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JPH0554672B2 - - Google Patents
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JPH0554672B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0554672B2
JPH0554672B2 JP6217384A JP6217384A JPH0554672B2 JP H0554672 B2 JPH0554672 B2 JP H0554672B2 JP 6217384 A JP6217384 A JP 6217384A JP 6217384 A JP6217384 A JP 6217384A JP H0554672 B2 JPH0554672 B2 JP H0554672B2
Authority
JP
Japan
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switching element
layer
element layer
charge
photoreceptor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP6217384A
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Japanese (ja)
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JPS60207144A (en
Inventor
Masaaki Yokoyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Mita Industrial Co Ltd
Original Assignee
Mita Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Mita Industrial Co Ltd filed Critical Mita Industrial Co Ltd
Priority to JP6217384A priority Critical patent/JPS60207144A/en
Publication of JPS60207144A publication Critical patent/JPS60207144A/en
Publication of JPH0554672B2 publication Critical patent/JPH0554672B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/047Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

技術分野 本発明は、電子写真感光体に関するもので、よ
り詳細には感光体のメモリー効果を利用して静電
像の反復形成を行うための電子写真感光体に関す
る。 従来技術 従来、原稿の多数枚複製には、印刷技術の他
に、操作の手軽さ等の見地から、電子写真法によ
る多数枚複写技術が採用されるに至つている。こ
の多数枚複写電子写真法の代表的なものとして、
光メモリー効果を有する光導電性感光層を画像露
光した後、帯電、現像、転写及びクリーニングの
諸工程を反復する、所謂リテンシヨン型静電印刷
法が知られている。この方法は、感光層の露光部
では光メモリー効果により導電性となり、この部
分に電荷がのりにくくなるという原理を使用する
ものであるが、公知の感光体は、所望の光メモリ
ー効果を与えるための感度が低く、感光体を大出
力の光源を用いて画像露光しなければならないと
いう不便さがある。 最近に至つて、光メモリー効果を利用する感光
体の開発も行われており、例えば井上教授等によ
つて、ポリ−N−ビニルカルバゾール(PVK)、
2,4,7−トリニトロフルオレノン(TNF)
及びロイコ色素の混合溶液をアルミニウム電極上
に塗布した感光体、或いは上記混合溶液塗布層の
上に、PVKとTNFとの組成物の層を設けた複層
感光体を使用し、これを一回画像露光することに
より、感光体上にメモリー像(露光部の電荷受容
性の低下)を形成し、帯電−現像−転写のプロセ
スを繰り返すことで多数枚の複写物を得る研究が
行われている(日本写真学会誌第44巻2号第104
乃至117頁(1981)参照)。これらの感光体におけ
るメモリー形成は、TNFとロイコ色素の作る電
荷移動錯体の光吸収後の化学反応に起因するもの
と言われている。 発明の構成 本発明によれば、光化学反応によるメモリー効
果とは全く異なつた原理によりメモリー像の形成
が行われる電子写真感光体が提供される。 また、本発明によれば、従来の感光体とは層構
成の全く異なる新規複層構成を有する電子写真感
光体が提供される。 即ち、本発明によれば、導電性基質、該導電性
基質上に形成されたスイツチング素子層及び該ス
イツチング素子層上に形成された電荷発生輸送乃
至電荷受容層から成り、該スイツチング素子層
は、シアノ基含有電子受容性化合物と銅又は銀と
の錯体から成る微結晶性粒子を、分子量600乃至
10000のポリアルキレンポリオールを分散媒とし
てポリアリレート樹脂中に分散した組成物から成
ることを特徴とする電子写真多層感光体が提供さ
れる。 本発明を添付図面を参照しつつ以下に詳細に説
明する。 この感光体の断面構造を示す第1図において、
導電性基質1の上にはスイツチング素子層2が設
けられ、この層2の上に更に電荷発生輸送層乃至
は電荷受容層3が設けられる。図示していない
が、導電性基質1とスイツチング素子層2との間
には、所望に応じ、電荷注入バリヤー層或いは接
着力を増強させるためのアンダー層等が設けられ
ていてもよい。 本発明の重要な特徴は、このスイツチング素子
