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JPH0529953B2 - - Google Patents
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JPH0529953B2 - - Google Patents

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JPH0529953B2
JPH0529953B2 JP59204896A JP20489684A JPH0529953B2 JP H0529953 B2 JPH0529953 B2 JP H0529953B2 JP 59204896 A JP59204896 A JP 59204896A JP 20489684 A JP20489684 A JP 20489684A JP H0529953 B2 JPH0529953 B2 JP H0529953B2
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JP
Japan
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pattern
elements
mask
integrated circuit
section
Prior art date
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Takashi Mihashi
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、集積回路(LSI)マスクパターン
設計検証のために、マスクパターンデータから各
素子の種類、定数、および相互接続関係を求める
集積回路マスク設計検証装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an integrated circuit mask that determines the type, constant, and interconnection relationship of each element from mask pattern data for integrated circuit (LSI) mask pattern design verification. It relates to a design verification device.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

集積回路のマスクパターン設計は、数万を超え
る数の図形を取扱う誤り易い作業である。そのた
め、マスクパターンの設計の際には、その検証を
必要とする。
Mask pattern design for integrated circuits is an error-prone task that involves handling over tens of thousands of graphics. Therefore, when designing a mask pattern, it is necessary to verify it.

従来よりマスクパターンの検証手段としていく
つかの手段が考えられてきた。その中で最も多く
使用されているものは、第6図に示すような方法
である。
Conventionally, several methods have been considered as means for verifying mask patterns. The most commonly used method among these is the method shown in FIG.

すなわち、この方法は、論理図をもとに設計さ
れたマスクパターンの設計図面をデジタイズし
て、マスクパターンデータを得、このマスクパタ
ーンデータから素子およびそれらの相互接続から
なる回路を抽出し、抽出された回路を論理シミユ
レーシヨン、回路シミユレーシヨンなどによつて
検証する方式である。他の有力な方法としては、
同様にして抽出した回路を設計者の意図した回路
と比較する方式がある。
That is, this method digitizes a design drawing of a mask pattern designed based on a logic diagram to obtain mask pattern data, and extracts a circuit consisting of elements and their interconnections from this mask pattern data. This method verifies the developed circuit using logic simulation, circuit simulation, etc. Another powerful method is
There is a method of comparing a circuit extracted in a similar manner with the circuit intended by the designer.

いずれの方式においても、マスクパターンデー
タから回路を抽出する回路抽出部が重要となる。
ところが、従来はこの回路抽出部が、ソフトウエ
アで構成されていたため、回路規模が膨大となつ
ている現状では、その処理に極めて多くの時間を
要するという問題があつた。
In either method, a circuit extraction unit that extracts a circuit from mask pattern data is important.
However, in the past, this circuit extracting section was constructed using software, and as the scale of circuits has become enormous, there was a problem in that the processing required an extremely large amount of time.

そこで、この回路抽出部を専用装置で構成する
ことも考えられるが、この場合には、多種類の素
子を取扱おうとすると、拡張不可能になる等の問
題があつた。
Therefore, it is conceivable to configure this circuit extracting section with a dedicated device, but in this case, there are problems such as an inability to expand when trying to handle many types of elements.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は、上述した従来の欠点に鑑みなされた
もので、その目的とするところは、高速処理が可
能で、かつ拡張性に富んだ集積回路マスク設計検
証装置を提供することにある。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned conventional drawbacks, and its purpose is to provide an integrated circuit mask design verification device that is capable of high-speed processing and is highly expandable.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

集積回路の設計情報は、通常マスクパターン、
つまりガラスマスクを作成するためのデータと、
製造プロセスに関するデータの2つに集約され
る。従つて、この2つのデータを利用することに
よつて、設計を再構成することが可能となる。こ
のような処理をマスクパターンからの回路抽出と
呼び、設計検証の重要なステツプである。ところ
で、マスクパターンに含まれる情報としては、素
子とその結線がある。集積回路に含まれる素子と
しては、トランジスタ、ダイオード、キヤパシ
タ、抵抗等、多種類の素子が存在する。一方、そ
れらの結線を解析する場合には、素子の端子間の
結線を解析する単一の処理に還元することが可能
である。
Integrated circuit design information is usually a mask pattern,
In other words, the data for creating a glass mask,
The data is summarized into two types: data related to the manufacturing process. Therefore, by using these two pieces of data, it is possible to reconstruct the design. This process is called circuit extraction from mask patterns, and is an important step in design verification. By the way, the information included in the mask pattern includes elements and their connections. There are many types of elements included in an integrated circuit, such as transistors, diodes, capacitors, and resistors. On the other hand, when analyzing these connections, it is possible to reduce the process to a single process of analyzing connections between terminals of elements.

