JPH0476405B2 - - Google Patents
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- JPH0476405B2 JPH0476405B2 JP60010418A JP1041885A JPH0476405B2 JP H0476405 B2 JPH0476405 B2 JP H0476405B2 JP 60010418 A JP60010418 A JP 60010418A JP 1041885 A JP1041885 A JP 1041885A JP H0476405 B2 JPH0476405 B2 JP H0476405B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパターン検出方法、特に電気的絶縁性
を有する基板に配線パターンが形成されたプリン
ト配線板の配線パターンを検査する方法に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a pattern detection method, and particularly to a method for inspecting a wiring pattern of a printed wiring board in which a wiring pattern is formed on an electrically insulating substrate.
プリント配線板は、ポリイミド、エポキシ系樹
脂、セラミツク等にてなる基板にCu等にてなる
配線パターンが選択形成されているが、かかる配
線パターンはさらに微細化、高密度化されると共
に、設計上の余裕が減少される傾向にある。従つ
て、配線パターンの一部分に欠損や膨らみがあつ
たり、不要の導体残滓があると、所期の回路特性
が確保できず信頼性が低下されるため、このよう
な欠陥を予め検査する必要がある。 In printed wiring boards, wiring patterns made of Cu, etc. are selectively formed on substrates made of polyimide, epoxy resin, ceramics, etc., but as these wiring patterns become finer and denser, the design margins tend to be reduced. Therefore, if there is a defect or bulge in a part of the wiring pattern, or if there is unnecessary conductor residue, the desired circuit characteristics cannot be secured and reliability will be reduced, so it is necessary to inspect for such defects in advance. be.
そこで、今までに各種パターン検出方法が開発
されているが、それらは前記微細化、高密度化に
対する適応が不十分であり、且つ導体パターンの
表面処理にも様々な方法が用いられるようになつ
たと共に、導体パターンの表面に樹脂にてなる保
護層が被着されることもあつて、それらに改良す
る余地のあるのが実情である。 Therefore, various pattern detection methods have been developed so far, but they are not sufficiently adaptable to the miniaturization and high density, and various methods are also being used for surface treatment of conductor patterns. At the same time, a protective layer made of resin is sometimes applied to the surface of the conductive pattern, and the reality is that there is room for improvement in these areas.
従来のパターン検出方法は、一般に、被検回路
基板に照明光を照射し、その反射光で基板の面と
導体の面とを区別する方法であり、自動検出装置
の1つとして、レーザスポツトを走査させる方式
のものが使用されていた。
Conventional pattern detection methods generally involve irradiating the circuit board under test with illumination light and using the reflected light to distinguish between the surface of the board and the surface of the conductor.One type of automatic detection device is a laser spot. A scanning method was used.
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上説明した如く従来装置は、照射光の反射を
利用しているため、基板と被着導体との反射光強
度が顕著に異なるときは良いが、基板と導体との
反射光強度が同等または近似であるときはS/N
が悪く、導体パターンの判別の信頼性が低くなり
その改善が強く要望されていた。[Problems to be solved by the invention] As explained above, the conventional device utilizes reflection of irradiated light, so it is fine when the intensity of reflected light between the substrate and the adhered conductor is significantly different, but S/N when the intensity of reflected light from the conductor is the same or similar
The reliability of conductor pattern discrimination is low, and there has been a strong demand for improvement.
上記問題点は、基板の光拡散性に対し金属にて
なる導体層の光拡散が無視できることに着目し、
光拡散性を有する基板の上面に形成された導体パ
ターン等の欠陥を検査するに際し、少なくとも中
心部が暗視野(非照明)である照明スポツトを前
記基板の上面に照射し、その基板上面の照明スポ
ツト照射域の暗視野内に対する拡散光を、照明ス
ポツト照射側(基板上面側)から検知し、前記投
射域が前記基板または導体であるかを検知するこ
とを特徴とするパターン検知方法と、光拡散性を
有する基板の上に形成された導体パターン等の欠
陥を検査するに際し、少なくとも中心部が暗視野
である照明スポツトを前記基板上に照射させる照
明部と、前記照射の反射光を結像させる光学系、
前記反射光のほぼ結像面で少なくとも前記中心部
と対向する光検知素子を設けた検知部とを備えて
いることを特徴とし、さらには光拡散性を有する
基板の上に形成された導体パターン等の欠陥を検
査するに際し、少なくとも中心部が暗視野である
照明スポツトを前記基板上に照射させる照明部
と、前記照射の反射光を結像させる光学系、前記
反射光のほぼ結像面で少なくとも前記中心部と対
向する光検知素子を設けた検知部と、前記検知部
の検知信号を二値化信号にする回路と、前記検知
信号の論理二値化信号を記録するメモリと、前記
検知二値化信号を前記論理二値化信号に比較しそ
の差異を検知する欠陥識別回路とを備えてなるこ
とを特徴とするパターン検知装置により解決され
る。
The above problem was solved by focusing on the fact that the light diffusion of the conductor layer made of metal can be ignored compared to the light diffusion of the substrate.
When inspecting defects such as conductive patterns formed on the top surface of a substrate with light diffusing properties, an illumination spot whose at least the center is dark field (non-illumination) is irradiated onto the top surface of the substrate, and the top surface of the substrate is illuminated. A pattern detection method characterized by detecting diffused light in a dark field of a spot irradiation area from the illumination spot irradiation side (top side of a substrate) and detecting whether the projection area is the substrate or a conductor; When inspecting defects such as conductor patterns formed on a diffusive substrate, there is provided an illumination unit that irradiates the substrate with an illumination spot where at least the center part is a dark field, and the reflected light of the irradiation is formed into an image. optical system,
and a detection section provided with a light detection element facing at least the center section at substantially the imaging plane of the reflected light, further comprising a conductor pattern formed on a substrate having light diffusing properties. When inspecting defects such as, for example, an illumination unit that irradiates the substrate with an illumination spot whose center is a dark field, an optical system that forms an image of the reflected light of the irradiation, and an optical system that forms an image of the reflected light, and an optical system that forms an image of the reflected light at approximately the imaging plane of the reflected light. a detection section provided with a photodetection element facing at least the central portion; a circuit for converting the detection signal of the detection section into a binary signal; a memory for recording a logical binary signal of the detection signal; The problem is solved by a pattern detection device characterized by comprising a defect identification circuit that compares a binary signal with the logical binary signal and detects a difference therebetween.
上記手段において照明スポツトは、例えば第1
図イに示す如く中心部(暗部)1bが暗くその周
囲(明視部)1aが明るくなつている。
In the above means, the illumination spot is, for example, the first
As shown in Figure A, the central area (dark area) 1b is dark and the surrounding area (clear visual area) 1a is bright.
