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JPH0512645B2 - - Google Patents
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JPH0512645B2 - - Google Patents

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JPH0512645B2
JPH0512645B2 JP2090328A JP9032890A JPH0512645B2 JP H0512645 B2 JPH0512645 B2 JP H0512645B2 JP 2090328 A JP2090328 A JP 2090328A JP 9032890 A JP9032890 A JP 9032890A JP H0512645 B2 JPH0512645 B2 JP H0512645B2
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JP
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data
circuit
ram
output
key switch
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JP2090328A
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Japanese (ja)
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Inventor
Che Kawashita
Tadayasu Nakajima
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、データ処理装置、例えば自動車の
走行データ記憶表示のためのデータ処理装置に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a data processing device, for example a data processing device for storing and displaying travel data of a motor vehicle.

自動車においては、その変速機の出力軸のよう
な推進軸における回転数が走行距離データとして
その走行距離記録計(オドメータ)及び必要に応
じて設けられるトリツプ用走行距離記録計(トリ
ツプオドメータ)によつて積算(計数)され、保
持される。
In automobiles, the rotational speed of the propulsion shaft, such as the output shaft of the transmission, is used as mileage data by the mileage recorder (odometer) and trip mileage recorder (trip odometer) installed as necessary. Therefore, it is integrated (counted) and held.

公知のオドメータ及びトリツプオドメータは、
回転ドラム状のデータ表示部分を持つような機械
式カウンタから構成されている。
Known odometers and trip odometers include:
It consists of a mechanical counter with a rotating drum-shaped data display section.

しかしながら、このような機械式トリツプメー
タを使用する場合、その機械部分の大きさによつ
て表示パネルなどを小型化及び集約化することが
困難となつてくる。
However, when such a mechanical trip meter is used, it becomes difficult to downsize and consolidate the display panel etc. due to the size of the mechanical part.

そこで、本願発明者は表示に必要なデータを自
動車の各センサから直接マイクロコンピユータに
取り込み、演算処理をして表示することを考え
た。
Therefore, the inventors of the present invention conceived the idea of directly importing the data necessary for display from each sensor of the automobile into a microcomputer, performing arithmetic processing, and displaying the data.

マイクロコンピユータを用いて、自動車におけ
るデータを処理するためには、例えば、走行距離
データなどは逐次その走行距離のデータを記録し
保持することが要求され、かつ、電源遮断時のデ
ータの保持も要求されます。この問題点は、電源
遮断時においてもそのデータを保持することの出
来る半導体不揮発性メモリを用いることによつ
て、解決することができます。
In order to process data in a car using a microcomputer, for example, it is required to record and retain mileage data sequentially, and it is also required to retain data even when the power is turned off. will be done. This problem can be solved by using semiconductor nonvolatile memory, which can retain data even when the power is turned off.

しかし、前述のようにデータの保持の問題と同
時に、逐次そのデータを記録することが要求され
るため、逐次データを記録するといつた面からみ
ると、書き込み時間が長く、書き込み回数に制限
のある半導体不揮発性メモリを用いたのでは充分
な処理速度と、充分な回数だけデータの記録をす
ることが難しくなります。
However, as mentioned above, in addition to the problem of data retention, it is also necessary to record the data sequentially. Using semiconductor non-volatile memory makes it difficult to achieve sufficient processing speed and record data a sufficient number of times.

本願発明の目的は、この問題を解決するもので
あり、すなわち、処理速度の速い逐次記憶と電源
遮断時の記憶の両方を実現するものであります。
The purpose of the present invention is to solve this problem, that is, to realize both sequential storage with high processing speed and storage when the power is cut off.

本願発明は、自動車に結合されたセンサからの
信号を受けてマイクロコンピユータによつてその
信号を処理し、その結果を一次記憶装置に記憶す
るようにされるもので、キースイツチの切断によ
つて消去されては困るデータ、つまり、走行距離
データについては、キースイツチの切断に基づい
てマイクロコンピユータによつて一次記憶装置か
ら不揮発性のメモリにデータを転送し、キースイ
ツチの投入に基づいてマイクロコンピユータによ
つて不揮発性のメモリから一次記憶装置にデータ
を転送すようにされるものです。
The present invention receives a signal from a sensor connected to an automobile, processes the signal using a microcomputer, and stores the result in a primary storage device, which is erased by turning off a key switch. For data that should not be lost, that is, mileage data, the data is transferred from the primary storage device to non-volatile memory by the microcomputer based on the key switch being turned off, and the data is transferred by the microcomputer based on the key switch being turned on. It is used to transfer data from non-volatile memory to primary storage.

これにより、データを上記一次記憶装置により
逐次記録するとともに、上記不揮発性メモリによ
つて必要に応じ保持することが可能となります。
さらに、上記不揮発性メモリへの書き込みを必要
に応じて行うことにより、書き込み回数を低減さ
せることが可能となり、装置の信頼性を大幅に改
善することができるといつた効果を有するもので
あります。
This allows data to be recorded sequentially in the primary storage device and retained as needed in the non-volatile memory.
Furthermore, by writing to the nonvolatile memory as needed, it is possible to reduce the number of writes, which has the effect of significantly improving the reliability of the device.

また、自動車のセンサ等からの信号を直接マイ
クロコンピユータに入力し、マイクロコンピユー
タのプログラムに基づいてデータが処理されるた
め、プログラム内の命令やデータを変更するだけ
で、種々の自動車の車種等に対応できます。
In addition, signals from car sensors, etc. are input directly to the microcomputer, and the data is processed based on the microcomputer's program, so just by changing the commands and data in the program, it can be applied to various car models. We can accommodate you.

さらに、本願発明により、従来センサ毎に接続
された個々の部品で信号を処理していたものが、
1つのマイクロコンピユータという共通の部品の
みで構成され、部品点数を大幅に削減でき、故障
率を低減することができるので、信頼性の高い自
動車の部品を提供できるという効果も有します。
Furthermore, with the present invention, signals were conventionally processed using individual components connected to each sensor.
It is composed of only one common part, a microcomputer, which greatly reduces the number of parts and reduces the failure rate, which also has the effect of providing highly reliable automobile parts.

この発明の他の目的は、表示パネルを小型及び
集約化することが容易な自動車の走行データ記憶
表示装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a driving data storage and display device for an automobile whose display panel can be easily downsized and consolidated.

この発明の他の目的は、メータ類の電子化が可
能な新規な自動車の走行データ記憶表示装置を提
供することにある。
Another object of the present invention is to provide a novel automobile travel data storage and display device that allows electronic meters and the like.

この発明の他の目的は、正確な表示データを形
成することが表示データ記憶表示装置を提供する
ことにある。
Another object of the present invention is to provide a display data storage and display device capable of forming accurate display data.

この発明の更に他の目的は、以下の説明及び図
面から明らかとなるであろう。
Further objects of the invention will become apparent from the following description and drawings.

以下、この発明を、実施例に基づいて詳細に説
明する。
Hereinafter, this invention will be explained in detail based on examples.

第1図には、この発明の1つの実施例の回路図
が示されている。
FIG. 1 shows a circuit diagram of one embodiment of the invention.

同図において、1はバツテリ、2はキースイツ
チ、3は電源起動回路、4は定電圧回路、5はキ
ースイツチ投入検出回路、6はキースイツチ遮断
検出回路である。
In the figure, 1 is a battery, 2 is a key switch, 3 is a power supply starting circuit, 4 is a constant voltage circuit, 5 is a key switch on detection circuit, and 6 is a key switch cutoff detection circuit.

上記電源起動回路3は、図示のように、パワー
スイツチとしてのpnpトランジスタQ2、制御用
npnトランジスタQ1、逆流防止用ダイオードD1
バツフア増幅回路としてのインバータ回路IV、
動作保持用リセツトセツトフリツプフロツプ回路
RSF、遅延回路DLY及び抵抗R1ないしR4から構
成されている。なお、特に制限されないが、上記
フリツプフロツプ回路RSF及びインバータ回路
IVは、定電圧回路4の出力電圧が電源電圧とし
て供給される。
As shown in the figure, the power supply starting circuit 3 includes a PNP transistor Q 2 as a power switch, a control
npn transistor Q 1 , backflow prevention diode D 1 ,
Inverter circuit IV as a buffer amplifier circuit,
Reset flip-flop circuit for operation maintenance
It consists of RSF, delay circuit DLY, and resistors R1 to R4 . Note that, although not particularly limited, the above-mentioned flip-flop circuit RSF and inverter circuit
IV is supplied with the output voltage of the constant voltage circuit 4 as a power supply voltage.

キースイツチ2がオフ状態にされている場合、
トランジスタQ1はオフ状態にされており、これ
に応じてトランジスタQ2もオフ状態にされてい
る。そのため、バツテリ1の電力は消費されな
い。
If key switch 2 is turned off,
Transistor Q 1 is turned off, and accordingly transistor Q 2 is also turned off. Therefore, the power of the battery 1 is not consumed.

キースイツチ2がオン状態にされた場合、トラ
ンジスタQ1は、そのベースに上記キースイツチ
2、ダイオードD1及び抵抗R4を介して上記バツ
テリ1からバイアス電流が供給されるようにな
り、その結果オン状態にされる。
When the key switch 2 is turned on, a bias current is supplied to the base of the transistor Q1 from the battery 1 through the key switch 2, the diode D1 , and the resistor R4 , and as a result, the transistor Q1 is turned on. be made into

上記トランジスタQ1のオン状態によつてトラ
ンジスタQ2はオン状態にされる。定電圧回路4
には、上記トランジスタQ2を介してバツテリ電
圧が供給される。その結果、定電圧回路4から後
述する回路に供給する電源電圧としての電圧Vcc
が出力される。特に制限されないが上記電圧Vcc
は、5ボルトのような値にされる。
The transistor Q 2 is turned on by the on-state of the transistor Q 1 . Constant voltage circuit 4
is supplied with battery voltage via the transistor Q2 . As a result, the voltage Vcc as the power supply voltage supplied from the constant voltage circuit 4 to the circuit described later
is output. Although not particularly limited, the above voltage Vcc
is taken to a value such as 5 volts.