このような点に基づき、本発明は、素子の種別
にそれぞれ対応した複数個の素子抽出部と、1つ
の接続解析部とを記憶装置部を介して結合したこ
とを特徴としている。なお、その記憶装置部内に
おいて接続解析部が利用するデータを、全て同一
の記憶形式とすれば、複数種類の素子を取り扱え
るようにすることが可能となる。
Based on these points, the present invention is characterized in that a plurality of element extraction units corresponding to the types of elements and one connection analysis unit are coupled via a storage unit. Note that if the data used by the connection analysis section in the storage device section is all in the same storage format, it becomes possible to handle a plurality of types of elements.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、素子解析部と接続解析部とを
分離することによつて、新しい要求が発生した場
合に新しい素子解析部を容易に追加することが可
能となる。したがつて、拡張性の向上化を図るこ
とができる。また、全ての場合において接続解析
部は一個で済み、極めて経済的である。また、素
子抽出部と接続解析部とを分離した結果、装置各
部が単純化され、高速化を容易に図れるようにな
る。
According to the present invention, by separating the element analysis section and the connection analysis section, it becomes possible to easily add a new element analysis section when a new request occurs. Therefore, it is possible to improve expandability. Further, in all cases, only one connection analysis section is required, which is extremely economical. Moreover, as a result of separating the element extraction section and the connection analysis section, each section of the apparatus can be simplified and speeding up can be easily achieved.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、図面を参照し、本発明の一実施例に係る
集積回路マスク設計検証装置の特に回路抽出部に
ついて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, with reference to the drawings, a description will be given, in particular, of a circuit extraction section of an integrated circuit mask design verification apparatus according to an embodiment of the present invention.

この回路抽出部は、第1図に示すように、3つ
の記憶装置部11,12,13と、複数の素子抽出
部21,22,…,2oと、素子接続解析部3と、
これらを制御する制御部4とで構成されている。
As shown in FIG. 1, this circuit extraction section includes three storage device sections 1 1 , 1 2 , 1 3 , a plurality of element extraction sections 2 1 , 2 2 , ..., 2 o , and an element connection analysis section. 3 and
It is composed of a control section 4 that controls these.

記憶装置部11〜13には、例えば半導体メモ
リ、磁気デイスク等が用いられるが、高速動作を
させるためには、アクセス時間の短いものが良
い。記憶装置部11には、マスクパターンデータ
が各マスクパターンレイヤ別に閉図形の集合とし
て格納されている。なお閉図形は、各頂点の順序
付けられた列によつて与えられる。
For example, a semiconductor memory, a magnetic disk, or the like is used for the storage device units 1 1 to 1 3 , but in order to operate at high speed, it is preferable to use a device with a short access time. In the storage unit 11 , mask pattern data is stored as a set of closed figures for each mask pattern layer. Note that a closed figure is given by an ordered sequence of vertices.

素子抽出部21〜2oは、対象とする素子の種類
にそれぞれ対応させて設けられている。つまり、
1つの素子抽出部では1種類の素子が抽出され
る。ここでは、先ず、MOSトランジスタを抽出
する素子抽出部21の具体的構成例について説明
する。
The element extraction units 2 1 to 2 o are provided corresponding to the types of target elements, respectively. In other words,
One element extraction section extracts one type of element. Here, first, a specific configuration example of the element extraction section 2 1 that extracts MOS transistors will be described.

