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JPH0555566B2 - - Google Patents
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JPH0555566B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0555566B2
JPH0555566B2 JP59048145A JP4814584A JPH0555566B2 JP H0555566 B2 JPH0555566 B2 JP H0555566B2 JP 59048145 A JP59048145 A JP 59048145A JP 4814584 A JP4814584 A JP 4814584A JP H0555566 B2 JPH0555566 B2 JP H0555566B2
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JP
Japan
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annealing
shadow mask
manufacturing
oxide film
metal plate
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP59048145A
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JPS60194012A (ja
Inventor
Fumio Suzuki
Makoto Fujinuma
Yasuhisa Ootake
Michihiko Inaba
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Priority to EP85103032A priority patent/EP0155010B1/en
Priority to DE8585103032T priority patent/DE3565191D1/de
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Priority to SG954/90A priority patent/SG95490G/en
Priority to HK1093/90A priority patent/HK109390A/en
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D6/00Heat treatment of ferrous alloys
    • C21D6/001Heat treatment of ferrous alloys containing Ni
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/14Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes

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  • Heat Treatment Of Articles (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕 本発明はカラー受像管用シヤドウマスクの製造
法に係り、特にその素材が鉄−ニツケル合金の場
合の焼鈍法に関するものである。 〔発明の技術的背景及びその問題点〕 カラー受像管用シヤドウマスクの素材には一般
にリムド鋼又はアルミキルド鋼などの高純度の低
炭素鋼板が用いられているが、これは素材の供給
能力、コスト、加工性、強度などにより総合的に
決められたものである。しかし乍らその最大の欠
点は熱膨張係数が大きい(0〜100℃、約12×
10-6/℃)ことである。通常のシヤドウマスクの
電子ビーム通過率は15〜25%で多くの電子ビーム
がシヤドウマスクに衝突し、シヤドウマスク自体
の温度が30〜80℃に上昇する。この結果シヤドウ
マスクは熱変形を起し螢光面に対向する曲面の曲
率が崩れることによりピユリテイードリフト
(PD)と呼ばれる色純度の劣化を引起す。マスク
孔ピツチの粗い一般のカラー受像管は螢光体層と
電子ビームとの幾何学的な位置関係のずれに対す
る余裕度(以下ガードバンド量と称す)が大き
く、シヤドウマスクがある量熱変形を起しても色
純度の劣化が起りにくい。しかし乍ら文字や図形
の表示装置としての高精細度カラー受像管や、一
般民生管では画面の平坦性を向上させ且つ文字放
送に対応させ細かなピツチを有したカラー受像管
の場合、上記余裕度は必らずしも充分ではない。
