JPH0453048B2

JPH0453048B2 -

Info

Publication number: JPH0453048B2
Application number: JP60102762A
Authority: JP
Inventors: Kyoji Tachikawa; Kazumasa Togano; Hiroaki Kumakura; Minoru Yamada; Akira Murase; Mitsuo Sasaki; Suguru Nakamura
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1985-05-16
Filing date: 1985-05-16
Publication date: 1992-08-25
Also published as: JPS61261465A

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の技術分野〕本発明は、化合物超電導体の製造方法に係り、
たとえば、長尺のＡ−15型化合物超電導体または
長尺のシエブレル型化合物超電導体を安定に、か
つ効率良く製造できるようにした製造方法に関す
る。〔発明の技術的背景とその問題点〕周知のように、現在実用化されている化合物超
電導体は、Nb₃Sn、V₃Gaである。しかし、これ
らの化合物超電導体を用いて形成されたマグネツ
トは、20Tまでの磁界発生が限界とされている。一方、上述した化合物超電導体より優れた超電
導特性を持つものとして、Nb₃Al、Nb₃Ga、
Nb₃Ge、Nb₃（Al・Ge）等のＡ−15型化合物超電
導体と、PbMo₆S₈等のシエブレル型化合物超電
導体が知られている。たとえば、Nb₃Al、
PbMo₆S₈は、それぞれ18.9K、14.4Kの臨界温度、
30T、50〜60Tの臨界磁場という高い値が報告さ
れている。ところで、Ａ−15型化合物超電導体、シエブレ
ル型化合物超電導体は、現在、スパツタリング、
CVDなどの気相蒸着法によつて実験室規模で作
製されているのが実状である。しかし、これらの
製造方法では、生成速度にも限界があるため、幅
１cm、長さ数cm、厚さ２〜3μｍ程度の超電導体
を得るのが限界であつた。なかには、数ｍの試料
を作製した例も報告されているが、長さ方向に沿
つて超電導特性のバラツキが大きく実用化はされ
ていない。また、膜厚が数μｍのものでしか高い
超電導特性が得られないため臨界電流Icは、高々
数100ｍＡと小さいものであつた。このように、Nb₃Sn、V₃Ga以外のＡ−15型化
合物超電導体、シエブレル型化合物超電導体は、
従来の化合物超電導体より超電導特性に優れてい
ることが判明しているが、これらの実用化できる
化合物超電導体をどのようにして製造するかと言
う点が未解決として残されていた。〔発明の目的〕本発明は、このような事情に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、長尺で、かつ高
い臨界電流を持つ化合物超電導体（たとえばＡ−
15型化合物超電導体やシエブレル型化合物超電導
体）を容易に、しかも安定に製造できる製造方法
を提供することにある。〔発明の概要〕本発明によれば、化合物超電導体の生成母材と
なる複数種類の粉末材料を混合し、この混合物に
成形加工を施して長尺の成形加工物を形成する第
１の工程と、この工程によつて得られた成形加工
物の表面部に上記成形加工物の長手方向に沿つて
定められた相対速度でレーザービームを照射し、
この照射で上記成形加工物の表面部を順次、急速
溶融させた後に急速冷却固化させることによつて
上記溶融、固化部分中に化合物超電導層を生成さ
せる第２の工程とを具備してなる化合物超電導体
の製造方法が提供される。さらに詳しく述べると、レーザービームの照射
は、真空中あるいはArガス中で行われる。そし
て、レーザービームのパワーは、100W以上に設
定される。100W未満では、試料が充分に溶融混
合されず、構成元素同志が反応しない。したがつ
て、化合物超電導体を形成することはできない。
また、第２の工程に、レーザービーム照射前後に
熱処理を行なう工程を含ませると好ましい結果が
得られる。これらの熱処理工程は、超電導特性の
向上に寄与する。特に、レーザービーム照射前の
熱処理は、構成元素同志を予備的に反応させ、そ
の後のレーザービーム照射による超電導体の形成
を助ける役目をする。ただし、この時の熱処理温
度を400〜2000℃に限定する必要がある。熱処理