すなわち、第2図aに示すように、MOSトラ
ンジスタは、拡散領域11とポリシリコン領域1
2の共通部分であり、かつコンタクトホール等の
ない部分として定義される。素子抽出部21では、
このように定義されたMOSトランジスタを、図
形処理によつて抽出するとともに、第2図に示す
MOSトランジスタのソース・ドレイン領域13、
ゲート領域14、ソース・ドレイン領域13とゲ
ート領域14の接する境界部分(ソース・ドレイ
ン端子)15、この境界部分の代表的座標16、
ゲート端子17等を抽出する。また、素子の電気
的パラメータ(例えばトランジスタの寸法)は、
図示しないパラメータ抽出部において計算する。
これらの結果は、記憶装置部12に格納される。
That is, as shown in FIG. 2a, the MOS transistor consists of a diffusion region 11 and a polysilicon region 1.
It is defined as a common part of the two parts and has no contact hole or the like. In the element extraction section 2 1 ,
The MOS transistor defined in this way is extracted by graphic processing and is shown in Figure 2.
MOS transistor source/drain region 13,
Gate region 14, boundary portion (source/drain terminal) 15 where source/drain region 13 and gate region 14 contact, representative coordinates 16 of this boundary portion,
Extract the gate terminal 17 and the like. In addition, the electrical parameters of the device (e.g. transistor dimensions) are
Calculation is performed in a parameter extraction unit (not shown).
These results are stored in the storage unit 12 .

次に、この素子抽出部21の具体的構成につい
て第3図に基づき説明する。すなわち、この素子
抽出部21は、記憶装置部11の拡散層パターンフ
アイル21およびポリシリコン層パターンフアイ
ル22を入力とし、記憶装置部12のポリシリコ
ン配線層パターンデータフアイル23、MOSト
ランジスタのゲートパターンフアイル24、
MOSトランジスタ端子を示す境界線分フアイル
25、各素子端子の代表座標点および個別素子へ
のポインタを含む素子フアイル26および拡散配
線層パターンデータフアイル27を出力としてい
る。
Next, the specific configuration of this element extraction section 2 1 will be explained based on FIG. 3. That is, this element extracting section 2 1 receives the diffusion layer pattern file 21 and the polysilicon layer pattern file 22 of the memory device section 1 1 as input, and the polysilicon wiring layer pattern data file 23 of the memory device section 1 2 and the MOS transistor. gate pattern file 24,
The outputs are a boundary line segment file 25 indicating MOS transistor terminals, an element file 26 containing representative coordinate points of each element terminal and pointers to individual elements, and a diffusion wiring layer pattern data file 27.

この素子抽出部22は、大きく2つに分割され
る。前半は、相互に関連するパターンの対を効率
良く取出す部分で、後半はMOSトランジスタを
認識する部分である。
This element extraction section 2 2 is roughly divided into two parts. The first half is for efficiently extracting pairs of mutually related patterns, and the second half is for recognizing MOS transistors.

入力である2つのパターンフアイル21および
22は、パターンデータの左下点でソートされた
フアイルである。最も左下点のパターンは各々の
パターンデータレジスタ28,29格納される。
パターンデータレジスタ28,29に格納された
各パターンデータは、左下点座標抽出回路30,
31によつて拡散層パターンおよびポリシリコン
パターンの左下点データのみが取出され、レジス
タ32,33に格納される。
The two input pattern files 21 and 22 are files in which the pattern data is sorted at the lower left point. The pattern at the lower left point is stored in each pattern data register 28, 29.
Each pattern data stored in the pattern data registers 28 and 29 is processed by a lower left point coordinate extraction circuit 30,
Only the lower left point data of the diffusion layer pattern and the polysilicon pattern are taken out by 31 and stored in registers 32 and 33.

レジスタ32,33に格納された左下点データ
は、左下点座標比較器34で比較され、最も左の
パターンが選択される。拡散層パターンが最も左
下の場合、左下点座標比較器34の出力は、“1”
となる。
The lower left point data stored in the registers 32 and 33 are compared by a lower left point coordinate comparator 34, and the leftmost pattern is selected. When the diffusion layer pattern is at the bottom left, the output of the bottom left point coordinate comparator 34 is “1”.
becomes.

