JPH0464867B2 - - Google Patents
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- JPH0464867B2 JPH0464867B2 JP59045116A JP4511684A JPH0464867B2 JP H0464867 B2 JPH0464867 B2 JP H0464867B2 JP 59045116 A JP59045116 A JP 59045116A JP 4511684 A JP4511684 A JP 4511684A JP H0464867 B2 JPH0464867 B2 JP H0464867B2
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- layer
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- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/345—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads characterised by the arrangement of resistors or conductors
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- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
この発明は薄膜型サーマルヘツドの製造方法に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field of the Invention) The present invention relates to a method of manufacturing a thin film type thermal head.
(従来技術の説明)
従来の薄型サーマルヘツドの製造方法では、ア
ルミナ基板上のグレーズ層に発熱抵抗体のパター
ンを形成し、その上側に給電体の金属パターンを
形成している。(Description of Prior Art) In a conventional method for manufacturing a thin thermal head, a pattern of a heat generating resistor is formed on a glaze layer on an alumina substrate, and a metal pattern of a power supply body is formed above the pattern.
この従来の製造方法によれば、発熱抵抗体のパ
ターンと、給電体のパターンといつた、ほぼ同じ
様な導体パターンを二回作成しなければならず、
これがため、パターンが微細化した場合には、微
細なマスクを二種類も用意し、しかも、そのマス
ク合わせ工程が著しく困難になるという欠点があ
つた。 According to this conventional manufacturing method, almost the same conductor patterns, such as the heating resistor pattern and the power supply pattern, must be created twice.
For this reason, when the pattern becomes finer, two types of finer masks must be prepared, and the process of matching the masks becomes extremely difficult.
(発明の目的)
この発明の目的は、一枚の微細マスクと、一枚
の荒いマスクとを用い、マスク合わせが簡単で、
しかも、微細な発熱抵抗体及び給電体のパターン
を容易に形成することが出来るようにしたサーマ
ルヘツドの製造方法を提供することにある。(Objective of the invention) The object of the invention is to use one fine mask and one rough mask, and to easily match the masks.
Moreover, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a thermal head that allows the formation of fine heating resistor and power supply body patterns easily.
(発明の構成)
この目的の達成を図るため、この発明のサーマ
ルヘツドの製造方法によれば、基板上に形成した
保温層上に絶縁層を設ける工程と、この絶縁層
を、その後に形成される発熱抵抗体のパターン及
び給電体のパターンの箇所に残存させるように、
パターニングする工程と、得られた絶縁層パター
ンをマスクとして、この保温層をエツチングし、
この絶縁層パターンを頂部に有する凸状部を複数
形成する工程と、この絶縁層パターン上に発熱抵
抗体及び給電体用の材料を順次に被着する工程
と、この絶縁層パターン上の発熱抵抗体の発熱部
パターンを形成すべき部分の上側の給電体用の材
料を除去する工程とを含むことを特徴とする。(Structure of the Invention) In order to achieve this object, the method for manufacturing a thermal head of the present invention includes a step of providing an insulating layer on a heat insulating layer formed on a substrate, and a step of forming an insulating layer on a heat insulating layer formed on a substrate. so that it remains in the area of the heating resistor pattern and the power supply pattern.
A patterning process and etching of this heat insulating layer using the obtained insulating layer pattern as a mask,
A step of forming a plurality of convex portions having this insulating layer pattern on the top, a step of sequentially depositing materials for a heat generating resistor and a power feeder on this insulating layer pattern, and a step of sequentially depositing materials for a heat generating resistor and a power feeder on this insulating layer pattern, and a step of forming a heat generating resistor on this insulating layer pattern. The present invention is characterized in that it includes the step of removing the material for the power supply body above the part where the heat generating part pattern of the body is to be formed.