温度が400℃未満では構成元素同志の反応がほと
んど進まず、2000℃を越えると超電導体以外の化
合物が形成されて好ましい結果は得られない。一
方、レーザービーム照射後の熱処理は、レーザー
ビーム照射で形成された化合物の結晶の規則性を
高め、超電導特性の向上に寄与する。この場合
も、熱処理温度を300〜1500℃に限定する必要が
ある。熱処理温度が300℃未満では元素の移動が
ほとんど起こらないため結晶の規則性の改善には
ほとんど寄与しない。熱処理温度が1500℃を越え
ると結晶粒の粗大化が顕著となり、かえつて超電
導特性が劣化する。〔発明の効果〕本発明製造方法によれば、レーザービーム照射
によつて急速に溶融させた後に急速に冷却固化さ
せたことによる効果、つまり急速に溶融させたこ
とによつて反応材料の混合を促進できると共に反
応の均一化を図ることができ、また急速に冷却固
化させたことによつて反応結晶粒の微細化を図る
ことができ、この結果として特性の優れた、たと
えばＡ−15型化合物超電導体またはシエブレル型
化合物超電導体を容易に作製することができる。
特に、本発明製造方法では、第１の工程によつて
得られた成形加工物の表面に、単にレーザービー
ムを照射するだけなので、レーザービームを固定
して成形加工物を高速で移動させるか、成形加工
物を固定してレーザービームを高速で掃引するな
どによつて長尺の超電導体を容易に作製すること
ができる。また、レーザービームの照射によつて
厚さ数100μｍの超電導体層を形成することが可
能であるため臨界電流Icの充分高い超電導体を作
製することができる。このように、本発明製造方法によれば、現在実
用化されているNb₃Sn、V₃Gaに比べて臨界温度
Tc、臨界磁界Bc₂、臨界電流密度Jcがはるかに高
く、しかも長尺の化合物超電導体を容易に製造す
ることができる。したがつて、より強磁界を発生
させる超電導マグネツトの実現に寄与することが
できる。また、従来のNb₃Sn、V₃Ga超電導体
は、複合加工法によつて作製されているため、線
引き、押し出し、中間焼鈍等の多くの工程を必要
とし、さらに最終工程の拡散熱処理にも数10〜数
100時間を必要としている。しかし、本発明製造
方法によれば、極く短時間のレーザービーム照射
で超電導体を作製できるので、製造コストを大幅
に低減させることができる。〔発明の実施例〕以下、本発明の実施例を説明する。実施例１試料番号１として、純度99％のNb粉末と純度
99.9％のAl粉末とをNb−25at％Alの割合いで混
合し、これをＡ−15型化合物超電導体形成の母材
料として外径10mm、内径８mmのCu管に充填した。
次に、上記Cu管の両端を溶接密閉し、続いて全
体を線引き後、圧延してテープ状とした。その
後、外側のCuを硝酸で取り除いた。得られたNb
−Al粉末混合体テープは、厚さ0.5mm、幅３mmで
あつた。以上が第１の工程である。上記した以外に表１に示す試料番号２から試料
番号11の組成の試料を同様な方法で作製した。このようにして準備された試料番号１から試料
番号11の各試料の表面に第１図に示すレーザ照射
装置１を用いてレーザービームを照射した（第２
の工程）。ここで、レーザ照射装置１の構成を簡単に説明
すると以下の通りである。すなわち、図中２は、CO₂レーザー発振器（最
大出力10KW）である。このCO₂レーザ発振器２
から送出されたレーザービーム３はCu製の反射
鏡４、ZnSe製のレンズ５を介して真空容器６内
に導かれるようになつている。真空容器６内には
試料７を送り出す送りドラム８と、試料７を巻取
る巻取りドラム９とが設けてあり、送りドラム８
から送りされた試料７はレーザービーム３の照射
を受けた後、巻取りドラム９に巻取られるように
なつている。また、真空容器６は排気ポンプ１０
およびArガスボンベ１１に選択的に接続される
ようになつている。しかして、各試料へのレーザービーム照射を次
のようにして行なつた。すなわち、まず、試料７
を送りドラム８と巻取りドラム９とにセツトした
後、真空容器６内を10_-5torrまで減圧し、続いて
Arガスを導入して１気圧とした。次に、試料７
を巻取りドラム８から10ｍ／minの速度で巻戻し
ながら表１に示すパワーのレーザービーム３を試
料７の表面に照射した。このようにして照射を終
えた試料、たとえばパワー2.5KWのレーザービ
ームを照射した各試料を観察したところ第２図に
示すように、試料７の表面側に幅約0.5mm、深さ
約0.1mmの化合物超電導層１２が形成されていた。
