JPH0473209B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0473209B2 JPH0473209B2 JP58095722A JP9572283A JPH0473209B2 JP H0473209 B2 JPH0473209 B2 JP H0473209B2 JP 58095722 A JP58095722 A JP 58095722A JP 9572283 A JP9572283 A JP 9572283A JP H0473209 B2 JPH0473209 B2 JP H0473209B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetoresistive
- magnetic
- head
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
磁気抵抗効果型ヘツドは再生用磁気ヘツドとし
て磁気デイスク、磁気テープ装置用として検討さ
れており、記録波長の短波長化や、テープ速度の
低下などの場合に磁気誘導型ヘツドより高再生出
力が得られる。磁気抵抗効果型ヘツドの性能、形
状、構造などは使用目的によつて異なり、それぞ
れ最適化が図られている。
て磁気デイスク、磁気テープ装置用として検討さ
れており、記録波長の短波長化や、テープ速度の
低下などの場合に磁気誘導型ヘツドより高再生出
力が得られる。磁気抵抗効果型ヘツドの性能、形
状、構造などは使用目的によつて異なり、それぞ
れ最適化が図られている。
従来の磁気抵抗効果型ヘツドのシールド膜には
パーマロイが使用されていたが、パーマロイはビ
ツカース硬度で100〜150と非常に軟らかいため、
磁気テープ表面との摺動によりパーマロイが塑性
流動を起こし、本来絶縁されている筈の磁気抵抗
効果膜と短絡を起こす。また、磁気テープとの摺
動によりヘツド表面が摩耗して、磁気抵抗効果膜
の幅が減少する。
パーマロイが使用されていたが、パーマロイはビ
ツカース硬度で100〜150と非常に軟らかいため、
磁気テープ表面との摺動によりパーマロイが塑性
流動を起こし、本来絶縁されている筈の磁気抵抗
効果膜と短絡を起こす。また、磁気テープとの摺
動によりヘツド表面が摩耗して、磁気抵抗効果膜
の幅が減少する。
本発明は耐摺動性に優れたヘツド摩耗の少ない
磁気抵抗効果型ヘツドを提供することを目的とす
る。
磁気抵抗効果型ヘツドを提供することを目的とす
る。
従来の磁気シールド膜の代りにビツカース硬度
で600〜800の高硬度の非晶質軟磁性膜を使用する
ことにより、上述の塑性流動による電気的摺動が
減少するとともに、摩耗量も著しく減少する。し
たがつて、ヘツド特性の長時間にわたる安定性が
保たれる。以上述べた本発明の効果を以下の実施
例にて詳しく説明する。
で600〜800の高硬度の非晶質軟磁性膜を使用する
ことにより、上述の塑性流動による電気的摺動が
減少するとともに、摩耗量も著しく減少する。し
たがつて、ヘツド特性の長時間にわたる安定性が
保たれる。以上述べた本発明の効果を以下の実施
例にて詳しく説明する。
実施例 １
第１図に本発明に於けるシールド型磁気抵抗効
果型ヘツドの断面を示す。１はガラス、Al2O3，
Al2O3・TiC，SiC−Siなどの絶縁性基板で、２
は非晶質軟磁性シールド膜、３は絶縁膜SiO2、
４は磁気バイアス用薄膜、５は絶縁膜SiO2、６
は磁気抵抗膜パーマロイ、７は通電用電極、８は
絶縁膜SiO2、９は非晶質軟磁性膜、１０は素子
保護膜のSiO2である。この構造の磁気抵抗効果
ヘツドに於て、非晶質軟磁性膜として
Fe5Co70Si15B10をスパツタ法で作製したヘツド
は、従来のパーマロイ膜を磁気シールド膜とした
ヘツドに対して、初期の磁気再生特性には優劣は
認められないが、テープとの摺動時間の増大とと
もに両者の再生特性に差が生ずる。第２図はパー
マロイをシールド膜として用いたヘツドと非晶質
膜をシールド膜としたヘツドの多数の再生特性に
おける劣化の最も著しいサンプルの再生信号の比
較を行なつたもので、パーマロイをシールド膜と
したヘツドに比較して非晶質膜をシールド膜とし
たヘツドの特性劣化の少ないことがわかり、シー
ルド膜として非晶質磁性膜を用いたことの効果は
明らかである。
果型ヘツドの断面を示す。１はガラス、Al2O3，
Al2O3・TiC，SiC−Siなどの絶縁性基板で、２
は非晶質軟磁性シールド膜、３は絶縁膜SiO2、
４は磁気バイアス用薄膜、５は絶縁膜SiO2、６
は磁気抵抗膜パーマロイ、７は通電用電極、８は
絶縁膜SiO2、９は非晶質軟磁性膜、１０は素子
保護膜のSiO2である。この構造の磁気抵抗効果
ヘツドに於て、非晶質軟磁性膜として
Fe5Co70Si15B10をスパツタ法で作製したヘツド
は、従来のパーマロイ膜を磁気シールド膜とした
ヘツドに対して、初期の磁気再生特性には優劣は
認められないが、テープとの摺動時間の増大とと
もに両者の再生特性に差が生ずる。第２図はパー
マロイをシールド膜として用いたヘツドと非晶質
膜をシールド膜としたヘツドの多数の再生特性に