(実施例の説明)
以下、図面を参照してこの発明の実施例につき
説明する。(Description of Embodiments) Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図A〜Dはこの発明のサーマルヘツドの製
造方法を説明するための製造工程図、第2図はこ
の工程で形成された発熱抵抗体の発熱部パターン
及び給電体のパターンを示す平面図である。 1A to 1D are manufacturing process diagrams for explaining the method of manufacturing the thermal head of the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing the pattern of the heating part of the heating resistor and the pattern of the power supply body formed in this process. It is.
まず、第1図Aに示すように、基板1としてア
ルミナ基板を用意する。このアルミナ基板1の表
面1aに下地層として、例えば、40μmの厚さの
グレーズ層2を有している。この場合、このグレ
ーズ層2は保温層として作用する。この基板1の
グレーズ層2の上側に絶縁層3を被着形成する。
この絶縁層3をSi3N4のスパツタリングにより形
成し、その厚さを、例えば、5000Åとする。 First, as shown in FIG. 1A, an alumina substrate is prepared as the substrate 1. A glaze layer 2 having a thickness of, for example, 40 μm is provided on the surface 1a of the alumina substrate 1 as an underlayer. In this case, this glaze layer 2 acts as a heat retaining layer. An insulating layer 3 is formed on the upper side of the glaze layer 2 of the substrate 1 .
This insulating layer 3 is formed by sputtering Si 3 N 4 and has a thickness of, for example, 5000 Å.
次に、この絶縁層であるSi3N4層3のパターニ
ングを行う。このパターニングは通常のフオトリ
ソグラフイー技術及びCF4ガスによるプラズマエ
ツチングを用いて行うが、その時一枚の微細マス
クを用いて、このSi3N4層3をその後に形成しよ
うとする発熱抵抗体のパターン及び給電体のパタ
ーンと同一のパターンに形成し、第1図Bに示す
ような絶縁層パターンであるSi3N4層のパターン
3aを得る。この場合のパターンは、平面的に見
ると、後述する第2図に示すような、発熱体及び
給電体の全体のパターンとなつている。 Next, the Si 3 N 4 layer 3, which is this insulating layer, is patterned. This patterning is carried out using ordinary photolithography techniques and plasma etching using CF 4 gas, using a single fine mask to form the Si 3 N 4 layer 3 of the heating resistor to be formed later. A pattern 3a of the Si 3 N 4 layer, which is an insulating layer pattern as shown in FIG. 1B, is obtained by forming the same pattern as the pattern and the pattern of the power supply body. When viewed from above, the pattern in this case is the overall pattern of the heating element and the power supply element, as shown in FIG. 2, which will be described later.
次に、第1図Bの処理で用いたマスク用の有機
レジストを通常の方法により除去した後、この
Si3N4層のパターン3aをマスクとして用い、グ
レーズ層2に対してその厚さの一部分にわたつて
エツチングを行つて第1図Cに示すような構造を
得る。このエツチングは、5%HF水溶液で行
い、エツチングの深さを、例えば、1.5μmとす
る。この場合、パターン3aのSi3N4は上述の
HF水溶液にはほとんど溶解しないため、このSi3
N4層のパターン3aは実質的にそのままの状態
で残存し、その下側のグレーズ層2が横方向にエ
ツチングされ(サイドエツチング)、第1図Cに
示すように、残存したグレーズ層2の凸状部2a
に丁度平たい傘のような形でSi3N4のパターン3
aが形成され、その周縁部が凸上部2aから基板
1の表面1aと平行に突出した形となつている。 Next, after removing the organic resist for the mask used in the process shown in FIG.
Using pattern 3a of the Si 3 N 4 layer as a mask, glaze layer 2 is etched over a portion of its thickness to obtain a structure as shown in FIG. 1C. This etching is performed using a 5% HF aqueous solution, and the etching depth is, for example, 1.5 μm. In this case, the Si 3 N 4 of pattern 3a is
This Si 3
The pattern 3a of the N4 layer remains substantially intact, and the glaze layer 2 below it is laterally etched (side etching), as shown in FIG. Convex portion 2a
Pattern 3 of Si 3 N 4 in the shape of a flat umbrella.
a is formed, and its peripheral edge protrudes parallel to the surface 1a of the substrate 1 from the convex upper part 2a.