そして、その表面は、溶接跡の如きであつた。このように化合物超電導層の形成された各試料
について、臨界温度Tcと、17Tでの臨界電流Ic
とを測定したところ表１のｂ欄に示す結果が得ら
れた。この結果から分かるように各試料ともTc
が充分高く、またIcも10A以上の値となつてい
る。これは臨界電流密度Jcに換算すると２×
10⁴A／cm²以上と多きな値である。従来の気相蒸
着法で得られた化合物超電導体のIcは高々数100
ｍＡであること考えると本製造方法の採用によつ
て２桁程度以上に改善されたことになる。また、各試料について、長さ方向の特性を調べ
たところ、長さ30〜100ｍの範囲に亙つて表１の
ｂ欄の特性と同一であることが確認された。すな
わち、本製造方法の採用によつて、充分に高い
TcとIcとを有した長尺の化合物超電導体を簡単
に作製することができる。したがつて、本製造方
法で作製された化合物超電導体を用いれば、従来
不可能とされていた20Tあるいはそれ以上の強磁
界を発生する超電導マグネツトの製作が可能であ
る。一方、レーザビーム照射後に各試料の一部分
に、700℃で100時間の熱処理を施してみた。その
結果、表１のｃ欄に示すように、各試料とも1K
前後のTcの増加が認められ、さらに17Tにおけ
るIcの増加も認められた。また、レーザービーム照射前に各試料の一部分
に、1000℃で30分間の熱処理を施してみた。レー
ザービーム照射後に各試料の上記部分について
TcとIcとを測定したところ、表１のｄ欄に示す
ようにそれぞれ改善されていることが確認され
た。さらに、表１のｄ欄の結果を得た各試料の一部
に、レーザービーム照射後に700℃、100時間の熱
処理を施してみた。これらの部分について、Tc
とIcとを測定したところ表１のｅ欄に示すように
各試料ともTc、Icの増加が認められた。したが
つて、レーザービーム照射前後に熱処理を行なう
ことは有効であることが分つた。

【表】

【表】実施例２実施例１で説明した第１の工程において、各粉
末を充填する管として、Nb基のＡ−15型化合物
を生成させる場合にはNb管を、Ｖ基のＡ−15型
化合物を生成させる場合にはＶ管を、シエブレル
型化合物を生成させる場合にはMo管を用い、実
施例１と同様に粉末を充填した後、封止および成
形加工を行ない、上記した管を除去することなく
レーザービームを照射した。このようにして得ら
れた各試料について特性を調べたところ表１のｂ
欄に示す結果とほぼ同じ結果が得られた。このよ
うな製造方法であると、管を除去する工程を省く
ことができるのでコストの低減化に一層寄与でき
る。実施例３実施例１の表１のａ欄に示される試料番号８
（Nb−17.5at％Al−7.5at％Ge）および試料番号
９（Ｖ−25at％Si）の試料と同一組成の試料をそ
れぞれ11本ずつ用意し、これらの試料に、レーザ
ーパワーを10W〜10KWの範囲内で異なるパワー
のレーザービームをそれぞれ照射した。これらの
試料について、17TでのIcを測定し、Icのレーザ
ーパワー依存性を調べてみた。第３図はその結果
を示している。図中ＡはNb−Ai−Geの試料の場
合を、ＢはＶ−Siの試料の場合を示している。こ
の第３図から分るように、高い臨界電流Icを得る
には100W以上のレーザーパワーを必要とする。
本実験では、最大出力10KWのCO₂レーザー発振
器を用いた。このため、10KWを越えるパワーの
レーザービームを照射することができなかつた
が、第３図の結果から、10KWを越えるパワーで
も充分高い特性が得られるものと判断できる。実施例４実施例１の表１のａ欄に示される試料番号６
（Nb−25at％Ge）と同一の試料を15本用意し、
レーザービーム照射前に各試料を100〜2500℃の
範囲内で異なる温度で30分間熱処理を行ない、各
熱処理後の試料にパワーが3KWのレーザービー
ムを照射して15本の化合物超電導体を得た。これ
ら超電導体について、17TでのIcを測定し、Icの
レーザ照射前熱処理温度依存性を調べたところ第
４図に示す結果を得た。なお、第４図中、Ｃは熱
処理を行なつていない同一組成の超電導体の値を
示している。この第４図から、レーザービーム照
射前の熱処理温度は400〜2000℃の範囲が有効で
あることが分つた。実施例５実施例４で用いた試料（Nb−25at％Ge）と同
一組成の試料を11本用意し、これら各試料を1000
℃で30分間熱処理した後、パワーが3KWのレー
ザービームを照射した。照射した後の各試料につ
いて100〜1800℃の範囲内でそれぞれ異なる温度
で100時間熱処理した。このようにして得られた