即ち高精細度カラー受像管の場合、孔ピツチが細
かなため孔寸法も小さく(例えば0.3mmピツチで
は140μ、0.2mmピツチでは85μ)必然的にガードバ
ンド量が少なく、且つ通常のフオトエツチングに
て孔寸法の小さなものを得ようとした場合マスク
板厚を薄くしなければならぬため熱容量が減少
し、一定条件下における熱膨張量が板厚の厚いも
のに比較し多くなり色純度が劣化し易い問題点を
有する。一方画面の平坦性を向上させたカラー受
像管の場合、マスクの曲率半径が一般管に比較し
大きいので、同じ量マスクが同じ量の熱膨張を起
してもマスク孔を通過した電子ビームの目的とす
る螢光体層への射突位置ずれ量が多く、且つピツ
チの細かな分ガードバンド量も少なく色純度が劣
化し易い問題点を有する。これを解決するために
種々の方法が検討されているが、特公昭42−
25446号公報、特開昭50−58977号公報、特開昭50
−68650号公報に示されているように熱膨張係数
の小さな鉄−ニツケル合金例えば36%Ni−Feア
ンバー合金(0〜100℃、約0〜2.0×10-6/℃)
又は42%Ni−Fe合金(0〜100℃、約5.0×
10-6/℃)を素材として使用するシヤドウマスク
が提案されているが未だ実用条件を満足するに到
つていない。この原因の一つとして鉄−ニツケル
合金からなるマスクの加工の困難さが挙げられ
る。シヤドウマスクの曲面は高精度が要求され、
1000mmの曲率半径(R)に対し許容公差は±5mmと非
常に厳しいしのである。しかし乍ら鉄−ニツケル
合金は従来の鉄を主成分とするものに比べ同様の
焼鈍を施しても機械的強度が高くプレス等による
球面成形性が劣る欠点を有している。例えば第1
図に示すように厚さ0.2mmの鉄−ニツケルマスク
を球面成形し標準Rに対して局部的な凹みを生じ
た場合、この凹み量(d)は20μm以下であれば実質
的に色純度の劣化は許容し得る。この凹み量をシ
ヤドウマスク素材の降伏点強度について、例えば
14吋型シヤドウマスクの場合第2図に示す特性を
示す。即ち凹み量を20μm以下とするためには降
伏点強度を20Kg/mm2以下に抑える必要がある。し
かし乍ら鉄−ニツケル系合金を素材とするシヤド
ウマスクを従来のアルミキルド低炭素鋼を素材と
するシヤドウマスクと同様の水素雰囲気における
アニール炉で焼鈍した場合、得られる降伏点強度
は第3図に示すように、アルミキルド低炭素鋼の
特性aに比較し鉄−ニツケル合金の特性bは非常
に高い。即ち900℃もの高温で焼鈍しても降伏点
強度は29〜30Kg/mm2までしか低下しない。尚、第
2図において、鉄−ニツケル合金の降伏点強度は
炭素鋼に特有の降伏現象を呈しないため、0.2%
伸びた時の引張強度にて代用している。このよう
に鉄−ニツケル系合金を素材とするシヤドウマス
クは特に有効部周辺部の変形と凹みが大きいた
め、変形による色純度劣化が大きな問題となる。
一方管内に組込まれるシヤドウマスクは耐蝕性及
び熱輻射性を向上させるため、プレス成形にて目
的とする曲面を得た後マスク表面に黒色酸化膜層
を形成する。しかし鉄−ニツケル合金は耐蝕性の
良いニツケルが含まれているため、アルミキルド
低炭素鋼に比較し黒色酸化膜を形成しにくい。こ
の結果マスクからの熱輻射が悪くなり、且つ熱伝
導率がアルミキルド低炭素鋼に比べて小さなこと
もあいまつて熱がこもり易い。同一映像条件下に
おけるマスク温度は、低炭素鋼を使用したマスク
に比べて高くなり易いため熱膨張量も目的とした
値より多くなり熱輻射の良好な黒色酸化膜を形成
しなければ低熱膨張という素材の長所が生かされ
ず熱変形による色純度劣化が問題になる。 〔発明の目的〕 本発明は鉄−ニツケル合金よりなるシヤドウマ
スクのプレス成形性が良く、且つ耐蝕性及び熱輻
性の優れた黒色酸化膜の形成が容易なシヤドウマ
スクの製造方法を提供するもので、最終的には画
面のホワイトユニフオーミテイ(WU)品位が良
く、PD問題のないカラー受像管を提供すること
を目的とする。 〔発明の概要〕 本発明は、鉄−ニツケル合金よりなるシヤドウ
マスクのプレス成形前の焼鈍を真空中で行ない、
焼鈍後の冷却を還元雰囲気中の炉内で行なうこと
によつて、シヤドウマスクの降伏点強度を低下せ
しめてプレス成形時の変形量を抑制すると同時
に、シヤドウマスク表面のステンレス化を抑制し
良好な酸化膜の成長を得るものである。 〔発明の実施例〕 鉄−ニツケル合金を主成分とするシヤドウマス
ク用素材としてアンバー合金を用いた実施例に関
し以下説明する。第1表にアンバー合金とアルミ
キルド低炭素鋼の素材組成を示す。
【表】 上記組成の36Niアンバー合金を素材とするシ
ヤドウマスクに関し、水素雰囲気(露点10℃)の
アニール炉を使用し焼鈍温度を上げた時の降伏点
強度を第4図に示す。第4図から明らかな如く、
