JPH0467070B2 - - Google Patents
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- JPH0467070B2 JPH0467070B2 JP15467385A JP15467385A JPH0467070B2 JP H0467070 B2 JPH0467070 B2 JP H0467070B2 JP 15467385 A JP15467385 A JP 15467385A JP 15467385 A JP15467385 A JP 15467385A JP H0467070 B2 JPH0467070 B2 JP H0467070B2
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、空気の流れる量などを調整する電流
制御電磁弁等に利用する電磁弁駆動装置に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a solenoid valve drive device used in a current control solenoid valve or the like that adjusts the amount of air flow.
従来の技術
第３図は従来の電磁弁駆動装置を示している。
第３図において、３は直流電源であり、この直流
電源３は電流制御電磁弁２と、電流制御電磁弁駆
動回路１に対し電源を供給する。８は電流指令回
路であり電流制御電磁弁駆動用のパワートランジ
スタ６のオン、オフを制御する。この制御信号
は、第４図に示すパワートランジスタ駆動信号１
０であり、Ton信号にてパワートランジスタ６を
オンし、Toff信号にてパワートランジスタ６を
オフする。パワートランジスタ駆動信号１０のオ
ン、オフ周期Ｔは、一定であり、オン、オフのデ
ユーテイ比によつて、電流制御電磁弁２へ流す電
流値を決める。５は、電流制御電磁弁２へ流れる
電流ｉを検出する電流検出用の抵抗であり、この
抵抗５の抵抗値により電流制御電磁弁２へ流れる
電流値に対応した電圧を差動増幅器７の入力端子
に与えるものである。Vr＋16は、電流検出用の
抵抗５の電流側の電圧を示しており、Vr−17は、
同じくアース側の電圧を示している。これらVr
＋16と、Vr−17の電圧変化を、第４図に示す。
第４図からも明らかなように、Vr−17は、常に
OVに固定される。電流検出用の抵抗５の両端の
電圧は、差動増幅器７にて増幅され、電流指令回
路８へ戻される。電源３の出力電圧の変化及び電
流制御電磁弁２の直流抵抗の変化等によつて電流
制御電磁弁２に流れる電流ｉが変化する為、電流
指令回路８において、この電流変化に応じてパワ
ートランジスタ駆動信号１０のオン、オフのデユ
ーテイ比を変化させて、電流ｉを目標とする電磁
弁開閉量に対応した所定の電流値に補正するもの
である。Prior Art FIG. 3 shows a conventional electromagnetic valve drive device.
In FIG. 3, 3 is a DC power supply, and this DC power supply 3 supplies power to the current control solenoid valve 2 and the current control solenoid valve drive circuit 1. 8 is a current command circuit which controls ON/OFF of the power transistor 6 for driving the current control solenoid valve. This control signal is the power transistor drive signal 1 shown in FIG.
0, the power transistor 6 is turned on by the Ton signal, and the power transistor 6 is turned off by the Toff signal. The on/off period T of the power transistor drive signal 10 is constant, and the value of the current flowing to the current control solenoid valve 2 is determined by the on/off duty ratio. 5 is a current detection resistor that detects the current i flowing to the current control solenoid valve 2, and the resistance value of this resistor 5 allows a voltage corresponding to the current value flowing to the current control solenoid valve 2 to be input to the differential amplifier 7. It is given to the terminal. Vr+16 indicates the voltage on the current side of the resistor 5 for current detection, and Vr−17 is
It also shows the voltage on the ground side. These Vr
Figure 4 shows the voltage changes at +16 and Vr-17.
As is clear from Figure 4, Vr−17 is always
Fixed to OV. The voltage across the current detection resistor 5 is amplified by the differential amplifier 7 and returned to the current command circuit 8. Since the current i flowing through the current control solenoid valve 2 changes due to changes in the output voltage of the power source 3 and changes in the DC resistance of the current control solenoid valve 2, the current i flowing through the current control solenoid valve 2 changes, so the current command circuit 8 adjusts the power transistor according to this current change. By changing the on/off duty ratio of the drive signal 10, the current i is corrected to a predetermined current value corresponding to the target opening/closing amount of the electromagnetic valve.