そこで、かかるスポツト1を第1図ロ,ハに示
す如く、ポリイミド等の光拡散性基板2に金属導
体パターン3が形成されたプリント板4に照射
し、スポツト1の中心部1aが導体パターン3の
上であり、明視周囲1aが導体パターン3上また
はその一部が基板2上に照射すると、第1図ニに
示す如くスポツト中心部1bの投射域が暗黒であ
る反面、スポツト周囲1a(またはスポツト周囲
1bの一部)および中心部1bが基板2上を照射
すると、第1図ホに示す如くスポツト1の明視周
囲1aの光が基板2で拡散し、スポツト中心部1
bの投射域を明るくする。 Therefore, as shown in FIG. When the clear vision periphery 1a illuminates the conductor pattern 3 or a part thereof onto the substrate 2, the projection area of the spot center 1b is dark as shown in FIG. 1D, while the spot periphery 1a ( When a part of the spot periphery 1b) and the center part 1b illuminate the substrate 2, the light in the clear vision periphery 1a of the spot 1 is diffused by the substrate 2, as shown in FIG.
Brighten the projection area of b.
従つて、照明スポツトの暗視野投射域が暗黒で
あれば該投射域は導体上であり、暗視野投射域が
明るいときは該投射域が基板上であることの判別
が可能であり、且つかかる判別に際し、基板2お
よび導体3の色調や表面状態に影響されることが
ない。 Therefore, if the dark field projection area of the illumination spot is dark, it can be determined that the projection area is on the conductor, and if the dark field projection area is bright, it can be determined that the projection area is on the substrate. The discrimination is not affected by the color tone or surface condition of the substrate 2 and the conductor 3.
以下に、図面を用いて本発明の複数の実施例を
順次説明する。
Hereinafter, a plurality of embodiments of the present invention will be sequentially described using the drawings.
第2図は本発明方法の第1の実施例に係わる装
置の主要構成を模式的に示す側面図、第3図は第
2図に示す遮光板の斜視図、第4図は第2図に示
す照明スポツトが被検基板に照射した状態を説明
するための側面図、第5図は前記実施例における
欠陥検出例を説明するための各種信号等を示す
図、第6図は前記実施例に使用されるレーザ光の
モード例、第7図は前記実施例における欠陥検出
部の回路構成例を示す。 FIG. 2 is a side view schematically showing the main structure of the apparatus according to the first embodiment of the method of the present invention, FIG. 3 is a perspective view of the light shielding plate shown in FIG. 2, and FIG. 4 is the same as that shown in FIG. FIG. 5 is a side view for explaining the state in which the illumination spot shown in FIG. An example of the mode of the laser beam used is shown in FIG. 7, which shows an example of the circuit configuration of the defect detection section in the embodiment.
第2図において、11はTEM10モードのレー
ザ光を発振するレーザ光源、12はレーザビー
ム・エクスパンダ、13は光検知器、14は遮光
板、15は回転多面鏡、16はレーザビーム・ス
プリツタ、17,18はレンズ、19,20は反
射鏡、21はTEM10モードのレーザ光、21a
はレーザ光11の明視野部、21bはレーザ光2
1の暗視野部、22はプリント配線板、23は光
拡散性を有する配線基板、24はプリント配線板
23の上面にパターン形成された金属導体層(導
体パターン)である。 In Fig. 2, 11 is a laser light source that oscillates a TEM 10 mode laser beam, 12 is a laser beam expander, 13 is a photodetector, 14 is a light shielding plate, 15 is a rotating polygon mirror, and 16 is a laser beam splitter. , 17 and 18 are lenses, 19 and 20 are reflecting mirrors, 21 is a TEM 10 mode laser beam, 21a
21b is the bright field part of the laser beam 11, and 21b is the laser beam 2.
1 is a dark field area, 22 is a printed wiring board, 23 is a wiring board having light diffusing properties, and 24 is a metal conductor layer (conductor pattern) patterned on the upper surface of the printed wiring board 23.
かかる構成装置において、レーザ光源11が発
振したレーザ光21は、エクスパンダ12により
拡げられ、反射鏡20により反射されビーム・ス
プリツタ16を透過し多面鏡15で反射し、レン
ズ17と反射鏡19によつてスポツトに集光し配
線板22に照射する。すると、該照射の反射光は
前記照射光の逆を通りビーム・スプリツタ16で
反射し、光検知器13に入射する。 In this configuration device, a laser beam 21 oscillated by a laser light source 11 is expanded by an expander 12, reflected by a reflecting mirror 20, transmitted through a beam splitter 16, reflected by a polygonal mirror 15, and reflected by a lens 17 and a reflecting mirror 19. Therefore, the light is focused on a spot and irradiated onto the wiring board 22. Then, the reflected light of the irradiation passes through the opposite direction of the irradiation light, is reflected by the beam splitter 16, and enters the photodetector 13.
しかし、光検知器13の前面には第3図に示す
如く、暗視野部21bの反射光に対応する透孔1
4aの明けられた遮光板14が配設されており、
前記スポツトの照射が第4図イに示す如く導体層
24の上面であるとき、レーザ光21の暗視野部
21bの投射域像が暗黒であり、その暗黒像が光
検知器13に入力する反面、第4図ロに示す如く
前記スポツトが基板23の上面に照射するとき
は、明視野部21aの光が基板内で拡散して暗視
野部21bの投射域をも明るくし、それが光検知
器13に入力される。 However, in the front of the photodetector 13, as shown in FIG.
A light shielding plate 14 of 4a is provided,
When the spot is irradiated on the upper surface of the conductor layer 24 as shown in FIG. , when the spot illuminates the upper surface of the substrate 23 as shown in FIG. The signal is input to the device 13.
なお、第6図においてイはTEM10モードのレ
ーザ光、ロはTEM01モードのレーザ光、ハは
TEM11モードのレーザ光であり、それぞれのモ
ードにおいて斜線を施した部分は暗視野部、斜線
を施さない部分が明視野部であり、これらは何れ
も中心部分が暗視野であるため、レーザ光21と
して使用可能である。 In Figure 6, A is the laser beam in TEM 10 mode, B is the laser beam in TEM 01 mode, and C is the laser beam in TEM 01 mode.
The laser beam is in TEM 11 mode, and in each mode, the shaded area is the dark field area, and the unshaded area is the bright field area. It can be used as 21.
第5図において、イはプリント配線板22の一
部分を拡大した断面図、ロは前記断面より得られ
た光検知器13の検知信号、ハは前記検知信号を
二値化した信号、ニは前記二値化信号を読込む読
込パルス、ホは前記二値化信号を読込んで記録し
た検知パターン、ヘは前記検知パターンの正否を
鑑定するための基準パターンであり、その検定回
路は、例えば第7図に示す如く構成されている。 In FIG. 5, A is an enlarged cross-sectional view of a part of the printed wiring board 22, B is a detection signal of the photodetector 13 obtained from the cross section, C is a binary signal of the detection signal, and D is the above-mentioned signal. A reading pulse for reading the binarized signal, E is a detection pattern recorded by reading the binarized signal, and F is a reference pattern for determining whether the detection pattern is correct or not. It is configured as shown in the figure.
第7図において、31は光検知器13の検出信
号を二値化する回路、32は前記二値化の基準レ
ベル、33はパルスカウンタ、34はパルスジエ
ネレータ、35は読込みパターン36と基準パタ
ーン37とを記録するメモリである。 In FIG. 7, 31 is a circuit that binarizes the detection signal of the photodetector 13, 32 is a reference level for the binarization, 33 is a pulse counter, 34 is a pulse generator, and 35 is a reading pattern 36 and a reference pattern. This is a memory for recording 37.
