga、Siの中の2種以上の元素からなる
合金または化合物の粉末とNbの粉末との混合物、
(3)V、Al、Ge、Ga、Siの中の2種以上の元素か
らなる合金または化合物の粉末とVの粉末との混
合物、(4)Al、Ge、Ga、Siの中の1種以上の元素
とNbとの合金または化合物の中から選ばれた少
なくとも1種の粉末、(5)Al、Ge、Ga、Siの中の
1種以上の元素とVとの合金または化合物の中か
ら選ばれた少なくとも1種の粉末、(6)Al、Ge、
Ga、Siの中の1種以上の元素とNbとの合金また
は化合物の中から選ばれた少なくとも1種の粉末
と、Al、Ge、Ga、Siの中から選ばれた少なくと
も1種の粉末もしくはAl、Ge、Ga、Siの中の2
種以上の元素の合金または化合物の粉末との混合
物、(7)Al、Ge、Ga、Siの中の1種以上の元素と
Vとの合金または化合物の中から選ばれた少なく
とも1種の粉末と、Al、Ge、Ga、Siの中から選
ばれた少なくとも1種の粉末もしくはAl、Ge、
Ga、Siの中の2種以上の元素の合金または化合
物の粉末との混合物、(8)金属M(MはPb、Sn、
Cu、Agの中から選ばれた1種の元素)の粉末
と、Moの粉末と、Sの粉末との混合物、(9)金属
M(MはPb、Sn、Cu、Agの中から選ばれた1種
の元素)の硫化物の粉末と、Moの粉末との混合
物、(10)金属M(MはPb、Sn、Cu、Agの中から選
ばれた1種の元素)の硫化物の粉末と、Moの粉
末と、上記金属Mの粉末、Sの粉末の中から選ば
れた少なくとも1種の粉末との混合物、(11)金
属M(MはPb、Sn、Cu、Agの中から選ばれた1
種の元素)の粉末、上記金属Mの硫化物の粉末の
中から選ばれた少なくとも1種の粉末と、Moの
硫化物の粉末との混合物、(12)金属M(MはPb、
Sn、Cu、Agの中から選ばれた1種の元素)の粉
末、上記金属Mの硫化物の粉末の中から選ばれた
少なくとも1種の粉末と、Moの硫化物の粉末
と、Moの粉末、Sの粉末の中から選ばれた少な
くとも1種の粉末との混合物、(13)Sの粉末、
金属M(MはPb、Sn、Cu、Agの中から選ばれた
1種の元素)の硫化物の粉末、Moの硫化物の粉
末の中から選ばれた1種以上の粉末と、上記金属
MとMoとの合金または化合物の粉末との混合
物、(14)Sの粉末、金属M(MはPb、Sn、Cu、
Agの中から選ばれた1種の元素)の硫化物の粉
末、Moの硫化物の粉末の中から選ばれた1種以
上の粉末と、上記金属MとMoとの合金または化
合物の粉末と、上記金属Mの粉末、Moの粉末の
中から選ばれた少なくとも1種の粉末との混合
物、(15)金属M(MはPb、Sn、Cu、Agの中か
ら選ばれた1種の元素)とMoとSとの3元素か
らなる化合物の粉末もしくは上記粉末と上記金属
Mの粉末、Moの粉末、Sの粉末、上記金属Mと
Moとの合金または化合物の粉末、上記金属Mの
硫化物の粉末、Moの硫化物の粉末の中から選ば
れた少なくとも1種の粉末との混合物、(16)前
記(9)〜(15)における金属Mの硫化物の粉末が、
組成の異なる2種以上の上記金属Mの硫化物の粉
末に置換されている混合物、(17)前記(11)〜
(15)におけるMoの硫化物が、組成の異なる2
種以上のMoの硫化物に置換されている混合物、
(18)前記(15)における金属MとMoとSとの
3元素からなる化合物の粉末が、組成の異なる2
種以上の上記金属MとMoとSとの3元素からな
る化合物の粉末に置換されている混合物等が使用
できる。[Table] Example 2 In the first step explained in Example 1, when producing an Nb group A-15 type compound, the Nb tube was used as a tube to be filled with each powder; A V-tube is used to produce a Siebrel-type compound, and a Mo-tube is used to produce a Siebrel-type compound. After filling with powder in the same manner as in Example 1, sealing and molding are performed to form the above-mentioned tube. The laser beam was irradiated without removing it. When we investigated the characteristics of each sample obtained in this way, we found that b
Almost the same results as shown in the column were obtained. With such a manufacturing method, the step of removing the tube can be omitted, which can further contribute to cost reduction. Example 3 Sample number 8 shown in column a of Table 1 of Example 1
(Nb-17.5at%Al-7.5at%Ge) and 11 samples each having the same composition as sample number 9 (V-25at%Si) were prepared, and a laser power of 10W to 10KW was applied to these samples. Laser beams with different powers were irradiated within the range of . We measured Ic at 17T for these samples and investigated the dependence of Ic on laser power. Figure 3 shows the results. In the figure, A shows the case of a Nb-Ai-Ge sample, and B shows the case of a V-Si sample. As can be seen from Fig. 3, a laser power of 100 W or more is required to obtain a high critical current Ic.
