JPH0464867B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0464867B2 JPH0464867B2 JP59045116A JP4511684A JPH0464867B2 JP H0464867 B2 JPH0464867 B2 JP H0464867B2 JP 59045116 A JP59045116 A JP 59045116A JP 4511684 A JP4511684 A JP 4511684A JP H0464867 B2 JPH0464867 B2 JP H0464867B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- insulating layer
- layer
- heat generating
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/345—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads characterised by the arrangement of resistors or conductors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
この発明は薄膜型サーマルヘツドの製造方法に
関する。
関する。
（従来技術の説明）
従来の薄型サーマルヘツドの製造方法では、ア
ルミナ基板上のグレーズ層に発熱抵抗体のパター
ンを形成し、その上側に給電体の金属パターンを
形成している。
ルミナ基板上のグレーズ層に発熱抵抗体のパター
ンを形成し、その上側に給電体の金属パターンを
形成している。
この従来の製造方法によれば、発熱抵抗体のパ
ターンと、給電体のパターンといつた、ほぼ同じ
様な導体パターンを二回作成しなければならず、
これがため、パターンが微細化した場合には、微
細なマスクを二種類も用意し、しかも、そのマス
ク合わせ工程が著しく困難になるという欠点があ
つた。
ターンと、給電体のパターンといつた、ほぼ同じ
様な導体パターンを二回作成しなければならず、
これがため、パターンが微細化した場合には、微
細なマスクを二種類も用意し、しかも、そのマス
ク合わせ工程が著しく困難になるという欠点があ
つた。
（発明の目的）
この発明の目的は、一枚の微細マスクと、一枚
の荒いマスクとを用い、マスク合わせが簡単で、
しかも、微細な発熱抵抗体及び給電体のパターン
を容易に形成することが出来るようにしたサーマ
ルヘツドの製造方法を提供することにある。
の荒いマスクとを用い、マスク合わせが簡単で、
しかも、微細な発熱抵抗体及び給電体のパターン
を容易に形成することが出来るようにしたサーマ
ルヘツドの製造方法を提供することにある。
（発明の構成）
この目的の達成を図るため、この発明のサーマ
ルヘツドの製造方法によれば、基板上に形成した
保温層上に絶縁層を設ける工程と、この絶縁層
を、その後に形成される発熱抵抗体のパターン及
び給電体のパターンの箇所に残存させるように、
パターニングする工程と、得られた絶縁層パター
ンをマスクとして、この保温層をエツチングし、
この絶縁層パターンを頂部に有する凸状部を複数
形成する工程と、この絶縁層パターン上に発熱抵
抗体及び給電体用の材料を順次に被着する工程
と、この絶縁層パターン上の発熱抵抗体の発熱部
パターンを形成すべき部分の上側の給電体用の材
料を除去する工程とを含むことを特徴とする。
ルヘツドの製造方法によれば、基板上に形成した
保温層上に絶縁層を設ける工程と、この絶縁層
を、その後に形成される発熱抵抗体のパターン及
び給電体のパターンの箇所に残存させるように、
パターニングする工程と、得られた絶縁層パター
ンをマスクとして、この保温層をエツチングし、
この絶縁層パターンを頂部に有する凸状部を複数
形成する工程と、この絶縁層パターン上に発熱抵
抗体及び給電体用の材料を順次に被着する工程
と、この絶縁層パターン上の発熱抵抗体の発熱部
パターンを形成すべき部分の上側の給電体用の材
料を除去する工程とを含むことを特徴とする。
（実施例の説明）
以下、図面を参照してこの発明の実施例につき
説明する。
説明する。
第１図Ａ〜Ｄはこの発明のサーマルヘツドの製
造方法を説明するための製造工程図、第２図はこ
の工程で形成された発熱抵抗体の発熱部パターン
及び給電体のパターンを示す平面図である。
造方法を説明するための製造工程図、第２図はこ
の工程で形成された発熱抵抗体の発熱部パターン
及び給電体のパターンを示す平面図である。
まず、第１図Ａに示すように、基板１としてア
ルミナ基板を用意する。このアルミナ基板１の表
面１ａに下地層として、例えば、40μｍの厚さの
グレーズ層２を有している。この場合、このグレ
