JPH047944B2 - - Google Patents
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- JPH047944B2 JPH047944B2 JP60141815A JP14181585A JPH047944B2 JP H047944 B2 JPH047944 B2 JP H047944B2 JP 60141815 A JP60141815 A JP 60141815A JP 14181585 A JP14181585 A JP 14181585A JP H047944 B2 JPH047944 B2 JP H047944B2
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- JP
- Japan
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- diamond
- blade
- microtome
- coated
- substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/274—Diamond only using microwave discharges
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26B—HAND-HELD CUTTING TOOLS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B26B21/00—Razors of the open or knife type; Safety razors or other shaving implements of the planing type; Hair-trimming devices involving a razor-blade; Equipment therefor
- B26B21/54—Razor-blades
- B26B21/58—Razor-blades characterised by the material
- B26B21/60—Razor-blades characterised by the material by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/02—Devices for withdrawing samples
- G01N1/04—Devices for withdrawing samples in the solid state, e.g. by cutting
- G01N1/06—Devices for withdrawing samples in the solid state, e.g. by cutting providing a thin slice, e.g. microtome
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/02—Devices for withdrawing samples
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- G01N1/06—Devices for withdrawing samples in the solid state, e.g. by cutting providing a thin slice, e.g. microtome
- G01N2001/061—Blade details
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Description
（産業上の利用分野）
本発明は改良されたミクロトーム用ダイヤモン
ドコーテイング刃、特には耐久性、耐腐蝕性、切
削性を有し、かつ生産性を格段に向上させたミク
ロトーム用ダイヤモンドコーテイング刃およびそ
の製造方法に関するものである。 （従来の技術） ミクロトーム用ダイヤモンド刃は、電子顕微鏡
観察用の薄切片を切り出すために用いるものであ
る。これで切り出された薄切片は500〜1000Åの
オーダーの厚さで電子顕微鏡観察に支障をきたす
程度を超えるキズを有してはならない。これまで
ミクロトーム用の刃としては、ダイヤモンド刃の
外にガラス刃が用いられてきたが、ダイヤモンド
刃は製造に特別のの熟練度を必要とし、非常に高
価で、しかも入手が困難であつた。他方ガラス刃
は材料は安いが、その性能に問題があり、製作し
ても、実際に切つて見ないと出来ばえが確認でき
ない。また、良く出来ていても数回の薄切片の切
り出しで、その性能が低下してしまう等の不利が
ある。その上ガラス刃の製作は薄切片を切り出す
都度、観察者自信が行わなければならないという
大きな問題がある。 （問題点の解決） 本発明者らは、さきにこのような問題点を解決
すべく種々検討の結果、従来公知のミクロトーム
用刃に結晶質炭化けい素を被覆することによつ
て、耐久性、耐摩耗性が著るしく改良されること