In this experiment, a CO 2 laser oscillator with a maximum output of 10KW was used. For this reason, it was not possible to irradiate a laser beam with a power exceeding 10 KW, but from the results shown in FIG. 3, it can be judged that sufficiently high characteristics can be obtained even with a power exceeding 10 KW. Example 4 Sample number 6 shown in column a of Table 1 of Example 1
Prepare 15 samples identical to (Nb-25at%Ge),
Before laser beam irradiation, each sample was heat treated for 30 minutes at different temperatures within the range of 100 to 2500℃, and each sample after each heat treatment was irradiated with a laser beam with a power of 3KW to obtain 15 compound superconductors. . For these superconductors, Ic at 17T was measured, and the dependence of Ic on the temperature of heat treatment before laser irradiation was investigated, and the results shown in FIG. 4 were obtained. Note that in FIG. 4, C indicates the value of a superconductor of the same composition that has not been subjected to heat treatment. From FIG. 4, it was found that a heat treatment temperature range of 400 to 2000° C. before laser beam irradiation is effective. Example 5 Eleven samples with the same composition as the sample (Nb-25at%Ge) used in Example 4 were prepared, and 1000 samples of each of these samples were prepared.
After heat treatment at ℃ for 30 minutes, a laser beam with a power of 3KW was irradiated. After irradiation, each sample was heat treated at different temperatures within the range of 100 to 1800°C for 100 hours. obtained in this way
When Ic was measured for 11 superconductors under 17T conditions, the results shown in Figure 5 were obtained. Note that D in the figure is the value of a superconductor of the same composition that was not heat-treated after laser beam irradiation. From this figure 5, the heat treatment temperature after laser beam irradiation is 300
A temperature of ~1500°C was found to be effective. Example 6 Sample number 1 shown in column a of Table 1 of Example 1
We prepared 11 samples with the same composition as (Nb-25at%Al), and after irradiating these samples with a laser beam with a power of 2.5KW, we heat-treated each sample for 100 hours at different temperatures within the range of 100 to 1800℃. Summer. 17T for the 11 superconductors obtained in this way
When Ic was measured under the following conditions, the results shown in FIG. 6 were obtained. Note that E in the figure indicates the value of a superconductor of the same composition that was not heat-treated after laser beam irradiation. From this figure 6, it can be seen that even when heat treatment is performed separately after laser beam irradiation, the
It was found that a heat treatment temperature of °C was effective. In each of the above-mentioned Examples, the composition shown in column a of Table 1 is used as the base material for forming an A-15 type compound superconductor or a Siebrel type compound superconductor, but the composition is not limited to this. None. That is, as a base material, (1) a mixture of one type of powder selected from Nb and V and at least one type of powder selected from Al, Ge, and Si, (2) Nb,
A mixture of alloy or compound powder consisting of two or more elements among Al, Ge, Ga, and Si and Nb powder,
(3) A mixture of powder of an alloy or compound consisting of two or more elements among V, Al, Ge, Ga, and Si and powder of V; (4) One element among Al, Ge, Ga, and Si. At least one powder selected from the alloys or compounds of the above elements and Nb; (5) alloys or compounds of V and one or more elements among Al, Ge, Ga, and Si; At least one selected powder, (6) Al, Ge,