層として、シアノ基含有電子受容性化合物と銅又
は銀との錯体から成る微結晶性粒子を、ポリアル
キレンポリオールを分散媒としてポリアリレート
樹脂中に分散した組成物を用いる点にある。この
組成物、特に前記錯体は、高電場で高電導状態と
なり且つこの高電導状態が維持されるスイツチン
グ機能及びメモリー機能を有している。 本発明の感光体のメモリー像の形成原理及び静
電像の形成原理を第2−A乃至2−D図に基づき
以下に説明する。 先ず、第2−A図の帯電画像露光工程におい
て、感光体4の表面を、コロナチヤージヤ5によ
り一定極性の電荷に帯電させ、次いで光源6によ
りこの表面を画像露光させる。図の具体例では、
電荷受容層3の表面は正電荷に帯電され、導電性
基質1には負電荷が誘起される。 メモリー像形成の第1段階を示す第2−B図に
おいて、暗部Dでは表面電荷はそのままである
が、明部Lでは、電荷受容層3中に電荷(キヤリ
ヤ)が発生し、生じたホール(+)が積極界面、
即ちスイツチング素子層2との界面迄移動して、
そこに蓄積され、その結果として明部Lでは、ス
イツチング素子層2に高電場が印加されることに
なる。 メモリー像形成の第2段階を示す第2−C図に
おいて、スイツチング素子層2の明部Lでは、印
加される高電場により高電導状態(ON
STATE)、即ち低抵抗状態に誘起される。スイ
ツチング素子層2の暗部Dでは、高抵抗状態
(OFF STATE)のまま残り、スイツチング素子
層2には、上述した状態が継続して維持され、そ
の結果として、明部Lでは導電性基質1からの電
子の注入が容易な状態となる。 静電像形成工程を示す第2−D図において、一
度露光が行われた部分Lでは、その後の正帯電に
対して注入が容易となつた電子(−)が高導電状
態のスイツチング層2を介して電荷受容層3に注
入され、該層3を通つて表面に到達し、表面の正
電荷(+)を消去することにより、電荷像の形成
が行われる。図示していないが、この電荷像を、
それ自体公知の方法により、トナーで現像し、形
成されるトナー像を紙等に転写することにより、
複写物乃至印刷物を得ることができる。かくし
て、第2−A乃至2−C図に示す1回のメモリー
像形成の後に、第2−D図に示す所望回数の帯電
工程を行うことにより、所望枚数の複写が可能と
なる。 本発明では、上述した説明から明らかな通り、
光は電荷発生輸送層乃至は電荷受容層3の電荷発
生、換言すれば、スイツチング素子層2への高電
場印加の目的のみに使用されるという特徴があ
る。即ち、従来の複層感光体では、高荷輸送層或
いは電荷受容層を介してメモリー形成層をも露光
し、該メモリー形成層中に光化学変化を起させる
必要があつたのに対して、本発明では、電荷発生
輸送層或いは電荷輸送層中に電荷(キヤリヤ)を
発生させることのみが要求されるものであるか
ら、従来法に比して著しく少ない露光量でメモリ
ー像の形成が可能となるという利点が達成される
ものである。 第3図は、本発明に使用するスイツチング素子
層の或るもの(後述するCu・TCNQ)について、
印加電圧と電流との関係を示したものであり、曲
線1は未処理のスイツチング素子層についての電
圧と電流との関係、曲線2は高電圧印加後のスイ
ツチング素子層について同様の関係を調べたもの
である。曲線1から、このスイツチング素子層は
傾斜のゆるやかな高抵抗状態Aと傾斜の極めて大
きい低抵抗状態Bとが存在すること、及び曲線2
から一旦高電導状態(ON STATE)となつたス
イツチング素子層では、高抵抗状態Aが殆んど消
失していることが明らかである。 本発明に用いるスイツチング素子層は、高抵抗
状態(OFF STATE)の電気抵抗(RH)が108
至1014Ω−cm、特に109乃至1011Ω−cmの範囲にあ
ることが電荷保持性の点で望ましく、一方RH
低抵抗状態(ON STATE)の電気抵抗(RL
Ω−cmとの比(RH/RL)は、1×101乃至1×
105の範囲内にあることが、コントラストの面で
望ましい。 前述した特性を有するスイツチング素子として
は、テトラシアノエチレン(TCNE)、テトラシ
アノキノジメタン(TCNQ)、テトラシアノナフ
トキノジメタン(TNAP)、テトラシアノジメチ
ルキノメタン(TCNQ(Me)2)、テトラシアノジ
メトキシキノメタン(TCNQ(OMe)2)、2,3,
5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テト
ラシアノキノジメタン(TCNQF4)等の電子受
容性物質と、銅又は銀との錯体が好適に使用され
る。 本発明において、上記錯体の微結晶粒子を、ポ
リアルキレンポリオールを分散媒として、ポリア
リレート中に分散させ、この分散体をスイツチン
グ素子層とする。 ポリアリレートは、下記構造 を基本とする熱可塑性樹脂であり、日本国内では
U−ポリマーの商品名でユニチカ(株)より市販され
ている。この樹脂は、主鎖に高密度で芳香環を含
有することから、耐熱性に優れており、他の熱可
塑性樹脂には認められない高い熱変形温度(約
175℃)を有すると共に、高い体積抵抗率(約2
×1016Ω−cm)と耐電圧(約400KV/cm)を有し
ている。 本発明の感光体においては、スイツチング素子
層に高電場が印加されるが、樹脂バインダーとし
て耐電圧の高いポリアリレートを用いることによ
り、スイツチング素子層の絶縁破壊等のトラブル
を解消し得る。また、前述した錯塩が高抵抗状態
と高電導状態のスイツチング機能を示すのは、例
えば下記式 〔(u+(TCNQ・−〕nCuxΓ+〔Cu+(TCN
Q・−)〕n−x+(TCNQ°)x で表わされるように、左辺の低電導性のシンプル
塩が、閾値以上の電圧印加で部分的に中性分子が
生成し、所謂高電導性のコンプレツクス塩ができ
るための電導度変化に起因すると理解されている
が、この高電導性のコンプレツクス塩を高抵抗状
態のシンプル塩に復帰させるには、該塩を高温に