このようにして得られた、第1図Cに示す構造
の部材の、残存しているグレーズ層2の側の表面
全体に、発熱抵抗体用の材料4を被着する。この
発熱抵抗体用の材料4を、例えば、Ta2Nとし、
これを基板面全面に2500Åの厚さにスパツタリン
グして形成する。 A heating resistor material 4 is applied to the entire surface of the thus obtained member having the structure shown in FIG. 1C on the remaining glaze layer 2 side. The material 4 for the heating resistor is, for example, Ta 2 N,
This is formed by sputtering to a thickness of 2500 Å over the entire surface of the substrate.
続いて、給電体用の材料である金属5をこの発
熱抵抗体用の材料4の上側に被着する。この給電
体金属5を、例えば、Alとし、これを例えば1.5μ
mの厚さに真空蒸着して形成する。 Subsequently, metal 5, which is a material for a power supply body, is deposited on the upper side of this material 4 for a heating resistor. This power supply metal 5 is made of Al, for example, and has a thickness of, for example, 1.5μ.
It is formed by vacuum deposition to a thickness of m.
このような発熱抵抗体及び給電体の材料4及び
5の順次の被着により得られる薄膜積層体6は、
第1図Dに示すように、上述したグレーズ層2の
凸状部2aと、その周囲のエツチングにより掘ら
れて高さがより低くなつている部分2bとの段差
によつて、これらの上側にそれぞれ段差切れされ
て個別的に、良好に、形成される。そして、この
段差切れがあるので、この積層体6の被着形成と
同時に、発熱抵抗体のパターン及び給電体のパタ
ーンが形成されることとなり、このパターンは上
述したSi3N4層である絶縁層3のパターン、すな
わち、この絶縁層3のパターンを形成する微細マ
スクによつて決まる。 The thin film laminate 6 obtained by sequentially depositing the heating resistor and power supply materials 4 and 5 is as follows:
As shown in FIG. 1D, due to the step between the convex portion 2a of the glaze layer 2 and the etched portion 2b around it, the upper side of the convex portion 2a is lowered. They are individually and well formed by cutting out the steps. Because of this step break, the pattern of the heating resistor and the pattern of the power feeder are formed at the same time as the deposition of the laminate 6, and this pattern is made of the above-mentioned Si 3 N 4 layer insulation. It is determined by the pattern of layer 3, ie by the fine mask forming this pattern of insulating layer 3.
次に、このようにして得られた積層体6の発熱
抵抗体の発熱部パターンとすべき箇所の上側の給
電体用金属材料をフオトリソグラフイー技術を用
いて選択エツチングにより除去し、よつて、第2
図の平面図に示すような発熱抵抗体の発熱部パタ
ーン部7及び給電体パターン部8を形成すること
が出来る。第3図に、ここまでの工程で形成され
たサーマルヘツドの部分斜視図を示す。 Next, the metal material for the power feeder above the portion that should be the heating part pattern of the heating resistor of the laminate 6 obtained in this way is removed by selective etching using photolithography technology. Second
It is possible to form a heat generating part pattern part 7 and a power supply pattern part 8 of a heat generating resistor as shown in the plan view of the figure. FIG. 3 shows a partial perspective view of the thermal head formed through the steps up to this point.