を見出しこれについて特許出願（特願昭60−
49545）をしたが、さらに高品質のものを得るた
め結晶質炭化けい素に代る材料について鋭意研究
を進め、ダイヤモンド膜を被覆することにより切
削性、熱伝導性を含め総合的に高性能のミクロト
ーム刃を得ることに成功し本発明を完成すること
ができた。 （発明の構成） 本発明は改良されたミクロトーム用コーテイン
グ刃に関するものであり、これは基体上にダイヤ
モンド膜を被覆してなることを特徴とするミクロ
トーム用ダイヤモンドコーテイング刃についての
第１発明と、基体上に炭化水素および水素ダイヤ
モンド膜を形成させ、ついでこれを700〜1300℃
で熱処理することを特徴とするミクロトーム用ダ
イヤモンドコーテイング刃の製造方法についての
第２発明とからなるものである。 本発明のミクロトーム用ダイヤモンドコーテイ
ング刃の基体は従来公知のものでよく、これには
ステンレススチール、超硬合金などの金属、ガラ
ス、サフアイアなどが例示される。この基体に被
覆されるダイヤモンド膜は黒鉛を含むダイヤモン
ド膜であつてもよく被覆の厚さが50Åより小さい
と薄すぎて信頼性の乏しいものとなり、500Åを
超えると電子顕微鏡用試料が採集不能となるので
50〜500Åの範囲、好ましくは80〜200Åの範囲と
することがよい。 第１図はこのミクロトーム用コーテイング刃の
縦断面要図を示したものであり、これはその先端
が鋭利な角錐状の金属、ガラス、サフアイアなど
で作られた基体１の切削用面をダイヤモンドの薄
膜２で被覆したものであり、この皮膜２は図示し
てあるように刃の先端がより薄くなるようされて
いることが好ましい。 上記した本発明のミクロトーム用ダイヤモンド
刃を製造するには、炭化水素および水素あるいは
必要に応じてキヤリヤーガスとしてヘリウム、ア
ルゴンなどの不活性ガスからなる混合ガスを用
い、プラズマ気相沈積法によつて、基体上に炭化
水素からダイヤモンドあるいは黒鉛を含むダイヤ
モンド膜を析出させる方法が実施される。この場
合のプラズマ気相沈積法には、高周波、直流、マ
イクロ波および金属線の加熱コイルを入れたプラ
ズマ法、イオンビーム蒸着法が例示されるが
300MHz以上のマイクロ波高周波電力を利用する
のがよい。ここで使用される炭化水素としては、
メタン、エタン、プロパン、エチレンなどが例示
されるが、メタンが好ましい。 この方法の実施にあたつてまず反応器内に基体
を設置し、この反応器内に炭化水素と水素、また
は必要により不活性ガスとの混合ガスを導入して
から、器内の圧力を2.7パスカル〜26.6キロパス
キカルの間になるよう調整し、ついでこれにマイ
クロ波高周波電力（2.45GHz）を印加して系内に
プラズマを発生させるとともに、基体の温度が
930℃になるように調整した。これにより、炭化
水素がプラズマ火炎との接触で熱分解されてダイ
ヤモンド膜あるいは黒鉛を含むダイヤモンド膜が
均一な板状形となつて基体上に所望の厚さに被着
される。しかしこの薄膜には水素、炭素―水素ラ
ジカル等が残る場合があるので、これを取除くた
め膜の被着後700〜1300℃、好ましくは950〜1300
℃で0.5〜1.5時間加熱処理する。 上述した加熱処理により残存する水素、炭素―
水素ラジカル等が除去されれるので、得られるダ
イヤモンド膜は不純物のないものとなり、ミクロ
トーム用ダイヤモンドコーテイング刃として有用
である。 つぎに本発明の実施例をあげる。 実施例 （ミクロトーム用コーテイング刃の製造） ミクロトーム用刃の形状に加工した人工サフア
イアを純水およびイソプロピルアルコールで洗浄
し乾燥してから、内部に導波管口とプランジヤー
対を有する反応装置の基体支持台上に、ガス状混
合物の流れ方向に対して刃先の角度の２等分線が
平行となるように設置した。 ついで、この反応器内の圧力を５パスカル程度
まで排気したのち、ここにメタンと水素ガスを導
入し、ガス流通下に反応器内の圧力を2.7〜26.6
キロパスカルに調整し、この雰囲気下でマグネト
ロンから発信したマイクロ波（2.45GHz）をアイ
ソレーター、パワーモーター、スリースタブチユ
ーナーを通し導波管で石英製反応管に導いて、基
板の周囲にプラズマ放電を発生させ、基体が所定
の温度（930℃）になるようマイクロ波電力
（300W）を調整したところ、人工サフアイアの表
面に約100〜150Åのダイヤモンド膜が形成され
た。 つぎに、この人工サフアイアを器内から取出
し、洗浄後に熱処理炉内で1200℃、30分間加熱処
理して除冷した。得られた人工サフアイア刃のダ
イヤモンド構造を光学顕微鏡およびＸ線回析装置
を用いて検査したところ、被覆膜は傷のないダイ
ヤモンドであることが確認された。赤外線吸収ス
ペクトルでＣ―Ｈ結合について熱処理前後をしら
べた結果、吸収の強度が大きく変り、処理後はほ
とんど少なくなつていたが、これは熱処理の効果
であることを示すものである。 （ミクロトーム用コーテイング刃の切削試験） 上記で得た人工サフアイアにダイヤモンド膜を
被覆したミクロトーム用コーテイング刃を用い
て、エポキシ樹脂で硬化した臓器サンプルから顕
