JPH0554730B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0554730B2 JPH0554730B2 JP60150412A JP15041285A JPH0554730B2 JP H0554730 B2 JPH0554730 B2 JP H0554730B2 JP 60150412 A JP60150412 A JP 60150412A JP 15041285 A JP15041285 A JP 15041285A JP H0554730 B2 JPH0554730 B2 JP H0554730B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- control voltage
- diodes
- ring modulator
- signal
- pin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアツテネータスイツチに関し、特に信
号出力位相の反転ができるアツテネータスイツチ
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an attenuator switch, and more particularly to an attenuator switch capable of inverting the signal output phase.
リング変調器を備えるアツテネータスイツチ
が、信号出力位相の反転もできる減衰量可変のア
ツテネータとして、また信号位相反転スイツチと
して使用されている。
An attenuator switch with a ring modulator is used as a variable attenuation attenuator that can also invert the signal output phase, and as a signal phase inversion switch.
第２図は、従来のかかるアツテネータスイツチ
の一例を示す回路図である。 FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of such a conventional attenuator switch.
第２図に示す従来例は、ピンダイオードD1，
D2，D3，D4からなるダイオードブリツジと変成
器TI，ＴＯとを有するリング変調器RMと、抵抗
R1とを備えて構成されている。変成器TIの入力
巻線には不平衡の入力信号SIを入力し、変成器
TOの出力巻線から不平衡の出力信号SO′を出力す
る。変成器TIの出力巻線の黒丸印端はピンダイ
オードD1の正側端子とピンダイオードD4の負側
端子との接続点に接続され、出力巻線の他端はピ
ンダイオードD2・D3の接続点に接続されている。
変成器TOの入力巻線の黒丸印端はピンダイオー
ドD1・D2の接続点に、他端はピンダイオード
D3・D4の接続点に接続されている。また、変成
器TIの出力巻線中間タツプに抵抗R1を介して制
御電圧VCが印加され、変成器TOの入力巻線中間
タツプは接地されている。 The conventional example shown in FIG. 2 has a pin diode D 1 ,
A ring modulator RM having a diode bridge consisting of D 2 , D 3 , D 4 and transformers T I , TO, and a resistor
R1 . An unbalanced input signal S I is input to the input winding of the transformer T I , and the transformer
An unbalanced output signal S O ' is output from the output winding of T O. The black circle end of the output winding of the transformer T I is connected to the connection point between the positive terminal of the pin diode D 1 and the negative terminal of the pin diode D 4 , and the other end of the output winding is connected to the pin diode D 2 . Connected to D 3 connection point.
The black circle end of the input winding of the transformer T O is connected to the connection point of pin diodes D 1 and D 2 , and the other end is connected to the pin diode.
Connected to the connection point of D 3 and D 4 . Further, a control voltage V C is applied to the intermediate tap of the output winding of the transformer T I via a resistor R 1 , and the intermediate tap of the input winding of the transformer TO is grounded.
第２図に示す従来例の動作について説明する。 The operation of the conventional example shown in FIG. 2 will be explained.
ピンダイオードの伝送信号に対するインピーダ
ンスは、順バイアスではバイアス電流値により変
化する抵抗の呈するインピーダンス、逆バイアス
ではジヤンクシヨン容量の呈する高インピーダン
スと見做せる。 The impedance of the pin diode for transmission signals can be regarded as the impedance exhibited by a resistance that changes depending on the bias current value in forward bias, and the high impedance exhibited by junction capacitance in reverse bias.
制御電圧VCが（接地電位に対し）正の場合、
ピンダイオードD1・D3は順バイアス・ピンダイ
オードD2・D4は逆バイアスとなり、変成器TIの
出力巻線と変成器TOの入力巻線とがピンダイオ
ードD1・D3の呈する抵抗性インピーダンスを介
して接続され、しかも両巻線の黒丸印端が接続さ
れることになる。この場合ピンダイオードD2・
D4は、容量性高インピーダンスを無視すれば開
放と見做せるから、出力信号S′Oは入力信号SIと
同相であり、その振幅はピンダイオードD1・D3
の呈する抵抗値により変化し、この抵抗値はバイ
アス電流をきめる制御電圧VCにより決定される。
制御電圧VCが負の場合はピンダイオードD2・D4
が順バイアスとなるから、変成器TI・TO間の接
続は前記場合と逆になり出力信号S′Oは入力信号
SIと逆相になる。出力信号S′Oの振幅が制御電圧
VCにより変化するのは前記場合と同じである。 If the control voltage V C is positive (relative to ground potential), then
The pin diodes D 1 and D 3 are forward biased, and the pin diodes D 2 and D 4 are reverse biased, so that the output winding of the transformer T I and the input winding of the transformer T O are connected to the pin diodes D 1 and D 3 . The two windings are connected through the resistive impedance that they exhibit, and the black circle ends of both windings are connected. In this case, the pin diode D2
Since D 4 can be considered open if high capacitive impedance is ignored, the output signal S′ O is in phase with the input signal S I , and its amplitude is equal to that of the pin diodes D 1 and D 3
This resistance value is determined by the control voltage V C that determines the bias current.
