JPH0468601B2 - - Google Patents
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- JPH0468601B2 JPH0468601B2 JP25860388A JP25860388A JPH0468601B2 JP H0468601 B2 JPH0468601 B2 JP H0468601B2 JP 25860388 A JP25860388 A JP 25860388A JP 25860388 A JP25860388 A JP 25860388A JP H0468601 B2 JPH0468601 B2 JP H0468601B2
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- crystal
- wafer
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- Expired
Links
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- QWVYNEUUYROOSZ-UHFFFAOYSA-N trioxido(oxo)vanadium;yttrium(3+) Chemical compound [Y+3].[O-][V]([O-])([O-])=O QWVYNEUUYROOSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業状の利用分野）
この発明は、光通信システムに関して光デバイ
スからの反射光による雑音発生を防止するための
光アイソレータの改良に関する。
スからの反射光による雑音発生を防止するための
光アイソレータの改良に関する。
（従来の技術）
光アイソレータの偏光子、検光子材料としてル
チル（TiO2）単結晶が主に用いられている。ル
チル単結晶の製法は酸水素炎の中に原料粉末を落
下熔融させ、下方の種子結晶の上に成長させる、
いわゆるベルヌーイ法により、多く生産されてい
る。最近、原料棒と種子結晶を垂直に配置し、赤
外線集中加熱により熔融帶を形成し、これを移動
することで単結晶を育成する、フローテイングゾ
ーン法でも製造され始めたが、いずれの方法で
も、融体の重量と表面張力との関係で成長できる
結晶径が決まってしまうため、大形結晶の育成は
できなかった。
チル（TiO2）単結晶が主に用いられている。ル
チル単結晶の製法は酸水素炎の中に原料粉末を落
下熔融させ、下方の種子結晶の上に成長させる、
いわゆるベルヌーイ法により、多く生産されてい
る。最近、原料棒と種子結晶を垂直に配置し、赤
外線集中加熱により熔融帶を形成し、これを移動
することで単結晶を育成する、フローテイングゾ
ーン法でも製造され始めたが、いずれの方法で
も、融体の重量と表面張力との関係で成長できる
結晶径が決まってしまうため、大形結晶の育成は
できなかった。
したがって、アイソレータの製作には10数ミリ
メートル程度の大きさのウエハーを用いてた。
メートル程度の大きさのウエハーを用いてた。
（発明が解決しようとする問題点）
光通信などに用いられる光アイソレータでは光
の入射する方向に偏光子、通過する方に検光子と
呼ばれる偏光素子を用い、その間にビスマスガー
ネツト厚膜がフアラデー回転素子として貼り合わ
さって出来ている。大きさは通常１ないし数ミリ
角であるが、製造にあたっては大きなウエハーど
うし貼り合わせ、後で細かく切断するのが、都合
がよい。これは小型のデバイスを作製するときの
一般的手法であるが、アイソレータの場合貼り合
わせの際、結晶方位を厳密に設定する必要があり
これが工数のかかる作業なので、出来るだけ大き
いウエハーからの製作が望まれるわけである。
の入射する方向に偏光子、通過する方に検光子と
呼ばれる偏光素子を用い、その間にビスマスガー
ネツト厚膜がフアラデー回転素子として貼り合わ
さって出来ている。大きさは通常１ないし数ミリ
角であるが、製造にあたっては大きなウエハーど
うし貼り合わせ、後で細かく切断するのが、都合
がよい。これは小型のデバイスを作製するときの
一般的手法であるが、アイソレータの場合貼り合
わせの際、結晶方位を厳密に設定する必要があり
これが工数のかかる作業なので、出来るだけ大き
いウエハーからの製作が望まれるわけである。
ところで、現在ルチルウエハーは上述のよう
に、製法の関係でウエハーの最大径は12〜15mm止
まりなのに対し、ビスマスガーネット厚膜ウエハ
ーは35〜50mmと大口径のものができている。した
がって、ルチルウエハーの口径が小さいことが、
問題となっていた。又、光学的品質にも問題があ
り、良品率は50％程度と低かった。
に、製法の関係でウエハーの最大径は12〜15mm止
まりなのに対し、ビスマスガーネット厚膜ウエハ
ーは35〜50mmと大口径のものができている。した
がって、ルチルウエハーの口径が小さいことが、
問題となっていた。又、光学的品質にも問題があ
り、良品率は50％程度と低かった。
（問題点を解決するための手段）
この発明は上記問題点を解決するために、引き
上げ法で育成したYVO4（イツトリウムバナデイ
ト）単結晶を偏光子および検光子材料として用い
るものである。YVO4は一般的な引き上げ装置で
良質の大形単結晶が育成できる。
上げ法で育成したYVO4（イツトリウムバナデイ
ト）単結晶を偏光子および検光子材料として用い
るものである。YVO4は一般的な引き上げ装置で
良質の大形単結晶が育成できる。
（作用）
YVO4の偏光材料としての性質は明らかでなか
ったが、本発明者らは良質の大形結晶を育成し測
定した結果、常光、異常光の分離、偏光の消光
度、耐候性などが良質のルチルとほぼ同一である
事を見出だした。
ったが、本発明者らは良質の大形結晶を育成し測
定した結果、常光、異常光の分離、偏光の消光
度、耐候性などが良質のルチルとほぼ同一である
事を見出だした。
（実施例）
YVO4単結晶育成は一般的な引き上げ装置を用
いて、高周波誘導加熱方式で行つた。原料には
YVO4組成の粉末を用い、直径50mm、深さ50mm、
肉厚1.5mmのイリジウム製るつぼに500gの原料を
充填し、ｃ軸方位の種子結晶を用いて毎時２〜３
mmの速度で引き上げた。この間、融液温度を毎時