微鏡試料を切り出したところ、厚さ300Åの切片
を500枚以上採り出すことができた。これに対し
ダイヤモンド膜を被覆しない従来からあるミクロ
トーム用のダイヤモンドを材質とする刃では300
枚しか採取できないことが確認された。
ドコーテイング刃、特には耐久性、耐腐蝕性、切
削性を有し、かつ生産性を格段に向上させたミク
ロトーム用ダイヤモンドコーテイング刃およびそ
の製造方法に関するものである。 （従来の技術） ミクロトーム用ダイヤモンド刃は、電子顕微鏡
観察用の薄切片を切り出すために用いるものであ
る。これで切り出された薄切片は500〜1000Åの
オーダーの厚さで電子顕微鏡観察に支障をきたす
程度を超えるキズを有してはならない。これまで
ミクロトーム用の刃としては、ダイヤモンド刃の
外にガラス刃が用いられてきたが、ダイヤモンド
刃は製造に特別のの熟練度を必要とし、非常に高
価で、しかも入手が困難であつた。他方ガラス刃
は材料は安いが、その性能に問題があり、製作し
ても、実際に切つて見ないと出来ばえが確認でき
ない。また、良く出来ていても数回の薄切片の切
り出しで、その性能が低下してしまう等の不利が
ある。その上ガラス刃の製作は薄切片を切り出す
都度、観察者自信が行わなければならないという
大きな問題がある。 （問題点の解決） 本発明者らは、さきにこのような問題点を解決
すべく種々検討の結果、従来公知のミクロトーム
用刃に結晶質炭化けい素を被覆することによつ
て、耐久性、耐摩耗性が著るしく改良されること
を見出しこれについて特許出願（特願昭60−
49545）をしたが、さらに高品質のものを得るた
め結晶質炭化けい素に代る材料について鋭意研究
を進め、ダイヤモンド膜を被覆することにより切
削性、熱伝導性を含め総合的に高性能のミクロト
ーム刃を得ることに成功し本発明を完成すること
ができた。 （発明の構成） 本発明は改良されたミクロトーム用コーテイン
グ刃に関するものであり、これは基体上にダイヤ
モンド膜を被覆してなることを特徴とするミクロ
トーム用ダイヤモンドコーテイング刃についての
第１発明と、基体上に炭化水素および水素ダイヤ
モンド膜を形成させ、ついでこれを700〜1300℃
で熱処理することを特徴とするミクロトーム用ダ
イヤモンドコーテイング刃の製造方法についての
第２発明とからなるものである。 本発明のミクロトーム用ダイヤモンドコーテイ
ング刃の基体は従来公知のものでよく、これには
ステンレススチール、超硬合金などの金属、ガラ
ス、サフアイアなどが例示される。この基体に被
覆されるダイヤモンド膜は黒鉛を含むダイヤモン
ド膜であつてもよく被覆の厚さが50Åより小さい
と薄すぎて信頼性の乏しいものとなり、500Åを
超えると電子顕微鏡用試料が採集不能となるので
50〜500Åの範囲、好ましくは80〜200Åの範囲と
することがよい。 第１図はこのミクロトーム用コーテイング刃の
縦断面要図を示したものであり、これはその先端
が鋭利な角錐状の金属、ガラス、サフアイアなど
で作られた基体１の切削用面をダイヤモンドの薄
膜２で被覆したものであり、この皮膜２は図示し
てあるように刃の先端がより薄くなるようされて
いることが好ましい。 上記した本発明のミクロトーム用ダイヤモンド
刃を製造するには、炭化水素および水素あるいは
必要に応じてキヤリヤーガスとしてヘリウム、ア
ルゴンなどの不活性ガスからなる混合ガスを用
い、プラズマ気相沈積法によつて、基体上に炭化
水素からダイヤモンドあるいは黒鉛を含むダイヤ
モンド膜を析出させる方法が実施される。この場
合のプラズマ気相沈積法には、高周波、直流、マ
イクロ波および金属線の加熱コイルを入れたプラ
ズマ法、イオンビーム蒸着法が例示されるが
300MHz以上のマイクロ波高周波電力を利用する
のがよい。ここで使用される炭化水素としては、
メタン、エタン、プロパン、エチレンなどが例示
されるが、メタンが好ましい。 この方法の実施にあたつてまず反応器内に基体
を設置し、この反応器内に炭化水素と水素、また
は必要により不活性ガスとの混合ガスを導入して
から、器内の圧力を2.7パスカル〜26.6キロパス
キカルの間になるよう調整し、ついでこれにマイ
クロ波高周波電力（2.45GHz）を印加して系内に
プラズマを発生させるとともに、基体の温度が
930℃になるように調整した。これにより、炭化
水素がプラズマ火炎との接触で熱分解されてダイ
ヤモンド膜あるいは黒鉛を含むダイヤモンド膜が
均一な板状形となつて基体上に所望の厚さに被着
される。しかしこの薄膜には水素、炭素―水素ラ
ジカル等が残る場合があるので、これを取除くた
め膜の被着後700〜1300℃、好ましくは950〜1300
℃で0.5〜1.5時間加熱処理する。 上述した加熱処理により残存する水素、炭素―
水素ラジカル等が除去されれるので、得られるダ
イヤモンド膜は不純物のないものとなり、ミクロ
トーム用ダイヤモンドコーテイング刃として有用
である。 つぎに本発明の実施例をあげる。 実施例 （ミクロトーム用コーテイング刃の製造） ミクロトーム用刃の形状に加工した人工サフア
イアを純水およびイソプロピルアルコールで洗浄
し乾燥してから、内部に導波管口とプランジヤー