第5図および第7図を用いて導体層24の欠陥
検出例を以下に説明する。 An example of detecting defects in the conductor layer 24 will be described below with reference to FIGS. 5 and 7.
第5図に示すプリント配線板22はイに図示す
る如く、基板23の上面には3個所に導体層24
a,24b,24cが形成してあり、導体層24
aと24cが所望幅であるのに対し、導体層24
bはその一部(欠陥部)24dが脱落している。 As shown in FIG. 5, the printed wiring board 22 shown in FIG.
a, 24b, 24c are formed, and the conductor layer 24
conductor layer 24 while a and 24c have the desired width.
In b, a part (defective part) 24d has fallen off.
そこで、導体層24a,24b,24cを横切
るようにレーザ光21のスポツトを走査させたと
き、光検知器13の検知信号は第5図ロに示す如
く、導体層24a,24b,24cに対応し
“0”レベルに近く、基板23の露呈部分で大き
い信号特性がえられる。ただし、該信号は導体層
24a,24b,24cが正常である信号に比
べ、欠陥部24dに対応する部分(図示の斜線部
分)が脱落した特性になる。 Therefore, when the spot of the laser beam 21 is scanned across the conductor layers 24a, 24b, and 24c, the detection signal of the photodetector 13 corresponds to the conductor layers 24a, 24b, and 24c, as shown in FIG. It is close to the "0" level, and a large signal characteristic can be obtained at the exposed portion of the substrate 23. However, compared to a signal in which the conductor layers 24a, 24b, and 24c are normal, this signal has a characteristic in which a portion corresponding to the defective portion 24d (the shaded portion in the figure) has fallen off.
次いで、基準レベル32が発生する適当なスラ
イスレベルを二値化回路31に入力し、前記検知
信号を二値化すると第5図ハに示す如く、欠陥部
24dに対応する部分(図示の斜線部分)の脱落
した二値化信号が得られ、該二値化信号を第5図
ニの読込パルスで読込み、第5図ホに示す前記読
込パルスの検知パターン36、即ち導体層24
a,24b,24cに対応する部分が“1”で基
板23との直接対応部分が“0”であるパターン
36をメモリ35に記録し、メモリ35内に予め
記録した基準パターン37、即ち第5図ヘに示す
如く導体層24a,24b,24cに対応する部
分が“1”で基板23の直接対応部分が“0”で
ある基準パターン37と比較し、欠陥部24dの
有ることが判明する。 Next, an appropriate slice level at which the reference level 32 is generated is input to the binarization circuit 31 and the detection signal is binarized. As shown in FIG. ) is obtained, and the binarized signal is read with the reading pulse shown in FIG. 5D, and the detection pattern 36 of the reading pulse shown in FIG.
A pattern 36 in which the portions corresponding to a, 24b, and 24c are “1” and the portion directly corresponding to the substrate 23 is “0” is recorded in the memory 35, and the reference pattern 37 recorded in advance in the memory 35, that is, the fifth As shown in the figure, by comparison with a reference pattern 37 in which the portions corresponding to the conductor layers 24a, 24b, and 24c are "1" and the directly corresponding portions of the substrate 23 are "0", it is found that there is a defective portion 24d.
第8図〜第11図は本発明方法に適用できる照
明スポツトを作成する他の構成例を示す図であ
る。 FIGS. 8 to 11 are diagrams showing other configuration examples for creating illumination spots applicable to the method of the present invention.
第8図において、41は図示しない光源からの
全明視レーザビーム、42は上半分42aがレー
ザビーム41をその侭透過し下半分42bがレー
ザビーム41の位相をその半波長だけずらす構成
の位相板であり、イに示す如く位相板42にレー
ザビーム41を照射すると、位相板42を透過し
た光はロに断面で示す如く、TEM01モードと同
様なレーザビーム41aが得られる。 In FIG. 8, reference numeral 41 indicates an all-picture laser beam from a light source (not shown), and 42 indicates a phase structure in which an upper half 42a transmits the laser beam 41 and a lower half 42b shifts the phase of the laser beam 41 by a half wavelength. When the phase plate 42 is irradiated with a laser beam 41 as shown in A, the light transmitted through the phase plate 42 produces a laser beam 41a similar to the TEM 01 mode, as shown in cross section in B.
第9図において、43は図示しない光源からの
光ビーム、44は中心に黒点45の被着された透
光板(ガラス板)であり、イに示す如く透光板4
4に光ビーム43を照射すると、透光板44を通
過した光はロに断面で示す如く、中心部が暗黒で
その周囲が明るい光ビーム43aが得られる。 In FIG. 9, 43 is a light beam from a light source (not shown), 44 is a transparent plate (glass plate) with a black dot 45 adhered to its center, and as shown in A, the transparent plate 4
When the light beam 43 is irradiated onto the light beam 43, the light that has passed through the transparent plate 44 produces a light beam 43a whose center is dark and its surroundings are bright, as shown in the cross section in B.
第10図において、46は図示しない光源から
の光ビーム、47は中央に短冊型遮光層(黒線)
48を設けた遮光板であり、イに示す如く透光板
47に光ビーム46を照射すると、透光板47を
通過した光はロに断面で示す如く、中心を横断す
る暗黒部を有する光ビーム46aが得られる。 In FIG. 10, 46 is a light beam from a light source (not shown), and 47 is a rectangular light-shielding layer (black line) in the center.
When the light beam 46 is irradiated onto the light transmitting plate 47 as shown in A, the light passing through the light transmitting plate 47 becomes light with a dark part crossing the center as shown in the cross section in B. A beam 46a is obtained.
第11図において、92は図示しないホルダに
2列に支持された複数個のLED、93は各LED
92の照明光96を所定の同一平面に2列に集光
させるフライアイレンズ(またはLED92の2
列に対向するシリンドリカルレンズ)であり、前
記平面と平行平面には、図中に一点鎖線で示す如
く前記集光列による一対の明視野部94に挟まれ
て、ほぼ線状の暗黒部95が作られる。 In FIG. 11, 92 is a plurality of LEDs supported in two rows by a holder (not shown), and 93 is each LED.
A fly-eye lens (or a fly-eye lens for condensing the illumination lights 96 of the LEDs 92 in two rows on the same predetermined plane)
A cylindrical lens facing the column), and on a plane parallel to the above-mentioned plane, there is a substantially linear dark area 95 sandwiched between a pair of bright field areas 94 formed by the light-condensing column, as shown by a dashed line in the figure. Made.
第12図、第13図は光検知素子配設例であ
り、第2図に示す装置にあつて検知器13は、透
孔14aに対向し1個の光検出素子を具えればよ
いが、透光板14を無くし複数個の光検出素子を
配設する方法もある。 12 and 13 show examples of the arrangement of photodetecting elements. In the apparatus shown in FIG. 2, the detector 13 may include one photodetecting element facing the through hole 14a; There is also a method of eliminating the light plate 14 and arranging a plurality of photodetecting elements.