おける劣化の最も著しいサンプルの再生信号の比
較を行なつたもので、パーマロイをシールド膜と
したヘツドに比較して非晶質膜をシールド膜とし
たヘツドの特性劣化の少ないことがわかり、シー
ルド膜として非晶質磁性膜を用いたことの効果は
明らかである。
実施例 ２
第１図で示した磁気シールド膜２，９に非晶質
軟磁性材料であるCO80Mo9.5Zr10.5を使用した場
合にも第２図で示したものと同様の特性が得られ
た。
軟磁性材料であるCO80Mo9.5Zr10.5を使用した場
合にも第２図で示したものと同様の特性が得られ
た。
以上の実施例から明らかなように、磁気抵抗効
果型ヘツドの磁気シールド膜に非晶質磁性膜を使
用すると、極めて特性の安定したヘツドの作製が
可能となる。この特性向上の原因は、既に述べた
ように、高硬度の非晶質磁性材料が磁気テープと
の摺動に耐えて塑性流動を起こし難いこと、高硬
度のため耐摩耗性が良いことなどに帰因している
ものとみられる。
果型ヘツドの磁気シールド膜に非晶質磁性膜を使
用すると、極めて特性の安定したヘツドの作製が
可能となる。この特性向上の原因は、既に述べた
ように、高硬度の非晶質磁性材料が磁気テープと
の摺動に耐えて塑性流動を起こし難いこと、高硬
度のため耐摩耗性が良いことなどに帰因している
ものとみられる。
第１図は本発明に関わる磁気ヘツドの構造を示
す断面断、第２図は従来のヘツドと本発明のヘツ
ドとの再生信号の特性比較を示す図である。 １…絶縁性基板、２…非晶質軟磁性シールド
膜、３…絶縁膜、６…磁気抵抗膜パーマロイ、８
…絶縁膜、９…非晶質軟磁性膜。
す断面断、第２図は従来のヘツドと本発明のヘツ
ドとの再生信号の特性比較を示す図である。 １…絶縁性基板、２…非晶質軟磁性シールド
膜、３…絶縁膜、６…磁気抵抗膜パーマロイ、８
…絶縁膜、９…非晶質軟磁性膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気抵抗効果膜の片側あるいは両側に電気的
絶縁膜を介して、磁気シールド用磁性膜を形成し
たシールド型磁気抵抗効果型ヘツドに於て、当該
磁気シールド膜にFeCoSiBまたはCoMoZrからな
る非晶質磁性材料膜を使用したことを特徴とする
磁気抵抗効果型再生ヘツド。 ２ 前記非晶質磁性材料膜は600以上のビツカー
ス硬度を有する特許請求の範囲第１項記載の磁気
抵抗効果型再生ヘツド。 ３ 前記非晶質磁性材料膜はCoを主成分とする
特許請求の範囲第１項または２項記載の磁気抵抗
効果型再生ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9572283A JPS59223923A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9572283A JPS59223923A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59223923A JPS59223923A (ja) | 1984-12-15 |
| JPH0473209B2 true JPH0473209B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=14145361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9572283A Granted JPS59223923A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59223923A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200472512Y1 (ko) * | 2014-03-10 | 2014-05-27 | 문병찬 | 초고온용 단열테이프 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239911A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-28 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165923A (en) * | 1980-05-24 | 1981-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
-
1983
- 1983-06-01 JP JP9572283A patent/JPS59223923A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200472512Y1 (ko) * | 2014-03-10 | 2014-05-27 | 문병찬 | 초고온용 단열테이프 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59223923A (ja) | 1984-12-15 |
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