キースイツチ投入検出回路5は、図示のように
アンド回路A1及び微分回路を構成するコンデン
サC及び抵抗R5から構成されており、キースイ
ツチ2がオン状態にされてから上記コンデンサC
及び抵抗R5の時定数によつて決まる期間だけハ
イレベル(論理値1)の信号を出力する。
As shown in the figure, the key switch ON detection circuit 5 is composed of an AND circuit A1 , a capacitor C, and a resistor R5 that constitute a differential circuit, and after the key switch 2 is turned on, the capacitor C is
A high level signal (logical value 1) is output only for a period determined by the time constant of the resistor R5 .

上記電源起動回路3におけるフリツプフロツプ
回路RSFは、上記キースイツチ投入検出回路5
から供給されるハイレベル信号によつてセツト状
態にされ、その反転出力端子にほゞ回路の接地
電位のようなロウレベル信号(論理値0)を出力
する。インバータ回路IVは、上記フリツプフロ
ツプ回路RSFの出力信号を受けることによつて
ハイレベル信号を出力する。その結果、上記トラ
ンジスタQ1は、抵抗R3を介してそのベースにバ
イアス電流が供給されるようになり、上記キース
イツチ2のスイツチ状態にかかわらずにオン状態
にされることになる。
The flip-flop circuit RSF in the power supply start-up circuit 3 is connected to the key switch-on detection circuit 5.
It is set to a set state by a high level signal supplied from the circuit, and outputs a low level signal (logical value 0), which is almost the ground potential of the circuit, to its inverted output terminal. Inverter circuit IV outputs a high level signal by receiving the output signal of flip-flop circuit RSF. As a result, the transistor Q1 is supplied with a bias current to its base via the resistor R3 , and is turned on regardless of the switch state of the key switch 2.

キースイツチ2がオン状態からオフ状態にされ
た場合、このキースイツチ2のオフ状態の後、所
定の期間だけハイレベルにされる信号がキースイ
ツチ遮断検出回路6から出力される。
When the key switch 2 is turned off from the on state, the key switch cutoff detection circuit 6 outputs a signal that is kept at a high level for a predetermined period after the key switch 2 is turned off.

電源起動回路3における遅延回路DLYは、上
記回路6の出力信号に対し所定の時間だけ遅延さ
れた信号を出力する。上記フリツプフロツプ回路
RSFは、上記遅延回路LLYの出力信号によつて
リセツト状態にされる。
The delay circuit DLY in the power supply startup circuit 3 outputs a signal delayed by a predetermined time with respect to the output signal of the circuit 6. The above flip-flop circuit
RSF is reset by the output signal of the delay circuit LLY.

その結果、電源起動回路3におけるトランジス
タQ1及びQ2は、キースイツチ2がオフ状態にさ
れてから所定の時間を経過した後にオフ状態にさ
れることになる。上記の遅延時間は、後の説明か
らも明らかとなるように、電気的に書きかえ可能
な半導体不揮発メモリ9にデータを書き込むに必
要とされる時間よりも長くされる。
As a result, the transistors Q 1 and Q 2 in the power supply starting circuit 3 are turned off after a predetermined time has elapsed since the key switch 2 was turned off. As will become clear from the explanation that follows, the above delay time is made longer than the time required to write data to the electrically rewritable semiconductor nonvolatile memory 9.

キースイツチ遮断検出回路6は、特に制限され
ないが、図示のように遅延型フリツプフロツプ回
路FF1,FF2及びアンド回路A2から構成される。
上記遅延型フリツプフロツプ回路FF1及びFF2
クロツク端子CPには、後述の基準パルス発生回
路15からクロツクパルスφが供給される。上記
フリツプフロツプ回路FF1及びFF2は、例えば上
記クロツクパルスφの立下がりに同期してそのデ
ータ入力端子Dに供給される信号を取り込み、上
記クロツクパルスφの立上りに同期して取り込ん
だ信号を非反転出力端子Q及び反転出力端子に
出力するような構成とされる。
The key switch cutoff detection circuit 6 is composed of delay type flip-flop circuits FF 1 and FF 2 and an AND circuit A 2 as shown in the figure, although this is not particularly limited.
The clock terminals CP of the delay type flip-flop circuits FF1 and FF2 are supplied with a clock pulse φ from a reference pulse generation circuit 15, which will be described later. The flip-flop circuits FF 1 and FF 2 take in a signal supplied to their data input terminal D in synchronization with the falling edge of the clock pulse φ, and output the signal, which is taken in in synchronization with the rising edge of the clock pulse φ, in a non-inverted manner. The configuration is such that it outputs to a terminal Q and an inverted output terminal.

なお、上記フリツプフロツプ回路FF1及びFF2
は、キースイツチ投入時においてアンド回路A2
から誤つた信号を出力させないようにするため
に、キースイツチ投入検出回路5の出力によつて
互いに同じ状態にされる。図示の場合、上記フリ
ツプフロツプ回路FF1及びFF2は、そのリセツト
端子Rが上記回路5の出力端子に結合されている
ことによつてリセツト状態にされる。
In addition, the above flip-flop circuits FF 1 and FF 2
is AND circuit A 2 when the key switch is turned on.
In order to prevent an erroneous signal from being output from the key switch input detection circuit 5, they are set to the same state by the output of the key switch input detection circuit 5. In the illustrated case, flip-flop circuits FF 1 and FF 2 are placed in a reset state by having their reset terminals R coupled to the output terminal of circuit 5.

上記フリツプフロツプ回路FF1のデータ入力端
子Dは、キースイツチ2を介してバツテリ2に結
合されており、従つて上記キースイツチ2のスイ
ツチ状態によつてそのレベルが決められる。
The data input terminal D of the flip-flop circuit FF1 is connected to the battery 2 via the key switch 2, and its level is therefore determined by the state of the key switch 2.

以上の構成により、上記フリツプフロツプ回路
FF1及びFF2の出力端子Qは、キースイツチ2の
投入後、クロツクパルスφに従つて順次にハイレ
ベルにされ、その後のキースイツチがオン状態に
維持されている限りハイレベルに維持される。上
記キースイツチ2がオン状態からオフ状態にされ
た場合、上記フリツプフロツプ回路FF1及びFF2
の出力端子Qは、上記クロツクパルスに従つてロ
ウレベルにされる。その結果、キースイツチ遮断
回路6からは、キースイツチ2がオフ状態にされ
た後上記クロツクパルスφの一周期に等しい期間
だけハイレベルにされることになる。
With the above configuration, the above flip-flop circuit
After the key switch 2 is turned on, the output terminals Q of FF 1 and FF 2 are sequentially brought to a high level in accordance with the clock pulse φ, and are maintained at a high level as long as the key switch is kept on thereafter. When the key switch 2 is turned off from the on state, the flip-flop circuits FF 1 and FF 2
The output terminal Q of is set to a low level in accordance with the clock pulse. As a result, the key switch cutoff circuit 6 outputs a high level signal for a period equal to one cycle of the clock pulse φ after the key switch 2 is turned off.

7は、上記キースイツチ遮断検出回路6の出力
によつてその動作が制御される書き込み電圧発生
回路であり、これは、半導体不揮発性メモリ9が
データ書き込みもしくはデータプログラム時に+
25ボルトのような比較的高いレベルの書き込み電
圧を必要とする構成にされることに応じて設けら
れている。
Reference numeral 7 denotes a write voltage generation circuit whose operation is controlled by the output of the key switch cutoff detection circuit 6.
This is provided in response to configurations that require a relatively high level of write voltage, such as 25 volts.

上記書き込み電圧発生回路7は、上記検出回路
6の出力信号がハイレベルにされることに応じて
上記の書き込み電圧を出力し、上記検出回路6の
出力信号がロウレベルにされているときほゞVcc
もしくは回路の接地電位のレベルの電圧を出力す
るように構成される。
The write voltage generation circuit 7 outputs the write voltage in response to the output signal of the detection circuit 6 being set to a high level, and when the output signal of the detection circuit 6 is set to a low level, it is approximately Vcc.
Alternatively, it is configured to output a voltage at the level of the circuit's ground potential.

8は、上記キースイツチ投入検出回路5及びキ
ースイツチ遮断検出回路6の出力信号によつて起
動される読み出し書き込み制御回路である。
Reference numeral 8 denotes a read/write control circuit activated by the output signals of the key switch on detection circuit 5 and the key switch cutoff detection circuit 6.

この読み出し書き込み制御回路8は、上記キー
スイツチ投入検出回路5の出力によつて起動され
ることによつて、半導体不揮発性メモリ9のチツ
プ選択端子、複数のアドレス入力端子Aiに供
給するための信号及び直列並列変換レジスタ11
に供給するためのクロツクパルスφ1を所定の期
間だけ出力するように構成される。
This read/write control circuit 8 is activated by the output of the key switch input detection circuit 5, and thereby outputs signals and signals to be supplied to the chip selection terminal of the semiconductor nonvolatile memory 9 and a plurality of address input terminals Ai. Serial parallel conversion register 11
It is configured to output a clock pulse φ1 for a predetermined period.

また、上記読み出し書き込み制御回路8は、上
記キースイツチ遮断検出回路6の出力によつて起
動されることによつて半導体不揮発性メモリ9の
チツプ選択端子、プログラム端子PGM、複数
のアドレス入力端子Aiに供給するための信号及
び並列直列変換レジスタ12に供給するためのク
ロツクパルスφ2を所定の期間だけ出力するよう
にも構成される。
Further, the read/write control circuit 8 is activated by the output of the key switch cutoff detection circuit 6, and supplies data to the chip selection terminal of the semiconductor nonvolatile memory 9, the program terminal PGM, and a plurality of address input terminals Ai. It is also configured to output a signal for converting and a clock pulse φ 2 for supplying to the parallel-to-serial conversion register 12 only for a predetermined period.

半導体不揮発性メモリ9は、自動車の走行距離
データを記憶させるために設けられている。この
半導体不揮発性メモリ9は、それ自体公知であ
り、例えばMNOS(Metel Nitride Oxide
Semiconductor)素子のようなデータの電気的書
き込み及び電気的消去が可能な不揮発性メモリ素
子から構成される複数のメモリセルを含んでい
る。
The semiconductor non-volatile memory 9 is provided to store mileage data of the automobile. This semiconductor nonvolatile memory 9 is known per se, for example, MNOS (Metel Nitride Oxide).
It includes a plurality of memory cells made up of non-volatile memory elements, such as semiconductor (Semiconductor) elements, in which data can be electrically written and erased.