第12図において、イは側面図でロは正面図、
97は図示しない配線板に照射した照明スポツト
の反射光、98a,98bは光検知素子であり、
1個の光検知素子98bが反射光97の中心暗部
97bに対向し、2個の光検知素子98aが反射
光97の明部97aに対向している。 In Figure 12, A is a side view, B is a front view,
Reference numeral 97 indicates reflected light from an illumination spot irradiated onto a wiring board (not shown); 98a and 98b indicate light detection elements;
One photodetector element 98b faces the central dark part 97b of the reflected light 97, and two photodetectors 98a face the bright part 97a of the reflected light 97.
従つて素子98bの出力は、常時、素子98a
の出力を基準として検知できるため、光検知素子
が1個の検知器よりも正確でなる。 Therefore, the output of element 98b is always the same as that of element 98a.
Since the output of the photodetector can be used as a reference for detection, the photodetection element is more accurate than a single detector.
第13図において、99は複数個の光検知素子
99aをマトリツクス状に配設した光検知素子構
成であり、反射光97の明部97aおよび暗部9
7bに対しそれぞれ複数個の素子99aが対向し
ている。 In FIG. 13, reference numeral 99 denotes a photodetecting element configuration in which a plurality of photodetecting elements 99a are arranged in a matrix, and a bright part 97a and a dark part 99 of reflected light 97 are arranged.
A plurality of elements 99a are opposed to each element 7b.
従つて構成99では、反射光明部97aおよび
暗部97bの積算出力や平均出力および出力分布
が検知可能であり、装置の高機能化に寄与する利
点を有する。 Therefore, in configuration 99, the integrated output, average output, and output distribution of the reflected light bright portion 97a and dark portion 97b can be detected, and has the advantage of contributing to higher functionality of the device.
第14図は本発明方法の第2の実施例に係わる
装置の主要構成を模式的に示す斜視図、第15図
は前記装置の照明スポツトがプリント配線板に照
射した部分の拡大斜視図である。 FIG. 14 is a perspective view schematically showing the main structure of a device according to a second embodiment of the method of the present invention, and FIG. 15 is an enlarged perspective view of a portion of the printed wiring board irradiated by an illumination spot of the device. .
第10図に示すような照明スポツトを利用した
パターン検知装置の主要構成例を模式的に示す第
14図において、51は白色光源ランプ、52は
黒線53が書かれた透光板(ガラス板)、54は
投影レンズ、55は撮像レンズ、56は複数個の
光検知素子57を直線状に配設した光検知器、5
8は光拡散性基板59の上面に複数本の金属導体
層(導体パターン)60をパターン形成したプリ
ント配線板である。 In FIG. 14, which schematically shows an example of the main configuration of a pattern detection device using an illumination spot as shown in FIG. ), 54 is a projection lens, 55 is an imaging lens, 56 is a photodetector having a plurality of photodetecting elements 57 arranged in a straight line, 5
8 is a printed wiring board in which a plurality of metal conductor layers (conductor patterns) 60 are patterned on the upper surface of a light-diffusing substrate 59.
かかる構成装置において、光源51の照射光6
1は透光板52に書かれた黒線53の投影像を配
線板58の上面に形成させる。このとき黒線53
の像は、導体層60の上面で黒線53の像が暗黒
であるのに反し、基板59の上面に投影された部
分では、第15図に示す如く黒線53の明視野部
からの光が基板59内に拡散するため、黒線53
の像が不鮮明となる。そこで、撮像レンズ55を
通してかかる結像光62を光検知器56で検知
し、該検知信号を第2図の実施例と同様に処理
し、導体層60の欠陥を検知することができる。 In such a configuration device, the irradiation light 6 of the light source 51
1 forms a projected image of the black line 53 written on the transparent plate 52 on the upper surface of the wiring board 58. At this time, black line 53
Although the image of the black line 53 is dark on the upper surface of the conductor layer 60, in the portion projected onto the upper surface of the substrate 59, light from the bright field portion of the black line 53 is reflected as shown in FIG. diffuses into the substrate 59, the black line 53
The image becomes unclear. Therefore, the imaging light 62 passing through the imaging lens 55 is detected by the photodetector 56, and the detection signal is processed in the same manner as in the embodiment shown in FIG. 2, thereby making it possible to detect defects in the conductor layer 60.
なお、第14図の実施例においては、黒線53
が書かれた透光板52を使用しているが、前述し
たTEM10モードのレーザ光、TEM01モードのレ
ーザ光、位相板42を利用したレーザ光の使用が
可能であり、さらに本発明方法の第3の実施例と
して第16図に示す如くホログラムレンズを利用
した装置構成や、本発明方法の第4の実施例とし
て第17図に示す如くシリンドリカルレンズを利
用した装置構成がある。 In the embodiment shown in FIG. 14, the black line 53
is used, but it is also possible to use the aforementioned TEM 10 mode laser beam, TEM 01 mode laser beam, or laser beam using the phase plate 42, and the method of the present invention can also be used. As a third embodiment of the present invention, there is an apparatus configuration using a hologram lens as shown in FIG. 16, and as a fourth embodiment of the method of the present invention there is an apparatus configuration using a cylindrical lens as shown in FIG.
第14図と同等部分に同一符号を使用した第1
6図において、65はレーザ光源、66はレーザ
ビーム・エクスパンダ、67はレーザビーム・ス
プリツタ、68は反射鏡、69,70はホログラ
ムレンズ、71は撮像レンズであり、72は複数
個のレーザ光検知素子73を直線状に配設した光
検知器である。 The first figure uses the same symbols for the same parts as in Figure 14.
In Figure 6, 65 is a laser light source, 66 is a laser beam expander, 67 is a laser beam splitter, 68 is a reflecting mirror, 69 and 70 are hologram lenses, 71 is an imaging lens, and 72 is a plurality of laser beams. This is a photodetector in which detection elements 73 are arranged in a straight line.
かかる装置において、レーザ光源65の発振レ
ーザ光74は、エクスパンダ66により拡張さ
れ、スプリツタ67を透過したレーザ光74a
は、ホログラムレンズ69にて線状となり配線板
58に照射し、スプリツタ67および反射鏡68
で反射されたレーザ光74bは、ホログラムレン
ズ70にて線状となり配線板58に照射される。 In such a device, an oscillated laser beam 74 from a laser light source 65 is expanded by an expander 66 and transmitted through a splitter 67 into a laser beam 74a.
is formed into a linear shape by the hologram lens 69 and illuminates the wiring board 58, and the splitter 67 and the reflecting mirror 68
The laser beam 74b reflected by the hologram lens 70 becomes linear and is irradiated onto the wiring board 58.
ただし、レーザ光74a,74bの前記照射
は、配線板58上で、黒線53の投影像に相当す
る間隔だけ離れて平行しており、該間隔の作る暗
部に対する光拡散が撮像レンズ71を介し光検知
器72で検知される。そこで、該検知信号は第2
図の実施例と同様に処理し、配線板58に形成さ
れた導体層60の欠陥を検知することができる。 However, the laser beams 74a and 74b are irradiated in parallel on the wiring board 58 with an interval corresponding to the projected image of the black line 53, and the light diffusion into the dark area created by the interval is caused by the imaging lens 71. It is detected by a photodetector 72. Therefore, the detection signal is
Defects in the conductor layer 60 formed on the wiring board 58 can be detected by processing in the same manner as in the illustrated embodiment.