If the control voltage V C is negative, pin diodes D 2 and D 4
is forward biased, the connection between transformers T I and T O is reversed to the above case, and the output signal S′ O is the input signal
It is in opposite phase to S I. The amplitude of the output signal S′ O is the control voltage
The change depending on V C is the same as in the above case.
第２図に示す従来例は、上記したように制御電
圧VCにより制御されるアツテネータスイツチと
して動作する。 The conventional example shown in FIG. 2 operates as an attenuator switch controlled by the control voltage V C as described above.
従来のアツテネータスイツチにおいて逆バイア
スのピンダイオードが呈する容量性インピーダン
スは伝送路に並列に入ることになり、この容量性
インピーダンスにより伝送位相特性は劣化するの
で、従来のアツテネータスイツチは伝送位相特性
がよくないという欠点がある。
In conventional attenuator switches, the capacitive impedance exhibited by the reverse-biased pin diode enters the transmission path in parallel, and this capacitive impedance degrades the transmission phase characteristics. There is a drawback that it is not good.
本発明の目的は、伝送位相特性の良好なアツテ
ネータスイツチを提供することにある。 An object of the present invention is to provide an attenuator switch with good transmission phase characteristics.
本発明のアツテネータスイツチは、制御信号に
より入力信号の振幅および極性を制御して出力す
るリング変調器を備えるアツテネータスイツチに
おいて、互に逆極性に並列接続し前記リング変調
器に直列接続した二つのダイオードを含み、前記
リング変調器の信号減衰量を制御する第一の制御
電圧と前記二つのダイオードの信号減衰量を制御
する第二の制御電圧とのうちいずれか一方を零に
するとき他方をも零にして構成される。
The attenuator switch of the present invention is an attenuator switch equipped with a ring modulator that controls the amplitude and polarity of an input signal using a control signal and outputs the output signal. a first control voltage that controls the amount of signal attenuation of the ring modulator and a second control voltage that controls the amount of signal attenuation of the two diodes. It is also constructed by zeroing out.
以下実施例を示す図面を参照して本発明につい
て詳細に説明する。
The present invention will be described in detail below with reference to drawings showing embodiments.
第１図は、本発明のアツテネータスイツチの一
実施例を示す回路図である。 FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the attenuator switch of the present invention.
第１図に示す実施例は、リング変調器RMと、
互に逆極性に並列接続されたピンダイオード
D5・D6と、抵抗R1・R2と、容量Ｃとを備えて構
成されている。リング変調器RMは、第２図にお
けるそれと同じであり、入力信号SIが入力し抵抗
R1を介して制御電圧VCが印加されるのも第２図
におけると同じである。ピンダイオードD5・D6
の接続点の一方はリング変調器RMの不平衡出力
端に接続され、他方は直流阻止用の容量Ｃに接続
される。この接続点に抵抗R2を介して制御電圧
VCが印加される。容量Ｃから出力信号SOが出力
される。 The embodiment shown in FIG. 1 includes a ring modulator RM;
Pin diodes connected in parallel with opposite polarity
It is composed of D 5 , D 6 , resistors R 1 , R 2 , and capacitor C. The ring modulator RM is the same as that in Fig. 2, and the input signal S I is input to the resistor.
It is also the same as in FIG. 2 that the control voltage V C is applied via R 1 . Pin diode D 5 /D 6
One of the connection points is connected to the unbalanced output terminal of the ring modulator RM, and the other is connected to the DC blocking capacitor C. Control voltage through resistor R 2 at this connection point
V C is applied. An output signal S O is output from the capacitor C.
第１図に示す実施例の動作について説明する。 The operation of the embodiment shown in FIG. 1 will be explained.