ーズ層２は保温層として作用する。この基板１の
グレーズ層２の上側に絶縁層３を被着形成する。
この絶縁層３をSi3N4のスパツタリングにより形
成し、その厚さを、例えば、5000Åとする。
ルミナ基板を用意する。このアルミナ基板１の表
面１ａに下地層として、例えば、40μｍの厚さの
グレーズ層２を有している。この場合、このグレ
ーズ層２は保温層として作用する。この基板１の
グレーズ層２の上側に絶縁層３を被着形成する。
この絶縁層３をSi3N4のスパツタリングにより形
成し、その厚さを、例えば、5000Åとする。
次に、この絶縁層であるSi3N4層３のパターニ
ングを行う。このパターニングは通常のフオトリ
ソグラフイー技術及びCF4ガスによるプラズマエ
ツチングを用いて行うが、その時一枚の微細マス
クを用いて、このSi3N4層３をその後に形成しよ
うとする発熱抵抗体のパターン及び給電体のパタ
ーンと同一のパターンに形成し、第１図Ｂに示す
ような絶縁層パターンであるSi3N4層のパターン
３ａを得る。この場合のパターンは、平面的に見
ると、後述する第２図に示すような、発熱体及び
給電体の全体のパターンとなつている。
ングを行う。このパターニングは通常のフオトリ
ソグラフイー技術及びCF4ガスによるプラズマエ
ツチングを用いて行うが、その時一枚の微細マス
クを用いて、このSi3N4層３をその後に形成しよ
うとする発熱抵抗体のパターン及び給電体のパタ
ーンと同一のパターンに形成し、第１図Ｂに示す
ような絶縁層パターンであるSi3N4層のパターン
３ａを得る。この場合のパターンは、平面的に見
ると、後述する第２図に示すような、発熱体及び
給電体の全体のパターンとなつている。
次に、第１図Ｂの処理で用いたマスク用の有機
レジストを通常の方法により除去した後、この
Si3N4層のパターン３ａをマスクとして用い、グ
レーズ層２に対してその厚さの一部分にわたつて
エツチングを行つて第１図Ｃに示すような構造を
得る。このエツチングは、５％HF水溶液で行
い、エツチングの深さを、例えば、1.5μｍとす
る。この場合、パターン３ａのSi3N4は上述の
HF水溶液にはほとんど溶解しないため、このSi3
N4層のパターン３ａは実質的にそのままの状態
で残存し、その下側のグレーズ層２が横方向にエ
ツチングされ（サイドエツチング）、第１図Ｃに
示すように、残存したグレーズ層２の凸状部２ａ
に丁度平たい傘のような形でSi3N4のパターン３
ａが形成され、その周縁部が凸上部２ａから基板
１の表面１ａと平行に突出した形となつている。
レジストを通常の方法により除去した後、この
Si3N4層のパターン３ａをマスクとして用い、グ
レーズ層２に対してその厚さの一部分にわたつて
エツチングを行つて第１図Ｃに示すような構造を
得る。このエツチングは、５％HF水溶液で行
い、エツチングの深さを、例えば、1.5μｍとす
る。この場合、パターン３ａのSi3N4は上述の
HF水溶液にはほとんど溶解しないため、このSi3
N4層のパターン３ａは実質的にそのままの状態
で残存し、その下側のグレーズ層２が横方向にエ
ツチングされ（サイドエツチング）、第１図Ｃに
示すように、残存したグレーズ層２の凸状部２ａ
に丁度平たい傘のような形でSi3N4のパターン３
ａが形成され、その周縁部が凸上部２ａから基板
１の表面１ａと平行に突出した形となつている。
このようにして得られた、第１図Ｃに示す構造
の部材の、残存しているグレーズ層２の側の表面
全体に、発熱抵抗体用の材料４を被着する。この
発熱抵抗体用の材料４を、例えば、Ta2Ｎとし、
これを基板面全面に2500Åの厚さにスパツタリン
グして形成する。
の部材の、残存しているグレーズ層２の側の表面
全体に、発熱抵抗体用の材料４を被着する。この
発熱抵抗体用の材料４を、例えば、Ta2Ｎとし、
これを基板面全面に2500Åの厚さにスパツタリン
グして形成する。
続いて、給電体用の材料である金属５をこの発
熱抵抗体用の材料４の上側に被着する。この給電
体金属５を、例えば、Alとし、これを例えば1.5μ
ｍの厚さに真空蒸着して形成する。
熱抵抗体用の材料４の上側に被着する。この給電
体金属５を、例えば、Alとし、これを例えば1.5μ
ｍの厚さに真空蒸着して形成する。
このような発熱抵抗体及び給電体の材料４及び
５の順次の被着により得られる薄膜積層体６は、
第１図Ｄに示すように、上述したグレーズ層２の
凸状部２ａと、その周囲のエツチングにより掘ら
れて高さがより低くなつている部分２ｂとの段差
によつて、これらの上側にそれぞれ段差切れされ
て個別的に、良好に、形成される。そして、この
段差切れがあるので、この積層体６の被着形成と
同時に、発熱抵抗体のパターン及び給電体のパタ
ーンが形成されることとなり、このパターンは上
述したSi3N4層である絶縁層３のパターン、すな
わち、この絶縁層３のパターンを形成する微細マ
スクによつて決まる。