なお、第16図においてレーザ光74a,74
bは、配線板58の上方で交差するようにしてい
るが、これはレーザ光74a,74bの直線反射
光により、撮像の鮮明度が損なわれることに対す
る配慮に基づくものである。 In addition, in FIG. 16, the laser beams 74a, 74
b are arranged to intersect above the wiring board 58, but this is done in consideration of the fact that the sharpness of the image will be impaired by the linearly reflected light of the laser beams 74a and 74b.
第16図と同様部分に同一符号を使用した第1
7図において、75,76はシリンドリカルレン
ズであり、レーザ光源65より出射されたレーザ
光74は、エクスパンダ66にて拡張される。ス
プリツタ67を透過し一対の反射鏡68に反射さ
れたレーザ光74dは、シリンドリカルレンズ7
6によつて線状となり配線板58に照射する。他
方、スプリツタ67で反射され反射鏡68に反射
されたレーザ光74cは、シリンドリカルレンズ
77によつて線状となり配線板58に照射する。
レーザ光74c,74dの前記照射は、配線板5
8上で黒線53の投影像に相当する間隔だけ離れ
て平行しており、該間隔の作る暗部に対する光拡
散が撮像レンズ71を介し光検知器72で検知さ
れる。そこで、該検知信号は第2図の実施例と同
様に処理し、配線板58に形成された導体層60
の欠陥を検知することができる。 The first part uses the same reference numerals for the same parts as in Fig. 16.
In FIG. 7, 75 and 76 are cylindrical lenses, and a laser beam 74 emitted from a laser light source 65 is expanded by an expander 66. The laser beam 74d transmitted through the splitter 67 and reflected by the pair of reflecting mirrors 68 is transmitted through the cylindrical lens 74.
6, the light becomes linear and is irradiated onto the wiring board 58. On the other hand, the laser beam 74c reflected by the splitter 67 and reflected by the reflecting mirror 68 is converted into a linear shape by the cylindrical lens 77 and irradiated onto the wiring board 58.
The irradiation of the laser beams 74c and 74d is applied to the wiring board 5.
8 are parallel to each other at a distance corresponding to the projected image of the black line 53, and the light diffusion in the dark area created by the distance is detected by the photodetector 72 via the imaging lens 71. Therefore, the detection signal is processed in the same manner as in the embodiment shown in FIG.
defects can be detected.
第18図は第2図、第14図、第16図、第1
7図に示す装置の自動検査システムの構成例を示
すシステム図である。 Figure 18 is Figure 2, Figure 14, Figure 16, Figure 1.
8 is a system diagram showing a configuration example of an automatic inspection system for the device shown in FIG. 7. FIG.
前出図と共通部分に同一符号を使用した第18
図において、78は検査論理回路、79は欠陥判
定回路、80は欠陥情報出力、81は配線板22
または58を搭載しX−Y移動可能なステージ、
82はステージ81を動作させるドライバ、83
はコントローラである。 The 18th figure uses the same reference numerals for parts common to the previous figure.
In the figure, 78 is an inspection logic circuit, 79 is a defect determination circuit, 80 is a defect information output, and 81 is a wiring board 22.
Or a stage equipped with 58 and capable of X-Y movement,
82 is a driver for operating the stage 81; 83;
is the controller.
かかる自動検査システムにおいて、図中の矢印
は情報信号および制御信号の伝達方向であり、コ
ントローラ83は欠陥判定回路79からの情報に
基づき検知パターン36、基準パターン37、検
査論理回路78、欠陥判定回路79、欠陥情報出
力80、ステージドライバ82の動作を制御し、
ステージ81の移動により、配線板58,22の
全面に渡り照射光が走査し、欠陥の有無とその位
置および大きさを検知することになる。 In such an automatic inspection system, the arrows in the figure indicate the transmission directions of information signals and control signals, and the controller 83 controls the detection pattern 36, the reference pattern 37, the inspection logic circuit 78, and the defect determination circuit based on information from the defect determination circuit 79. 79, controlling the operation of defect information output 80 and stage driver 82;
By moving the stage 81, the irradiation light scans over the entire surface of the wiring boards 58 and 22, and the presence or absence of a defect, its position, and size are detected.
第19図は本発明方法の第5の実施例として波
長帯域がことなる2光源を使用し前記欠陥の検知
と共に検知部分の表面情報をも検知する装置の主
要構成を模式的に示す斜視図、第20図は第19
図に示すフイルタの特性図、第21図は第19図
の装置における欠陥検出例を説明するための各種
信号等を示す図、第22図は第19図に示す装置
の自動検査システムの構成例を示すシステム図で
ある。 FIG. 19 is a perspective view schematically showing the main configuration of a device that uses two light sources with different wavelength bands as a fifth embodiment of the method of the present invention to detect the defect and also detect surface information of the detected portion; Figure 20 is 19th
21 is a diagram showing various signals to explain an example of defect detection in the device shown in FIG. 19, and FIG. 22 is a configuration example of an automatic inspection system for the device shown in FIG. 19. FIG.
前出図と共通部分に同一符号を使用した第19
図において、85,86,87は光学フイルタで
あり、フイルタ85〜87は例えば第20図に示
す如く、フイルタ85,86の透過率特性とフイ
ルタ87の透過率特性とが重ならないものを使用
する。そして、フイルタ86、レンズ54、第1
のスプリツタ67を透過し、ほぼ真上から配線板
58に投射された透光板52の黒線像に、シリン
ドリカルレンズ73で線状になつたレーザ光が斜
め上方から重なるように照射する。 No. 19 using the same reference numerals for parts common to the previous figure
In the figure, 85, 86, and 87 are optical filters, and the filters 85 to 87 are filters in which the transmittance characteristics of the filters 85 and 86 and the transmittance characteristics of the filter 87 do not overlap, as shown in FIG. 20, for example. . Then, the filter 86, the lens 54, the first
Laser light made into a linear shape by a cylindrical lens 73 is irradiated diagonally from above to the black line image of the transparent plate 52 that passes through the splitter 67 and is projected onto the wiring board 58 from almost directly above so as to overlap.
すると、前記照射光の反射像は第1のスプリツ
タ67で反射し、反射鏡68、レンズ71を通
り、第2のスプリツタ67で反射されたフイルタ
87を透過したその白色光成分は、光検知器56
に入力し、第2のスプリツタ67を透過しフイル
タ86と同じ特性であるフイルタ85を透過した
前記反射像のレーザ光線分は光検知器72に入力
する。 Then, the reflected image of the irradiated light is reflected by the first splitter 67, passes through the reflecting mirror 68 and lens 71, and is reflected by the second splitter 67.The white light component transmitted through the filter 87 is transmitted to the photodetector. 56
The laser beam component of the reflected image that has passed through the second splitter 67 and passed through the filter 85 having the same characteristics as the filter 86 is input to the photodetector 72 .
かかる構成の装置において、黒線像は導体層6
0に投射した部分で鮮明であり基板59に投射し
た部分が拡散光により明るくなり、その状況が光
検知器56に検知されると共に、斜め照射した線
状レーザ光は導体層60に投射した部分で鮮明で
あり基板59に投射した部分が拡散光により明る
くなると共に、照射表面の凹凸が陰影となつて光
検知器72に検知される。 In the device having such a configuration, the black line image is formed by the conductor layer 6.