At least one powder selected from alloys or compounds of one or more elements among Ga and Si and Nb, and at least one powder selected from Al, Ge, Ga, and Si. 2 of Al, Ge, Ga, Si
(7) At least one powder selected from alloys or compounds of one or more elements among Al, Ge, Ga, and Si and V and a mixture with powder of an alloy or compound of more than one element. and at least one powder selected from Al, Ge, Ga, and Si, or Al, Ge,
(8) Metal M (M is Pb, Sn,
A mixture of (9) metal M (M is selected from Pb, Sn, Cu, and Ag) powder, Mo powder, and S powder; (10) a mixture of sulfide powder of metal M (M is one element selected from Pb, Sn, Cu, and Ag); A mixture of powder, Mo powder, and at least one powder selected from the above metal M powder and S powder, (11) metal M (M is Pb, Sn, Cu, and Ag); selected 1
a mixture of at least one powder selected from the sulfide powders of the metal M and a sulfide powder of Mo, (12) a metal M (M is Pb,
At least one powder selected from the sulfide powder of the above metal M; a sulfide powder of Mo; powder, a mixture with at least one powder selected from S powder, (13) S powder,
One or more powders selected from sulfide powder of metal M (M is one element selected from Pb, Sn, Cu, and Ag) and sulfide powder of Mo, and the above metals. A mixture of M and Mo alloy or compound powder, (14) S powder, metal M (M is Pb, Sn, Cu,
one or more powders selected from a sulfide powder of one element selected from Ag, a sulfide powder of Mo, and a powder of an alloy or compound of the metal M and Mo. , a mixture of the above metal M powder and at least one powder selected from Mo powder, (15) metal M (M is one element selected from Pb, Sn, Cu, and Ag); ), a powder of a compound consisting of the three elements Mo and S, or a powder of the above powder and the above metal M, a powder of Mo, a powder of S, a powder of the above metal M and
A mixture with at least one powder selected from powders of alloys or compounds with Mo, powders of sulfides of metal M, and powders of sulfides of Mo, (16) (9) to (15) above. The sulfide powder of metal M in
A mixture in which two or more of the metals M having different compositions are substituted with sulfide powder, (17) the above (11) to
The Mo sulfide in (15) has two different compositions.
A mixture in which more than one species of Mo is substituted with sulfide,
(18) The powder of the compound consisting of the three elements of metal M, Mo, and S in (15) above has two different compositions.
A mixture or the like can be used in which the above metal M is substituted with a powder of a compound consisting of three elements of Mo and S.
第1図は本発明製造方法の一実施例に用いられ
たレーザ照射装置の模式的構成図、第2図は本発
明製造方法によつて製造された化合物超電導体の
局部的斜視図、第3図から第6図は各実施例によ
つて確認された結果を示す図である。
1……レーザ照射装置、2……CO2レーザ発振
器、3……レーザービーム、6……真空容器、7
……試料、12……化合物超電導層。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a laser irradiation device used in an embodiment of the manufacturing method of the present invention, FIG. 2 is a local perspective view of a compound superconductor manufactured by the manufacturing method of the present invention, and FIG. FIGS. 6 to 6 are diagrams showing the results confirmed by each example. 1... Laser irradiation device, 2... CO 2 laser oscillator, 3... Laser beam, 6... Vacuum container, 7
...Sample, 12...Compound superconducting layer.