11本の超電導体について17Tの条件下でIcを測定
したところ第５図に示す結果を得た。なお、図中
Ｄはレーザービーム照射後に熱処理を行なわなか
つた同一組成の超電導体の値である。この第５図
から、レーザービーム照射後の熱処理温度は300
〜1500℃が有効であることが分つた。実施例６実施例１の表１のａ欄に示される試料番号１
（Nb−25at％Al）と同一組成の試料を11本用意
し、これら試料にパワーが2.5KWのレーザービ
ーム照射後、100〜1800℃の範囲内で、それぞれ
異なる温度で100時間の熱処理を行なつた。この
ようにして得られた11本の超電導体について17T
の条件下でIcを測定したところ第６図に示す結果
を得た。なお、図中Ｅはレーザービーム照射後に
熱処理を行なつていない同一組成の超電導体の値
を示している。この第６図から、レーザービーム
照射後に単独に熱処理を行なう場合も300〜1500
℃の熱処理温度が有効であることが分つた。なお、上述した各実施例は、表１のａ欄に示さ
れている組成をＡ−15型化合物超電導体またはシ
エブレル型化合物超電導体形成用の母材料として
いるが、この組成に限られるものでは無い。すな
わち、母材料としては、(1)Nb、Ｖの中から選ば
れた１種の粉末と、Al、Ge、Siの中から選ばれ
た少なくとも１種の粉末との混合物、(2)Nb、
Al、Ge、Ga、Siの中の２種以上の元素からなる
合金または化合物の粉末とNbの粉末との混合物、
(3)Ｖ、Al、Ge、Ga、Siの中の２種以上の元素か
らなる合金または化合物の粉末とＶの粉末との混
合物、(4)Al、Ge、Ga、Siの中の１種以上の元素
とNbとの合金または化合物の中から選ばれた少
なくとも１種の粉末、(5)Al、Ge、Ga、Siの中の
１種以上の元素とＶとの合金または化合物の中か
ら選ばれた少なくとも１種の粉末、(6)Al、Ge、
Ga、Siの中の１種以上の元素とNbとの合金また
は化合物の中から選ばれた少なくとも１種の粉末
と、Al、Ge、Ga、Siの中から選ばれた少なくと
も１種の粉末もしくはAl、Ge、Ga、Siの中の２
種以上の元素の合金または化合物の粉末との混合
物、(7)Al、Ge、Ga、Siの中の１種以上の元素と
Ｖとの合金または化合物の中から選ばれた少なく
とも１種の粉末と、Al、Ge、Ga、Siの中から選
ばれた少なくとも１種の粉末もしくはAl、Ge、
Ga、Siの中の２種以上の元素の合金または化合
物の粉末との混合物、(8)金属Ｍ（ＭはPb、Sn、
Cu、Agの中から選ばれた１種の元素）の粉末
と、Moの粉末と、Ｓの粉末との混合物、(9)金属
Ｍ（ＭはPb、Sn、Cu、Agの中から選ばれた１種
の元素）の硫化物の粉末と、Moの粉末との混合
物、(10)金属Ｍ（ＭはPb、Sn、Cu、Agの中から選
ばれた１種の元素）の硫化物の粉末と、Moの粉
末と、上記金属Ｍの粉末、Ｓの粉末の中から選ば
れた少なくとも１種の粉末との混合物、（11）金
属Ｍ（ＭはPb、Sn、Cu、Agの中から選ばれた１
種の元素）の粉末、上記金属Ｍの硫化物の粉末の
中から選ばれた少なくとも１種の粉末と、Moの
硫化物の粉末との混合物、（12）金属Ｍ（ＭはPb、
Sn、Cu、Agの中から選ばれた１種の元素）の粉
末、上記金属Ｍの硫化物の粉末の中から選ばれた
少なくとも１種の粉末と、Moの硫化物の粉末
と、Moの粉末、Ｓの粉末の中から選ばれた少な
くとも１種の粉末との混合物、（13）Ｓの粉末、
金属Ｍ（ＭはPb、Sn、Cu、Agの中から選ばれた
１種の元素）の硫化物の粉末、Moの硫化物の粉
末の中から選ばれた１種以上の粉末と、上記金属
ＭとMoとの合金または化合物の粉末との混合
物、（14）Ｓの粉末、金属Ｍ（ＭはPb、Sn、Cu、
Agの中から選ばれた１種の元素）の硫化物の粉
末、Moの硫化物の粉末の中から選ばれた１種以
上の粉末と、上記金属ＭとMoとの合金または化
合物の粉末と、上記金属Ｍの粉末、Moの粉末の
中から選ばれた少なくとも１種の粉末との混合
物、（15）金属Ｍ（ＭはPb、Sn、Cu、Agの中か
ら選ばれた１種の元素）とMoとＳとの３元素か
らなる化合物の粉末もしくは上記粉末と上記金属
Ｍの粉末、Moの粉末、Ｓの粉末、上記金属Ｍと
Moとの合金または化合物の粉末、上記金属Ｍの
硫化物の粉末、Moの硫化物の粉末の中から選ば
れた少なくとも１種の粉末との混合物、（16）前
記(9)〜（15）における金属Ｍの硫化物の粉末が、
組成の異なる２種以上の上記金属Ｍの硫化物の粉
末に置換されている混合物、（17）前記（11）〜