The part projected onto the substrate 59 becomes brighter due to the diffused light, and this situation is detected by the photodetector 56, and the obliquely irradiated linear laser light becomes clear in the part projected onto the conductor layer 60. The area projected onto the substrate 59 becomes brighter due to the diffused light, and the unevenness of the irradiated surface becomes a shadow that is detected by the photodetector 72.
第21図において、イは導体層60を形成し金
属等の複数個のゴミ88が基板59に付着したプ
リント配線板58の一部分を拡大した断面図、ロ
は前記断面より得られた光検知器56の検知信
号、ハは前記断面より得られた光検知器72の検
知信号、ニは光検知器56の前記検知信号を二値
化した信号、ホは光検知器72の前記検知信号を
二値化した信号、ヘはニの二値化信号をストロー
ブ信号としホの二値化信号をストローブしたこと
によりノイズのない表面情報信号である論理積で
あり、その自動検査システム構成例を第22図に
示す。 In FIG. 21, A is an enlarged cross-sectional view of a part of the printed wiring board 58 on which the conductive layer 60 is formed and a plurality of metal particles 88 have adhered to the board 59, and B is a photodetector obtained from the cross section. C is the detection signal of the photodetector 72 obtained from the cross section, D is the binary signal of the detection signal of the photodetector 56, E is the detection signal of the photodetector 72 The digitized signal, F, is a logical product that is a noise-free surface information signal by using the binary signal (D) as a strobe signal and the binary signal (E) as a strobe signal. As shown in the figure.
第18図と同等部分に同一符号を使用した第2
2図において、89は二値化回路、90はAND
回路、91は表面情報パターンである。 The second figure uses the same symbols for the same parts as in Figure 18.
In Figure 2, 89 is a binarization circuit, and 90 is an AND
The circuit 91 is a surface information pattern.
かかる自動検査システムにおいて、図中の矢印
は信号情報および制御信号の伝達方向であり、コ
ントローラ83は欠陥判定回路79からの情報に
基づき検査論理回路78、欠陥判定回路79、欠
陥情報出力80、ステージドライバ82の動作を
制御し、ステージ81の移動により、配線板2
2,58の全面に渡り照射光が走査し、欠陥の有
無とその位置、大きさおよびゴミの有無を含む表
面状態を、第21図ニ,ホ,ヘの二値化信号およ
び論理積信号から検知することになる。 In such an automatic inspection system, the arrows in the figure indicate the transmission direction of signal information and control signals, and the controller 83 controls the inspection logic circuit 78, the defect judgment circuit 79, the defect information output 80, and the stage based on information from the defect judgment circuit 79. By controlling the operation of the driver 82 and moving the stage 81, the wiring board 2
The irradiated light is scanned over the entire surface of 2, 58, and the surface condition including the presence or absence of defects, their position, size, and presence of dust is determined from the binarized signals and AND signals shown in Figure 21 D, E, and F. It will be detected.
第23図は本発明方法の第6の実施例に係わる
装置の主要構成を模式的に示す側面図である。 FIG. 23 is a side view schematically showing the main structure of an apparatus according to a sixth embodiment of the method of the present invention.
第2図および第14図と共通部分に同一符号を
使用した第23図において、光源ランプ51の照
射光61は、遮光板52および投影レンズ54を
使用し遮光板52の黒線53の投影像を配線板5
8の上面に形成させる。すると、該投影像は導体
層60の上面で暗黒であるのに反し、基板59の
上面に投影された部分では、明るくなり像が不鮮
明になる。 In FIG. 23, in which the same reference numerals are used for parts common to FIGS. The wiring board 5
8 on the top surface. Then, while the projected image is dark on the top surface of the conductor layer 60, the portion projected onto the top surface of the substrate 59 becomes bright and the image becomes unclear.
そこで、投影レンズ17と回転多面鏡15と中
心部に透孔14aの明いた遮光板14を介して、
前記投影像を光検知器13で検知し、さらに第2
図の実施例にいつて説明した如く、該検知信号を
処理することで、導体層60の欠陥を検知するこ
とができる。 Therefore, through the projection lens 17, the rotating polygon mirror 15, and the light shielding plate 14 with a transparent hole 14a in the center,
The projected image is detected by a photodetector 13, and a second
As explained in connection with the illustrated embodiment, defects in the conductor layer 60 can be detected by processing the detection signal.
なお、上記実施例は検知パターンを標準パター
ンと比較し、パターンの欠陥を検知する方法とそ
の装置であるが、他の比較手段として複数のパタ
ーンを同時に検知しそれぞれ相互比較を行う相互
比較方式、パターンの特徴(例えば導体幅や空域
幅)を利用する特徴抽出方式、およびそれらの複
合方式を本発明に利用し、パターンの欠陥を検知
できることを付記する。 The above embodiment is a method and apparatus for detecting defects in a pattern by comparing a detection pattern with a standard pattern, but other comparison means include a mutual comparison method in which multiple patterns are simultaneously detected and mutually compared; It should be noted that feature extraction methods that utilize pattern features (for example, conductor width and airspace width) and combination methods thereof can be used in the present invention to detect defects in patterns.
以上説明した如く本発明方法およびその装置
は、基板の光拡散性に対して該基板に形成された
導体の光拡散性が無視できる程度に微弱であるこ
とを利用し、導体層の寸法欠陥、さらには基板お
よび導体層の表面形状の欠陥が正確に検知可能な
らしめた効果が顕著であり、配線板の配線の高密
度化と高信頼化に大きく寄与した。
As explained above, the method and apparatus of the present invention take advantage of the fact that the light diffusivity of the conductor formed on the substrate is negligibly weak compared to the light diffusivity of the substrate, and eliminates dimensional defects in the conductor layer. Furthermore, it has a remarkable effect in making it possible to accurately detect defects in the surface shapes of substrates and conductor layers, and has greatly contributed to higher density and higher reliability of wiring on wiring boards.
