Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPH047808B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPH047808B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH047808B2
JPH047808B2 JP59021538A JP2153884A JPH047808B2 JP H047808 B2 JPH047808 B2 JP H047808B2 JP 59021538 A JP59021538 A JP 59021538A JP 2153884 A JP2153884 A JP 2153884A JP H047808 B2 JPH047808 B2 JP H047808B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
defect
photoelectric conversion
conversion means
lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59021538A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60166809A (ja
Inventor
Hidekazu Sekizawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP2153884A priority Critical patent/JPS60166809A/ja
Publication of JPS60166809A publication Critical patent/JPS60166809A/ja
Publication of JPH047808B2 publication Critical patent/JPH047808B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/002Recording, reproducing or erasing systems characterised by the shape or form of the carrier
    • G11B7/0037Recording, reproducing or erasing systems characterised by the shape or form of the carrier with discs
    • G11B7/00375Recording, reproducing or erasing systems characterised by the shape or form of the carrier with discs arrangements for detection of physical defects, e.g. of recording layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は例えばビデオデイスクの案内溝のよ
うに、基本パターンが略規則的に配列されている
パターンの欠陥を検出するもので、特に測定面に
歪や面かぶれがある場合でも検査可能とするよう
にした欠陥検査装置に関するものである。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、上記のようなパターンの検査には、レー
ザ光を照射して、その回折光より検査する装置が
本発明者らによつて提案されている。(特開昭57
−187604号公報)。しかし、従来の装置において
は被測定面が、傾いていたり、歪んでいると、そ
れだけで欠陥となつてしまう場合があつたり、逆
に欠陥があつても検出出来ない場合があるなどの
欠点を有していた。
〔発明の目的〕
この発明は上記の欠点を除去し、被測定面の傾
きや、面ぶれに影響されずに欠陥を検出すること
のできる欠陥検査装置を提供することを目的とす
る。
〔発明の概要〕
この発明は、被検体からの反射光又は、回折光
等を受光分析して被検体の欠陥部を検出する欠陥
検出装置において、同一被検体上の異なる点から
の光に対応した出力値の差を取つた後に、所定の
処理を施すことを特徴とする。
すなわち、近接する複数の部分より回折する光
で第n次回折光と第n+1次回折光との間に回折
する光をレンズで受け、このレンズにより複数の
検出器に再結像させる。次にこの複数の検出器の
出力値の差を取ることで表面の傾きの影響を除い
て、欠陥検出を行う。さらにその差信号の高域周
波数成分よりキズやホコリ等の欠陥検出を行い、
低域周波数成分よりピツチムラやミゾ幅のムラ等
の欠陥を検出する。
〔発明の効果〕
上記の欠陥検出方法においては、近接する微小
複数の部分からの回折光を同一の光学系を通して
複数の検出器で信号を検出している。この上記の
近接する微小な複数の部分間での面の傾変動はほ
とんどなく、同一の傾きと考えられる。そこでこ
の微小な複数の部分からの面の傾きによる出力信
号への影響は同一となる。したがつてこれらの出
力信号の差分をとればこの共通な部分の信号成分
は0となり、傾きの影響を除くことが可能とな
る。
〔発明の実施例〕
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説
明する。第1図において、1は基本パターンを規
則的に配列した被検体で、図示例では比較的単純
な基本パターンである多数の溝を規則的に配列し
たビデオ・デイスクである。2はこのビデイオ・
デイスク1を回転させる回転駆動装置で、この装
置2は回転モータ2aとモータ2aの回転軸に設
けられたビデオ・デイスク1を着脱可能に保持さ
せる保持部2bとにより構成されている。この回
転駆動装置2の側方に路コヒーレントな光例えば
HeNeレーザ装置よりなるレーザ光源3を配設す
る。この光源3から発射されたレーザ光Rを、ミ
ラー4で反射させて、前記ビデイオ・デイスク1
の規則パターンに照射させる。
このとき、ビデイオ・デイスク1の規則パター
ンにレーザ光Rを照射して得られる規則パターン
による回折光は、強め合い、整数次回折光に集中
する。また規則パターンからずれた欠陥部の回折
光は強め合わず、例えば凹凸の欠損、ゴミなどの
ような弧立した欠陥部から発生する回折光は全体
に広がる。
このことから、レーザ光Rを規則パターンに照
射して得られる回折パターンの中の第n次回折光
と第n+1次回折光、例えば第0次回折光5aと
第1次回折光5bとの間にビデイオ・デイスク1
の欠陥部により発生した回折光6を受光する対物
レンズ7を配設する。この対物レンズ7により受