対を有する反応装置の基体支持台上に、ガス状混
合物の流れ方向に対して刃先の角度の２等分線が
平行となるように設置した。 ついで、この反応器内の圧力を５パスカル程度
まで排気したのち、ここにメタンと水素ガスを導
入し、ガス流通下に反応器内の圧力を2.7〜26.6
キロパスカルに調整し、この雰囲気下でマグネト
ロンから発信したマイクロ波（2.45GHz）をアイ
ソレーター、パワーモーター、スリースタブチユ
ーナーを通し導波管で石英製反応管に導いて、基
板の周囲にプラズマ放電を発生させ、基体が所定
の温度（930℃）になるようマイクロ波電力
（300W）を調整したところ、人工サフアイアの表
面に約100〜150Åのダイヤモンド膜が形成され
た。 つぎに、この人工サフアイアを器内から取出
し、洗浄後に熱処理炉内で1200℃、30分間加熱処
理して除冷した。得られた人工サフアイア刃のダ
イヤモンド構造を光学顕微鏡およびＸ線回析装置
を用いて検査したところ、被覆膜は傷のないダイ
ヤモンドであることが確認された。赤外線吸収ス
ペクトルでＣ―Ｈ結合について熱処理前後をしら
べた結果、吸収の強度が大きく変り、処理後はほ
とんど少なくなつていたが、これは熱処理の効果
であることを示すものである。 （ミクロトーム用コーテイング刃の切削試験） 上記で得た人工サフアイアにダイヤモンド膜を
被覆したミクロトーム用コーテイング刃を用い
て、エポキシ樹脂で硬化した臓器サンプルから顕
微鏡試料を切り出したところ、厚さ300Åの切片
を500枚以上採り出すことができた。これに対し
ダイヤモンド膜を被覆しない従来からあるミクロ
トーム用のダイヤモンドを材質とする刃では300
枚しか採取できないことが確認された。
【表】
なお、このものは従来品にくらべて耐久性、耐
摩耗性、切削性にすぐれているばかりでなく工業
的に製造可能なため、従来手工業的に製造されて
きたものに比べて格段に生産性の向上が期待でき
る。
摩耗性、切削性にすぐれているばかりでなく工業
的に製造可能なため、従来手工業的に製造されて
きたものに比べて格段に生産性の向上が期待でき
る。
第１図は本発明のミクロトーム用ダイヤモンド
コーテイング刃の縦断面図要図を示したものであ
る。 １…基体、２…皮膜。
コーテイング刃の縦断面図要図を示したものであ
る。 １…基体、２…皮膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体上にダイヤモンド膜を被覆してなるミク
ロトーム用コーテイング刃。 ２ ダイヤモンド膜の厚さが50〜500Åである特
許請求の範囲第１項記載のミクロトーム用ダイヤ
モンドコーテイング刃。 ３ 基体上に炭化水素および水素からダイヤモン
ド膜を形成させ、ついでこれを700〜1300℃で熱
処理することを特徴とするミクロトーム用ダイヤ
モンドコーテイング刃の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60141815A JPS622133A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | ミクロト−ム用ダイヤモンドコ−テイング刃およびその製造方法 |
| CA000510899A CA1278727C (en) | 1985-06-28 | 1986-06-05 | Coated blade for microtome and method for the preparation thereof |
| EP86108795A EP0207467B1 (en) | 1985-06-28 | 1986-06-27 | Method for the preparation of a coated blade of a microtome |
| DE8686108795T DE3676124D1 (de) | 1985-06-28 | 1986-06-27 | Verfahren zur herstellung einer beschichteten mikrotomoklinge. |
| US07/157,091 US4839195A (en) | 1985-06-28 | 1988-02-09 | Coating blade for microtome and method for the preparation thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60141815A JPS622133A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | ミクロト−ム用ダイヤモンドコ−テイング刃およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622133A JPS622133A (ja) | 1987-01-08 |