加熱することが必要になる。本発明によれば、結
着剤樹脂としてポリアリレートを用いることによ
り、高温の加熱にも耐えられるという利点があ
る。 更に、前述した錯塩の微結晶粒子は、ポリアリ
レート中に分散困難であり、分散状態の均質な分
散相を形成させることが困難であるが、本発明に
よれば、ポリアルキレンポリオールを分散媒とす
ることにより、組成が全体にわたつて均質なスイ
ツチング素子層の形成が可能となる。 これはポリアルキレンポリオール、例えばポリ
エチレングリコール(PEG)のような親水性ポ
リマーが、スイツチング素子層として用いるシア
ノ基含有の電子受容性化合物の銅又は銀錯体、例
えばCu・TCNQのようなイオン性の添加物に対
しての分散剤として働く場合、親水性ポリマー自
身が界面活性剤的な役割を果たし、錯体粒子をよ
り微小に分散するためと考えられる。さらに、そ
のためにスイツチング素子層と電荷発生輸送層乃
至は電荷受容層との界面において、電荷発生輸送
層乃至は電荷受容層中の電子輸送物質、例えばテ
トラニトロフルオレノン分子と錯体粒子との接触
面積を増大させ、スイツチング素子層から電荷発
生輸送層乃至は電荷受容層への電子移動過程がよ
り効率よく行なわれる。 微結晶錯体とポリアリレートとは、1:4乃至
4:1の重量比、特に2:3乃至3:2の重量比
で用いるのがよい。 第3図は、スイツチング素子層における錯体含
有量を変化させた場合における、スイツチング機
能の電場閾値(V/cm)並びに高抵抗状態及び高
電導状態におけるスイツチング素子層の体積抵抗
を示す。これらの結果から、上記範囲では安定な
機能が達成されることが理解されよう。 ポリアルキレンポリオールとしては、ポリエチ
レングリコール、ポリプロピレングリコール、ポ
リ(エチレングリコール/プロピレングリコー
ル)、ポリブチレングリコールの他に、グリセリ
ン、ソルビタン、マンニトール等の多価アルコー
ル類とエチレンオキサイド又はプロピレンオキサ
イドとの付加物が使用される。これらのポリアル
キレンポリオールの重量平均分子量は600乃至
10000の範囲にあることが望ましい。 この分子量に関しては後述する比較例に示す通
りであり、分子量が大きすぎるとポリアルキレン
ポリオールの親水性が小さくなり、分散効果が減
少し、メモリー効果は小さくなる傾向にある。 ポリアルキレンポリオールの配合量は、結着剤
樹脂当り2乃至10重量%、特に4乃至7重量%と
することが分散性の点で望ましい。 前述したバインダーを、適当な溶媒、例えばテ
トラヒドロフラン、クロロホルム、ジオキサン、
ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド等の溶媒に溶解し、微結晶
錯体を分散させ、導電性基質上に塗布し、乾燥し
てスイツチング素子層を形成させる。 本発明に用いる電荷発生輸送層乃至電荷受容層
は、光照射により電荷(キヤリヤ:正孔)を発生
し、界面へこれを移送すると共に、スイツチング
素子から注入される電荷(電子)を表面迄移送す
るものでなければならない。かかる見地からは、
この層は正孔及び電子の両方を移送させ得るもの
でなければならない。 この目的のために、正孔輸送物と電子輸送物質
との混合物乃至は電荷輸送錯体が有利に使用され
る。適当な正孔輸送物質の例は、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール、フエナントレン、N−エチルカ
ルバゾール、2,5−ジフエニル−1,3,4−
オキサジアゾール、2,5−ビス−(4−ジエチ
ルアミノフエニル)−1,3,4−オキサジアゾ
ール、ビス−ジエチルアミノフエニル−1,3,
6−オキサジアゾール、4,4′−ビス(ジエチル
アミノ−2,2′−ジメチルトリフエニルメタン、
2,4,5−トリアミノフエニルイミダゾール、
2,5−ビス(4−ジエチルアミノフエニル)−
1,3,4−トリアゾール、1−フエニル−3−
(4−ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエ
チルアミノフエニル)−2−ピラゾリン、p−ジ
エチルアミノベンツアルデヒド−(ジフエニルヒ
ドラゾン)などであり、適当な電子輸送物質の例
は2−ニトロ−9−フルオレノン、2,7−ジニ
トロ−9−フルオレノン、2,4,7−トリニト
ロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラ
ニトロ−9−フルオレノン、2−ニトロベンゾチ
オフエン、2,4,8−トリニトロチオキサント
ン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジ
ン、ジニトロアントラキノン、テトラシアノキノ
ジメタンなどである。 これらの混合物乃至錯体が造膜性を有する場合
には、これを有機溶媒の溶液として、スイツチン
グ素子層上に塗布すればよく、また造膜性を有し
ない場合には、前に例示した樹脂バインダーの溶
液中に、前述した組合せ物質を分散させ、これを
塗布して、電荷発生輸送層乃至電荷受容層を形成
させればよい。 本発明において、導電性基質としては、銅、ア
ルミニウム、ブリキ等の導電性金属基質や、導電
処理した紙、或いはネサ(NESA)ガラス等が使
用され、これらはシート或いはドラムの形で用い
られる。 本発明の感光体において、スイツチング素子層
の厚みは、一般に1乃至5μm、特に1.5乃至3.5μ
mの範囲にあり、電荷発生輸送層乃至電荷輸送層
の厚みは一般に6乃至20μm、特に7乃至12μm
の範囲にあることが、帯電時の表面電位を高いレ
ベルに維持しつつ、しかもメモリー効果を最大限
に利用する上で好ましい。 本発明の感光体は、一回露光での多数枚複写の
電子写真感光体として有用であると共に、読み出
し可能な電子記録体としての用途にも有用であ
る。 参考例 スイツチング素子層の形成 ボールミルにより粉砕した銅−テトラシアノキ