光された回折光6はピンホール8を介して光電変
換器9に再結像される。この回折光6は、光電変
換器9により光量に応じた電気信号に変換され
る。
一方、ハーフミラー10により反射された光は
ピンホール8′を介して光電変換器9′に再結像さ
れ光変換器9′により電気信号に変換される。そ
こでこれら2つの光変換器9,9′からの電気信
号を差動増幅器11に入力しその差分を出力す
る。なおこのときのピンホール8と8′との関係
は光デイスク面上で第2図に示されたようになつ
ている。この差分を取つた電気信号はアナログデ
ジタル変換器12によりデジタル信号に変換され
た後、信号処理計算機(CPU)13に送られる。
この信号をCPU13で高域周波数成分と低域周
波数成分とに分離し、さらにそれぞれ分離された
信号に対して所定の値以上のものを欠陥としてい
き値処理され高域周波数成分からの出力はゴミ欠
陥として低周波数成分からの欠陥はムラ欠陥とし
て区別して表示部14に表示される。ここで15
は回転モータ2aを回転させながら一周分検査ご
とにビデイオ・デイスク1を平均移動させるパル
スモータである。このパルスモータ15に信号を
繰返して送り回転駆動装置2を順次平行移動させ
ることによりビデイオ・デイスク1の規則パター
ンの全面を検査することができる。ここに用いら
れる被検体は第3図に示すように基板1a上に多
数の溝1bを規則的に配列したビデイオ・デイス
ク1であり、溝の幅寸法をa、深さ寸法をh、ピ
ツチ寸法をpとし一部の溝に欠陥(例えば規則パ
ターン上からτだけはずれたピツチムラ)がある
ものとする。
このときピンホール面8,8′で観測した光の
輝点は欠陥によるものとして考えられ、その光量
は対物レンズ7の遠視野座標をζ0とし、対物レン
ズ7の開口が充分に小さいものとすれば特開昭57
−187604号公報と同様の解析により次式で与えら
れる。
I=|G(ζ0)|2 =8/π2ζ0 2sin2(πτξ0)sin2(πζ0) ×{1−cos(4h/λπ)} ……(1) またゴミ、キズなどによる弧立欠陥がある場合
にも前述と同様に結像面で観測した光の輝点は欠
陥によるものとして考えられ、その光量は対物
レンズ7の遠視野座標をζ0、欠陥の大きさをdと
し、対物レンズ7の開口が充分に小さいものとす
れば次式により与えられる。
この第(1),(2)式から欠陥の大きさを求めること
ができる。しかしながら、実際の検査においては
欠陥の大きさ正確に知る必要はなく、ある大きさ
以上の欠陥の個数を求めることのほうが重要視さ
れる。このため第(1),(2)式によりいき値をあらか
じめ求めておいて比較すれば良い。
次に測定面が傾いた場合を含めてこのようすを
図でより詳細に説明する。第4図のaは欠陥のあ
る入力パターンを示している。この場合には傾き
がないとする。第4図のbはこのときの回折光の
分布を示している。実線40は欠陥のないパター
ンからの回折光の分布であり、一点破線41はピ
ツチムラの欠陥部からの回折光分布であり、また
破線42はゴミ・キズ欠陥からの回折光分布であ
る。レンズの中心軸がζ0であるレンズ7により再
結像を行うと、第4図のcに示されたような欠陥
出力パターンが得られる。ここで43は欠陥出力
であり、44は欠陥のないパターンからの光であ
る。このような場合には、単に一定レベルで比較
することにより容易に欠陥検出が可能となる。
しかしながら、第5図に示されたように光デイ
スク1面がθkだけ傾いた場合には前記のように
容易に検出することは出来ない。この場合には第
5図により回折光分布は2θkだけシフトする。こ
のときの欠陥検出のようすを、第4図と同様にし
て第6図に示す。第6図のaは第4図のaと同じ
入力パターンであるが、ただし面がθkだけ傾い
ている。
このとき回折光分布は第6図のbとなり、第4
図のbに対して、2θk相当分だけシフトしてい
る。するとレンズ7の中心位置と回折光分布の関
係が図のようになり、欠陥のないパターンからの
回折光40を多く通過するようになり、その結
果、再結像パターンは第6図のcのようになる。
ここで60は欠陥出力であり、61は欠陥のない
部分からのフイルタリング出力である。この出力
61は光デイスク1の面の傾きθkが変化すると、
大きく変化する。したがつて単に一定レベルでい
き値を決めて検出することは不可能となる。たと
えばいき値を小さく設定すると、欠陥がなくても
欠陥と判定されたり、又逆にいき値レベルを高く
設定すると小さな欠陥を検出することが出来なく
なることがある。
そこで第6図のdに示されたように2個のピン
ホール8,8′と2個の検出器9,9′を設けて、
それらの出力を差動増幅器11に入れる。すると
欠陥のない部分からのフイルタリング出力である
61は近接する部分では同一レベルの出力である
のでキヤンセルされ、ほぼ欠陥のみが第6図のd
のように出力される。この状態で第4図のcと同
様となるので一定レベルで比較することにより欠
陥検出することが可能となる。
このようにして、測定面の小さな傾きの変化に
対しては影響をあまり受けずに欠陥検出すること
が可能となる。
〔発明の他の実施例〕
先の実施例では2つの検出器9,9′の出力を
差動増幅器11に入れ、その出力をA/D変換器
12によりデジタル信号に変換した後、CPU1
3に入力し、CPUの内部で高域周波数成分と低
域周波数成分とに分離したが、第7図では差動増
幅器11の出力信号をローパスフイルタ71によ
り低域周波数成分を検出し、ハイパスフイルタ7
2によつて高域周波数成分を検出する。これらの
信号をアナログマルチプレクサー73に入力し
て、CPU13より切替信号を受けて、両者を切
替えて、その切替えた信号をA/D変換器12に
入力しデジタル信号に変換し、CPU13に入力
する。このようにすることにより高速に処理する
ことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す図、第2図
は2つのピンホール8,8′の相対位置を示す図、
第3図は実施例に用いられる被検体の一部分を拡
大して示す断面図、第4図はフイルタリングによ
り欠陥検出されることを説明する図、第5図は被
検体が傾いた時の光路を示す図、第6図は被検体
が傾いた時にも欠陥検出されることを説明する
図、第7図は他の実施例の一例で、回路により高
域周波数成分と低域周波数成分とに分離する回路
を示す図である。 1……ビイデオ・デイスク、2……回転駆動装
置、3……レーザ光源、4……ミラー、5……回
折光、6……欠陥の回折光、7……レンズ、8,
8′……ピンホール、9,9′……検出器、10…
…ハーフミラー、11……差動増幅器、12……
A/D変換器、13……CPU、14……表示装
置、15……水平移動装置。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 基本パターンが規則的に配列された被検体の