1200℃の高温で焼鈍しても降伏点強度は24Kg/mm2
までしか低下しない。従つて降伏点強度を成形性
に問題のない20Kg/mm2以下にするには第4図から
外挿して焼鈍温度を1500〜1700℃とする必要があ
る。しかしアンバー合金の融点が1440〜1450℃で
あることを考えると実行不可能である。 本発明者らは特開昭59−27433号公報に示され
ているように焼鈍による金属板の結晶組織を観察
した結果、水素焼鈍処理の場合には断面の結晶粒
が焼鈍温度の上昇に伴いよく成長するのに反し、
表面の結晶粒の成長がごくわずかであることを見
出した。この表面結晶粒の成長不足は降伏点強度
と関連があり、断面と同様の結晶成長を施すこと
ができるなら降伏点強度は20Kg/mm2に近づくと考
えた。この為には表面の結晶粒界に濃化する不純
物で特に蒸気圧の高いMn、P、S等を結晶粒界
より蒸発させることにより表面結晶粒の成長を促
進できると推定し真空中での焼鈍を実施した。真
空度は10-2Torr、温度は900〜1200℃で夫々10分
間の焼鈍を行つた。この結果第5図に示すよう
に、20Kg/mm2以下の降伏点強度が1000℃以上の焼
鈍温度にて得られた。また表面の結晶粒の成長は
内部と差がなく、厚さ1/20以下の表面層の不純物
の分析結果を示す第2表からも判る如く、Mn、
P及びS等の不純物が大幅に減少している。上記
真空焼鈍時の真空度は10-2Torrで行つたが、焼
鈍時間を更に長くとることで真空焼鈍時の真空度
を10-1Torrまで低下させることができる。結晶
粒の成長は結晶粒界の汚染状態によつて変化し、
汚染されているとその成長が阻害される。これを
真空状態の雰囲気で焼鈍することにより、濃化し
た不純物は表面から抜け出して除去される。この
速度は雰囲気温度は勿論のこと真空度に依存する
が、そのとき必要な真空度は10-1Torr以下であ
ることがわかつた。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、プレス成形性が
良好で且つ耐蝕性及び熱輻射性の優れた黒色酸化
膜を容易に形成でき、ホワイトユニフオーミテイ
品位が良好で、PD問題のない鉄−ニツケル合金
からなるシヤドウマスクを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はシヤドウマスクの変形を説明するため
の要部の概略図、第2図はシヤドウマスクの変形
量と降伏点強度との関係を示す特性図、第3図及
び第4図はシヤドウマスクの焼鈍温度と降伏点温
度との関係を示す特性図、第5図は真空焼鈍温度
と降伏点強度との関係を示す特性図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 鉄及びニツケルを主成分とする薄板状金属板
    に多数の開孔を穿設する工程と、前記多数の開孔
    の穿設された金属板を焼鈍する工程と、前記焼鈍
    された金属板を成形する工程と、前記成形された
    金属板に黒色酸化皮膜を形成する工程とを少なく
    とも備えたシヤドウマスクの製造方法において、
    前記焼鈍を真空中で行ない、焼鈍後の冷却を還元
    雰囲気中の炉内で行うことを特徴とするシヤドウ
    マスクの製造方法。 2 前記焼鈍が10-1torr以下の圧力の真空中で行
    なわれることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載のシヤドウマスクの製造方法。 3 前記焼鈍後の炉冷却時水素ガスの投入を炉温
    が500℃に下るまで続け、焼鈍処理終了後黒色酸
    化皮膜を形成することを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載のシヤドウマスクの製造方法。 4 前記焼鈍が1000℃以上の温度で行なわれるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載のシヤ
    ドウマスクの製造方法。 5 前記焼鈍終了後黒色酸化皮膜を形成するまで
    の間脱酸雰囲気中でシヤドウマスクを保管してお
    くことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の
    シヤドウマスクの製造方法。
JP59048145A 1984-03-15 1984-03-15 シヤドウマスクの製造方法 Granted JPS60194012A (ja)

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KR850006967A (ko) 1985-10-25

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