処理対象パターン対取出し回路35,36は、
各パターンバツフア37,38からパターンデー
タレジスタ28,29と関係のあるパターン群を
取出す。パターンデータ削除回路39,40は、
パターンバツフア37,38から不要になつた
(対象とならなくなつた)パターンデータを取出
し、パターンデータフアイル23,27に出力す
る。
The processing target pattern pair extraction circuits 35 and 36 are
A group of patterns related to the pattern data registers 28, 29 are extracted from each pattern buffer 37, 38. The pattern data deletion circuits 39 and 40 are
Pattern data that is no longer needed (no longer a target) is taken out from the pattern buffers 37 and 38 and output to pattern data files 23 and 27.

共通部分および境界抽出回路41,42は、ポ
リシリコン層パターンと、拡散層パターンの共通
部分を取出し、さらに共通部分(ゲートパターン
に対応)の境界部(ソース、ドレイン端子に対
応)を取出し、ゲートパターンフアイル24、境
界線分フアイル25に格納する。
The common portion and boundary extraction circuits 41 and 42 extract the common portion between the polysilicon layer pattern and the diffusion layer pattern, further extract the boundary portion (corresponding to the source and drain terminals) of the common portion (corresponding to the gate pattern), and It is stored in the pattern file 24 and the boundary line segment file 25.

代表座標抽出回路43は、ゲートパターンデー
タ、境界線分データから第2図bに示した様な代
表座標を抽出し、この代表座標と素子テーブルへ
のポインタとを素子フアイル26にMOSトラン
ジスタのデータを格納する。
The representative coordinate extraction circuit 43 extracts representative coordinates as shown in FIG. Store.

パターン追加回路44,45は、非共通部分抽
出回路42により抽出されたパターンデータが再
度処理対象となる可能性があることを考慮して、
パターンバツフア37,38に上記非共通部分の
パターンを戻すものである。
The pattern addition circuits 44 and 45 take into consideration that the pattern data extracted by the non-common part extraction circuit 42 may be subject to processing again.
The pattern of the non-common portion is returned to the pattern buffers 37 and 38.

なお、図中46,47,48は、データを必要
に応じて切換えるためのマルチプレクサである。
Note that 46, 47, and 48 in the figure are multiplexers for switching data as necessary.

以上は、MOSトランジスタを抽出する素子抽
出部21の説明であるが、拡散抵抗を抽出する場
合は、図示しない図形処理回路部によつて第4図
に示す抵抗本体51を取出し、かつコンタクト抵
抗パターン52をコンタクトの値を考慮して埋め
込む。ここで素子の端子53,54は、コンタク
ト抵抗パターン52をメツシユに分割して有限要
素法または差分法によつて計算することが可能で
ある。
The above is an explanation of the element extraction section 21 for extracting a MOS transistor. However, when extracting a diffused resistance, the resistor main body 51 shown in FIG. 4 is extracted by a graphic processing circuit section (not shown) and the contact resistance The pattern 52 is embedded in consideration of the contact value. Here, the terminals 53 and 54 of the element can be calculated by dividing the contact resistance pattern 52 into meshes and using the finite element method or the finite difference method.

その他の種類の素子についても同様に素子抽出
部を構成することができる。これら素子抽出部2
〜2oからの各データは、バスを介して記憶装置
部12内に格納される。
The element extraction section can be similarly configured for other types of elements. These element extraction section 2
Each data from 1 to 2o is stored in the storage unit 12 via the bus.

記憶装置部12には、素子抽出部の抽出データ
が格納されるが、この場合、素子の種類によつて
格納するデータの詳細は異なる。しかし、この記
憶装置部12には、第5図に示すように、端子の
X,Y座標と、その端子を含む素子を並べた素子
テーブルへのポインタとからなるデータ構造の共
通データが格納されている。したがつて、素子接
続解析部との統一したインタフエースを実現でき
る。記憶装置部12の内部では、第5図のデータ
は、座標値によりソート又は適当なツリー構造で
表現することにより、次の素子接続解析部3を高
速に処理することができるようになる。
The storage unit 12 stores extracted data from the element extraction unit, but in this case, the details of the stored data differ depending on the type of element. However, as shown in FIG. 5, this storage unit 12 stores common data in a data structure consisting of the X and Y coordinates of a terminal and a pointer to an element table in which elements including the terminal are arranged. has been done. Therefore, a unified interface with the element connection analysis section can be realized. Inside the storage unit 12 , the data shown in FIG. 5 is sorted by coordinate values or expressed in an appropriate tree structure, so that the next element connection analysis unit 3 can process it at high speed.