上記メモリ9は、特に制限されないが、定電圧
回路4の出力電圧Vccを電源電圧として受けるよ
うに構成される。
The memory 9 is configured to receive the output voltage Vcc of the constant voltage circuit 4 as a power supply voltage, although this is not particularly limited.

上記メモリ9は、適当な内部構成とされる。そ
の結果として、複数のアドレス入力端子Aiに供
給されるアドレス信号によつて選択されるメモリ
セルのメモリデータは、チツプ選択端子がほ
ぼ接地電位のようなロウレベルにされることに応
じて、すなわちチツプ選択状態にさおいて、端子
VPP及びPGMがどのようなレベルにされている
かにかかわらずに、データ入出力端子I/Oに供
給されるようになる。
The memory 9 has an appropriate internal configuration. As a result, the memory data of the memory cells selected by the address signals supplied to the plurality of address input terminals Ai are changed in response to the chip selection terminal being set to a low level such as approximately the ground potential. In the selected state, the terminal
Regardless of what level VPP and PGM are set to, they will be supplied to the data input/output terminal I/O.

また、チツプ選択端子がほゞVccレベルの
ようなハイレベルにされているとき、書き込み電
圧入力端子VPPがほゞ+25ボルトのような書き
込み電圧レベルにされ、またプログラム端子
PGMがVccレベルのようなハイレベルにされる
と、データ入出力端子I/Oに供給されているデ
ータが選択のメモリセルに書き込まれるようにな
る。
Also, when the chip select terminal is set to a high level such as approximately Vcc level, the write voltage input terminal VPP is set to a write voltage level such as approximately +25 volts, and the program terminal
When PGM is set to a high level such as the Vcc level, data supplied to the data input/output terminal I/O is written into the selected memory cell.

特に制限されないが、上記半導体不揮発性メモ
リ9に記憶されるデータ単位は1ビツト構成のよ
うな比較的少ないビツト数の構成とされる。これ
に対し自動車の走行距離データは、10数ビツトな
いしはそれ以上の数のビツトをもつて構成され
る。そのため、上記走行距離データは、上記半導
体不揮発性メモリ9の複数の記憶アドレスにわた
つて記憶される。
Although not particularly limited, the data unit stored in the semiconductor nonvolatile memory 9 has a relatively small number of bits, such as a 1-bit configuration. In contrast, automobile mileage data is composed of ten or more bits or more. Therefore, the mileage data is stored across a plurality of storage addresses in the semiconductor nonvolatile memory 9.

キースイツチ2が投入されると、これに応じて
キースイツチ投入検出回路5から検出信号が出力
され、上記検出信号によつて読みだし書き込み制
御回路8が起動される。
When the key switch 2 is turned on, a detection signal is outputted from the key switch activation detection circuit 5 in response to this, and the read/write control circuit 8 is activated by the detection signal.

上記起動によつて上記制御回路8からはロウレ
ベルのチツプ選択信号が出力され、次いで上記メ
モリ9の各アドレスを走査させるための複数のア
ドレス信号が出力される。
Upon the activation, the control circuit 8 outputs a low-level chip selection signal, and then outputs a plurality of address signals for scanning each address of the memory 9.

上記複数のアドレス信号に応じて、予め上記メ
モリの複数のアドレスにわたつて記憶されせてい
た走行距離データが、直列的順次に読みだされ
る。
In response to the plurality of address signals, the mileage data previously stored at a plurality of addresses in the memory is serially read out.

上記制御回路8からは、また上記複数のアドレ
ス信号のそれぞれに同期して直列並列変換用クロ
ツクパルスφ1が出力される。
The control circuit 8 also outputs a serial-to-parallel conversion clock pulse φ 1 in synchronization with each of the plurality of address signals.

従つて、上記メモリ9から出力されたデータは
直列並列変換レジスタ10に入力され、保持され
る。
Therefore, the data output from the memory 9 is input to the serial/parallel conversion register 10 and held there.

所定の数のアドレス信号が出力された後、上記
制御回路8は、その内部回路が適宜な構成にされ
ることによつて動作停止状態にされる。
After a predetermined number of address signals have been output, the control circuit 8 is brought into a non-operational state by appropriately configuring its internal circuitry.

キースイツチ2が遮断されると、これに応じて
キースイツチ遮断検出回路6から検出信号が出力
され、上記検出信号によつて書き込み電圧発生回
路7が動作状態にされ、また上記制御回路8が再
び起動される。
When the key switch 2 is cut off, a detection signal is output from the key switch cut-off detection circuit 6 in response to this, and the write voltage generation circuit 7 is activated by the detection signal, and the control circuit 8 is activated again. Ru.

上記起動によつて、上記制御回路8から先ずセ
ツト用クロツクパルスφsが出力され、これに応
じて後述する加算回路21から出力されている現
在の走行距離データが並列直列変換レジスタ11
にセツトされる。
As a result of the activation, the control circuit 8 first outputs the setting clock pulse φs, and in response, the current mileage data output from the adder circuit 21 (described later) is transferred to the parallel-serial conversion register 11.
is set to

上記クロツクパルスφsが出力された後、上記
制御回路8から複数の並列直列変換用クロツクパ
ルスφ2が出力される。上記並列直列変換レジス
タ11からは、上記クロツクパルスφ2に同期し
て、上記セツトデータが直列的に出力される。
After the clock pulse φs is output, the control circuit 8 outputs a plurality of parallel-to-serial conversion clock pulses φ2 . The parallel-to-serial conversion register 11 serially outputs the set data in synchronization with the clock pulse φ2 .

上記制御回路8からは、この再起動状態の期間
においてハイレベルにされる制御クロツクパルス
φcが出力され、これに応じてアンド回路11′が
開かれる。従つて、上記レジスタ11の直列出力
データは、上記アンド回路11′を介して上記メ
モリ9のデータ入出力端子I/Oに供給される。
The control circuit 8 outputs a control clock pulse φc which is set to a high level during this restart state, and the AND circuit 11' is opened accordingly. Therefore, the serial output data of the register 11 is supplied to the data input/output terminal I/O of the memory 9 via the AND circuit 11'.

上記制御回路8からは、更に上記クロツクパル
スφ2に同期してハイレベルにされるプログラム
信号、及び上記メモリ9の複数のアドレスを走査
させる複数のアドレス信号が出力される。
The control circuit 8 further outputs a program signal set to high level in synchronization with the clock pulse φ 2 and a plurality of address signals for scanning a plurality of addresses in the memory 9.

この場合、上記メモリ9の書き込み電圧入力端
子VPPには、上記のように書き込み電圧発生回
路7が動作状態にされていることによつて、+25
ボルトのような書き込み電圧が供給されている。
In this case, the write voltage input terminal VPP of the memory 9 has +25
A write voltage such as volts is supplied.

従つて、上記制御回路8による制御によつて、
上記レジスタ11から出力された直列出力データ
は、順次に上記メモリ9に書き込まれることにな
る。
Therefore, under the control of the control circuit 8,
The serial output data output from the register 11 will be sequentially written into the memory 9.

12は、回転センサである。この回転センサ1
2は、特に制限されないが、その周囲に等間隔を
もつて結合された磁石MGを持つ回転軸SH及び
上記回転軸SHに接近して配置されたリードスイ
ツチLSから構成される。上記回転軸SHは、自動
車の変速機の出力軸に結合され、上記出力軸の回
転数に比例した回転数をもつて回転させられる。
上記リードスイツチLSは、上記磁石MGによつ
て駆動される。
12 is a rotation sensor. This rotation sensor 1
2 includes, but is not particularly limited to, a rotating shaft SH having magnets MG coupled at equal intervals around the rotating shaft SH, and a reed switch LS disposed close to the rotating shaft SH. The rotating shaft SH is connected to an output shaft of a transmission of an automobile, and is rotated at a rotation speed proportional to the rotation speed of the output shaft.
The reed switch LS is driven by the magnet MG.

上記リードスイツチLSは、図示のようにその
一端が回路の接地点に接続され、その他端が抵抗
R6を介して定電圧回路4の出力端子に接続され
ている。
The above reed switch LS has one end connected to the ground point of the circuit and the other end connected to a resistor as shown in the diagram.
It is connected to the output terminal of the constant voltage circuit 4 via R6 .

従つて、上記リードスイツチLSの他端には、
自動車の走行速度に比例した周期のパルス信号が
出力されることになる。
Therefore, at the other end of the reed switch LS,
A pulse signal with a period proportional to the traveling speed of the vehicle is output.

13は、上記回転センサ12から供給されるパ
ルス信号に対して、所望のレベル及び立上り立下
がり特性とされたパルス信号を出力する波形整形
回路である。この波形整形回路13は、上記リー
ドスイツチLSのチヤツタリングや信号線路に対
する種々の望ましくない電気的結合によつて上記
回転センサ12の出力パルス信号に加えられるパ
ルス雑音等の雑音を無視するような、適宜な構成
とされる。
A waveform shaping circuit 13 outputs a pulse signal having a desired level and rise/fall characteristics in response to the pulse signal supplied from the rotation sensor 12. The waveform shaping circuit 13 is designed to ignore noise such as pulse noise added to the output pulse signal of the rotation sensor 12 due to the chatter of the reed switch LS or various undesirable electrical couplings to the signal line. It is said that the structure is

14は、上記波形整形回路13から供給される
パルス信号をカウントするカウンタである。
14 is a counter that counts the pulse signals supplied from the waveform shaping circuit 13.

15は、クロツクパルスφ,φ3及びφ3′を形成
する基準パルス発生回路であり、図示しない発振
回路、分周回路及びゲート回路のような回路から
構成される。
Reference numeral 15 denotes a reference pulse generation circuit for forming clock pulses φ, φ 3 and φ 3 ', and is composed of circuits such as an oscillation circuit, a frequency dividing circuit, and a gate circuit (not shown).