トランジスタ１４は、パワートランジスタ駆動
信号１０がTonからToffへ変化したときに生じ
る電流を、電流検出用の抵抗５を通して流れるよ
うに働く。すなわち、パワートランジスタ駆動信
号１０がTonからToffへ変化することにより、
電流制御電磁弁２には逆起電力が生じ、トランジ
スタ１４のベースとエミツタ間にバイアス電圧が
加わり、トランジスタ１４は、能動動作となりコ
レクタ電流を流す。このコレクタ電流は、パワー
トランジスタ６のベース電流となり、パワートラ
ンジスタ６を能動動作に入る。よつて、パワート
ランジスタ駆動信号１０がTonからToffに変化
したとき生じる逆起電力は、トランジスタ１４と
パワートランジスタ６を能動動作とし、パワート
ランジスタ６を通して電流検出用の抵抗５に、逆
起電力電流を流すことになる。このため、第４図
に示した、電流検出用の抵抗の電源側の電圧Vr
＋16には、パワートランジスタ駆動信号１０が
Toffの区間においても電圧を生じさせる結果と
なる。これより、差動増幅器７の出力波形１３
は、第４図に示した通りとなる。 The transistor 14 functions to cause a current generated when the power transistor drive signal 10 changes from Ton to Toff to flow through the current detection resistor 5. That is, by changing the power transistor drive signal 10 from Ton to Toff,
A back electromotive force is generated in the current control solenoid valve 2, a bias voltage is applied between the base and emitter of the transistor 14, and the transistor 14 becomes active and causes a collector current to flow. This collector current becomes the base current of the power transistor 6 and puts the power transistor 6 into active operation. Therefore, the back electromotive force generated when the power transistor drive signal 10 changes from Ton to Toff causes the transistor 14 and the power transistor 6 to become active, and the back electromotive force current is passed through the power transistor 6 to the resistor 5 for current detection. It will flow. Therefore, the voltage Vr on the power supply side of the current detection resistor shown in FIG.
+16 has power transistor drive signal 10.
This results in a voltage being generated also in the Toff section. From this, the output waveform 13 of the differential amplifier 7
is as shown in FIG.
このように、上記従来例によれば、電流検出用
の抵抗５と差動増幅器７より求められる電圧に基
づいて電流制御電磁弁２を駆動する電流値を検出
し、この電流値が目標とする電磁弁開閉量に対応
した所定の電流値に対して差異がある場合には、
パワートランジスタ駆動信号１０のオン、オフの
デユーテイ比を変化させ、電流値を補正して電流
制御電磁弁２を駆動することにより、目標とする
所定の電磁弁開閉量を得ることができる。また、
電流検出用の抵抗５の一端がアースでOV一定で
あることより、差動信号増幅器７の出力１３が高
精度に得られる効果を有する。 As described above, according to the conventional example, the current value for driving the current control solenoid valve 2 is detected based on the voltage obtained from the current detection resistor 5 and the differential amplifier 7, and this current value is set as the target. If there is a difference in the predetermined current value corresponding to the opening/closing amount of the solenoid valve,
By changing the on/off duty ratio of the power transistor drive signal 10, correcting the current value, and driving the current control solenoid valve 2, a target predetermined opening/closing amount of the solenoid valve can be obtained. Also,
Since one end of the current detection resistor 5 is grounded and the OV is constant, the output 13 of the differential signal amplifier 7 can be obtained with high precision.
