JPH0544822B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0544822B2 JPH0544822B2 JP60062605A JP6260585A JPH0544822B2 JP H0544822 B2 JPH0544822 B2 JP H0544822B2 JP 60062605 A JP60062605 A JP 60062605A JP 6260585 A JP6260585 A JP 6260585A JP H0544822 B2 JPH0544822 B2 JP H0544822B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- thermostat
- heater
- temperature
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0432—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、プラズマCVD装置に係り、特に複
数枚のウエハを同時に成膜処理するバツチ式プラ
ズマCVD装置に関するものである。
数枚のウエハを同時に成膜処理するバツチ式プラ
ズマCVD装置に関するものである。
従来技術を第１図、第２図により説明する。
第１図、第２図で、複数枚のウエハ（図示省
略）が一方の面に同時に載置されるサセプタ１０
の他方の面には、円板状のヒータ１１が複数個配
設されている。ヒータ１１は、それぞれ並列回路
に結線され電源（図示省略）に接続されている。
なお、ヒータ１１は、その外側をセラミツクで被
覆されており、内蔵されている電熱用抵抗線は、
電気的にも、また、外気からも絶縁されている。
略）が一方の面に同時に載置されるサセプタ１０
の他方の面には、円板状のヒータ１１が複数個配
設されている。ヒータ１１は、それぞれ並列回路
に結線され電源（図示省略）に接続されている。
なお、ヒータ１１は、その外側をセラミツクで被
覆されており、内蔵されている電熱用抵抗線は、
電気的にも、また、外気からも絶縁されている。
サセプタ１０の一方の面に複数枚同時に載置さ
れたウエハは、サセプタ１０がヒータ１１により
加熱されることで昇温され、その後、例えば、電
源をON−OFF制御することで所定温度に保持さ
れる。また、ウエハの温度が所定温度に達した時
点で、成膜処理が実施される。
れたウエハは、サセプタ１０がヒータ１１により
加熱されることで昇温され、その後、例えば、電
源をON−OFF制御することで所定温度に保持さ
れる。また、ウエハの温度が所定温度に達した時
点で、成膜処理が実施される。
このようなプラズマCVD装置は、、次のような
欠点があつた。
欠点があつた。
(1) ヒータ容量のばらつきに起因するサセプタの
位置による温度不均一が生じ、、このため成膜
処理時のウエハ温度が不均一になるため、ウエ
ハの成膜速度を均一化きない。
位置による温度不均一が生じ、、このため成膜
処理時のウエハ温度が不均一になるため、ウエ
ハの成膜速度を均一化きない。
(2) サセプタ、つまり、ウエハの温度制御用とし
て大容量の制御装置が必要である。
て大容量の制御装置が必要である。
〔発明の目的〕
本発明は、成膜処理時のウエハ温度を均一化す
ることで、ウエハの成膜速度を均一化できるプラ
ズマCVD装置を提供することにある。
ることで、ウエハの成膜速度を均一化できるプラ
ズマCVD装置を提供することにある。
本発明のは、一方の面にウエハが載置されるサ
セプタと、サセプタの他方の面に配設した複数個
のヒータと、サセプタと複数個のヒータとの間に
それぞれ空間を形成し、該それぞれの空間にサセ
プタおよびヒータと絶縁して設けたサーモスタツ
トと、サセプタに螺合して設け、サーモスタツト
の接点部に電気絶縁材を介して当接させ、複数個
のヒータの容量のばらつきに対応してサーモスタ
ツトのON−OFFタイミングを調節する調節ネジ
とを具備し、サーモスタツトの一方を電源に、他
方をヒータの電熱用抵抗線に接続して成ることを
特徴とするもので、ヒータ容量のばらつきをなく
しサセプタの温度を均一にして、成膜処理時のウ
エハ温度を均一化し、ウエハの成膜速度を均一化
できるようにしたものである。
セプタと、サセプタの他方の面に配設した複数個
のヒータと、サセプタと複数個のヒータとの間に
それぞれ空間を形成し、該それぞれの空間にサセ
プタおよびヒータと絶縁して設けたサーモスタツ
トと、サセプタに螺合して設け、サーモスタツト
の接点部に電気絶縁材を介して当接させ、複数個
のヒータの容量のばらつきに対応してサーモスタ
ツトのON−OFFタイミングを調節する調節ネジ
とを具備し、サーモスタツトの一方を電源に、他
方をヒータの電熱用抵抗線に接続して成ることを
特徴とするもので、ヒータ容量のばらつきをなく
しサセプタの温度を均一にして、成膜処理時のウ
エハ温度を均一化し、ウエハの成膜速度を均一化
できるようにしたものである。
本発明の一実施例を第３図〜第５図により説明
する。
する。
第３図〜第５図で、複数枚のウエハ（図示省
略）が一方の面に同時に載置されるサセプタ１０
の他方の面には、円板状のヒータ１１が配設され
ている。サセプタ１０とヒータ１１との間には、
ON−OFF作動する電気接点、、例えば、バイメ
タルサーモスタツト（以下、サーモスタツトと
略）１２が電気絶縁材（以下、絶縁材と略）１３
でサセプタ１０と電気的に絶縁されて設けられて
いる。サーモスタツト１２の接点部は、サセプタ
１０とヒータ１１と絶縁材１３とで形成された空
間１４にある。サーモスタツト１２のON−OFF
タイミングを調節する調節ネジ１５がサセプタ１
０に螺合され、その先端は、電気絶縁物１６を介
しサーモスタツト１２の接点部に当接されてい
る。また、サーモスタツト１２を構成する導電材
料板１７は、電源（図示省略）に接続され、バイ
メタル１８は、ヒータ１１の電熱用抵抗線１９に
接続され、電熱用抵抗線１９は、電源に接続され
ている。
略）が一方の面に同時に載置されるサセプタ１０
の他方の面には、円板状のヒータ１１が配設され
ている。サセプタ１０とヒータ１１との間には、
ON−OFF作動する電気接点、、例えば、バイメ
タルサーモスタツト（以下、サーモスタツトと
略）１２が電気絶縁材（以下、絶縁材と略）１３
でサセプタ１０と電気的に絶縁されて設けられて
いる。サーモスタツト１２の接点部は、サセプタ
１０とヒータ１１と絶縁材１３とで形成された空
間１４にある。サーモスタツト１２のON−OFF
タイミングを調節する調節ネジ１５がサセプタ１