上記クロツクパルスφは、前記のようにキース
イツチ遮断検出回路6に供給され、その周期は上
記検出回路6から出力させるべき信号のパルス幅
によつて決められる。
The clock pulse φ is supplied to the key switch cutoff detection circuit 6 as described above, and its period is determined by the pulse width of the signal to be outputted from the detection circuit 6.

上記クロツクパルスφ3は、上記スピードカウ
ンタ14のリセツト端子Rに供給され、その周期
は設定すべきカウント周期によつて決められる。
The clock pulse φ3 is supplied to the reset terminal R of the speed counter 14, and its cycle is determined by the count cycle to be set.

上記クロツクパルスφ3′は、次のラツチ回路1
6のセツト端子Sに供給され、上記クロツクパル
スφ3の直前に出力される。
The above clock pulse φ 3 ' is applied to the next latch circuit 1.
6, and output immediately before the clock pulse φ3 .

従つて、上記スピードカウンタ14には、各カ
ウント周期において入力パルス信号数に等しい値
のデータ、すなわち自動車の走行速度に比例した
値のデータがセツトされる。上記スピードカウン
タ14のセツトデータは、上記クロツクパルス
φ3′が出力される毎に、ラツチ回路16にセツト
される。
Therefore, the speed counter 14 is set with data having a value equal to the number of input pulse signals in each count period, that is, data having a value proportional to the traveling speed of the automobile. The set data of the speed counter 14 is set in the latch circuit 16 each time the clock pulse φ 3 ' is output.

17aは、上記ラツチ回路16から出力された
データを表示させるべき走行速度データに変換さ
れせための演算回路である。この演算回路17a
は、実質的に、固定データ発生回路及びデイジタ
ル乗算回路から構成される。上記ラツチ回路16
の出力データ及び上記固定データ発生回路の出力
固定データは、それぞれ被乗数データ、乗数デー
タとして上記デイジタル乗算回路に供給される。
17a is an arithmetic circuit for converting the data output from the latch circuit 16 into traveling speed data to be displayed. This arithmetic circuit 17a
essentially consists of a fixed data generation circuit and a digital multiplication circuit. The above latch circuit 16
The output data of and the output fixed data of the fixed data generation circuit are supplied to the digital multiplication circuit as multiplicand data and multiplier data, respectively.

上記固定データ発生回路の出力固定データは、
その値が、使用される自動車の走行系機構の特
性、上記回転センサ12の駆動軸回転数対出力パ
ルス数特性、カウント周期、及び変換データ単位
に応じて予め決定される。
The output fixed data of the above fixed data generation circuit is
The value is determined in advance according to the characteristics of the driving system mechanism of the automobile used, the drive shaft rotation speed versus output pulse number characteristics of the rotation sensor 12, the count period, and the conversion data unit.

その結果、上記演算回路17aからは、Km/h
もしくは哩/hのような単位に変換された走行速
度データが出力される。
As a result, the arithmetic circuit 17a outputs Km/h.
Alternatively, traveling speed data converted into a unit such as km/h is output.

18aは、上記演算回路17aから出力された
速度データ信号をデコードすることによつて、表
示器19aの各表示セグメントを駆動するための
信号を形成する表示デコーダである。
A display decoder 18a forms signals for driving each display segment of the display 19a by decoding the speed data signal output from the arithmetic circuit 17a.

表示器19aは、特に制限されないが、第2図
に示されたような棒状に配置された複数の表示セ
グメントS1ないしSnと共通電極BPを持つ液晶表
示器から構成される。
Although not particularly limited, the display 19a is composed of a liquid crystal display having a plurality of bar-shaped display segments S1 to Sn and a common electrode BP as shown in FIG.

これに応じて上記表示デコーダ18aは、上記
表示セグメントS1ないしSnによつて走行速度デ
ータを棒グラフ状にさせるような信号変換特性に
される。
In response to this, the display decoder 18a is configured to have a signal conversion characteristic such that the display segments S1 to Sn make the travel speed data in the form of a bar graph.

20は、波形整形回路13から出力されるパル
ス信号をカウントするオドメータカウンタであ
る。
20 is an odometer counter that counts the pulse signal output from the waveform shaping circuit 13.

上記カウンタ20は、そのリセツト端子Rがキ
ースイツチ投入検出回路5の出力端子に接続され
ていることによつてキースイツチ2の投入時にリ
セツト状態にされる。上記カウンタ20は、キー
スイツチ2の投入中はリセツト状態にされない。
The counter 20 is brought into a reset state when the key switch 2 is turned on because its reset terminal R is connected to the output terminal of the key switch turn-on detection circuit 5. The counter 20 is not reset while the key switch 2 is turned on.

従つて、上記カウンタ20内のカウント数は、
キースイツチ2が投入されている期間における自
動車の走行距離と対応することになる。
Therefore, the count number in the counter 20 is:
This corresponds to the distance traveled by the car during the period when the key switch 2 is turned on.

上記カウンタ20の出力データと前記直列並列
変換レジスタ10の出力データ、すなわちキース
イツチ2が投入される前の自動車の走行距離デー
タは、加算回路21によつて加算される。従つ
て、上記加算回路21からは、自動車の全走行距
離データが出力される。
The output data of the counter 20 and the output data of the serial/parallel conversion register 10, that is, the mileage data of the automobile before the key switch 2 is turned on, are added by an adding circuit 21. Therefore, the adding circuit 21 outputs the total mileage data of the automobile.

25は、必要に応じて設けられた表示選択回路
であり、22及び23は、それによつてゲート制
御されるANDゲート回路である。上記表示選択
回路25は、自動車のインストルメントパネルに
設けられるようなスイツチ26によつて制御され
る。
25 is a display selection circuit provided as necessary, and 22 and 23 are AND gate circuits whose gates are controlled by the display selection circuit. The display selection circuit 25 is controlled by a switch 26 such as the one provided on the instrument panel of an automobile.

上記ANDゲート回路22と23は、上記スイ
ツチ26のスイツチ状態によつてその一方が開ら
かれる。
One of the AND gate circuits 22 and 23 is opened depending on the state of the switch 26.

その結果、上記オドメータカウンタ20から出
力されるキースイツチ投入中における走行距離デ
ータ又は上記加算回路21から出力される全走行
距離データのいずれか一方が上記ゲート22又は
23を介してOR回路24に供給されることにな
る。
As a result, either the mileage data while the key switch is turned on outputted from the odometer counter 20 or the total mileage data outputted from the addition circuit 21 is supplied to the OR circuit 24 via the gate 22 or 23. That will happen.

17bは、演算回路であり、前記演算回路17
aと類似の構成とされる。すなわち、実質的に固
定データ発生回路とデイジタル乗算回路とから構
成される。上記固定データ発生回路の出力固定デ
ータが、前記と同様に走行系機構の特性及び駆動
軸回転数対出力パルス数特性に応じて適当に設定
されることによつて、上記演算回路17bからは
Km又は哩のような単位に変換された走行距離デー
タが出力される。
17b is an arithmetic circuit, and the arithmetic circuit 17
It has a similar configuration to a. That is, it is substantially composed of a fixed data generation circuit and a digital multiplication circuit. By appropriately setting the output fixed data of the fixed data generation circuit in accordance with the characteristics of the traveling system mechanism and the characteristics of the drive shaft rotation speed versus the number of output pulses in the same manner as described above, the output fixed data from the arithmetic circuit 17b is
Mileage data converted to units such as Km or Km is output.

18bは、表示デコーダであり、19bは表示
器である。
18b is a display decoder, and 19b is a display.

上記表示器19bは、例えば第3図に示された
ような複数桁の数字を表示させるための表示セグ
メント、少数点表示セグメントSdb及び共通電極
BPを持つ液晶表示器によつて構成される。
The display 19b includes a display segment for displaying a multi-digit number as shown in FIG. 3, a decimal point display segment Sdb, and a common electrode.
Consists of a liquid crystal display with BP.

これに応じて、上記表示デコーダ18bは、複
数桁の数字パターンによつて走行距離データを表
示させるような信号変換特性にされる。
In response to this, the display decoder 18b is configured to have signal conversion characteristics that display the mileage data using a multi-digit number pattern.

上記実施例に従うと、従来の速度データ表示装
置及び走行距離データ記憶表示装置のほとんどの
部分を電子回路化することができる。表示パネル
の裏面には、従来の機械的カウンタのような比較
的大型の装置を配置する必要が無くなり、その結
果として表示パネル部分を比較的小型にすること
ができるようになる。
According to the above embodiment, most parts of the conventional speed data display device and mileage data storage display device can be implemented as electronic circuits. There is no need to arrange a relatively large device such as a conventional mechanical counter on the back side of the display panel, and as a result, the display panel portion can be made relatively compact.

1つの表示器によつて異なる種類のデータを表
示させることができるようになり、その結果とし
て表示部分が比較的小型にされるにかかわらずに
より多くのデータを表示させることができるよう
になる。
Different types of data can be displayed on one display, and as a result, more data can be displayed even though the display area is made relatively small.

電源起動回路3を図示のような構成とし、しか
も上記電源起動回路3を介して図示の他の回路に
給電するようにすることによつて、キースイツ
チ?がオフ状態にされているときにおけるバツテ
リ1の無駄な消耗は無視できるようになる。
By configuring the power supply starting circuit 3 as shown in the figure and supplying power to other circuits shown in the figure through the power supply starting circuit 3, it is possible to turn off the key switch. The unnecessary consumption of the battery 1 when the battery 1 is turned off becomes negligible.

上記実施例は、種々に変形もしくは改良するこ
とが可能である。
The above embodiments can be modified or improved in various ways.

例えば、走行速度データのように自動車の走行
中もしくは運転中において常時表示させることが
望ましいデータに対し、走行距離データのような
データは、必ずしも常時表示させなくても良い。
For example, while data such as travel speed data is preferably displayed at all times while the vehicle is running or being driven, data such as travel distance data does not necessarily need to be displayed at all times.

従つて、例えば適当なスイツチを設けることに
よつて表示デコーダ18bに表示プランキング指
示信号を供給することができるようにして良い。
Therefore, a display blanking instruction signal may be supplied to the display decoder 18b, for example by providing a suitable switch.