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記従来例においては、パワー
トランジスタ６がONした際に、トランジスタ１
４のベースエミツタ間に、ベースエミツタ逆耐力
（通常５〜7V）以上の逆方向電圧（ほぼ電源電圧
VB）が印加される結果、トランジスタ１４が劣
化し、トランジスタ１４が破壊する欠点があつ
た。すなわち、第４図にも示すように、パワート
ランジスタ６のコレクタ電圧（トランジスタ１４
のエミツタ電圧）は、パワートランジスタ６の
OFF期間では電源電圧VB、ON期間ではほぼ零と
なるのに対し、トランジスタ１４のベース電圧は
電源電圧VB（一定）となり、パワートランジスタ
６のON期間においては、トランジスタ１４のベ
ースエミツタ間にはベースエミツタ逆耐力（−
VEBO）以上の逆方向電圧が印加されることにな
り、トランジスタ１４が劣化し破壊するものであ
つた。Problems to be Solved by the Invention However, in the above conventional example, when the power transistor 6 is turned on, the transistor 1
4, a reverse voltage (approximately the power supply
As a result of the application of V B ), the transistor 14 deteriorated and was destroyed. That is, as shown in FIG. 4, the collector voltage of power transistor 6 (transistor 14
) is the emitter voltage of the power transistor 6
In the OFF period, the power supply voltage V B is almost zero in the ON period, whereas the base voltage of the transistor 14 is the power supply voltage V B (constant). Base emitter reverse proof stress (-
A reverse voltage higher than V EBO ) was applied, causing the transistor 14 to deteriorate and be destroyed.
本発明は上記従来の欠点を除去するものであ
り、パワートランジスタ６がONした際にもトラ
ンジスタ１４のベースエミツタ間にベースエミツ
タ逆耐力以上の逆方向電圧が印加されないように
し、トランジスタ１４の劣化、破壊を防止するこ
とを目的とするものである。 The present invention eliminates the above-mentioned drawbacks of the conventional art, and prevents the application of a reverse voltage greater than the base-emitter reverse breakdown strength between the base and emitter of the transistor 14 even when the power transistor 6 is turned on, thereby preventing deterioration and destruction of the transistor 14. The purpose is to prevent
問題点を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、パワート
ランジスタの一方の出力端の電圧が所定値以下に
低下した際に導通し、トランジスタ１４のベース
電圧を低下させるためのトランジスタを付加する
ことを特徴とするものである。Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, the present invention provides a method for reducing the base voltage of the transistor 14 by making it conductive when the voltage at one output terminal of the power transistor drops below a predetermined value. This is characterized by the addition of a transistor.
作 用
本発明によれば、パワートランジスタがON
し、パワートランジスタのコレクタ電圧がほぼア
ース電位となつても、付加したトランジスタが導
通する結果、トランジスタ１４のベース電圧が低
下し、トランジスタ１４のベースエミツタ間に、
その逆耐力以上の逆方向電圧が印加されず、トラ
ンジスタ１４の劣化、破壊が防止される。Effect According to the present invention, the power transistor is turned on.
However, even if the collector voltage of the power transistor is approximately at ground potential, the added transistor becomes conductive, and as a result, the base voltage of the transistor 14 decreases, and a voltage is generated between the base and emitter of the transistor 14.
A reverse voltage exceeding the reverse breakdown strength is not applied, and deterioration and destruction of the transistor 14 are prevented.
実施例
第１図は本発明の一実施例を示している。な
お、第１図において、第３図に示す従来例と同一
個所には同一番号を付している。Embodiment FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the same parts as in the conventional example shown in FIG. 3 are given the same numbers.
第１図において、１８，１９はパワートランジ
スタ６のコレクタとアースとの間に直列に接続さ
れた抵抗、２０はベースが抵抗１８と１９の接続
点に接続されたトランジスタである。このトラン
ジスタ２０のエミツタはトランジスタ１４のベー
スに接続され、またトランジスタ２０のコレクタ
は抵抗２１を介してアースに接続されている。 In FIG. 1, 18 and 19 are resistors connected in series between the collector of the power transistor 6 and the ground, and 20 is a transistor whose base is connected to the connection point between the resistors 18 and 19. The emitter of this transistor 20 is connected to the base of the transistor 14, and the collector of the transistor 20 is connected to ground via a resistor 21.