| JPH047944B2 true JPH047944B2 (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15300769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60141815A Granted JPS622133A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | ミクロト−ム用ダイヤモンドコ−テイング刃およびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4839195A (ja) |
| EP (1) | EP0207467B1 (ja) |
| JP (1) | JPS622133A (ja) |
| CA (1) | CA1278727C (ja) |
| DE (1) | DE3676124D1 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6224952B1 (en) * | 1988-03-07 | 2001-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same |
| US5261959A (en) * | 1988-05-26 | 1993-11-16 | General Electric Company | Diamond crystal growth apparatus |
| JPH0620464B2 (ja) * | 1989-04-03 | 1994-03-23 | 信越化学工業株式会社 | 医療用切開、圧入器具およびその製造方法 |
| DE3932828C1 (ja) * | 1989-09-30 | 1990-08-30 | Nukem Gmbh, 6450 Hanau, De | |
| US5488774A (en) * | 1990-01-24 | 1996-02-06 | Janowski; Leonard J. | Cutting edges |
| GB9001833D0 (en) * | 1990-01-26 | 1990-03-28 | De Beers Ind Diamond | Method of bonding a diamond film to a substrate |
| JP2651947B2 (ja) * | 1990-03-26 | 1997-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ダイヤモンド薄膜コーティング部材およびダイヤモンド薄膜コーティング方法 |
| US5075094A (en) * | 1990-04-30 | 1991-12-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of growing diamond film on substrates |
| JP2840788B2 (ja) * | 1990-05-30 | 1998-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ダイヤモンド成分を含む表面保護膜 |
| US5455081A (en) * | 1990-09-25 | 1995-10-03 | Nippon Steel Corporation | Process for coating diamond-like carbon film and coated thin strip |
| CN1064294C (zh) * | 1994-04-25 | 2001-04-11 | 吉莱特公司 | 制造剃刀刀片的方法 |
| AU712242B2 (en) * | 1994-04-25 | 1999-11-04 | Gillette Company, The | Amorphous diamond coating of blades |
| US5672395A (en) * | 1994-05-05 | 1997-09-30 | General Electric Company | Method for enhancing the toughness of CVD diamond |
| US6354008B1 (en) * | 1997-09-22 | 2002-03-12 | Sanyo Electric Co., Inc. | Sliding member, inner and outer blades of an electric shaver and film-forming method |
| IL138710A0 (en) * | 1999-10-15 | 2001-10-31 | Newman Martin H | Atomically sharp edge cutting blades and method for making same |
| DE10028792A1 (de) * | 2000-06-15 | 2001-12-20 | Leica Microsystems | Messer |
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