０に螺合され、その先端は、電気絶縁物１６を介
しサーモスタツト１２の接点部に当接されてい
る。また、サーモスタツト１２を構成する導電材
料板１７は、電源（図示省略）に接続され、バイ
メタル１８は、ヒータ１１の電熱用抵抗線１９に
接続され、電熱用抵抗線１９は、電源に接続され
ている。
サセプタ１０の一方の面に複数枚同時に載置さ
れたウエハは、サセプタ１０がヒータ１１により
加熱されることで昇温され、その後、サーモスタ
ツト１２がON−OFF作動すること所定温度に保
持される。この場合、サーモスタツト１２のON
−OFFタイミングは、ヒータ１１の容量のばら
つきに対応し、調節ネジ１５により調節される。
また、ウエハの温度が所定温度に達した時点で成
膜処理が実施される。
れたウエハは、サセプタ１０がヒータ１１により
加熱されることで昇温され、その後、サーモスタ
ツト１２がON−OFF作動すること所定温度に保
持される。この場合、サーモスタツト１２のON
−OFFタイミングは、ヒータ１１の容量のばら
つきに対応し、調節ネジ１５により調節される。
また、ウエハの温度が所定温度に達した時点で成
膜処理が実施される。
本実施例のようなプラズマCVD装置では、次
のような効果が得られる。
のような効果が得られる。
(1) サーモスタツトのON−OFFタイミングがヒ
ータ容量のばらつきに対応し調節されるため、
ヒータの容量のばらつきに起因するサセプタの
位置による温度不均一を防止できる。
ータ容量のばらつきに対応し調節されるため、
ヒータの容量のばらつきに起因するサセプタの
位置による温度不均一を防止できる。
(2) サセプタの位置による温度が均一になるた
め、成膜処理時のウエハの温度が均一化され、
したがつて、ウエハの成膜速度を均一化でき
る。
め、成膜処理時のウエハの温度が均一化され、
したがつて、ウエハの成膜速度を均一化でき
る。
(3) サセプタ、つまり、ウエハの温度制御は、サ
ーモスタツトをON−OFF作動することで行え
るため、温度制御装置を不用にできる。
ーモスタツトをON−OFF作動することで行え
るため、温度制御装置を不用にできる。
本発明によれば、ヒータ容量のばらつきの影響
を排除きるので、サセプタの温度が均一になり、
成膜処理時のウエハ温度が均一化され、ウエハの
成膜速度を均一化できるという効果がある。
を排除きるので、サセプタの温度が均一になり、
成膜処理時のウエハ温度が均一化され、ウエハの
成膜速度を均一化できるという効果がある。
第１図は、ヒータ配設側からみた従来のサセプ
タの平面図、第２図は、第１図のイ−イ視断面
図、第３図は本発明によるプラズマCVD装置の
一実施例を示すもので、ヒータ配設側からみたサ
セプタの部分平面図、第４図は、第３図のロ−ロ
視断面図、第５図は、第４図の部分拡大断面図で
ある。 １０……サセプタ、１１……ヒータ、１２……
サーモスタツト、１３……電気絶縁材、１４……
空間、１５……調節ネジ。
タの平面図、第２図は、第１図のイ−イ視断面
図、第３図は本発明によるプラズマCVD装置の
一実施例を示すもので、ヒータ配設側からみたサ
セプタの部分平面図、第４図は、第３図のロ−ロ
視断面図、第５図は、第４図の部分拡大断面図で
ある。 １０……サセプタ、１１……ヒータ、１２……
サーモスタツト、１３……電気絶縁材、１４……
空間、１５……調節ネジ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一方の面にウエハが載置されるサセプタと、 該サセプタの他方の面に配設した複数個のヒー
タと、 前記サセプタと前記複数個のヒータとの間にそ
れぞれ空間を形成し、該それぞれの空間に前記サ
セプタおよび前記ヒータと絶縁して設けたサーモ
スタツトと、 前記サセプタに螺合して設け、前記サーモスタ
ツトの接点部に電気絶縁材を介して当接させ、前
記複数個のヒータの容量のばらつきに対応して前
記サーモスタツトのON−OFFタイミングを調節
する調節ネジとを具備し、 前記サーモスタツトの一方を電源に、他方を前
記ヒータの電熱用抵抗線に接続して成ることを特
徴とするプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60062605A JPS60220929A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60062605A JPS60220929A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60220929A JPS60220929A (ja) | 1985-11-05 |
| JPH0544822B2 true JPH0544822B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=13205117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60062605A Granted JPS60220929A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60220929A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5075256A (en) * | 1989-08-25 | 1991-12-24 | Applied Materials, Inc. | Process for removing deposits from backside and end edge of semiconductor wafer while preventing removal of materials from front surface of wafer |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55121649A (en) * | 1979-03-14 | 1980-09-18 | Pioneer Electronic Corp | Cvd device |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP60062605A patent/JPS60220929A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60220929A (ja) | 1985-11-05 |
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