次に上記実施例の動作について第２図とともに
説明する。 Next, the operation of the above embodiment will be explained with reference to FIG.
電流指令回路８より出力されるパワートランジ
スタ駆動信号１０が“Ｈ”となると、パワートラ
ンジスタ６は導通し、電磁弁２に電流が流れる。
パワートランジスタ６が導通すると、そのコレク
タ電圧はほぼアース電圧となり、トランジスタ２
０のベース電圧が低下し、トランジスタ２０は導
通する。トランジスタ２０が導通すると、トラン
ジスタ１４のベース電圧は電源電圧VBから、抵
抗１５の抵抗値（R15）と抵抗２１の抵抗値
（R21）で決まる電圧
（R21／R15＋R21×VB）
に低下する。すなわち、パワートランジスタ６が
導通した際、トランジスタ１４のベース電圧は
（R21／R15＋R21×VB）
になり、トランジスタ１４のコレクタ電圧はほぼ
アース電圧となり、トランジスタ１４のベースエ
ミツタ間に印加される逆方向電圧はほぼ
（R21／R15＋R21×VB）
となる。したがつて、抵抗１５，２１の抵抗値
（R15）（R21）を選択することにより、トランジ
スタ１４のベースエミツタ間に印加される逆方向
電圧を、トランジスタ１４のベースエミツタ逆耐
力以下にすることができる。 When the power transistor drive signal 10 output from the current command circuit 8 becomes "H", the power transistor 6 becomes conductive and current flows through the solenoid valve 2.
When power transistor 6 becomes conductive, its collector voltage becomes approximately ground voltage, and transistor 2
0's base voltage drops and transistor 20 becomes conductive. When the transistor 20 becomes conductive, the base voltage of the transistor 14 changes from the power supply voltage V B to a voltage determined by the resistance value (R 15 ) of the resistor 15 and the resistance value (R 21 ) of the resistor 21 (R 21 /R 15 +R 21 ×V B ). That is, when the power transistor 6 is conductive, the base voltage of the transistor 14 becomes (R 21 /R 15 +R 21 ×V B ), the collector voltage of the transistor 14 becomes almost the ground voltage, and the voltage is applied between the base and emitter of the transistor 14. The reverse voltage is approximately (R 21 /R 15 +R 21 ×V B ). Therefore, by selecting the resistance values (R 15 ) (R 21 ) of the resistors 15 and 21, the reverse voltage applied between the base and emitter of the transistor 14 can be made equal to or less than the base-emitter reverse breakdown strength of the transistor 14. can.
一方、パワートランジスタ駆動信号が“Ｌ”に
なると、パワートランジスタ６はOFFとなり、
電磁弁２への電流供給が遮断される。このため、
パワートランジスタ６のコレクタ電圧は電源電圧
VBになり、トランジスタ２０はOFFとなる。 On the other hand, when the power transistor drive signal becomes "L", the power transistor 6 turns OFF,
The current supply to the solenoid valve 2 is cut off. For this reason,
The collector voltage of power transistor 6 is the power supply voltage
VB , and the transistor 20 is turned off.
なお、パワートランジスタ駆動信号１０がTon
からToffへ変化した際に電磁弁２に生じる逆起
電力によりトランジスタ１４は能動状態となり、
パワートランジスタ６のベースに電流を供給する
ため、パワートランジスタ６は能動状態となる。
このため逆起電力電流はパワートランジスタ６を
介して流れる。 Note that the power transistor drive signal 10 is
The transistor 14 becomes active due to the back electromotive force generated in the solenoid valve 2 when changing from to Toff.
In order to supply current to the base of power transistor 6, power transistor 6 becomes active.
Therefore, the back electromotive force current flows through the power transistor 6.