    基本パターンに略コヒーレントな光を照射する光
    源と、前記基本パターンのピツチ、前記光源から
    発生される光の波長、前記被検体の測定面と前記
    照射される光の入射光軸とのなす角とから定まる
    第1次回折光方向と前記光源から照射される光が
    被検体から反射される第0次回折光方向との間に
    設けられるレンズと、このレンズにより再結像さ
    れた光を被検体の再結像面で電気信号に変換する
    光電変換手段とを具備した欠陥検査装置におい
    て、前記被検体の複数の部分より発生する回折光
    を、レンズを介して複数個の光電変換手段に結像
    し、被検体の前記レンズの再結像面に互いに隣接
    して配置された複数個の光電変換手段により電気
    信号に変換し、この複数個の光電変換手段の出力
    信号の差により欠陥を検出することを特徴とする
    欠陥検査装置。 2 光電変換手段の出力信号から得られる信号に
    おいて、高域周波数成分と低域周波数成分とに分
    離し、これらの成分により、欠陥の種類の判別を
    することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の欠陥検査装置。
JP2153884A 1984-02-10 1984-02-10 欠陥検査装置 Granted JPS60166809A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2153884A JPS60166809A (ja) 1984-02-10 1984-02-10 欠陥検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2153884A JPS60166809A (ja) 1984-02-10 1984-02-10 欠陥検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60166809A JPS60166809A (ja) 1985-08-30
JPH047808B2 true JPH047808B2 (ja) 1992-02-13

Family

ID=12057741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2153884A Granted JPS60166809A (ja) 1984-02-10 1984-02-10 欠陥検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60166809A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2006315202A1 (en) 2005-11-10 2007-05-24 Checkflix, Inc. Apparatus and method for analysis of optical storage media

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51112183A (en) * 1974-08-12 1976-10-04 Mitsubishi Electric Corp Diffraction pattern detector
JPS5414789A (en) * 1977-07-05 1979-02-03 Mitsubishi Electric Corp Surface inspecting apparatus
DE3118646A1 (de) * 1981-05-11 1982-12-02 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Verfahren und einrichtung zum automatischen ermitteln von fehlern in flaechenhaften mustern
JPS58108423U (ja) * 1982-11-11 1983-07-23 富士通株式会社 パタ−ンの特徴抽出装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60166809A (ja) 1985-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110849899B (zh) 检测系统及方法
US4744663A (en) Pattern position detection apparatus using laser beam
US7016526B2 (en) Pixel based machine for patterned wafers
CN209028014U (zh) 检测系统
US7616299B2 (en) Surface inspection method and surface inspection apparatus
JP4384737B2 (ja) 高速欠陥分析用の検査装置
JPH03267745A (ja) 表面性状検出方法
JP2009133778A (ja) 検査装置及び検査方法
JP5319876B2 (ja) 表面検査装置及び表面検査方法
NL1006378C2 (nl) Werkwijze en inrichting voor het inspecteren van een voorwerp met betrekking tot verstoringen.
JP2947513B1 (ja) パターン検査装置
JPH11230912A (ja) 表面欠陥検出装置及びその方法
US8547547B2 (en) Optical surface defect inspection apparatus and optical surface defect inspection method
JPH0833354B2 (ja) 欠陥検査装置
JPH047808B2 (ja)
JPH0783840A (ja) 回転型欠陥検査装置
JPH09281051A (ja) 検査装置
JPS6342222B2 (ja)
JP5689918B2 (ja) 試料の状態を評価するための装置及び方法
JPH07128025A (ja) レーザ走査式高さ測定装置
JPS6322255B2 (ja)
JPS62124448A (ja) 表面検査装置
JPH04307358A (ja) 表面検査装置
JPH03233307A (ja) 面傾斜測定装置
JPH06309829A (ja) 光ディスクの表面欠陥検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term