Claims (1)
粉末材料を混合し、この混合物に成形加工を施し
て長尺の成形加工物を形成する第1の工程と、こ
の工程によつて得られた成形加工物の表面部に上
記成形加工物の長手方向に沿つて定められた相対
速度でレーザービームを照射し、この照射で上記
成形加工物の表面部を順次、急速溶融させた後に
急速冷却固化させることによつて上記溶融、固化
部分中に化合物超電導層を生成させる第2の工程
とを具備してなることを特徴とする化合物超電導
体の製造方法。 2 前記レーザービームのパワーは、100W以上
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の化合物超電導体の製造方法。 3 前記第2の工程は、前記成形加工物に前記レ
ーザービームを照射する前に上記成形加工物を
400〜2000℃で熱処理する工程を含んでいること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の化合物
超電導体の製造方法。 4 前記第2の工程は、前記成形加工物に前記レ
ーザービームを照射した後に上記成形加工物を
300〜1500℃で熱処理する工程を含んでいること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の化合物
超電導体の製造方法。 5 前記粉末材料は、Nb、Vの中から選ばれた
1種の粉末と、Al、Ge、Siの中から選ばれた少
なくとも1種の粉末とであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の化合物超電導体の製造
方法。 6 前記粉末材料は、Nb、Al、Ge、Ga、Siの
中の2種以上の元素からなる合金粉末または化合
物粉末とNbの粉末とであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の化合物超電導体の製造
方法。 7 前記粉末材料は、V、Al、Ge、Ga、Siの中
の2種以上の元素からなる合金粉末または化合物
粉末とVの粉末とであることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の化合物超電導体の製造方
法。 8 前記粉末材料は、Al、Ge、Ga、Siの中の1
種以上の元素とNbとの合金粉末または化合物粉
末の中から選ばれた少なくとも1種の粉末である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の化
合物超電導体の製造方法。 9 前記粉末材料は、Al、Ge、Ga、Siの中の1
種以上の元素とVとの合金粉末または化合物粉末
の中から選ばれた少なくとも1種の粉末であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の化合
物超電導体の製造方法。 10 前記粉末材料は、Al、Ge、Ga、Siの中の
1種以上の元素とNbとの合金粉末または化合物
粉末の中から選ばれた少なくとも1種の粉末と、
Al、Ge、Ga、Siの中から選ばれた少なくとも1
種の粉末もしくはAl、Ge、Ga、Siの中の2種以
上の元素の合金粉末または化合物粉末であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の化合物
超電導体の製造方法。 11 前記粉末材料は、Al、Ge、Ga、Siの中の
1種以上の元素とVとの合金粉末または化合物粉
末の中から選ばれた少なくとも1種の粉末と、
Al、Ge、Ga、Siの中から選ばれた少なくとも1
種の粉末もしくはAl、Ge、Ga、Siの中の2種以
上の元素の合金粉末または化合物粉末とであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の化合
物超電導体の製造方法。 12 前記粉末材料は、金属M(MはPb、Sn、
Cu、Agの中から選ばれた1種の元素)の粉末
と、Moの粉末と、Sの粉末とであることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の化合物超電導
体の製造方法。 13 前記粉末材料は、金属M(MはPb、Sn、
Cu、Agの中から選ばれた1種の元素)の硫化物
粉末と、Moの粉末とであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の化合物超電導体の製造
方法。 14 前記粉末材料は、金属M(MはPb、Sn、
Cu、Agの中から選ばれた1種の元素)の硫化物
粉末と、Moの粉末と、上記金属Mの粉末、Sの
粉末の中から選ばれた少なくとも1種の粉末とで
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の化合物超電導体の製造方法。 15 前記粉末材料は、金属M(MはPb、Sn、
Cu、Agの中から選ばれた1種の元素)の粉末、
上記金属Mの硫化物粉末の中から選ばれた少なく
とも1種の粉末と、Moの硫化物粉末とであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の化合
物超電導体の製造方法。 16 前記粉末材料は、金属M(MはPb、Sn、
Cu、Agの中から選ばれた1種の元素)の粉末、
上記金属Mの硫化物粉末の中から選ばれた少なく
とも1種の粉末と、Moの硫化物粉末と、Moの
粉末、Sの粉末の中から選ばれた少なくとも1種
の粉末とであることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の化合物超電導体の製造方法。 17 前記粉末材料は、Sの粉末、金属M(Mは
Pb、Sn、Cu、Agの中から選ばれた1種の元素)
の硫化物粉末、Moの硫化物粉末の中から選ばれ
た1種以上の粉末と、上記金属MとMoとの合金
粉末または化合物粉末とであることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の化合物超電導体の製
造方法。 18 前記粉末材料は、Sの粉末、金属M(Mは
Pb、Sn、Cu、Agの中から選ばれた1種の元素)
の硫化物粉末、Moの硫化物粉末の中から選ばれ
た1種以上の粉末と、上記金属MとMoとの合金
粉末または化合物粉末と、上記金属Mの粉末、
Moの粉末の中から選ばれた少なくとも1種の粉
末とであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の化合物超電導体の製造方法。 19 前記粉末材料は、金属M(MはPb、Sn、
Cu、Agの中から選ばれた1種の元素)とMoと
Sとの3元素からなる化合物粉末と、上記金属M
の粉末、Moの粉末、Sの粉末、上記金属Mと