ノジメタン錯体(Cu・TCNQ)10重量部を、ポ
リアレート樹脂(U−polymer8000ユニチカ製)
10重量部、ポリエチレングリコール(PEG1000
三洋化成工業社製)0.5重量部、クロロホルム90
重量部の組成から成る溶液と混合し、30分間超音
波分散した後、銅基板上にワイヤーバーにより、
塗布、乾燥した。乾燥は80℃で15分間、さらに必
要に応じて6時間の真空乾燥を行ない、膜厚2μ
mのスイツチング素子層を形成した。 スイツチング現像の測定 上記スイツチング素子層にAlを真空蒸着し、
Al蒸着膜と銅基板を電極としてサンドイツチ型
セルを形成した。 次に、銅基板側に対し、+3.0V〜−3.0Vの電圧
を印加した。第1回目の電圧印加におけるV−I
曲線を第3図の曲線1に示す。さらに第2回目以
降の電圧印加におけるV−I曲線を曲線2に示
す。 実施例 感光体の作製 参考例と同様な方法により、スイツチング素子
層を銅基板上に形成させた。 次に、ポリビニルカルバゾール(Luvican M
−170BASF社製)10重量部にテトラヒドロフラ
ン90重量部を加えて10%PVK溶液を作製した。
この10%PVK溶液10重量部に2,4,5,7−
テトラニトロ−9−フルオレノン0.6重量部及び
テトラヒドロフラン2.0重量部を加え、超音波分
散機で充分に溶解させ、感光層塗布液を作製し
た。 この塗布液を先に形成させたスイツチング層上
にワイヤーバーにて塗布、乾燥を行ない、7μm
の感光層を形成させ、感光体を得た。 複写テスト 上述の作製した感光体を表面電位光減衰装置に
セツトし、約30秒間正コロナ放電(+6.0KV)を
行なつた後、原稿露光を行なつた。なお、照射光
としてタングステンランプ(14mW/cm2)を用い
約1時間露光を行なつた。 次に市販の静電写真複写機(DC−162:三田工
業社製)の感光体ドラムをアルマイトドラムに取
り換え、そこに露光後の本感光体を貼付し、銅基
板を接地した後正コロナ放電(+6KV)、トナー
現像、普通紙への転写クリーニングのサイクルを
連続的に繰り返し、静電印刷を行なつた。 印刷を50サイクルまで行なつたところ、初期画
像と比較しても画像のノイズや、コントラストの
乱れはほとんど観測されず、鮮明な印刷物が得ら
れた。 比較例 実施例におけるスイツチング素子層中のポリエ
チレングリコール(PEG)を無添加、また、重
量平均分子量を600、1000、2000、20000、100000
のものを使用し、実施例と同様にして、6種の感
光体を作製した。 次に、これら6種の感光体に対し正コロナ放電
(+6.0KV)を行ない、初期表面電位(Vo)を測
定した。さらに、コロナ放電後の感光対にタング
ステンランプ(14mW/cm2)により、約1分間の
露光を行なつた。その後、再び、正コロナ放電
(+6.0KV)を行ない表面電位(V1)を測定し
た。 これらの結果から、メモリー効果(F=
Vo−Vl/Vo×100)を求めた。 その結果を下記第1表に示した。 なお、表面電位の測定には市販の表面電位計
(Trek Co Model360)を用いた。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electrophotographic photoreceptor, and more particularly to an electrophotographic photoreceptor for repeatedly forming electrostatic images by utilizing the memory effect of the photoreceptor. BACKGROUND ART Conventionally, in addition to printing technology, multi-sheet copying technology based on electrophotography has been used to reproduce multiple copies of manuscripts from the standpoint of ease of operation. As a typical example of this multi-copy electrophotographic method,
A so-called retention type electrostatic printing method is known in which the steps of charging, development, transfer and cleaning are repeated after imagewise exposing a photoconductive photosensitive layer having a photomemory effect. This method uses the principle that the exposed part of the photosensitive layer becomes conductive due to the photomemory effect, making it difficult for electric charge to be deposited on this part. The sensitivity of the photoreceptor is low, and the photoreceptor must be image-exposed using a high-output light source, which is inconvenient. Recently, photoreceptors that utilize the optical memory effect have been developed; for example, Professor Inoue et al.