（15）におけるMoの硫化物が、組成の異なる２
種以上のMoの硫化物に置換されている混合物、
（18）前記（15）における金属ＭとMoとＳとの
３元素からなる化合物の粉末が、組成の異なる２
種以上の上記金属ＭとMoとＳとの３元素からな
る化合物の粉末に置換されている混合物等が使用
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明製造方法の一実施例に用いられ
たレーザ照射装置の模式的構成図、第２図は本発
明製造方法によつて製造された化合物超電導体の
局部的斜視図、第３図から第６図は各実施例によ
つて確認された結果を示す図である。１……レーザ照射装置、２……CO₂レーザ発振
器、３……レーザービーム、６……真空容器、７
……試料、１２……化合物超電導層。

Claims

【特許請求の範囲】１化合物超電導体の生成母材となる複数種類の
粉末材料を混合し、この混合物に成形加工を施し
て長尺の成形加工物を形成する第１の工程と、こ
の工程によつて得られた成形加工物の表面部に上
記成形加工物の長手方向に沿つて定められた相対
速度でレーザービームを照射し、この照射で上記
成形加工物の表面部を順次、急速溶融させた後に
急速冷却固化させることによつて上記溶融、固化
部分中に化合物超電導層を生成させる第２の工程
とを具備してなることを特徴とする化合物超電導
体の製造方法。２前記レーザービームのパワーは、100W以上
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の化合物超電導体の製造方法。３前記第２の工程は、前記成形加工物に前記レ
ーザービームを照射する前に上記成形加工物を
400〜2000℃で熱処理する工程を含んでいること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合物
超電導体の製造方法。４前記第２の工程は、前記成形加工物に前記レ
ーザービームを照射した後に上記成形加工物を
300〜1500℃で熱処理する工程を含んでいること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合物
超電導体の製造方法。５前記粉末材料は、Nb、Ｖの中から選ばれた
１種の粉末と、Al、Ge、Siの中から選ばれた少
なくとも１種の粉末とであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の化合物超電導体の製造
方法。６前記粉末材料は、Nb、Al、Ge、Ga、Siの
中の２種以上の元素からなる合金粉末または化合
物粉末とNbの粉末とであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の化合物超電導体の製造
方法。７前記粉末材料は、Ｖ、Al、Ge、Ga、Siの中
の２種以上の元素からなる合金粉末または化合物
粉末とＶの粉末とであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の化合物超電導体の製造方
法。８前記粉末材料は、Al、Ge、Ga、Siの中の１
種以上の元素とNbとの合金粉末または化合物粉
末の中から選ばれた少なくとも１種の粉末である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化
合物超電導体の製造方法。９前記粉末材料は、Al、Ge、Ga、Siの中の１
種以上の元素とＶとの合金粉末または化合物粉末
の中から選ばれた少なくとも１種の粉末であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合
物超電導体の製造方法。１０前記粉末材料は、Al、Ge、Ga、Siの中の
１種以上の元素とNbとの合金粉末または化合物
粉末の中から選ばれた少なくとも１種の粉末と、
Al、Ge、Ga、Siの中から選ばれた少なくとも１
種の粉末もしくはAl、Ge、Ga、Siの中の２種以
上の元素の合金粉末または化合物粉末であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合物
超電導体の製造方法。１１前記粉末材料は、Al、Ge、Ga、Siの中の
１種以上の元素とＶとの合金粉末または化合物粉
末の中から選ばれた少なくとも１種の粉末と、
Al、Ge、Ga、Siの中から選ばれた少なくとも１
種の粉末もしくはAl、Ge、Ga、Siの中の２種以