Moとの合金粉末または化合物粉末、上記金属M
の硫化物粉末、Moの硫化物粉末の中から選ばれ
た少なくとも1種の粉末とであることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の化合物超電導体の
製造方法。 20 前記金属Mの硫化物粉末が、組成の異なる
2種以上の上記金属Mの硫化物粉末に置換されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第13項乃
至第19項のいずれか1項に記載の化合物超電導
体の製造方法。 21 前記Moの硫化物粉末が、組成の異なる2
種以上のMoの硫化物粉末に置換されていること
を特徴とする特許請求の範囲第15項乃至第19
項のいずれか1項に記載の化合物超電導体の製造
方法。 22 前記金属MとMoとSとの3元素からなる
化合物粉末が、組成の異なる2種以上の上記金属
MとMoとSとの3元素からなる化合物粉末に置
換されていることを特徴とする特許請求の範囲第
19項記載の化合物超電導体の製造方法。 23 前記粉末材料は、Nb管またはV管に充填
されることを特徴とする特許請求の範囲第5項乃
至第11項のいずれか1項に記載の化合物超電導
体の製造方法。 24 前記粉末材料は、Mo管に充填されること
を特徴とする特許請求の範囲第12項乃至第22
項のいずれか1項に記載の化合物超電導体の製造
方法。[Scope of Claims] 1. A first step of mixing a plurality of types of powder materials that serve as a base material for compound superconductor production, and forming a long molded product by molding this mixture; and this step. A laser beam is irradiated onto the surface of the molded workpiece obtained by the method at a predetermined relative speed along the longitudinal direction of the molded workpiece, and this irradiation sequentially rapidly melts the surface of the molded workpiece. a second step of forming a compound superconducting layer in the melted and solidified portion by rapidly cooling and solidifying the compound superconductor. 2. The method for manufacturing a compound superconductor according to claim 1, wherein the power of the laser beam is 100 W or more. 3 In the second step, the molded workpiece is treated with the molded workpiece before the molded workpiece is irradiated with the laser beam.
The method for producing a compound superconductor according to claim 1, which comprises a step of heat treatment at 400 to 2000°C. 4 The second step is to irradiate the molded workpiece with the laser beam and then irradiate the molded workpiece with the laser beam.
2. The method for producing a compound superconductor according to claim 1, which comprises a step of heat treatment at 300 to 1500°C. 5. Claim 5, characterized in that the powder material is one kind of powder selected from Nb and V, and at least one kind of powder selected from Al, Ge, and Si. A method for producing a compound superconductor according to item 1. 6. Claim 1, characterized in that the powder material is an alloy powder or compound powder consisting of two or more elements among Nb, Al, Ge, Ga, and Si, and Nb powder. A method for producing a compound superconductor. 7. Claim 1, characterized in that the powder material is an alloy powder or compound powder consisting of two or more elements among V, Al, Ge, Ga, and Si, and a V powder. A method for producing a compound superconductor. 8 The powder material is one of Al, Ge, Ga, and Si.
2. The method for producing a compound superconductor according to claim 1, wherein the method is at least one powder selected from an alloy powder or a compound powder of Nb and one or more elements. 9 The powder material is one of Al, Ge, Ga, and Si.