2,4,7-trinitrofluorenone (TNF)
A photoconductor in which a mixed solution of leuco dye and leuco dye is coated on an aluminum electrode, or a multilayer photoconductor in which a layer of a composition of PVK and TNF is provided on the layer coated with the above mixed solution, is used. Research is being conducted to form a memory image (decreased charge acceptance in the exposed area) on the photoreceptor through image exposure, and to obtain a large number of copies by repeating the process of charging, developing, and transferring. (Journal of the Photographic Society of Japan Vol. 44 No. 2 No. 104
(See pages 117-117 (1981)). Memory formation in these photoreceptors is said to result from a chemical reaction after light absorption between a charge transfer complex formed by TNF and a leuco dye. Structure of the Invention According to the present invention, an electrophotographic photoreceptor is provided in which a memory image is formed based on a principle completely different from the memory effect caused by a photochemical reaction. Further, according to the present invention, there is provided an electrophotographic photoreceptor having a novel multilayer structure that is completely different from conventional photoreceptors. That is, according to the present invention, the switching element layer comprises a conductive substrate, a switching element layer formed on the conductive substrate, and a charge generation/transport or charge acceptance layer formed on the switching element layer. Microcrystalline particles consisting of a complex of a cyano group-containing electron-accepting compound and copper or silver have a molecular weight of 600 to
Provided is an electrophotographic multilayer photoreceptor comprising a composition in which a polyalkylene polyol of 10,000 is dispersed in a polyarylate resin as a dispersion medium. The invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. In FIG. 1 showing the cross-sectional structure of this photoreceptor,
A switching element layer 2 is provided on the electrically conductive substrate 1, and a charge generation/transport layer or a charge acceptance layer 3 is provided on top of this layer 2. Although not shown, a charge injection barrier layer or an under layer for increasing adhesive strength may be provided between the conductive substrate 1 and the switching element layer 2, if desired. An important feature of the present invention is that, as the switching element layer, microcrystalline particles made of a complex of a cyano group-containing electron-accepting compound and copper or silver are dispersed in a polyarylate resin using a polyalkylene polyol as a dispersion medium. The point is that a composition is used. This composition, particularly the complex, has a switching function and a memory function in which it becomes highly conductive in a high electric field and maintains this highly conductive state. The principle of forming a memory image and the principle of forming an electrostatic image on the photoreceptor of the present invention will be explained below with reference to Figures 2-A to 2-D. First, in the charged image exposure step shown in FIG. 2-A, the surface of the photoreceptor 4 is charged to a constant polarity by the corona charger 5, and then the surface is exposed to image light by the light source 6. In the example shown in the figure,
The surface of the charge-accepting layer 3 is positively charged, and a negative charge is induced in the conductive substrate 1. In Fig. 2-B showing the first stage of memory image formation, the surface charge remains unchanged in the dark area D, but in the bright area L, charges (carriers) are generated in the charge receiving layer 3, and holes ( +) is a positive interface,
That is, it moves to the interface with the switching element layer 2,
As a result, a high electric field is applied to the switching element layer 2 in the bright area L. In Figure 2-C showing the second stage of memory image formation, the bright area L of the switching element layer 2 is in a high conductivity state (ON) due to the high electric field applied.
