JPH0574952B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0574952B2 JPH0574952B2 JP60039910A JP3991085A JPH0574952B2 JP H0574952 B2 JPH0574952 B2 JP H0574952B2 JP 60039910 A JP60039910 A JP 60039910A JP 3991085 A JP3991085 A JP 3991085A JP H0574952 B2 JPH0574952 B2 JP H0574952B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor
- amorphous
- silicone oil
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
- H10P76/20—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials
- H10P76/202—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials for lift-off processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製法に関する。
［従来の技術］
従来、半導体装置を製造する際に必要とされる
パターン化は、マスク蒸着法やエツチング法など
により行なわれている。
パターン化は、マスク蒸着法やエツチング法など
により行なわれている。
［発明が解決しようとする問題点］
半導体装置を製造する際に必要とされるパター
ン化をマスク蒸着法によりおこなうばあいには、
パターン精度がわるく、微細加工が困難であり、
エツチング法により行なうばあいにはパターン精
度がよく、微細加工も容易であり、これらの点で
はマスク蒸着法のような問題はないが、使用した
エツチング液やレジストなどが残留することがあ
り、このようなばあいには、製造された半導体装
置の信頼性が著しく低下するという問題が生ず
る。
ン化をマスク蒸着法によりおこなうばあいには、
パターン精度がわるく、微細加工が困難であり、
エツチング法により行なうばあいにはパターン精
度がよく、微細加工も容易であり、これらの点で
はマスク蒸着法のような問題はないが、使用した
エツチング液やレジストなどが残留することがあ
り、このようなばあいには、製造された半導体装
置の信頼性が著しく低下するという問題が生ず
る。
本発明は半導体装置を製造する際のパターン化
を精度よく、容易にすることができ、しかもエツ
チング液やレジストが残留したりすることによる
製造された半導体装置の信頼性の低下をなくすた
めになされたものである。
を精度よく、容易にすることができ、しかもエツ
チング液やレジストが残留したりすることによる
製造された半導体装置の信頼性の低下をなくすた
めになされたものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、絶縁基板上に形成された第１の電極
の一部を除去したのち、第１の電極上に形成され
た非晶質を含む半導体上に形成される第２の電極
が不要な部分に相当する非晶質を含む半導体上の
部分に、あらかじめシリコーンオイルを塗布し、
ついで第２の電極を形成することを特徴とする半
導体装置の製法に関する。
の一部を除去したのち、第１の電極上に形成され
た非晶質を含む半導体上に形成される第２の電極
が不要な部分に相当する非晶質を含む半導体上の
部分に、あらかじめシリコーンオイルを塗布し、
ついで第２の電極を形成することを特徴とする半
導体装置の製法に関する。
［実施例］
本発明に用いる絶縁基板としては、たとえばガ
ラス、セラミツクス、エポキシ系樹脂やフツ素系
樹脂などの有機高分子材料、絶縁された金属板な
どからなる厚さ0.05〜10mm程度の、一般に半導体
装置の製造に用いられている絶縁基板があげら
れ、このような絶縁基板であるかぎり使用しう
る。
ラス、セラミツクス、エポキシ系樹脂やフツ素系
樹脂などの有機高分子材料、絶縁された金属板な
どからなる厚さ0.05〜10mm程度の、一般に半導体
装置の製造に用いられている絶縁基板があげら
れ、このような絶縁基板であるかぎり使用しう
る。
前記絶縁基板上には、たとえばSUS、鉄、Al、
Ni、Cu、しんちゆう、Zn、Ag、合金などの金属
電極や、ITO、In2、O8、SnO2、ITO／SnO2、
CdxSn Oy（ｘは0.5〜２、ｙは２〜４である）、Irz
O1-z（ｚは0.33〜0.5である）、Znn O(1-n)（ｍは
０〜0.5である）などの透明電極、あるいはCr−
Si、Mo−Siなどのシリサイド系電極などが、厚
さ100〜10000Å程度になるように第１の電極とし
て形成される。
Ni、Cu、しんちゆう、Zn、Ag、合金などの金属