制御電圧VCによりピンダイオードD5・D6の一
方は順バイアス、他方は逆バイアスとなり、順バ
イアスの方は制御電圧VCにより決定される抵抗
性のインピーダンス、逆バイアスの方は容量性の
高インピーダンスと見做せる。両インピーダンス
は伝送路に直列に入るので、逆バイアス側ピンダ
イオードの呈する容量性高インピーダンスを無視
すれば、ピンダイオードD5・D6も制御電圧VCで
制御されるアツテネータとして動作する。ただし
出力位相反転機能はない。 Depending on the control voltage V C, one of the pin diodes D 5 and D 6 becomes forward biased and the other becomes reverse biased, the forward bias one has a resistive impedance determined by the control voltage V C , and the reverse bias one has a capacitive impedance. It can be regarded as high impedance. Since both impedances enter the transmission path in series, if the high capacitive impedance exhibited by the pin diode on the reverse bias side is ignored, the pin diodes D 5 and D 6 also operate as an attenuator controlled by the control voltage V C . However, there is no output phase inversion function.
さて、リング変調器RMは入力信号SIを制御電
圧VCで制御される振幅・極性にして出力し、こ
れをピンダイオードD5・D6は上記のように制御
電圧VCで制御される減衰量でさらに減衰し、出
力信号SOとして出力する。総減衰量はリング変調
器RMによる減衰量とピンダイオードD5・D6に
よるそれとの和になる。 Now, the ring modulator RM outputs the input signal S I with the amplitude and polarity controlled by the control voltage V C , and the pin diodes D 5 and D 6 are controlled by the control voltage V C as described above. It is further attenuated by the attenuation amount and output as the output signal S O. The total attenuation is the sum of the attenuation due to the ring modulator RM and that due to the pin diodes D5 and D6 .
すでに説明したように、リング変調器RMにお
ける逆バイアスのピンダイオードは伝送路に並列
に入る容量性インピーダンスと見做すことがで
き、一方ピンダイオードD5・D6のうち逆バイア
スの方は伝送路に直列に入る容量性インピーダン
スと見做せるから、この直列の容量性インピーダ
ンスによる伝送位相特性はリング変調器RMの並
列容量性インピーダンスによる伝送位相特性の劣
化を補償することになり、第１図に示す実施例の
伝送位相特性は良好である。 As already explained, the reverse-biased pin diode in the ring modulator RM can be regarded as a capacitive impedance that goes in parallel to the transmission path, while the reverse-biased one of the pin diodes D 5 and D 6 is connected to the transmission path. Since it can be regarded as a capacitive impedance that enters the line in series, the transmission phase characteristics due to this series capacitive impedance will compensate for the deterioration in the transmission phase characteristics due to the parallel capacitive impedance of the ring modulator RM, as shown in Figure 1. The transmission phase characteristics of the embodiment shown in FIG.
次に第１図に示す実施例の最大減衰量について
説明する。 Next, the maximum attenuation amount of the embodiment shown in FIG. 1 will be explained.
リング変調器RMの最大減衰量は、制御電圧VC
を接地電位に等しくするとダイオードブリツジが
バランスするので、理想状態では無限大になる。
しかし、ダイオードブリツジを構成するピンダイ
オードの特性のばらつきや回路配線の対称性のず
れなどにより、たとえばVHF帯では最大減衰量
は40dB程度になる。一方ピンダイオードD5・D6
による減衰量も、両ダイオードが共に零バイアス
になるとき、すなわち制御電圧VCが接地電位に
等しいとき最大となり、最大減衰量はピンダイオ
ードD5・D6が零バイアス時に呈する容量性イン
ピーダンスの値で制限され、VHFでは20dB程度
となる。したがつて第１図に示す実施例は、制御
電圧VCが接地電位に等しくなるとき最大減衰量
をとり、その値は第２図に示す従来例におけるよ
り20dB程度向上する。 The maximum attenuation of the ring modulator RM is determined by the control voltage V C
When equal to the ground potential, the diode bridge is balanced, so in the ideal state it becomes infinite.
However, due to variations in the characteristics of the pin diodes that make up the diode bridge and deviations in the symmetry of the circuit wiring, the maximum attenuation amount is about 40 dB in the VHF band, for example. On the other hand, pin diodes D 5 and D 6
The amount of attenuation due to diodes is also maximum when both diodes are at zero bias, that is, when the control voltage V C is equal to the ground potential, and the maximum attenuation is the value of the capacitive impedance that the pin diodes D 5 and D 6 exhibit at zero bias. and is limited to about 20 dB for VHF. Therefore, the embodiment shown in FIG. 1 has a maximum attenuation amount when the control voltage V C becomes equal to the ground potential, and this value is improved by about 20 dB compared to the conventional example shown in FIG.