STATE), that is, induced into a low resistance state. The dark region D of the switching element layer 2 remains in a high resistance state (OFF STATE), and the switching element layer 2 continues to maintain the above-mentioned state, and as a result, in the bright region L, the conductive substrate 1 This makes it easy to inject electrons. In FIG. 2-D showing the electrostatic image forming process, in a portion L that has been exposed once, electrons (-), which are easily injected against subsequent positive charging, form a highly conductive switching layer 2. The charge image is formed by being injected into the charge-receiving layer 3 through the charge receiving layer 3, reaching the surface through the layer 3, and erasing the positive charges (+) on the surface. Although not shown, this charge image is
By developing with toner and transferring the formed toner image to paper etc. by a method known per se,
Copies or printed materials can be obtained. Thus, by performing the charging process a desired number of times as shown in FIG. 2-D after forming the memory image once shown in FIGS. 2-A to 2-C, it is possible to make a desired number of copies. In the present invention, as is clear from the above description,
Light is characterized in that it is used only for the purpose of generating charges in the charge generation transport layer or the charge receiving layer 3, in other words, for applying a high electric field to the switching element layer 2. That is, in conventional multilayer photoreceptors, it was necessary to also expose the memory forming layer to light through the high charge transport layer or charge receiving layer to cause a photochemical change in the memory forming layer. Since the invention requires only the generation of charges (carriers) in the charge generation transport layer or the charge transport layer, it is possible to form a memory image with a significantly lower exposure amount than in conventional methods. This advantage is achieved. FIG. 3 shows a certain switching element layer (Cu/TCNQ to be described later) used in the present invention.
Curve 1 shows the relationship between applied voltage and current; curve 1 is the relationship between voltage and current for an untreated switching element layer, and curve 2 is a similar relationship for the switching element layer after high voltage application. It is something. From curve 1, it can be seen that this switching element layer has a high resistance state A with a gentle slope and a low resistance state B with an extremely large slope, and curve 2
It is clear that the high resistance state A almost disappears in the switching element layer once it becomes a high conductivity state (ON STATE). The switching element layer used in the present invention has a high resistance state (OFF STATE) electrical resistance (R H ) in the range of 10 8 to 10 14 Ω-cm, particularly 10 9 to 10 11 Ω-cm, for charge retention. On the other hand, R H and low resistance state (ON STATE) electrical resistance (R L
The ratio of Ω-cm (R H /R L ) is 1×10 1 to 1×
A value within the range of 10 5 is desirable in terms of contrast. Examples of switching elements having the above characteristics include tetracyanoethylene (TCNE), tetracyanoquinodimethane (TCNQ), tetracyanonaphthoquinodimethane (TNAP), tetracyanodimethylquinomethane (TCNQ(Me) 2 ), and tetracyanoquinodimethane (TCNQ). Cyanodimethoxyquinomethane (TCNQ(OMe) 2 ), 2,3,
A complex of an electron-accepting substance such as 5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (TCNQF 4 ) and copper or silver is preferably used. In the present invention, microcrystalline particles of the above complex are dispersed in polyarylate using polyalkylene polyol as a dispersion medium, and this dispersion is used as a switching element layer. Polyarylate has the following structure It is a thermoplastic resin based on U-Polymer and is commercially available in Japan from Unitika Co., Ltd. under the trade name U-Polymer. This resin has a high density of aromatic rings in its main chain, so it has excellent heat resistance and has a high heat distortion temperature (approx.
175℃) and high volume resistivity (approximately 2
×10 16 Ω-cm) and withstand voltage (approximately 400 KV/cm). In the photoreceptor of the present invention, a high electric field is applied to the switching element layer, but by using polyarylate having a high withstand voltage as the resin binder, problems such as dielectric breakdown of the switching element layer can be solved. In addition, the above-mentioned complex salt exhibits a switching function between a high resistance state and a high conductivity state, for example, by the following formula [(u + (TCNQ・−]nCuxΓ+[Cu + (TCN
Q・−)]n−x+(TCNQ°)x, the low conductivity simple salt on the left side partially generates neutral molecules when a voltage higher than the threshold is applied, and becomes the so-called high conductivity simple salt. It is understood that this is due to changes in conductivity due to the formation of complex salts, but in order to restore this highly conductive complex salt to a high resistance simple salt, it is necessary to heat the salt to a high temperature. become. According to the present invention, by using polyarylate as the binder resin, there is an advantage that it can withstand high temperature heating. Furthermore, the microcrystalline particles of the complex salt described above are difficult to disperse in polyarylate, and it is difficult to form a homogeneous dispersed phase in a dispersed state. However, according to the present invention, polyalkylene polyol can be used as a dispersion medium. By doing so, it becomes possible to form a switching element layer whose composition is homogeneous throughout. This is because hydrophilic polymers such as polyalkylene polyols, e.g. polyethylene glycol (PEG), are combined with ionic additives such as copper or silver complexes, e.g. Cu.TCNQ, of electron-accepting compounds containing cyano groups used as switching element layers. This is thought to be because when acting as a dispersant for substances, the hydrophilic polymer itself plays the role of a surfactant and disperses the complex particles more finely. Furthermore, for this purpose, at the interface between the switching element layer and the charge generation/transport layer or the charge acceptance layer, the contact area between the electron transport substance in the charge generation/transport layer or the charge acceptance layer, such as tetranitrofluorenone molecules, and the complex particles is reduced. As a result, the electron transfer process from the switching element layer to the charge generation/transport layer or the charge acceptance layer can be carried out more efficiently. The microcrystalline complex and polyarylate are preferably used in a weight ratio of 1:4 to 4:1, particularly 2:3 to 3:2. FIG. 3 shows the electric field threshold (V/cm) of the switching function and the volume resistance of the switching element layer in a high resistance state and a high conductivity state when the complex content in the switching element layer is changed. From these results, it will be understood that stable functionality is achieved within the above range. Examples of polyalkylene polyols include polyethylene glycol, polypropylene glycol, poly(ethylene glycol/propylene glycol), and polybutylene glycol, as well as adducts of polyhydric alcohols such as glycerin, sorbitan, and mannitol with ethylene oxide or propylene oxide. used. The weight average molecular weight of these polyalkylene polyols is 600 to 600.