図示のキースイツチ投入検出回路5は一例であ
る。上記検出回路5は、キースイツチ遮断検出回
路6と同様にフリツプフロツプ回路とゲート回路
から構成されて良い。この場合、読み出し書き込
み制御回路8、カウンタ20等によつて充分なレ
ベルの電源電圧が定電圧回路4から出力された後
に回路5から検出信号が出力されることになる。
その結果上記カウンタ20のリセツト及び上記読
み出し書き込み制御回路8の起動をより確実に行
わせることができるようになる。
The illustrated key switch input detection circuit 5 is an example. The detection circuit 5, like the key switch cutoff detection circuit 6, may be composed of a flip-flop circuit and a gate circuit. In this case, the detection signal is output from the circuit 5 after a sufficient level of power supply voltage is output from the constant voltage circuit 4 by the read/write control circuit 8, counter 20, etc.
As a result, the counter 20 can be reset and the read/write control circuit 8 can be activated more reliably.

キースイツチ投入時に半導体不揮発性メモリ9
から出力されるデータは、直接又は直並列変換レ
ジスタ10を介してオドメータカウンタ20にセ
ツトされるようにされても良い。この場合は、以
前の走行距離データと新らたな走行距離データが
上記カウンタ20によつて積算されることにな
る。従つて、加算回路21、ゲート回路22ない
し24、表示選択回路25を設けなくても良いこ
とになり、回路構成を単純にすることができる。
Semiconductor non-volatile memory 9 when the key switch is turned on
The data output from the odometer counter 20 may be set directly or via the serial/parallel conversion register 10. In this case, the counter 20 adds up the previous mileage data and the new mileage data. Therefore, it is not necessary to provide the adder circuit 21, the gate circuits 22 to 24, and the display selection circuit 25, and the circuit configuration can be simplified.

演算回路17aと17bにおける前記のような
固定データ発生回路は、例えばそれを適当なスイ
ツチもしくは適当な不揮発性メモリを使用してプ
ログラム可能にすることができる。
The fixed data generation circuits as described above in the arithmetic circuits 17a and 17b can, for example, be made programmable using suitable switches or suitable non-volatile memories.

この場合、第1図の回路装置は、固定データを
任意に設定することができることによつて、それ
を種々の特性の自動車に適用することができるよ
うになる。また自動車のタイヤ径の変動などによ
つて走行距離対出力パルス数に変動が生ずるよう
であつても、上記固定データを適当に修正するこ
とができることによつて、より正確な走行距離デ
ータを表示させることができるようになる。
In this case, the circuit device shown in FIG. 1 can be applied to automobiles with various characteristics because the fixed data can be arbitrarily set. Furthermore, even if the distance traveled versus the number of output pulses varies due to changes in the diameter of the car's tires, more accurate mileage data can be displayed by appropriately modifying the above fixed data. You will be able to do so.

図示の装置は、必要に応じて従来の機械的走行
距離表示装置と並用されて良い。この場合、図示
の表示器19bをインストラクシヨンパネルに配
置することによつて上記機械式走行距離表示装置
は、自動車の任意の場所に設置することが可能と
なる。その結果、このようにしても、図示の装置
を使用することによる種々の効果は実質的に損な
われない。
The illustrated device may be used in conjunction with conventional mechanical odometer display devices, if desired. In this case, by arranging the illustrated display 19b on the instruction panel, the mechanical mileage display device can be installed at any location in the automobile. As a result, even in this manner, the various advantages of using the illustrated apparatus are not substantially impaired.

第4図には、演算回路17aと17bにおける
固定データ発生回路が一体的に構成される例が示
されている。同図において、演算回路17aは、
乗算回路17a1と固定データ発生回路17a2とか
ら構成され、演算回路17bは乗算回路17a1
固定データ発生回路17a2とから構成されてい
る、固定データ発生回路17a2は、図示のよう
に、抵抗R7ないしR8及びスイツチK1ないしK2
ら構成されている。上記乗算回路17a1に供給さ
れる固定データは、上記スイツチK1ないしK2
それぞれのスイツチ状態の組合せによつて決定さ
れる。
FIG. 4 shows an example in which the fixed data generation circuits in the arithmetic circuits 17a and 17b are integrated. In the figure, the arithmetic circuit 17a is
The fixed data generation circuit 17a 2 is composed of a multiplication circuit 17a 1 and a fixed data generation circuit 17a 2 , and the arithmetic circuit 17b is composed of a multiplication circuit 17a 1 and a fixed data generation circuit 17a 2 . , resistors R 7 to R 8 and switches K 1 to K 2 . The fixed data supplied to the multiplication circuit 17a1 is determined by the combination of the switch states of the switches K1 to K2 .

上記乗算回路17a1に供給すべき固定データと
乗算回路17b2に供給すべき固定データとは、上
記乗算回路17a1によつて得るべきデータの単
位、上記乗算回路17b1にりよつて得るべきデー
タの単位、及びスピードカウンタ14のカウント
周期が固定されていれば、1対1に対応させるこ
とが可能である。
The fixed data to be supplied to the multiplication circuit 17a 1 and the fixed data to be supplied to the multiplication circuit 17b 2 are the unit of data to be obtained by the multiplication circuit 17a 1 and the data to be obtained by the multiplication circuit 17b 1 . If the unit of and the count period of the speed counter 14 are fixed, a one-to-one correspondence is possible.

従つて、第4図において、固定データ発生回路
17b2は、実質的に上記固定データ発生回路17
b2の出力が供給されるデコータのようなデーダ変
換回路をもつて構成される。
Therefore, in FIG. 4, the fixed data generating circuit 17b2 is substantially the same as the fixed data generating circuit 17.
It consists of a data conversion circuit such as a decoder to which the output of b2 is supplied.

第4図の構成に従うと、乗算回路回路17a1
17b2に対し共通の固定データをセツトすれば良
く、そのため、回路操作が簡単になるようにする
ことができる。
According to the configuration shown in FIG. 4, it is sufficient to set common fixed data for the multiplier circuits 17a 1 and 17b 2 , and therefore the circuit operation can be simplified.

第5図は、走行速度用表示器19aと走行距離
用表示器19bとが、共通の表示デコーダ18に
よつて駆動される例を示している。同図におい
て、表示デコーダ27には、表示制御回路28に
よつて制御される選択回路27を介して演算回路
17a又は17bの出力データが時分割的に供給
される。表示器19aと19bは、上記表示制御
回路28によつて時分割に動作させられる。
FIG. 5 shows an example in which the travel speed display 19a and the travel distance display 19b are driven by a common display decoder 18. In the figure, output data from the arithmetic circuit 17a or 17b is supplied to a display decoder 27 in a time-sharing manner via a selection circuit 27 controlled by a display control circuit 28. The display devices 19a and 19b are operated in a time-sharing manner by the display control circuit 28.

その結果、演算回路17aの出力データが表示
器19aに表示され、また演算回路17bの出力
データが表示器19bに表示される。
As a result, the output data of the arithmetic circuit 17a is displayed on the display 19a, and the output data of the arithmetic circuit 17b is displayed on the display 19b.

第6図は、この発明の他の実施例の回路を示し
ている。
FIG. 6 shows a circuit of another embodiment of the invention.

同図において、30は、マイクロコンピユータ
であり、特に制限されないがアナログマルチプレ
クサ(MPX)31、アナログ・デイジタル変換
回路(ADC)32、レジスタ(REG)33、演
算論理ユニツト(ALU)35、制御回路36、
基準パルス発生回路37、リードオンリメモリ
(ROM)38、ランダムアクセスメモリ
(RAM)39、データバツフア40、及びアド
レスバツフア41から構成されている。
In the figure, 30 is a microcomputer, which includes, but is not limited to, an analog multiplexer (MPX) 31, an analog-to-digital conversion circuit (ADC) 32, a register (REG) 33, an arithmetic logic unit (ALU) 35, and a control circuit 36. ,
It is composed of a reference pulse generation circuit 37, a read only memory (ROM) 38, a random access memory (RAM) 39, a data buffer 40, and an address buffer 41.

上記ROM38には、種々のプログラムを構成
する種々の命令、及び種々の固定データが書き込
まれている。
Various instructions constituting various programs and various fixed data are written in the ROM 38.

上記ROM38の各記憶アドレスは、アドレス
パスIABを介して上記制御回路36から供給され
るアドレス信号によつて指示される。上記ROM
38の出力情報は、データバスIDBを介して上記
制御回路36、ALU35等の種々の回路に供給
される。
Each storage address of the ROM 38 is designated by an address signal supplied from the control circuit 36 via the address path IAB. Above ROM
The output information of 38 is supplied to various circuits such as the control circuit 36 and ALU 35 via the data bus IDB.

上記制御回路36は、図示しないプログラムカ
ウンタ、スタツクポインタ、ワーキングレジス
タ、命令デコーダ、及び制御パルス発生回路のよ
うな公知の回路をもつて構成される。
The control circuit 36 includes known circuits such as a program counter, stack pointer, working register, instruction decoder, and control pulse generation circuit (not shown).

上記制御回路36は、上記ROM38から出力
される命令に基づいて、各種回路に供給するため
の制御信号を出力する。
The control circuit 36 outputs control signals to be supplied to various circuits based on instructions output from the ROM 38.

S1ないしS2はアナログセンサー回路である。 S1 and S2 are analog sensor circuits.

上記センサー回路S1は、例えばエンジン冷却水
温検出用の図示しないサーミスタ、上記サーミス
タに対する適当なバイアス回路及び演算増幅回路
等から構成される。
The sensor circuit S1 includes, for example, a thermistor (not shown) for detecting engine cooling water temperature, an appropriate bias circuit for the thermistor, an operational amplifier circuit, and the like.

上記センサー回路S2は、同様に、例えばそれ自
体の熱放散係数が燃料タンク内の残存燃料によつ
て変化させられるサーミスタ、上記サーミスタを
自己発熱させるバイアス回路及び演算増幅回路等
から構成される。
The sensor circuit S2 is similarly composed of, for example, a thermistor whose heat dissipation coefficient is changed by the residual fuel in the fuel tank, a bias circuit that causes the thermistor to self-heat, an operational amplifier circuit, and the like.