５の順次の被着により得られる薄膜積層体６は、
第１図Ｄに示すように、上述したグレーズ層２の
凸状部２ａと、その周囲のエツチングにより掘ら
れて高さがより低くなつている部分２ｂとの段差
によつて、これらの上側にそれぞれ段差切れされ
て個別的に、良好に、形成される。そして、この
段差切れがあるので、この積層体６の被着形成と
同時に、発熱抵抗体のパターン及び給電体のパタ
ーンが形成されることとなり、このパターンは上
述したSi3N4層である絶縁層３のパターン、すな
わち、この絶縁層３のパターンを形成する微細マ
スクによつて決まる。
次に、このようにして得られた積層体６の発熱
抵抗体の発熱部パターンとすべき箇所の上側の給
電体用金属材料をフオトリソグラフイー技術を用
いて選択エツチングにより除去し、よつて、第２
図の平面図に示すような発熱抵抗体の発熱部パタ
ーン部７及び給電体パターン部８を形成すること
が出来る。第３図に、ここまでの工程で形成され
たサーマルヘツドの部分斜視図を示す。
抵抗体の発熱部パターンとすべき箇所の上側の給
電体用金属材料をフオトリソグラフイー技術を用
いて選択エツチングにより除去し、よつて、第２
図の平面図に示すような発熱抵抗体の発熱部パタ
ーン部７及び給電体パターン部８を形成すること
が出来る。第３図に、ここまでの工程で形成され
たサーマルヘツドの部分斜視図を示す。
このフオトリソグラフイーの工程で用いるマス
クは、最終的に、各発熱パターン部分に対応した
幅を有しかつエツチングにより全ての発熱部パタ
ーン部分を露出させることが出来るような一枚の
荒いマスクで良い。最後に、少なくとも発熱部パ
ターン７上を被覆するように酸化防止膜（例えば
2μｍ厚のSiO2）、耐摩耗層（例えば3μｍ厚のTa2
O5）をスパツタ法により順次形成してサーマル
ヘツドが完成する。
クは、最終的に、各発熱パターン部分に対応した
幅を有しかつエツチングにより全ての発熱部パタ
ーン部分を露出させることが出来るような一枚の
荒いマスクで良い。最後に、少なくとも発熱部パ
ターン７上を被覆するように酸化防止膜（例えば
2μｍ厚のSiO2）、耐摩耗層（例えば3μｍ厚のTa2
O5）をスパツタ法により順次形成してサーマル
ヘツドが完成する。
尚、上述した実施例では絶縁膜３としてSi3N4
を用いた場合につき説明したが、これを用いる代
りに、例えば、Al2O3を用いても良いし、或い
は、グレーズ層２上にCVD法でSiO2を被着させ、
その上側にスパツタによつてSiO2を形成したも
のを使用することが出来、その場合であつても、
Si3N4と同様な作用及び効果を達成することが出
来る。また、この絶縁層の寸法、その他の条件は
設計に応じて任意に設定することが出来る。
を用いた場合につき説明したが、これを用いる代
りに、例えば、Al2O3を用いても良いし、或い
は、グレーズ層２上にCVD法でSiO2を被着させ、
その上側にスパツタによつてSiO2を形成したも
のを使用することが出来、その場合であつても、
Si3N4と同様な作用及び効果を達成することが出
来る。また、この絶縁層の寸法、その他の条件は
設計に応じて任意に設定することが出来る。
また、基板としてアルミナ基板以外の他の材料
からなる基板を用いても良い。
からなる基板を用いても良い。
また、発熱抵抗体及び給電体の材料、寸法、そ
の被着方法等の条件は設定に応じて任意に選定す
ることが出来る。
の被着方法等の条件は設定に応じて任意に選定す
ることが出来る。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明
によるサーマルヘツドの製造方法によれば、絶縁
層の形成に一枚の微細マスクを用い、その後の発
熱抵抗体の発熱部のパターンの形成に、一枚の荒
いマスクを使用するにすぎないので、簡単なマス
ク合わせ工程で発熱部及び給電体の各パターンを
形成することが出来る。
によるサーマルヘツドの製造方法によれば、絶縁
層の形成に一枚の微細マスクを用い、その後の発
熱抵抗体の発熱部のパターンの形成に、一枚の荒
いマスクを使用するにすぎないので、簡単なマス
ク合わせ工程で発熱部及び給電体の各パターンを
形成することが出来る。
また、下地層上に設けた絶縁層の微細パターン
を予め発熱抵抗体及び給電体のパターンと対応さ
せて形成し、この絶縁層パターンをマスクとして
下地層に高低差を作り、この高低差のある部分に
発熱抵抗体及び給電体用の材料の積層体を被着
し、その段差に起因する段差切れにより発熱抵抗
体及び給電体の微細パターンを有効的に形成する
ことが出来る。
を予め発熱抵抗体及び給電体のパターンと対応さ
せて形成し、この絶縁層パターンをマスクとして
下地層に高低差を作り、この高低差のある部分に
発熱抵抗体及び給電体用の材料の積層体を被着
し、その段差に起因する段差切れにより発熱抵抗
体及び給電体の微細パターンを有効的に形成する