Preferably in the 10000 range. The molecular weight is as shown in the comparative example described later, and if the molecular weight is too large, the hydrophilicity of the polyalkylene polyol will decrease, the dispersion effect will decrease, and the memory effect will tend to decrease. The amount of polyalkylene polyol blended is preferably 2 to 10% by weight, particularly 4 to 7% by weight, based on the binder resin, from the viewpoint of dispersibility. The binder described above is dissolved in a suitable solvent such as tetrahydrofuran, chloroform, dioxane,
dimethylacetamide, dimethylformamide,
It is dissolved in a solvent such as dimethyl sulfoxide to disperse the microcrystalline complex, applied onto a conductive substrate, and dried to form a switching element layer. The charge generation transport layer or charge receiving layer used in the present invention generates charges (carriers: holes) by light irradiation and transports them to the interface, and also transports the charges (electrons) injected from the switching element to the surface. It must be something that does. From this point of view,
This layer must be capable of transporting both holes and electrons. For this purpose, mixtures of hole transporters and electron transporters or charge transport complexes are preferably used. Examples of suitable hole transport materials are poly-N-vinylcarbazole, phenanthrene, N-ethylcarbazole, 2,5-diphenyl-1,3,4-
Oxadiazole, 2,5-bis-(4-diethylaminophenyl)-1,3,4-oxadiazole, bis-diethylaminophenyl-1,3,
6-oxadiazole, 4,4'-bis(diethylamino-2,2'-dimethyltriphenylmethane,
2,4,5-triaminophenyl imidazole,
2,5-bis(4-diethylaminophenyl)-
1,3,4-triazole, 1-phenyl-3-
(4-diethylaminostyryl)-5-(4-diethylaminophenyl)-2-pyrazoline, p-diethylaminobenzaldehyde-(diphenylhydrazone), etc. Examples of suitable electron transport materials are 2-nitro-9- Fluorenone, 2,7-dinitro-9-fluorenone, 2,4,7-trinitro-9-fluorenone, 2,4,5,7-tetranitro-9-fluorenone, 2-nitrobenzothiophene, 2,4,8 - trinitrothioxanthone, dinitroanthracene, dinitroacridine, dinitroanthraquinone, tetracyanoquinodimethane, etc. When these mixtures or complexes have film-forming properties, they can be applied as a solution of an organic solvent onto the switching element layer, and when they do not have film-forming properties, they can be coated with the resin binder exemplified above. The above-mentioned combined substance may be dispersed in a solution of the above-mentioned material and applied to form a charge generation/transport layer or a charge receiving layer. In the present invention, conductive metal substrates such as copper, aluminum, tinplate, etc., conductive treated paper, NESA glass, etc. are used as the conductive substrate, and these are used in the form of a sheet or a drum. In the photoreceptor of the present invention, the thickness of the switching element layer is generally 1 to 5 μm, particularly 1.5 to 3.5 μm.
The thickness of the charge generation transport layer or the charge transport layer is generally 6 to 20 μm, particularly 7 to 12 μm.
It is preferable for the surface potential to be within this range to maintain the surface potential at a high level during charging and to utilize the memory effect to the fullest. The photoreceptor of the present invention is useful as an electrophotographic photoreceptor for making multiple copies with one exposure, and is also useful as a readable electronic recording medium. Reference Example Formation of Switching Element Layer 10 parts by weight of copper-tetracyanoquinodimethane complex (Cu/TCNQ) ground by a ball mill was mixed with polyaryate resin (U-polymer 8000 manufactured by Unitika).
10 parts by weight, polyethylene glycol (PEG1000
Sanyo Chemical Industries, Ltd.) 0.5 parts by weight, chloroform 90
After mixing with a solution consisting of parts by weight and ultrasonic dispersion for 30 minutes, it was placed on a copper substrate by a wire bar.