その結果として上記センサー回路S1及びS2から
は、エンジン冷却水温度、燃料残存量に比例した
アナログ電圧が出力される。
As a result, the sensor circuits S 1 and S 2 output an analog voltage proportional to the engine coolant temperature and the remaining amount of fuel.

S1ないしS4は、デイジタルセンサー回路であ
る。
S1 to S4 are digital sensor circuits.

上記センサー回路S3は、例えばエンジンクラン
クセンサーをもつて構成される。このセンサー回
路S3からは、エンジンクランク角が0°のような特
定の角度にされたときに対応してパルス信号が出
力される。
The sensor circuit S3 is configured with, for example, an engine crank sensor. This sensor circuit S3 outputs a pulse signal in response to when the engine crank angle is set to a specific angle such as 0°.

上記センサー回路S4は、前記第1図のような回
転センサー12と波形整形回路13とをもつて構
成される。
The sensor circuit S4 is comprised of a rotation sensor 12 and a waveform shaping circuit 13 as shown in FIG.

この実施例において、上記アナログセンサー回
路S1ないしS2、デイジタルセンサー回路S3ないし
S4及びキースイツチ2から出力される信号は、
ROM38内に記憶された入力プログラムの実行
によつて時分割的にRAM39のそれぞれ対応す
る記憶アドレス内に書き込まれる。
In this embodiment, the analog sensor circuits S 1 to S 2 and the digital sensor circuits S 3 to
The signals output from S4 and key switch 2 are:
By executing the input program stored in the ROM 38, the data is written into corresponding storage addresses in the RAM 39 in a time-division manner.

例えば、センサー回路S1の出力信号は、次のよ
うにしてRAM39の対応する記憶アドレス内に
書き込まれる。
For example, the output signal of the sensor circuit S 1 is written into the corresponding storage address of the RAM 39 as follows.

すなわち、先ず、アナログマルチプレクサ31
が制御され、その結果として上記センサー回路S1
の出力信号がアナログデイジタル変換回路
(ADC)32に供給される。上記出力信号は上記
ADC32によつてデイジタル信号に変換され、
レジスタ33にセツトされる。
That is, first, the analog multiplexer 31
is controlled and as a result the above sensor circuit S 1
The output signal is supplied to an analog-to-digital conversion circuit (ADC) 32. The above output signal is the above
converted into a digital signal by ADC32,
It is set in register 33.

次に、上記レジスタ33が制御されることによ
つて上記デイジタル信号がデータバスIDBに供給
される。
Next, by controlling the register 33, the digital signal is supplied to the data bus IDB.

次に、アドレスバスIABを介して上記RAM3
9に所定のアドレス信号と書き込み制御信号が供
給される。その結果、上記データバスIDBの上記
デイジタル信号が、RAM39の所定のアドレス
内に書き込まれる。
Next, the above RAM3 is connected via the address bus IAB.
9 is supplied with a predetermined address signal and a write control signal. As a result, the digital signal on the data bus IDB is written into a predetermined address of the RAM 39.

同様に、アナログマルチプレクサ31、レジス
タ33、RAM39が制御されることによつてセ
ンサー回路S2から出力されたアナログ信号がデイ
ジタルデータに変換された上でRAM39の対応
するアドレス内に書き込まれる。
Similarly, by controlling the analog multiplexer 31, the register 33, and the RAM 39, the analog signal output from the sensor circuit S2 is converted into digital data and written into the corresponding address of the RAM 39.

デイジタル信号入力用レジスタ34の各ビツト
(図示しない)は、それぞれ対応するデイジタル
センサー回路S3ないしS4及びキースイツチ2から
出力されるパルス信号によつてセツトされる。
Each bit (not shown) of the digital signal input register 34 is set by a pulse signal output from the corresponding digital sensor circuits S3 to S4 and key switch 2, respectively.

上記レジスタ34のデータは、同様に、データ
バスIDBを介してRAM39の対応するアドレス
内に書き込まれる。
The data in the register 34 is similarly written into the corresponding address of the RAM 39 via the data bus IDB.

上記RAM39内に書き込まれた上記入力デー
タは、ROM38内に書き込まれた種々のプログ
ラムの実行において利用される。種々のプログラ
ムの実行によつて形成された種々のデータは、必
要に応じてRAM39内に再び書き込まれる。
The input data written in the RAM 39 is used in executing various programs written in the ROM 38. Various data formed by executing various programs are rewritten into the RAM 39 as necessary.

センサー回路S1ないしS2から入力されたデータ
を処理するために、データ単位変更プログラムが
実行される。
A data unit change program is executed to process the data input from the sensor circuits S 1 to S 2 .

特に制限されないが、デイジタル化されたアナ
ログデータを変更させるためのプログラムは、補
間法を実行させるような構成とされる。これに応
じて、ROM38内には、例えばセンサー回路S1
の温度−電圧変換特性に基づいて決められたサン
プリングデータが、予め準備される。
Although not particularly limited, a program for changing digitized analog data is configured to execute an interpolation method. Accordingly, the ROM 38 includes, for example, a sensor circuit S 1
Sampling data determined based on the temperature-voltage conversion characteristics of is prepared in advance.

ALU35を利用するデータ単位変更プログラ
ムの実行によつて、入力の電圧単位のエンジン冷
却水温度データに最も近いサンプリングデータが
参照され、次いで参照されたサンプリングデータ
が、上記入力のエンジン冷却水温度データによつ
て補間される。その結果、入力のエンジン冷却水
温度データに対応したセ氏単位のような単位のエ
ンジン冷却水温度データが形成され、RAM39
内に書き込まれる。
By executing the data unit change program using the ALU 35, the sampling data closest to the input engine coolant temperature data in voltage units is referenced, and the referenced sampling data is then changed to the input engine coolant temperature data. interpolated accordingly. As a result, engine coolant temperature data in units such as degrees Celsius corresponding to the input engine coolant temperature data is formed, and the RAM 39
written inside.

同様に、入力の燃料残存量データに基づいて、
パーセント単位の燃料残存量データが形成され
る。
Similarly, based on the input fuel remaining data,
Percentage fuel remaining data is formed.

ROM38内に必要に応じて準備された表示デ
コードプログラムが実行される。その結果、上記
のように変換されたエンジン冷却水温度データに
基づいて、後述する表示器の表示セグメントを駆
動させるためのセグメントデータが形成され、
RAM39内に書き込まれる。燃料残存量データ
に基づいて、同様なセグメントデータが形成され
る。
A display decoding program prepared in the ROM 38 as required is executed. As a result, based on the engine coolant temperature data converted as described above, segment data for driving the display segments of the display device, which will be described later, is formed.
Written into RAM39. Similar segment data is formed based on the remaining fuel amount data.

警報プログラムによつてエンジン冷却水温度の
異常が検査される。これによつて過熱状態が検出
されたなら、RAM39内の所定のアドレスの所
定のビツトに過熱表示用データがセツトされる。
同様に、過熱残存量が所定の値以下に低下させら
れたなら、燃料警告用データがセツトされる。
The alarm program checks for engine coolant temperature abnormalities. If an overheating condition is detected in this manner, overheating display data is set in a predetermined bit at a predetermined address in the RAM 39.
Similarly, if the residual amount of superheat is reduced below a predetermined value, fuel warning data is set.

センサー回路S3から出力されるクランク角パル
スは、エンジン回転数データとみなされる。
The crank angle pulse output from the sensor circuit S3 is regarded as engine rotation speed data.

センサー回路S4から出力されるパルスは、前記
の実施例と同様に、走行速度及び走行距離データ
とみなされる。
The pulses output from the sensor circuit S4 are considered as travel speed and travel distance data, as in the previous embodiment.

これらのセンサー回路から出力されるパルス信
号は、パルスカウント用プログラムによつてカウ
ントされ、RAM39の対応するアドレス内に書
き込まれる。
Pulse signals output from these sensor circuits are counted by a pulse counting program and written into corresponding addresses in the RAM 39.

例えば、カウント用プログラムによつて、
RAM39の所定のアドレスにおける上記センサ
ー回路S3と対応させられたビツトが検査され、も
しそのビツトが0から1のように変化させられて
いたなら、上記RAM39のカウンタとして用い
るべきアドレスすなわちカウンタ用アドレスに1
が加えられる。基準パルス発生回路37からクロ
ツクパルスが供給されることによつて、上記カウ
ンタ用アドレス内のデータが、RAM39のエン
ジン回転数記録アドレスとすべきアドレス内に書
き込まれ、次いで上記カウンタ用アドレス内のデ
ータがクリアされる。従つて、上記エンジン回転
数記憶アドレスには、上記クロツクパルスの1周
期に発生されたクランク角パルスの数に等しいデ
ータがセツトされることになる。
For example, by a counting program,
The bit associated with the sensor circuit S3 at a predetermined address in the RAM 39 is checked, and if the bit has been changed from 0 to 1, the address to be used as the counter in the RAM 39, that is, the counter address to 1
is added. By supplying a clock pulse from the reference pulse generation circuit 37, the data in the counter address is written into the address of the RAM 39 that should be the engine rotation speed recording address, and then the data in the counter address is written into the address that should be the engine rotation speed recording address. cleared. Therefore, data equal to the number of crank angle pulses generated in one period of the clock pulse is set in the engine rotational speed storage address.

同様に、RAM39の上記センサー回路S4に対
応させられたビツトが検査されることによつて、
走行速度データが形成され、RAM39内に書き
込まれる。また、上記走行速度データが予め
RAM39内に設定されたトリツプ走行距離記憶
用アドレス内のデータ、全走行距離記憶用アドレ
ス内のデータにそれぞれ加算されることによつ
て、トリツプ走行距離データ、全走行距離データ
が形成される。
Similarly, by checking the bit corresponding to the sensor circuit S4 of the RAM 39,
Traveling speed data is formed and written into RAM 39. In addition, the above traveling speed data may be
By adding the data in the trip mileage storage address and the data in the total mileage storage address set in the RAM 39, respectively, trip mileage data and total mileage data are formed.

上記エンジン回転数記憶アドレスにおけるデー
タ、上記走行速度データ、トリツプ走行距離デー
タ、全走行距離データは、前記の変換プログラム
によつて、それぞれrpm単位、Km/h単位、Km単
位、Km単位のデータに変換される。
The data at the engine speed storage address, the traveling speed data, the trip traveling distance data, and the total traveling distance data are converted into data in rpm units, Km/h units, Km units, and Km units, respectively, by the conversion program. converted.