このように、本実施例では、パワートランジス
タが導通し、そのコレクタ電圧が低下する際に、
トランジスタ１４のベース電圧も低下し、トラン
ジスタ１４のベースエミツタ間に印加される逆方
向電圧を、ベースエミツタ間逆耐力以下にするこ
とができ、トランジスタ１４の劣化、破壊を防止
することができる。 In this way, in this embodiment, when the power transistor becomes conductive and its collector voltage decreases,
The base voltage of the transistor 14 is also reduced, and the reverse voltage applied between the base and emitter of the transistor 14 can be made equal to or less than the base-emitter reverse breakdown strength, and deterioration and destruction of the transistor 14 can be prevented.
発明の効果
本発明は上記のような構成であり、電磁弁に生
じる逆起電力による電流をパワートランジスタを
介して流すためのトランジスタのベースエミツタ
間に印加される逆方向電圧を、その逆耐力以下に
することができるため、トランジスタの劣化、破
壊を防止できる効果を有する。Effects of the Invention The present invention has the above-mentioned configuration, and reduces the reverse voltage applied between the base and emitter of the transistor for flowing current due to the back electromotive force generated in the solenoid valve through the power transistor to below its reverse breakdown strength. This has the effect of preventing deterioration and destruction of the transistor.
第１図は本発明の一実施例における電磁弁駆動
装置の電気回路図、第２図は同装置の各部の波形
図、第３図は従来の電磁弁駆動装置の電気回路
図、第４図は同装置の各部の波形図である。
１……電流制御電磁弁駆動回路、２……電流制
御電磁弁、３……直流電源、５……電流検出用の
抵抗、６……パワートランジスタ、７……差動増
幅器、８……電流指令回路、１４……トランジス
タ、１５……抵抗、１８，１９……抵抗、２０…
…トランジスタ、２１……抵抗。
Fig. 1 is an electric circuit diagram of a solenoid valve drive device according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a waveform diagram of each part of the same device, Fig. 3 is an electric circuit diagram of a conventional solenoid valve drive device, and Fig. 4 is a waveform diagram of each part of the device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Current control solenoid valve drive circuit, 2...Current control solenoid valve, 3...DC power supply, 5...Resistance for current detection, 6...Power transistor, 7...Differential amplifier, 8...Current Command circuit, 14...Transistor, 15...Resistor, 18, 19...Resistor, 20...
...Transistor, 21...Resistor.
Claims (1)
ジスタと、第１のトランジスタの一方の出力端と
アースとの間に接続され上記電磁弁に流れる電流
を検出する電流検出用の抵抗と、この抵抗の端子
間電圧に応じて上記第１のトランジスタのベース
に印加するオン、オフ信号のデユーテイ比を制御
する手段と、上記電磁弁に生じる逆起電力により
能動状態になり、上記第１のトランジスタのベー
スに電流を供給する第２のトランジスタと、第１
のトランジスタの他方の出力端の電圧が所定値以
下になつた際に上記第２のトランジスタのベース
電圧を所定値以下に低下させる第３のトランジス
タを具備してなる電磁弁駆動装置。1. A first transistor that controls the current flowing through the solenoid valve, a current detection resistor that is connected between one output terminal of the first transistor and ground and detects the current flowing through the solenoid valve, and this resistor. means for controlling the duty ratio of the on/off signal applied to the base of the first transistor according to the voltage across the terminals of the solenoid valve; a second transistor supplying current to the base;
An electromagnetic valve driving device comprising: a third transistor that reduces the base voltage of the second transistor to a predetermined value or less when the voltage at the other output terminal of the transistor becomes a predetermined value or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154673A JPS6213880A (en) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | Solenoid valve drive device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154673A JPS6213880A (en) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | Solenoid valve drive device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213880A JPS6213880A (en) | 1987-01-22 |
| JPH0467070B2 true JPH0467070B2 (en) | 1992-10-27 |
Family
ID=15589400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60154673A Granted JPS6213880A (en) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | Solenoid valve drive device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6213880A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0442616Y2 (en) * | 1986-02-28 | 1992-10-08 |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP60154673A patent/JPS6213880A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6213880A (en) | 1987-01-22 |
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