Apply and dry. Drying was performed at 80℃ for 15 minutes, and if necessary, vacuum drying for 6 hours until the film thickness was 2μ.
m switching element layers were formed. Measurement of switching development Al was vacuum-deposited on the above switching element layer,
A sandwich-type cell was formed using an Al deposited film and a copper substrate as electrodes. Next, a voltage of +3.0V to -3.0V was applied to the copper substrate side. V-I at the first voltage application
The curve is shown as curve 1 in FIG. Furthermore, the VI curve in the second and subsequent voltage applications is shown in Curve 2. Production of Example Photoreceptor A switching element layer was formed on a copper substrate by the same method as in the reference example. Next, polyvinylcarbazole (Luvican M
-170 (manufactured by BASF) and 90 parts by weight of tetrahydrofuran to prepare a 10% PVK solution.
2,4,5,7- to 10 parts by weight of this 10% PVK solution.
0.6 parts by weight of tetranitro-9-fluorenone and 2.0 parts by weight of tetrahydrofuran were added and sufficiently dissolved using an ultrasonic disperser to prepare a photosensitive layer coating solution. This coating solution was applied onto the previously formed switching layer using a wire bar and dried to form a layer of 7 μm.
A photosensitive layer was formed to obtain a photoreceptor. Copying Test The photoreceptor prepared above was set in a surface potential light attenuator, and after positive corona discharge (+6.0 KV) was applied for about 30 seconds, the original was exposed. Note that exposure was performed for about 1 hour using a tungsten lamp (14 mW/cm 2 ) as the irradiation light. Next, the photoreceptor drum of a commercially available electrophotographic copying machine (DC-162: manufactured by Sanda Kogyo Co., Ltd.) was replaced with an alumite drum, the exposed photoreceptor was attached thereto, the copper substrate was grounded, and a positive corona discharge was applied. (+6KV), toner development, transfer to plain paper and cleaning cycles were continuously repeated to perform electrostatic printing. When printing was performed up to 50 cycles, almost no image noise or contrast disturbance was observed when compared with the initial image, and clear printed matter was obtained. Comparative example No polyethylene glycol (PEG) was added in the switching element layer in the example, and the weight average molecular weight was 600, 1000, 2000, 20000, 100000.
Six types of photoreceptors were produced in the same manner as in the examples. Next, positive corona discharge (+6.0 KV) was performed on these six types of photoreceptors, and the initial surface potential (Vo) was measured. Furthermore, the photosensitive pair after corona discharge was exposed to light for about 1 minute using a tungsten lamp (14 mW/cm 2 ). Thereafter, positive corona discharge (+6.0 KV) was performed again, and the surface potential (V 1 ) was measured. From these results, the memory effect (F=
Vo−Vl/Vo×100) was calculated. The results are shown in Table 1 below. Note that a commercially available surface electrometer (Trek Co Model 360) was used to measure the surface potential.

【表】 第1表の結果からPEGの分子量は比較的低分
子量であるほどメモリー効果に顕著な効果を示し
た。
[Table] From the results in Table 1, the lower the molecular weight of PEG, the more significant the memory effect was.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の感光体の断面構造を示し、
第2−A乃至2−D図は、本発明の感光体のメモ
リー像の形成原理及び静電像の形成原理を示し、
第3図は、本発明に使用するスイツチング素子層
について印加電圧と電流との関係を示したもので
ある。 1……導電性基質、2……スイツチング素子
層、3……電荷発生輸送乃至電荷受容層。
FIG. 1 shows the cross-sectional structure of the photoreceptor of the present invention,
2-A to 2-D show the principle of forming a memory image and the principle of forming an electrostatic image of the photoreceptor of the present invention,
FIG. 3 shows the relationship between applied voltage and current for the switching element layer used in the present invention. 1... Conductive substrate, 2... Switching element layer, 3... Charge generation transport or charge receiving layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 導電性基質、該導電性基質上に形成されたス
イツチング素子層及び該スイツチング素子層上に
形成された電荷発生輸送乃至電荷受容層から成
り、該スイツチング素子層は、シアノ基含有電子
受容性化合物と銅又は銀との錯体から成る微結晶
性粒子を、分子量600乃至100000ポリアルキレン
ポリオールを分散媒としてポリアリレート樹脂中
に分散した組成物から成ることを特徴とする電子
写真多層感光体。
1 Consists of a conductive substrate, a switching element layer formed on the conductive substrate, and a charge generation transport or charge acceptance layer formed on the switching element layer, and the switching element layer is made of a cyano group-containing electron-accepting compound. 1. An electrophotographic multilayer photoreceptor comprising a composition in which microcrystalline particles consisting of a complex of copper or silver are dispersed in a polyarylate resin using a polyalkylene polyol having a molecular weight of 600 to 100,000 as a dispersion medium.
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