ことが出来る。
また、発熱抵抗体自体のエツチングは行わない
のであるから、この発熱抵抗体自体に材料として
エツチングが困難な材料を使用しても微細なパタ
ーンを形成することが出来る。さらに、低温層
（下地層）が凸状に形成されているため基板側へ
の熱の放散が低減されて保温性が良くなると共
に、この凸状部上に発熱部パターンが形成されて
いるため印字時の紙との接触圧力が上がり、これ
らの点からサーマルヘツドの低消費電力化が可能
となる。
のであるから、この発熱抵抗体自体に材料として
エツチングが困難な材料を使用しても微細なパタ
ーンを形成することが出来る。さらに、低温層
（下地層）が凸状に形成されているため基板側へ
の熱の放散が低減されて保温性が良くなると共
に、この凸状部上に発熱部パターンが形成されて
いるため印字時の紙との接触圧力が上がり、これ
らの点からサーマルヘツドの低消費電力化が可能
となる。
第１図Ａ〜Ｄはこの発明のサーマルヘツドの製
造方法を説明するための製造工程図、第２図はこ
の発明のサーマルヘツドの製造方法により得られ
た発熱抵抗体及び給電体のパターンを示す平面
図、第３図は、この発明の製造方法により形成さ
れた、サーマルヘツドの発熱部及び給電体の各パ
ターンの形成状態を示す部分的斜視図である。 １……基板、１ａ……（基板の）表面、２……
下地層、３……絶縁層、３ａ……絶縁層のパター
ン、４……発熱抵抗体、５……給電体、６……薄
膜積層体、７……抵抗体の発熱部パターン、８…
…給電体パターン部。
造方法を説明するための製造工程図、第２図はこ
の発明のサーマルヘツドの製造方法により得られ
た発熱抵抗体及び給電体のパターンを示す平面
図、第３図は、この発明の製造方法により形成さ
れた、サーマルヘツドの発熱部及び給電体の各パ
ターンの形成状態を示す部分的斜視図である。 １……基板、１ａ……（基板の）表面、２……
下地層、３……絶縁層、３ａ……絶縁層のパター
ン、４……発熱抵抗体、５……給電体、６……薄
膜積層体、７……抵抗体の発熱部パターン、８…
…給電体パターン部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に設けた保温層上に絶縁層を設ける工
程と、 該絶縁層を、その後に形成される発熱抵抗体の
パターン及び給電体のパターンの箇所に残存させ
るように、パターニングする工程と、 得られた絶縁層パターンをマスクとして、前記
保温層をエツチングし、該絶縁層パターンを頂部
に有する凸状部を複数形成する工程と、 少なくとも前記絶縁層パターン上に前記発熱抵
抗体及び前記給電体用の材料を順次に被着する工
程と、 前記絶縁層パターン上の前記発熱抵抗体の発熱
部パターンを形成すべき部分の上側の該給電体用
の材料をを除去する工程とを含むことを特徴とす
るサーマルヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59045116A JPS60189466A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59045116A JPS60189466A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189466A JPS60189466A (ja) | 1985-09-26 |
| JPH0464867B2 true JPH0464867B2 (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=12710292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59045116A Granted JPS60189466A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189466A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059659B2 (ja) * | 1978-08-25 | 1985-12-26 | ソニー株式会社 | 磁気記録再生装置 |
| JPS5734985A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-25 | Ricoh Co Ltd | Preparation of thermal head |
-
1984
- 1984-03-09 JP JP59045116A patent/JPS60189466A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60189466A (ja) | 1985-09-26 |
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