上記変換データは、それぞれ表示セグメントデ
ータに変換される。
The above conversion data are each converted into display segment data.

第6図において、マイクロコンピユータ30に
は、次のような周辺装置が結合される。
In FIG. 6, the following peripheral devices are coupled to the microcomputer 30.

42は、アドレスバスEABを介してアドレス
バツフア41からの出力を受けるデコーダ回路で
ある。
A decoder circuit 42 receives the output from the address buffer 41 via the address bus EAB.

43は、上記デコーダ回路42からの出力信号
をセツト指示信号として受け、データバスEDB
を介してデータバツフア40からのデータ信号を
受けるラツチ回路である。
43 receives the output signal from the decoder circuit 42 as a set instruction signal, and connects the data bus EDB.
This is a latch circuit that receives a data signal from the data buffer 40 via the latch circuit.

3は、キースイツチ2及び上記ラツチ回路43
から出力される信号を受ける電源起動回路であ
る。この電源起動回路は、例えば前記第1図の実
施例からフリツプフロツプ回路RSF及び遅延回
路DLYを除去したと等しいような構成にされる。
3 is the key switch 2 and the latch circuit 43;
This is a power supply startup circuit that receives signals output from the This power supply start-up circuit has a configuration equivalent to that of the embodiment shown in FIG. 1, for example, by removing the flip-flop circuit RSF and the delay circuit DLY.

4は、上記電源起動回路3を介してバツテリ電
圧を受け、図示の各回路に電源電圧を供給するた
めの定電圧回路である。
Reference numeral 4 denotes a constant voltage circuit for receiving battery voltage through the power supply starting circuit 3 and supplying power supply voltage to each circuit shown in the figure.

44は、上記ラツチ回路43の出力を受ける駆
動回路であり、45aないし45bは、発光ダイ
オード等から構成される発光素子である。
44 is a drive circuit that receives the output of the latch circuit 43, and 45a and 45b are light emitting elements composed of light emitting diodes and the like.

7は、上記ラツチ回路43の出力を受ける書き
込み電圧発生回路である。
Reference numeral 7 denotes a write voltage generating circuit which receives the output of the latch circuit 43.

9は、上記書き込み電圧発生回路7の出力をそ
の書き込み電圧入力端子VPPに受け、アドレス
バスEABから供給される各種の信号をそのアド
レス入力端子Ai、チツプ選択端子、プログラ
ム端子PGMに受ける半導体不揮発性メモリであ
る。上記半導体不揮発性メモリ9は、図示のよう
にそのデータ入出力端子I/Oがデータバス
EDBに結合されている。
Reference numeral 9 denotes a semiconductor nonvolatile device that receives the output of the write voltage generation circuit 7 at its write voltage input terminal VPP, and receives various signals supplied from the address bus EAB at its address input terminal Ai, chip selection terminal, and program terminal PGM. It's memory. As shown in the figure, the semiconductor non-volatile memory 9 has a data input/output terminal I/O connected to a data bus.
Combined with EDB.

46は、アドレスバスEABを介して信号を受
けるデコーダ回路である。
46 is a decoder circuit that receives signals via the address bus EAB.

47aないし47iは、それぞれ上記デコーダ
回路46から出力される信号をセツト指示信号と
して受け、データバスEDBを介して供給される
信号を入力データ信号として受けるラツチ回路で
ある。
Latch circuits 47a to 47i each receive a signal output from the decoder circuit 46 as a set instruction signal and a signal supplied via the data bus EDB as an input data signal.

48aないし48iは、それぞれ上記ラツチ回
路の出力信号を受ける駆動回路である。
48a to 48i are drive circuits each receiving an output signal from the latch circuit.

19aないし19iは、それぞれ上記駆動回路
48aないし48iの出力信号によつて駆動され
る液晶表示器である。
19a to 19i are liquid crystal displays driven by the output signals of the drive circuits 48a to 48i, respectively.

上記第6図の実施例においては、キースイツチ
2が投入されることによつて、電源起動回路3が
起動され、定電圧回路4から電源電圧が出力され
るようになる。その結果、マイクロコンピユータ
30を含む図示の各回路が動作可能状態になる。
In the embodiment shown in FIG. 6, when the key switch 2 is turned on, the power supply starting circuit 3 is started, and the constant voltage circuit 4 outputs the power supply voltage. As a result, each of the illustrated circuits including the microcomputer 30 becomes operational.

上記キースイツチ2の投入状態は、マイクロコ
ンピユータ30の電源制御プログラムによつて検
出される。
The on state of the key switch 2 is detected by the power control program of the microcomputer 30.

上記制御プログラムによつて、電源起動回路3
に結合された線l1を例えばロウレベルにさせるよ
うなデータがラツチ回路43にセツトされる。
By the above control program, the power supply starting circuit 3
Data is set in the latch circuit 43 such that the line l1 coupled to the latch becomes, for example, a low level.

上記電源制御プログラムによるキースイツチ投
入の検出によつて、マイクロコンピユータ30に
おける初期状態セツトプログラムが起動される。
When the power supply control program detects that the key switch is turned on, an initial state setting program in the microcomputer 30 is activated.

その結果、半導体不揮発性メモリ9に記憶され
ていた自動車の全走行距離データが、データバス
EDB、データバツフア40及びデータバスIDB
を介してRAM39の所定のアドレス内に書き込
まれる。また、RAM36の他の所定のアドレス
に、0のような初期データが書き込まれる。
As a result, the total mileage data of the car stored in the semiconductor non-volatile memory 9 is transferred to the data bus.
EDB, data buffer 40 and data bus IDB
is written into a predetermined address of the RAM 39 via the . Further, initial data such as 0 is written to another predetermined address of the RAM 36.

上記初期状態セツトプログラムが実行された
後、前記のような各種のプログラムが実行され、
また、前記セグメントデータ及び表示データ等を
ラツチ回路43および47aないし47bに書き
込ませるためのプログラムが実行される。
After the above initial state set program is executed, various programs as mentioned above are executed,
Also, a program for writing the segment data, display data, etc. into the latch circuits 43 and 47a and 47b is executed.

その結果、表示器19aないし19iによつて
自動車の走行速度、トリツプ走行距離又は全走行
距離、エンジン冷却水温度、エンジン回転数など
が、棒グラフ状パターンのようなアナログパター
ンもしくはアラビア数字状パターンのようなデイ
ジタルパターンとして表示される。
As a result, the display devices 19a to 19i display information such as the vehicle's traveling speed, trip distance or total travel distance, engine coolant temperature, engine speed, etc. in an analog pattern such as a bar graph pattern or an Arabic numeral pattern. displayed as a digital pattern.

エンジンの異常過熱状態、燃料切れ等は、線l2
ないしl3を例えばハイレベルにさせるデータがラ
ツチ回路43にセツトされることによつて、発光
素子45aないし45bによつて表示される。
If the engine is abnormally overheated or out of fuel, line l 2
By setting data that makes the signals 1 through 13 at a high level, for example, in the latch circuit 43, an image is displayed by the light emitting elements 45a through 45b.

キースイツチ2が遮断された場合、その遮断状
態は、前記電源制御プログラムによつて検出され
る。これによつて、データ書き込みプログラムが
起動される。上記プログラムによつて、線l4をハ
イレベルにさせるようなデータがレジスタ43に
セツトされ、書き込み電圧発生回路7から+25ボ
ルトような書き込み電圧が出力される。
When the key switch 2 is cut off, the cut-off state is detected by the power supply control program. This starts the data writing program. By the above program, data that causes the line l4 to be at a high level is set in the register 43, and a write voltage of +25 volts is output from the write voltage generating circuit 7.

RAM39の所定のアドレスから全走行距離デ
ータが読み出され、データバスID、データバツ
フア40及びデータバスEDBを介して半導体不
揮発性メモリ9のデータ入出力端子I/Oに供給
される。
The total mileage data is read from a predetermined address in the RAM 39 and supplied to the data input/output terminal I/O of the semiconductor nonvolatile memory 9 via the data bus ID, data buffer 40, and data bus EDB.

制御回路36から、アドレスバスIAB、アドレ
スバツフア41及びアドレスバスEABを介して
上記半導体不揮発性メモリ9に、所定のアドレス
信号、チツプ選択信号及びプログラム信号が供給
される。
A predetermined address signal, a chip selection signal, and a program signal are supplied from the control circuit 36 to the semiconductor nonvolatile memory 9 via the address bus IAB, address buffer 41, and address bus EAB.

その結果、上記半導体不揮発性メモリ9には、
更新された全走行距離データが書き込まれる。
As a result, the semiconductor nonvolatile memory 9 has:
The updated total mileage data will be written.

上記データ書き込みプログラムの実行が終了さ
れた後、電源制御プログラムによつて、線l1をハ
イレベルにさせるようなデータがラツチ回路43
にセツトされる。
After the execution of the data writing program is completed, the power supply control program causes the latch circuit 43 to receive data that causes the line l1 to go high.
is set to

その結果、電源起動回路3によつて図示の各回
路への電源供給が停止される。
As a result, the power supply starting circuit 3 stops supplying power to each of the illustrated circuits.

なお、第6図において、K3は、自動車のイン
ストラクシヨンパネルに配置されるようなスイツ
チとされる。上記スイツチK3は、表示データの
選択指示のため等に用いることができる。
Note that in FIG. 6, K3 is a switch that is placed on an instruction panel of an automobile. The switch K3 can be used to instruct selection of display data.

上記第6図によれば、自動車状態監視装置のほ
とんどを電子回路化することができる。
According to FIG. 6 above, most of the vehicle condition monitoring device can be implemented as an electronic circuit.

上記第6図の実施例は、その構成もしくは動作
を変形もしくは改良することが可能である。
The configuration or operation of the embodiment shown in FIG. 6 can be modified or improved.