このフオトリソグラフイーの工程で用いるマス
クは、最終的に、各発熱パターン部分に対応した
幅を有しかつエツチングにより全ての発熱部パタ
ーン部分を露出させることが出来るような一枚の
荒いマスクで良い。最後に、少なくとも発熱部パ
ターン7上を被覆するように酸化防止膜(例えば
2μm厚のSiO2)、耐摩耗層(例えば3μm厚のTa2
O5)をスパツタ法により順次形成してサーマル
ヘツドが完成する。 The mask used in this photolithography process may ultimately be a single rough mask that has a width corresponding to each heat generating pattern and can be etched to expose all heat generating pattern parts. . Finally, an antioxidant film (for example,
2 μm thick SiO 2 ), wear-resistant layer (e.g. 3 μm thick Ta 2 )
The thermal head is completed by sequentially forming O 5 ) by a sputtering method.
尚、上述した実施例では絶縁膜3としてSi3N4
を用いた場合につき説明したが、これを用いる代
りに、例えば、Al2O3を用いても良いし、或い
は、グレーズ層2上にCVD法でSiO2を被着させ、
その上側にスパツタによつてSiO2を形成したも
のを使用することが出来、その場合であつても、
Si3N4と同様な作用及び効果を達成することが出
来る。また、この絶縁層の寸法、その他の条件は
設計に応じて任意に設定することが出来る。 In the above-described embodiment, the insulating film 3 is made of Si 3 N 4
has been described, but instead of using this, for example, Al 2 O 3 may be used, or SiO 2 may be deposited on the glaze layer 2 by CVD method,
It is possible to use a material on which SiO 2 is formed by sputtering, and even in that case,
It can achieve the same action and effect as Si 3 N 4 . Further, the dimensions of this insulating layer and other conditions can be arbitrarily set according to the design.
また、基板としてアルミナ基板以外の他の材料
からなる基板を用いても良い。 Furthermore, a substrate made of a material other than an alumina substrate may be used as the substrate.
また、発熱抵抗体及び給電体の材料、寸法、そ
の被着方法等の条件は設定に応じて任意に選定す
ることが出来る。 Furthermore, conditions such as materials, dimensions, and methods of adhering the heat generating resistor and power supply body can be arbitrarily selected according to settings.
(発明の効果)
上述した説明からも明らかなように、この発明
によるサーマルヘツドの製造方法によれば、絶縁
層の形成に一枚の微細マスクを用い、その後の発
熱抵抗体の発熱部のパターンの形成に、一枚の荒
いマスクを使用するにすぎないので、簡単なマス
ク合わせ工程で発熱部及び給電体の各パターンを
形成することが出来る。(Effects of the Invention) As is clear from the above description, according to the method of manufacturing a thermal head according to the present invention, a single fine mask is used to form an insulating layer, and the pattern of the heating portion of the heating resistor is then changed. Since only one rough mask is used for forming the pattern, each pattern of the heat generating part and the power supply body can be formed by a simple mask alignment process.
また、下地層上に設けた絶縁層の微細パターン
を予め発熱抵抗体及び給電体のパターンと対応さ
せて形成し、この絶縁層パターンをマスクとして
下地層に高低差を作り、この高低差のある部分に
発熱抵抗体及び給電体用の材料の積層体を被着
し、その段差に起因する段差切れにより発熱抵抗
体及び給電体の微細パターンを有効的に形成する
ことが出来る。 In addition, a fine pattern of the insulating layer provided on the base layer is formed in advance in correspondence with the pattern of the heating resistor and the power supply, and height differences are created in the base layer using this insulating layer pattern as a mask. A laminate of materials for the heat generating resistor and the power feeder is applied to the portion, and fine patterns of the heat generating resistor and the power feeder can be effectively formed by cutting the steps due to the steps.
また、発熱抵抗体自体のエツチングは行わない
のであるから、この発熱抵抗体自体に材料として
エツチングが困難な材料を使用しても微細なパタ
ーンを形成することが出来る。さらに、低温層
(下地層)が凸状に形成されているため基板側へ
の熱の放散が低減されて保温性が良くなると共
に、この凸状部上に発熱部パターンが形成されて
いるため印字時の紙との接触圧力が上がり、これ
らの点からサーマルヘツドの低消費電力化が可能
となる。 Furthermore, since the heating resistor itself is not etched, a fine pattern can be formed even if the heating resistor itself is made of a material that is difficult to etch. Furthermore, since the low-temperature layer (base layer) is formed in a convex shape, heat dissipation to the substrate side is reduced and heat retention is improved, and the heat generating part pattern is formed on this convex part. The contact pressure with the paper during printing increases, and from this point of view it becomes possible to reduce the power consumption of the thermal head.