20〜25℃の割合で下げ続けた。約10時間引き上げ
た後育成結晶を融液より引き離し、るつぼ温度が
800℃になるまで毎時50〜70℃の割合で徐冷し、
以降放冷した。育成炉より回収した結晶は直径25
mm、長さ35mmであった、この結晶をスライス装置
の試料台に固定し、ｃ軸からａ軸方向に45度傾け
たところで厚さ1.3〜1.4mmのウエハーを製作し
た。
いて、高周波誘導加熱方式で行つた。原料には
YVO4組成の粉末を用い、直径50mm、深さ50mm、
肉厚1.5mmのイリジウム製るつぼに500gの原料を
充填し、ｃ軸方位の種子結晶を用いて毎時２〜３
mmの速度で引き上げた。この間、融液温度を毎時
20〜25℃の割合で下げ続けた。約10時間引き上げ
た後育成結晶を融液より引き離し、るつぼ温度が
800℃になるまで毎時50〜70℃の割合で徐冷し、
以降放冷した。育成炉より回収した結晶は直径25
mm、長さ35mmであった、この結晶をスライス装置
の試料台に固定し、ｃ軸からａ軸方向に45度傾け
たところで厚さ1.3〜1.4mmのウエハーを製作し
た。
ウエハー両面を光学研磨で1.2mmの厚さに仕上
げ、光アイソレータ用の偏光材料としての評価を
行った。測定事項は常光、異常光の分離距離、挿
入損失、消光比としたが、このいずれも良質ルチ
ルと同等であった。
げ、光アイソレータ用の偏光材料としての評価を
行った。測定事項は常光、異常光の分離距離、挿
入損失、消光比としたが、このいずれも良質ルチ
ルと同等であった。
さらに、イツトリウムバナデイトウエハーの両
面に波長1.3μmに対する無反射膜を施した後、ビ
スマスガーネツト厚膜を貼り合わせ、光アイソレ
ータを形成し、アイソレータ機能を測定したとこ
ろ、従来の良品と同等の性能を示した。
面に波長1.3μmに対する無反射膜を施した後、ビ
スマスガーネツト厚膜を貼り合わせ、光アイソレ
ータを形成し、アイソレータ機能を測定したとこ
ろ、従来の良品と同等の性能を示した。
なお、本実施例では、直径50mmのるつぼで作製
した結晶ウエハーを用いたが、より大形のるつぼ
を用いれば、大形結晶ウエハーを得ることは可能
である。
した結晶ウエハーを用いたが、より大形のるつぼ
を用いれば、大形結晶ウエハーを得ることは可能
である。
（発明の効果）
本発明では、YVO4単結晶ウエハーを用いる
が、このイツトリウムバナデイトは従来のルチル
と異なり、引き上げ育成法で得られるので良質の
ものが安価に得られる。また、大形化も容易なの
で、大形のフアラデー回転素子ウエハーと貼り合
わせてアイソレータを製造する場合には特に生産
効率を高めることが出来、価格の低減に寄与す
る。
が、このイツトリウムバナデイトは従来のルチル
と異なり、引き上げ育成法で得られるので良質の
ものが安価に得られる。また、大形化も容易なの
で、大形のフアラデー回転素子ウエハーと貼り合
わせてアイソレータを製造する場合には特に生産
効率を高めることが出来、価格の低減に寄与す
る。
Claims (1)
- １ 偏光子、フアラデー回転子および検光子より
なる光アイソレータにおいて、偏光子および検光
子にYVO4（イツトリウムバナデイト）単結晶ウ
エハーを用いることを特徴とする光アイソレー
タ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25860388A JPH02103505A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光アイソレータ |
| EP19890118833 EP0363914A3 (en) | 1988-10-13 | 1989-10-10 | Optical device with optical polarizer/analyzer formed of yttrium vanadate |
| US07/420,831 US5000546A (en) | 1988-10-13 | 1989-10-12 | Optical device with optical polarizer/analyzer formed of yttrium vanadate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25860388A JPH02103505A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光アイソレータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103505A JPH02103505A (ja) | 1990-04-16 |
| JPH0468601B2 true JPH0468601B2 (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=17322568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25860388A Granted JPH02103505A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光アイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02103505A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102096141B (zh) * | 2010-12-23 | 2015-11-11 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种α-BBO偏振棱镜 |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25860388A patent/JPH02103505A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02103505A (ja) | 1990-04-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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