例えば、センサー回路S1ないしS4から出力され
るデータを前記のように変換させる際に使用され
る参照データは、ROM38に予め書き込んでお
くかわりに、スイツチK3と類似のスイツチを利
用して半導体不揮発性メモリ9に書き込ませるよ
うにしても良い。この場合は、参照データを容易
に変換することができることによつて、種々の異
なつた構成のセンサー回路を用いることができる
ことになる。そのため、第6図の回路装置を種々
の構成の自動車に共通に使用することができるよ
うになる。また、前記と同様に、より正確なデー
タを出力させるような修正が可能となる。
For example, the reference data used when converting the data output from the sensor circuits S 1 to S 4 as described above is written using a switch similar to switch K 3 instead of being written in the ROM 38 in advance. It may also be written in the semiconductor nonvolatile memory 9. In this case, since the reference data can be easily converted, sensor circuits of various different configurations can be used. Therefore, the circuit device shown in FIG. 6 can be commonly used in automobiles with various configurations. Also, similar to the above, it is possible to make corrections to output more accurate data.

上記半導体不揮発性メモリ9には、更にスイツ
チK3のようなスイツチからの指示によつてトリ
ツプ走行距離データ、及びトリツプ走行距離デー
タ作成指示中であることを示すような制御データ
が書き込まれて良い。この場合は、前記第1図の
実施例と異なり、キースイツチ2の投入、遮断く
り返しにかかわらずに、運転手のような操作手に
よつて指示された範囲でのトリツプ走行距離デー
タを表示させることができるようになる。
In the semiconductor non-volatile memory 9, trip mileage data and control data indicating that a trip mileage data creation instruction is in progress may be further written in response to an instruction from a switch such as switch K3 . . In this case, unlike the embodiment shown in FIG. 1, the trip distance data is displayed within the range instructed by the operator such as the driver, regardless of whether the key switch 2 is repeatedly turned on or off. You will be able to do this.

上記半導体不揮発性メモリ9には、同様にスイ
ツチK3のようなスイツチを利用することによつ
て、自動車を点検整備するために考慮される走行
距離データのような監視データを書き込むことも
可能である。この場合は、ROM38に、所望の
監視プログラムを書き込んでおくことによつて、
将来の保手時期の表示や保手時期になつたことの
警告表示などを行なわせることが可能となる。
In the semiconductor non-volatile memory 9, it is also possible to write monitoring data, such as mileage data, which is taken into account for inspection and maintenance of the automobile, by using a switch such as the switch K3 . be. In this case, by writing the desired monitoring program into the ROM38,
It is possible to display a future maintenance period or a warning that the maintenance period has come.

自動車監視装置として、第6図のアナログマル
チプレクサ31には、電源起動検出回路3及び抵
抗分圧器のような降圧回路を介してバツテリ電圧
が供給されて良い。この場合は、バツテリ電圧検
出プログラムを準備しておくことによつて、バツ
テリ電圧の異常低下を警告することができるよう
になる。
As a vehicle monitoring device, the analog multiplexer 31 of FIG. 6 may be supplied with battery voltage via the power start detection circuit 3 and a step-down circuit such as a resistive voltage divider. In this case, by preparing a battery voltage detection program, it becomes possible to warn of an abnormal drop in battery voltage.

本発明は、実施例に限定されない。 The invention is not limited to the examples.

例えば、前記のような電気的消去が可能な半導
体不揮発性メモリ、すなわちEAROM
(Electrical Programmable Read Only
Memory)もしくはEEROM(Electrical
Erasable Read Only Memory)にかえて、
FAMOS(Floating Gate Avalanche Injection
MOS)のような記憶素子を使用するような半導
体不揮発性メモリ、すなわちEPROM(Electrical
Programmable Read Only Memory)を用いる
ことができる。この場合は、メモリのデータは、
公知のように紫外線のような光の照射によつて消
去される。従つて、メモリは、キースイツチによ
つて制御される適当なデータ消去用光源と結合さ
れることになる。
For example, the electrically erasable semiconductor non-volatile memory, EAROM, as mentioned above.
(Electrical Programmable Read Only
Memory) or EEROM (Electrical
Erasable Read Only Memory)
FAMOS (Floating Gate Avalanche Injection)
EPROM (Electrical
Programmable Read Only Memory) can be used. In this case, the data in memory is
As is known, it is erased by irradiation with light such as ultraviolet light. The memory will then be coupled with a suitable data erasing light source controlled by a key switch.

更に必要なら、ヒユーズROMのような不揮発
性メモリを使用することができる。
Additionally, non-volatile memory such as fuse ROM can be used if desired.

回転センサは、上記のようなリードスイツチを
使用する構成の代りに、電気コイルを使用する構
成、電気容量変化を利用する構成などの種々の構
成に変更されてもかまわない。
The rotation sensor may be changed to various configurations such as a configuration that uses an electric coil or a configuration that utilizes changes in capacitance instead of the configuration that uses a reed switch as described above.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明の1実施例の回路図、第2
図及び第3図はそれぞれ表示器の表示パターン
図、第4図及び第5図は、それぞれ他の実施例の
回路図、第6図は、更に他の実施例の回路図であ
る。 1……バツテリ、2……キースイツチ、3……
電源起動回路、4……定電圧回路、5……キース
イツチ投入検出回路、6……キースイツチ遮断検
出回路、7……書き込み電圧発生回路、8……半
導体不揮発性メモリ、12……回転センサ。
FIG. 1 is a circuit diagram of one embodiment of the present invention, and FIG.
4 and 5 are circuit diagrams of other embodiments, and FIG. 6 is a circuit diagram of still another embodiment. 1...Battery, 2...Key switch, 3...
Power supply starting circuit, 4... Constant voltage circuit, 5... Key switch on detection circuit, 6... Key switch cutoff detection circuit, 7... Write voltage generation circuit, 8... Semiconductor nonvolatile memory, 12... Rotation sensor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 ALU、命令デコーダ、プログラムカウンタ
及びスタツクポインタを含む制御部と、プログラ
ムを格納するROMと、データを格納するRAM
と、自動車に結合されたセンサからの信号及びキ
ースイツチ投入遮断情報を受ける入力部と、ラツ
チ回路と、電気的に消去及び書き込み可能な半導
体不揮発性メモリとを具備するデータ処理装置で
あつて、 上記制御部、上記ROM、上記RAM、上記入
力部、上記ラツチ回路及び上記半導体不揮発性メ
モリは、データバスによつて接続され、 上記ROM、上記RAM及び上記半導体不揮発
性メモリは、上記制御部からのアドレスバスによ
つてアクセスされ、 上記制御部が上記ROMに格納されたプログラ
ムに基づいて、上記センサからの走行距離データ
の基礎となる信号を上記入力部から取り込み、全
走行距離データに変換し、その結果を上記RAM
内に格納するようにされ、 上記制御部が上記ROMに格納されたプログラ
ムに基づいて、キースイツチの遮断を上記入力部
のデータから検出し、上記RAM内の上記全走行
距離情報を上記不揮発性メモリに書き込ませるよ
うにし、電源制御回路に上記ラツチ回路からデー
タを転送することによつて、該データ処理装置へ
の電源の供給を停止するようにされ、 上記制御部が上記ROMに格納されたプログラ
ムに基づいて、上記制御部がキースイツチの投入
を検出し、上記不揮発性メモリ内の上記全走行距
離情報を上記RAMに書き込ませるようにされて
なることを特徴とするデータ処理装置。 2 特許請求の範囲第1項に記載のデータ処理装
置は、更に複数のアナログセンサからの信号を受
けるアナログマルチプレクサ、A/D変換回路及
びレジスタを具備し、 上記レジスタは上記データバスに接続され、 上記制御部が上記ROMに格納されたプログラ
ムに基づいて、第1のアナログセンサからのエン
ジンの冷却水温度データの基礎となる信号を上記
アナログマルチプレクサから取り込み、上記A/
D変換回路でデイジタル信号に変換し、参照情報
に基づいてエンジンの冷却水温度データに変換
し、その結果を上記RAM内に格納するようにさ
れ、 上記制御部が上記ROMに格納されたプログラ
ムに基づいて、第2のアナログセンサからの燃料
残存量データの基礎となる信号を上記アナログマ
ルチプレクサから取り込み、上記A/D変換回路
でデイジタル信号に変換し、参照情報に基づいて
燃料残存量データに変換し、その結果を上記
RAM内に格納するようにされてなることを特徴
とするデータ処理装置。
[Claims] 1. A control unit including an ALU, an instruction decoder, a program counter, and a stack pointer, a ROM for storing programs, and a RAM for storing data.
A data processing device comprising: an input unit receiving signals from a sensor coupled to the vehicle and key switch on/off information; a latch circuit; and an electrically erasable and writable semiconductor non-volatile memory, the data processing device comprising: The control section, the ROM, the RAM, the input section, the latch circuit, and the semiconductor nonvolatile memory are connected by a data bus, and the ROM, the RAM, and the semiconductor nonvolatile memory are connected to each other by a data bus. accessed by the address bus, the control section takes in a signal from the input section that is the basis of mileage data from the sensor based on a program stored in the ROM, and converts it into total mileage data; The result is the above RAM
Based on the program stored in the ROM, the control section detects the shutoff of the key switch from the data of the input section, and stores the total mileage information in the RAM in the non-volatile memory. The program stored in the ROM is configured to stop supplying power to the data processing device by transmitting the data from the latch circuit to the power supply control circuit. The data processing device is characterized in that the control section detects turning on of a key switch and causes the total mileage information in the nonvolatile memory to be written into the RAM. 2. The data processing device according to claim 1 further includes an analog multiplexer receiving signals from a plurality of analog sensors, an A/D conversion circuit, and a register, the register being connected to the data bus, Based on the program stored in the ROM, the control unit takes in a signal from the analog multiplexer that is the basis of the engine cooling water temperature data from the first analog sensor, and
The D conversion circuit converts it into a digital signal, converts it into engine cooling water temperature data based on reference information, and stores the result in the RAM, and the control section executes the program stored in the ROM. Based on the reference information, a signal that is the basis of the remaining fuel amount data from the second analog sensor is taken in from the analog multiplexer, converted into a digital signal by the A/D conversion circuit, and converted into remaining fuel amount data based on the reference information. and the result above
A data processing device characterized in that data is stored in RAM.
JP9032890A 1990-04-06 1990-04-06 Data processor Granted JPH039212A (en)

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