以上、ダイオードとしてピンダイオードを用い
る場合について本発明の実施例を説明したが、本
発明はピンダイオードを用いる場合に限定される
ものではなく、PNジヤンクシヨンダイオード・
シヨツトキーダイオードなど他種のダイオードを
用いる場合にも適用できる。 Although the embodiments of the present invention have been described above with respect to the case where a pin diode is used as the diode, the present invention is not limited to the case where a pin diode is used.
It can also be applied when using other types of diodes such as Schottky diodes.
以上詳細に説明したように本発明のアツテネー
タスイツチは、リング変調器に二つのダイオード
を逆極性に並列接続した回路を付加するという手
段を用いるので、伝送位相特性が良好であるとい
う効果があり、また最大減衰量が向上するという
効果がある。
As explained in detail above, the attenuator switch of the present invention has the advantage of good transmission phase characteristics because it uses a circuit in which two diodes are connected in parallel with opposite polarities to the ring modulator. , and also has the effect of improving the maximum attenuation.
第１図は、本発明のアツテネータスイツチの一
実施例を示す回路図、第２図は、従来のアツテネ
ータスイツチの一例を示す回路図である。
D5・D6……ピンダイオード、RM……リング
変調器。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of an attenuator switch according to the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a conventional attenuator switch. D5・D6 ...Pin diode, RM...Ring modulator.
Claims (1)
制御して出力するリング変調器を備えるアツテネ
ータスイツチにおいて、互に逆極性に並列接続し
前記リング変調器に直列接続した二つのダイオー
ドを含み、前記リング変調器の信号減衰量を制御
する第一の制御電圧と前記二つのダイオードの信
号減衰量を制御する第二の制御電圧とのうちいず
れか一方を零にするとき他方をも零にすることを
特徴とするアツテネータスイツチ。1. An attenuator switch equipped with a ring modulator that controls and outputs the amplitude and polarity of an input signal using a control signal, including two diodes connected in parallel with opposite polarities and connected in series with the ring modulator, When one of the first control voltage that controls the signal attenuation of the modulator and the second control voltage that controls the signal attenuation of the two diodes is set to zero, the other is also set to zero. The characteristic attenuator switch.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15041285A JPS6210921A (en) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | Attenuator switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15041285A JPS6210921A (en) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | Attenuator switch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6210921A JPS6210921A (en) | 1987-01-19 |
| JPH0554730B2 true JPH0554730B2 (en) | 1993-08-13 |
Family
ID=15496378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15041285A Granted JPS6210921A (en) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | Attenuator switch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6210921A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4465581B2 (en) | 2002-11-29 | 2010-05-19 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Polymerization plate, polymerization tube, method of overhanging polymerization tube, tool |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS585607B2 (en) * | 1977-08-15 | 1983-02-01 | 富士通テン株式会社 | automatic channel selection device |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP15041285A patent/JPS6210921A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6210921A (en) | 1987-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0547814B1 (en) | Balanced line driver for local area networks or the like | |
| US4829272A (en) | Electromagnetic variable delay line system | |
| US4583232A (en) | Carrier current digital data transceiver | |
| US4287393A (en) | Transmission bridge for a subscriber's circuit | |
| GB2095493A (en) | Three state circuit | |
| JPH0554730B2 (en) | ||
| US4011410A (en) | Communication system interface circuits | |
| US4266099A (en) | Pulse rejection and duration correction circuit | |
| JP2594556B2 (en) | Diode switch circuit | |
| US4510452A (en) | Circuit having square-law transfer characteristic | |
| US3624559A (en) | Phase or frequency modulator using pin diodes | |
| US4016559A (en) | Digital-to-analog converter having transient suppressor system | |
| JPH0218591Y2 (en) | ||
| JPH01264014A (en) | Diode switch circuit | |
| JPH0648990Y2 (en) | Trigger signal generation circuit | |
| JPS6220078Y2 (en) | ||
| JPH0528824Y2 (en) | ||
| JPH0520926B2 (en) | ||
| JPH04369112A (en) | Noise damping circuit with main signal path and auxiliary signal path having bypass filter characteristic | |
| JPH01300606A (en) | Half wave rectifier circuit | |
| SU1056218A1 (en) | Device for implementing relay characteristic with dead zone | |
| SU1262686A1 (en) | Frequency converter | |
| CA1114970A (en) | Pulse rejection and duration correction circuit | |
| SU972524A1 (en) | Amplitude discriminator | |
| JPS5924176Y2 (en) | variable phase shifter |