2. The method for producing a compound superconductor according to claim 1, wherein the powder is at least one kind selected from an alloy powder or a compound powder of at least one element and V. 10 The powder material includes at least one powder selected from alloy powder or compound powder of Nb and one or more elements among Al, Ge, Ga, and Si;
At least one selected from Al, Ge, Ga, and Si
The method for producing a compound superconductor according to claim 1, wherein the method is a seed powder, an alloy powder or a compound powder of two or more elements among Al, Ge, Ga, and Si. 11 The powder material includes at least one powder selected from alloy powder or compound powder of V and one or more elements among Al, Ge, Ga, and Si;
At least one selected from Al, Ge, Ga, and Si
2. The method for producing a compound superconductor according to claim 1, wherein the method is a seed powder or an alloy powder or a compound powder of two or more elements among Al, Ge, Ga, and Si. 12 The powder material is a metal M (M is Pb, Sn,
2. The method for producing a compound superconductor according to claim 1, wherein the powder is a powder of one element selected from among Cu and Ag, a powder of Mo, and a powder of S. 13 The powder material is a metal M (M is Pb, Sn,
The method for producing a compound superconductor according to claim 1, characterized in that the sulfide powder is a sulfide powder of one element selected from Cu and Ag, and a powder of Mo. 14 The powder material is a metal M (M is Pb, Sn,
a sulfide powder of one element selected from Cu, Ag), a Mo powder, and at least one powder selected from the above metal M powder and S powder. A method for producing a compound superconductor according to claim 1, characterized in that: 15 The powder material is a metal M (M is Pb, Sn,
one type of element selected from Cu, Ag) powder,
2. The method for manufacturing a compound superconductor according to claim 1, characterized in that at least one powder selected from the sulfide powders of metal M and sulfide powder of Mo are used. 16 The powder material is a metal M (M is Pb, Sn,
one type of element selected from Cu, Ag) powder,
At least one powder selected from the sulfide powder of metal M, sulfide powder of Mo, powder of Mo, and powder of S. A method for producing a compound superconductor according to claim 1, characterized in that: 17 The powder material is S powder, metal M (M is
One element selected from Pb, Sn, Cu, Ag)
1 or more powders selected from sulfide powder of M and sulfide powder of Mo, and an alloy powder or compound powder of the metal M and Mo. A method for producing the compound superconductor described. 18 The powder material is S powder, metal M (M is
One element selected from Pb, Sn, Cu, Ag)
sulfide powder, one or more powders selected from sulfide powder of Mo, an alloy powder or compound powder of the metal M and Mo, a powder of the metal M,
and at least one kind of powder selected from powders of Mo.
A method for producing a compound superconductor as described in Section 1. 19 The powder material is a metal M (M is Pb, Sn,
A compound powder consisting of three elements (one kind of element selected from Cu, Ag), Mo and S, and the above metal M
powder, Mo powder, S powder, the above metal M and
Alloy powder or compound powder with Mo, the above metal M
2. The method for producing a compound superconductor according to claim 1, wherein at least one powder selected from Mo sulfide powder and Mo sulfide powder are used. 20. Any one of claims 13 to 19, characterized in that the sulfide powder of the metal M is replaced with two or more sulfide powders of the metal M having different compositions. A method for producing a compound superconductor according to. 21 The Mo sulfide powder has a different composition 2
Claims 15 to 19, characterized in that the Mo sulfide powder is substituted with at least one Mo sulfide powder.
A method for producing a compound superconductor according to any one of the above. 22 The compound powder consisting of the three elements of the metal M, Mo and S is replaced with a compound powder consisting of two or more of the metals M, Mo and S, which have different compositions. A method for producing a compound superconductor according to claim 19. 23. The method for manufacturing a compound superconductor according to any one of claims 5 to 11, wherein the powder material is filled into a Nb tube or a V tube. 24. Claims 12 to 22, characterized in that the powder material is filled into a Mo tube.
A method for producing a compound superconductor according to any one of the above.
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Legal Events
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