第1図は配線板に照射した照明スポツトの光拡
散を説明するための図、第2図は本発明方法の第
1の実施例に係わる装置の主要構成を模式的に示
す側面図、第3図は第2図に示す遮光板の斜視
図、第4図は第2図に示す照明スポツトが被検基
板に照射した状態を説明するための側面図、第5
図は前記実施例における欠陥検出例を説明するた
めの各種信号等を示す図、第6図は前記実施例に
使用されるレーザ光のモード例図、第7図は前記
実施例における欠陥検出部の回路構成例を示す
図、第8図〜第11図は本発明方法に適用できる
照明スポツトを作成する他の構成例を示す図、第
12図、第13図は光検知素子配設例を示す図、
第14図は本発明方法の第2の実施例に係わる装
置の主要構成を模式的に示す斜視図、第15図は
前記装置の照明スポツトがプリント配線板に照射
した部分の拡大斜視図、第16図は本発明方法の
第3の実施例としてホログラムレンズを利用した
装置の側面図、第17図は本発明方法の第4の実
施例としてシリンドリカルレンズを利用した装置
の側面図、第18図は第2図、第14図、第16
図、第17図に示す装置の自動検査システムの構
成例を示すシステム図、第19図は本発明方法の
第5の実施例として波長帯域がことなる2光源を
使用し前記欠陥の検知と共に検知部分の表面情報
をも検知する装置の主要構成を模式的に示す斜視
図、第20図は第19図に示すフイルタの特性
図、第21図は第19図の装置における欠陥検出
例を説明するための各種信号等を示す図、第22
図は第19図に示す装置の自動検査システムの構
成例を示すシステム図、第23図は本発明方法の
第6の実施例に係わる装置の主要構成を模式的に
示す側面図、である。
図中において、1,21,41,41a,4
3,43a,46,46a,61,62,74,
74a,74b,74c,74d,96は光束、
1a,21a,97aは明視部、1b,21b,
97bは暗部、2,23,59は基板、3,2
4,24a,24b,24c,60は導体層、
4,22,58は配線板、11,51,57,6
5は光源、12,66は光ビーム・エクスパン
ダ、13,56,72は光検知器、14は遮光
板、14aは透孔、16,67は光ビーム・スプ
リツタ、24dは欠陥、31,89は二値化回
路、42は位相板、47,52は透光板、48,
53は黒線、69,70はホログラムレンズ、7
9,98a,98b,99aは光検知素子、7
6,77はシリンドリカルレンズ、85,86,
87はフイルタ、92はLED、93はフライア
イレンズ、を示す。
FIG. 1 is a diagram for explaining the light diffusion of an illumination spot irradiated onto a wiring board, FIG. 2 is a side view schematically showing the main structure of the apparatus according to the first embodiment of the method of the present invention, The figures are a perspective view of the light-shielding plate shown in Fig. 2, Fig. 4 is a side view for explaining the state in which the illumination spot shown in Fig. 2 illuminates the test board, and Fig. 5 is a side view of the light shielding plate shown in Fig. 2.
The figure is a diagram showing various signals etc. for explaining an example of defect detection in the embodiment, FIG. 6 is a diagram showing an example of a laser beam mode used in the embodiment, and FIG. 7 is a defect detection section in the embodiment. Figures 8 to 11 are diagrams showing other configuration examples for creating illumination spots that can be applied to the method of the present invention, and Figures 12 and 13 are examples of arrangement of photodetecting elements. figure,
FIG. 14 is a perspective view schematically showing the main structure of an apparatus according to a second embodiment of the method of the present invention, FIG. FIG. 16 is a side view of an apparatus using a hologram lens as a third embodiment of the method of the present invention, FIG. 17 is a side view of an apparatus using a cylindrical lens as a fourth embodiment of the method of the present invention, and FIG. 18 Figure 2, Figure 14, Figure 16
17 is a system diagram showing an example of the configuration of an automatic inspection system for the device shown in FIG. A perspective view schematically showing the main configuration of a device that also detects surface information of a part, FIG. 20 is a characteristic diagram of the filter shown in FIG. 19, and FIG. 21 explains an example of defect detection in the device shown in FIG. 19. Diagram showing various signals etc. for
The figure is a system diagram showing an example of the configuration of an automatic inspection system for the device shown in FIG. 19, and FIG. 23 is a side view schematically showing the main configuration of the device according to the sixth embodiment of the method of the present invention. In the figure, 1, 21, 41, 41a, 4
3, 43a, 46, 46a, 61, 62, 74,
74a, 74b, 74c, 74d, 96 are luminous fluxes,
1a, 21a, 97a are clear vision parts, 1b, 21b,
97b is the dark part, 2, 23, 59 is the substrate, 3, 2
4, 24a, 24b, 24c, 60 are conductor layers;
4, 22, 58 are wiring boards, 11, 51, 57, 6
5 is a light source, 12, 66 is a light beam expander, 13, 56, 72 is a photodetector, 14 is a light shielding plate, 14a is a through hole, 16, 67 is a light beam splitter, 24d is a defect, 31, 89 is a binarization circuit, 42 is a phase plate, 47, 52 is a transparent plate, 48,
53 is a black line, 69 and 70 are hologram lenses, 7
9, 98a, 98b, 99a are photodetecting elements; 7
6, 77 are cylindrical lenses, 85, 86,
87 is a filter, 92 is an LED, and 93 is a fly's eye lens.
Claims (1)
体パターン等の欠陥を検査するに際し、少なくと
も中心部が暗視野である照明スポツトを前記基板
の上面に照射し、前記基板上面の照明スポツト照
射域でその中心部の暗視野投射域に対する拡散光
を、前記中心部の暗視野投射域に対応する透孔を
設けた遮光板および前記遮光板の透孔を通過した
光を検出する光検出器により検知し、前記拡散光
が検出されたか否かによつて、前記暗視野投射域
が前記基板であるかまたは導体であるかを検知す
ることを特徴とするパターン検知方法。 2 前記照明スポツトの暗視野がそのスポツトの
中心部に黒点状であることを特徴とする前記特許
請求の範囲第1項に記載のパターン検知方法。 3 前記照明スポツトの暗視野がそのスポツトの
中心部を通つて一方向に長さを有する線状である
ことを特徴とする前記特許請求の範囲第1項に記
載のパターン検知方法。 4 光拡散性を有する基板の上面に形成された導
体パターン等の欠陥を検査するに際し、少なくと
も中心部が暗視野である照明スポツトを前記基板
の上面に照射させる照明部と、前記照射の反射光
を結像させる光学系、前記反射光のほぼ結像面で
少なくとも前記照明スポツト中心部の暗視野投射
域の像を検出する光検知素子を設けた検知部とを
備えてなることを特徴とするパターン検知装置。 5 前記検知部の検知信号を多値化信号にする回
路と、前記検知信号の論理多値化信号を記録する
メモリと、前記検知多値化信号を前記論理多値化
信号に比較しその差異を検知する欠陥識別回路と
を備えていることを特徴とする前記特許請求の範
囲第4項記載のパターン検知装置。 6 前記光検知素子が前記照明スポツトの中心部
暗視野投射域に対応する透孔の明いた遮光板を介
して前記反射光に対向配設してなることを特徴と
する前記特許請求の範囲第4項または第5項に記
載のパターン検知装置。 7 少なくとも2個の前記光検知素子が前記反射
光の明視部と暗視野部とに対向配設してなること
を特徴とする前記特許請求の範囲第4項または第
5項に記載のパターン検知装置。 8 複数個の前記光検知素子が前記反射光に対向
しマトリツクス状に配設してなることを特徴とす
る前記特許請求の範囲第4項または第5項に記載
のパターン検知装置。 9 前記照射光スポツトが、少なくとも中心部が
暗視野モードのレーザ光であることを特徴とする
前記特許請求の範囲第4項または5項に記載のパ
ターン検知装置。 10 前記照射光がレーザ光であり、その光路の
中間部に照射レーザ光束の半分の領域の位相を半
波長変える位相板を挿入し前記照射スポツトが作
られてなることを特徴とする前記特許請求の範囲
第4項または第5項に記載のパターン検知装置。 11 前記照射スポツトの暗視野が中心部を通つ
て一方向に長さを有する線状であり、その線状暗
視野が黒線の被着された透光板を照射光が透過し
作られてなることを特徴とする前記特許請求の範
囲第4項または第5項に記載のパターン検知装
置。 12 前記照射スポツトの暗視野が中心部を通つ
て一方向に長さを有する線状であり、その線状暗
視野が平行しほぼ線状である2つの照明光の間隔
でなることを特徴とする前記特許請求の範囲第4
項または第5項に記載のパターン検知装置。 13 前記照射スポツトの暗視野が中心部の点状
であり、その点状暗視野が黒点の被着された透光
板を照射光が透過し作られてなることを特徴とす
る前記特許請求の範囲第4項または第5項に記載
のパターン検知装置。 14 前記線状暗視野に対向し複数個の前記検知
素子が配設してなることを特徴とする前記特許請
求の範囲第4項または第5項に記載のパターン検
知装置。 15 第1の波長帯域の光で前記線状暗視野を有
する第1の照明スポツトを形成し、第2の波長帯
域の光で線状の第2の照明スポツトを形成し、前
記第2の照明スポツトが前記第1の照明スポツト
の暗視野投射域を照射し、前記第1の照明スポツ
トで検出された検知信号をストローブ信号として
前記第2の照明スポツトで検出された検知信号を
ストローブすることを特徴とする前記特許請求の
範囲第4項または第5項に記載のパターン検知装
置。 16 前記線状暗視野を有する照明スポツトが適
宜間隔だけ離れて平行する2本の線状レーザ光で
あり、前記間隔を前記暗視野とすることを特徴と
する前記特許請求の範囲第4項または第5項に記
載のパターン検知装置。 17 前記多値化信号、論理多値化信号、検知多
値化信号がそれぞれ二値化信号、論理二値化信
号、検知二値化信号であることを特徴とする前記
特許請求の範囲第5項に記載のパターン検知装