第1図A〜Dはこの発明のサーマルヘツドの製
造方法を説明するための製造工程図、第2図はこ
の発明のサーマルヘツドの製造方法により得られ
た発熱抵抗体及び給電体のパターンを示す平面
図、第3図は、この発明の製造方法により形成さ
れた、サーマルヘツドの発熱部及び給電体の各パ
ターンの形成状態を示す部分的斜視図である。
1……基板、1a……(基板の)表面、2……
下地層、3……絶縁層、3a……絶縁層のパター
ン、4……発熱抵抗体、5……給電体、6……薄
膜積層体、7……抵抗体の発熱部パターン、8…
…給電体パターン部。
1A to 1D are manufacturing process diagrams for explaining the method of manufacturing a thermal head of the present invention, and FIG. 2 shows patterns of a heating resistor and a power supply body obtained by the method of manufacturing a thermal head of the present invention. The plan view and FIG. 3 are partial perspective views showing the formation state of each pattern of the heat generating part of the thermal head and the power supply body formed by the manufacturing method of the present invention. 1...Substrate, 1a...Surface (of the substrate), 2...
Base layer, 3...Insulating layer, 3a...Insulating layer pattern, 4...Heating resistor, 5...Power feeder, 6...Thin film laminate, 7...Heating part pattern of resistor, 8...
...Power feeder pattern section.
Claims (1)
程と、 該絶縁層を、その後に形成される発熱抵抗体の
パターン及び給電体のパターンの箇所に残存させ
るように、パターニングする工程と、 得られた絶縁層パターンをマスクとして、前記
保温層をエツチングし、該絶縁層パターンを頂部
に有する凸状部を複数形成する工程と、 少なくとも前記絶縁層パターン上に前記発熱抵
抗体及び前記給電体用の材料を順次に被着する工
程と、 前記絶縁層パターン上の前記発熱抵抗体の発熱
部パターンを形成すべき部分の上側の該給電体用
の材料をを除去する工程とを含むことを特徴とす
るサーマルヘツドの製造方法。[Claims] 1. A step of providing an insulating layer on a heat insulating layer provided on a substrate, and leaving the insulating layer at the portions of the heating resistor pattern and the power supply pattern that will be formed thereafter. , a step of patterning, a step of etching the heat insulating layer using the obtained insulating layer pattern as a mask, and forming a plurality of convex portions having the insulating layer pattern on the top; and a step of etching the heat insulating layer at least on the insulating layer pattern. A step of sequentially depositing a resistor and a material for the power feeder, and removing the material for the power feeder above a portion of the insulating layer pattern where a heat generating part pattern of the heat generating resistor is to be formed. A method for manufacturing a thermal head, comprising the steps of:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59045116A JPS60189466A (en) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | Manufacture of thermal head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59045116A JPS60189466A (en) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | Manufacture of thermal head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189466A JPS60189466A (en) | 1985-09-26 |
| JPH0464867B2 true JPH0464867B2 (en) | 1992-10-16 |
Family
ID=12710292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59045116A Granted JPS60189466A (en) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | Manufacture of thermal head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189466A (en) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059659B2 (en) * | 1978-08-25 | 1985-12-26 | ソニー株式会社 | magnetic recording and reproducing device |
| JPS5734985A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-25 | Ricoh Co Ltd | Preparation of thermal head |
-
1984
- 1984-03-09 JP JP59045116A patent/JPS60189466A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60189466A (en) | 1985-09-26 |
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