上の元素の合金粉末または化合物粉末とであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合
物超電導体の製造方法。１２前記粉末材料は、金属Ｍ（ＭはPb、Sn、
Cu、Agの中から選ばれた１種の元素）の粉末
と、Moの粉末と、Ｓの粉末とであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の化合物超電導
体の製造方法。１３前記粉末材料は、金属Ｍ（ＭはPb、Sn、
Cu、Agの中から選ばれた１種の元素）の硫化物
粉末と、Moの粉末とであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の化合物超電導体の製造
方法。１４前記粉末材料は、金属Ｍ（ＭはPb、Sn、
Cu、Agの中から選ばれた１種の元素）の硫化物
粉末と、Moの粉末と、上記金属Ｍの粉末、Ｓの
粉末の中から選ばれた少なくとも１種の粉末とで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の化合物超電導体の製造方法。１５前記粉末材料は、金属Ｍ（ＭはPb、Sn、
Cu、Agの中から選ばれた１種の元素）の粉末、
上記金属Ｍの硫化物粉末の中から選ばれた少なく
とも１種の粉末と、Moの硫化物粉末とであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合
物超電導体の製造方法。１６前記粉末材料は、金属Ｍ（ＭはPb、Sn、
Cu、Agの中から選ばれた１種の元素）の粉末、
上記金属Ｍの硫化物粉末の中から選ばれた少なく
とも１種の粉末と、Moの硫化物粉末と、Moの
粉末、Ｓの粉末の中から選ばれた少なくとも１種
の粉末とであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の化合物超電導体の製造方法。１７前記粉末材料は、Ｓの粉末、金属Ｍ（Ｍは
Pb、Sn、Cu、Agの中から選ばれた１種の元素）
の硫化物粉末、Moの硫化物粉末の中から選ばれ
た１種以上の粉末と、上記金属ＭとMoとの合金
粉末または化合物粉末とであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の化合物超電導体の製
造方法。１８前記粉末材料は、Ｓの粉末、金属Ｍ（Ｍは
Pb、Sn、Cu、Agの中から選ばれた１種の元素）
の硫化物粉末、Moの硫化物粉末の中から選ばれ
た１種以上の粉末と、上記金属ＭとMoとの合金
粉末または化合物粉末と、上記金属Ｍの粉末、
Moの粉末の中から選ばれた少なくとも１種の粉
末とであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の化合物超電導体の製造方法。１９前記粉末材料は、金属Ｍ（ＭはPb、Sn、
Cu、Agの中から選ばれた１種の元素）とMoと
Ｓとの３元素からなる化合物粉末と、上記金属Ｍ
の粉末、Moの粉末、Ｓの粉末、上記金属Ｍと
Moとの合金粉末または化合物粉末、上記金属Ｍ
の硫化物粉末、Moの硫化物粉末の中から選ばれ
た少なくとも１種の粉末とであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の化合物超電導体の
製造方法。２０前記金属Ｍの硫化物粉末が、組成の異なる
２種以上の上記金属Ｍの硫化物粉末に置換されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１３項乃
至第１９項のいずれか１項に記載の化合物超電導
体の製造方法。２１前記Moの硫化物粉末が、組成の異なる２
種以上のMoの硫化物粉末に置換されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１５項乃至第１９
項のいずれか１項に記載の化合物超電導体の製造
方法。２２前記金属ＭとMoとＳとの３元素からなる
化合物粉末が、組成の異なる２種以上の上記金属
ＭとMoとＳとの３元素からなる化合物粉末に置
換されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１９項記載の化合物超電導体の製造方法。２３前記粉末材料は、Nb管またはＶ管に充填
されることを特徴とする特許請求の範囲第５項乃
至第１１項のいずれか１項に記載の化合物超電導
体の製造方法。２４前記粉末材料は、Mo管に充填されること
を特徴とする特許請求の範囲第１２項乃至第２２
項のいずれか１項に記載の化合物超電導体の製造
方法。