置。[Scope of Claims] 1. When inspecting a defect such as a conductor pattern formed on the upper surface of a substrate having light diffusing properties, an illumination spot having a dark field at least in the center is irradiated onto the upper surface of the substrate, In the illumination spot irradiation area on the top surface, the diffused light is directed to the dark field projection area at the center, and the light passing through the light shielding plate is provided with a through hole corresponding to the dark field projection area at the center, and the light passing through the through hole in the light shielding plate is 1. A pattern detection method, comprising: detecting with a photodetector, and detecting whether the dark field projection area is the substrate or the conductor depending on whether the diffused light is detected. 2. The pattern detection method according to claim 1, wherein the dark field of the illumination spot is in the form of a black dot at the center of the spot. 3. The pattern detection method according to claim 1, wherein the dark field of the illumination spot is a linear shape having a length in one direction passing through the center of the spot. 4. When inspecting defects in a conductive pattern, etc. formed on the top surface of a substrate having light diffusing properties, an illumination unit that irradiates the top surface of the substrate with an illumination spot whose center portion is a dark field, and reflected light of the irradiation. an optical system for forming an image of the reflected light, and a detection unit provided with a photodetection element that detects an image of at least a dark field projection area at the center of the illumination spot on substantially the imaging plane of the reflected light. Pattern detection device. 5 A circuit for converting the detection signal of the detection unit into a multi-value signal, a memory for recording a logical multi-value signal of the detection signal, and comparing the detected multi-value signal with the logical multi-value signal and detecting the difference. 5. The pattern detection device according to claim 4, further comprising a defect identification circuit for detecting a defect. 6. The above-mentioned claim 6, characterized in that the light detection element is arranged to face the reflected light through a light-shielding plate with a transparent hole corresponding to the central dark field projection area of the illumination spot. The pattern detection device according to item 4 or 5. 7. The pattern according to claim 4 or 5, characterized in that at least two of the photodetecting elements are arranged to face each other in a clear vision area and a dark vision area of the reflected light. Detection device. 8. The pattern detection device according to claim 4 or 5, wherein a plurality of the photodetecting elements are arranged in a matrix to face the reflected light. 9. The pattern detection device according to claim 4 or 5, wherein the irradiation light spot is a laser beam in a dark field mode at least in the center thereof. 10 The above-mentioned claim is characterized in that the irradiation light is a laser beam, and the irradiation spot is created by inserting a phase plate in the middle of the optical path to change the phase of a half region of the irradiation laser beam by half a wavelength. The pattern detection device according to the range 4 or 5. 11 The dark field of the irradiation spot is linear with a length in one direction passing through the center, and the linear dark field is created by the irradiation light passing through a transparent plate coated with a black line. The pattern detection device according to claim 4 or 5, characterized in that: 12. The dark field of the irradiation spot is linear with a length in one direction passing through the center, and the linear dark field is defined by the interval between two parallel and substantially linear illumination lights. Claim 4
6. The pattern detection device according to item 5. 13. The dark field of the irradiation spot is in the form of a dot in the center, and the dot-like dark field is created by the irradiation light passing through a transparent plate covered with a sunspot. The pattern detection device according to scope 4 or 5. 14. The pattern detection device according to claim 4 or 5, characterized in that a plurality of the detection elements are arranged opposite to the linear dark field. 15 forming a first illumination spot having the linear dark field with light in a first wavelength band; forming a second linear illumination spot with light in a second wavelength band; The spot illuminates a dark field projection area of the first illumination spot, and strobes the detection signal detected at the second illumination spot by using the detection signal detected at the first illumination spot as a strobe signal. A pattern detection device according to claim 4 or 5. 16. Claim 4, wherein the illumination spot having the linear dark field is two parallel linear laser beams spaced apart by an appropriate distance, and the distance is defined as the dark field. The pattern detection device according to item 5. 17. Claim 5, wherein the multi-level signal, the logical multi-level signal, and the detected multi-level signal are respectively a binary signal, a logical binary signal, and a detected binary signal. The pattern detection device described in Section.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60010418A JPS61169708A (en) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | Method and apparatus for pattern recognition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60010418A JPS61169708A (en) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | Method and apparatus for pattern recognition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61169708A JPS61169708A (en) | 1986-07-31 |
| JPH0476405B2 true JPH0476405B2 (en) | 1992-12-03 |
Family
ID=11749596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60010418A Granted JPS61169708A (en) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | Method and apparatus for pattern recognition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61169708A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01134202A (en) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Fujitsu Ltd | Laser end point detecting device |
| JP2511391B2 (en) * | 1991-12-04 | 1996-06-26 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | Optical distance sensor |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58120106A (en) * | 1982-01-12 | 1983-07-16 | Hitachi Ltd | Detecting device for focal point |
| JPS58151544A (en) * | 1982-03-05 | 1983-09-08 | Nippon Jido Seigyo Kk | Defect inspecting device by dark view field |
| JPS5977345A (en) * | 1982-10-27 | 1984-05-02 | Toshiba Corp | Surface defect detecting method |
| JPS59180315A (en) * | 1983-03-30 | 1984-10-13 | Fujitsu Ltd | Through-hole inspecting method |
| JPS59200908A (en) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Hitachi Ltd | Wafer illumination method and device |
-
1985
- 1985-01-22 JP JP60010418A patent/JPS61169708A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61169708A (en) | 1986-07-31 |
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