素子接続解析部3では、第5図に示した端子座
標と配線用パターンとの包含関係を調査すること
によつて素子相互の接続関係が抽出される。
The element connection analysis section 3 extracts the connection relationship between elements by investigating the inclusion relationship between the terminal coordinates and the wiring pattern shown in FIG.

このように、本実施例によれば、各素子ごとの
素子抽出部21〜2oと、1つの素子接続解析部3
との間を共通のデータ形式によつて接続し、両者
の統一したインタフエースを実現しているので、
接続解析部3が1つで済む。この結果、各部が有
する特有の処理を分散して行なうことができる。
In this way, according to the present embodiment, the element extraction units 2 1 to 2 o for each element and one element connection analysis unit 3
Since it connects the two using a common data format and realizes a unified interface between the two,
Only one connection analysis section 3 is required. As a result, the unique processing of each part can be performed in a distributed manner.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例に係る集積回路マス
ク設計検証装置の回路抽出部の構成を示すブロツ
ク図、第2図は上記回路抽出部でのMOSトラン
ジスタの抽出方法を説明するための図、第3図は
上記回路抽出部におけるMOSトランジスタの素
子抽出部を示すブロツク図、第4図は上記回路抽
出部での拡散抵抗の抽出方法を説明するための
図、第5図は記憶装置部12における素子端子の
座標の記憶形式を示す図、第6図はマスク設計検
証の手順を説明するための流れ図である。 11……拡散領域、12……ポリシリコン領
域、13……ソース・ドレイン領域、14……ゲ
ート領域、15……境界部分、17……ゲート端
子、51……抵抗本体、52……抵抗パターン、
53,54……端子。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a circuit extraction section of an integrated circuit mask design verification apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram for explaining a method for extracting MOS transistors in the circuit extraction section. , FIG. 3 is a block diagram showing the element extraction section of the MOS transistor in the circuit extraction section, FIG. 4 is a diagram for explaining the method of extracting the diffused resistance in the circuit extraction section, and FIG. 5 is the memory device section. FIG. 6 is a flowchart for explaining the mask design verification procedure. 11... Diffusion region, 12... Polysilicon region, 13... Source/drain region, 14... Gate region, 15... Boundary portion, 17... Gate terminal, 51... Resistor body, 52... Resistor pattern ,
53, 54...terminals.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 集積回路のマスクパターンデータから素子の
種類、素子相互の接続関係を抽出しマスク設計の
検証を行なう集積回路マスク設計検証装置におい
て、各素子の種別ごとに設けられ前記マスクパタ
ーンデータから該当する素子を抽出する複数の素
子抽出部と、これら素子抽出部で抽出された各素
子情報を記憶する記憶装置部と、この記憶装置部
に記憶された前記素子情報から各素子相互の結線
関係を求める素子接続解析部とを具備してなるこ
とを特徴とする集積回路マスク設計検証装置。 2 前記記憶装置部は、前記素子情報のうち、素
子相互の接続解析に関する情報を各素子抽出部か
ら同一のデータ形式で記憶するものであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の集積回路
マスク設計検証装置。
[Scope of Claims] 1. In an integrated circuit mask design verification device that extracts element types and interconnection relationships between elements from mask pattern data of an integrated circuit and verifies a mask design, the mask is provided for each type of element. A plurality of element extraction units extracts corresponding elements from pattern data, a storage unit stores each element information extracted by these element extraction units, and a memory unit stores each element information from the element information stored in the storage unit. 1. An integrated circuit mask design verification device comprising: an element connection analysis section for determining connection relationships between the elements. 2. The storage unit stores information related to interconnection analysis of elements among the element information from each element extraction unit in the same data format. Integrated circuit mask design verification equipment.
JP59204896A 1984-09-29 1984-09-29 Integrated circuit mask design verification device Granted JPS6182276A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
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