電極や、ITO、In2、O8、SnO2、ITO／SnO2、
CdxSn Oy（ｘは0.5〜２、ｙは２〜４である）、Irz
O1-z（ｚは0.33〜0.5である）、Znn O(1-n)（ｍは
０〜0.5である）などの透明電極、あるいはCr−
Si、Mo−Siなどのシリサイド系電極などが、厚
さ100〜10000Å程度になるように第１の電極とし
て形成される。
本発明においては、絶縁基板上に形成された第
１の電極の一部を所望のパターンになるように、
たとえばエツチング法などの方法により除去した
のち、第１の電極上に形成された非晶質を含む半
導体上に形成される第２の電極が不要な部分に相
当する非晶質を含む半導体上の部分に、あらかじ
めシリコーンオイルが塗布される。
１の電極の一部を所望のパターンになるように、
たとえばエツチング法などの方法により除去した
のち、第１の電極上に形成された非晶質を含む半
導体上に形成される第２の電極が不要な部分に相
当する非晶質を含む半導体上の部分に、あらかじ
めシリコーンオイルが塗布される。
前記非晶質を含む半導体の具体例としては、
Si、Ge、Ｃの少なくとも１種を含むものや、Si、
Ge、Ｃの少なくとも１種を含むものにさらにチ
ツ素原子や酸素原子が構成成分として加えられた
ものなどがあげられ、形成された半導体のダング
リングボンドが水素原子やフツ素原子でターミネ
ートされていてもよい。またその厚さは50Å〜
50μｍ程度のものである。該非晶質を含む半導体
には微結晶状のものが含まれていてもよく、また
その構造はpn、pin、MIS（Metal Insulator
Semiconductor）、SB（Schottky Barrier）など
の構造のものであつてもよい。
Si、Ge、Ｃの少なくとも１種を含むものや、Si、
Ge、Ｃの少なくとも１種を含むものにさらにチ
ツ素原子や酸素原子が構成成分として加えられた
ものなどがあげられ、形成された半導体のダング
リングボンドが水素原子やフツ素原子でターミネ
ートされていてもよい。またその厚さは50Å〜
50μｍ程度のものである。該非晶質を含む半導体
には微結晶状のものが含まれていてもよく、また
その構造はpn、pin、MIS（Metal Insulator
Semiconductor）、SB（Schottky Barrier）など
の構造のものであつてもよい。
非晶質を含む半導体上にシリコーンオイルを塗
布し、第２の電極を形成すると、塗布部には第２
の電極が形成されず、その上要すれば容易に洗い
流すことができるので好ましい。
布し、第２の電極を形成すると、塗布部には第２
の電極が形成されず、その上要すれば容易に洗い
流すことができるので好ましい。
シリコーンオイルを非晶質を含む半導体上に塗
布するに際しては、液状にしたものを印刷により
必要なパターンを形成するように塗布したり、微
小ノズルで吹きつけ塗布したりするが、精度の高
いパターンが容易にえられる方法であればとくに
限定はなく、どのような方法であつてもよい。
布するに際しては、液状にしたものを印刷により
必要なパターンを形成するように塗布したり、微
小ノズルで吹きつけ塗布したりするが、精度の高
いパターンが容易にえられる方法であればとくに
限定はなく、どのような方法であつてもよい。
シリコーンオイルを塗布し、必要により乾燥さ
せたのち、第１の電極と同様の材料からなる厚さ
10〜10000Å程度の第２の電極が常法により形成
される。
せたのち、第１の電極と同様の材料からなる厚さ
10〜10000Å程度の第２の電極が常法により形成
される。
このようにして製造した半導体装置には、エツ
チング液やレジストのように半導体装置に残留す
るとその信頼性を著しく低下させるような物質が
残留する余地がなく、信頼性の高い、エツチング
法なみの精度を有する微細パターンが容易にえら
れ、太陽電池、光センサー、TET（thin film
transistor）、CCD（charge coupled device）な
どの用途に好適に使用される。
チング液やレジストのように半導体装置に残留す
るとその信頼性を著しく低下させるような物質が
残留する余地がなく、信頼性の高い、エツチング
法なみの精度を有する微細パターンが容易にえら
れ、太陽電池、光センサー、TET（thin film
transistor）、CCD（charge coupled device）な
どの用途に好適に使用される。
上記説明では第１の電極の一部を除去したの
ち、その上に形成された非晶質を含む半導体上に
シリコーンオイルを塗布したが、第１の電極の一
部を除去したのち第１の電極上に形成された非晶
質を含む半導体の一部をレーザーや機械的なひつ
かきなどにより除去し、そののち該非晶質を含む
半導体上の第２の電極が不要な部分に相当する部
分にシリコーンオイルを塗布して半導体装置を製
造してもよく、第１の電極の一部および第１の電
極上に形成された非晶質を含む半導体の一部の除
去を同時に行なつたのち、該非晶質を含む半導体
上の第２の電極が不要な部分に相当する部分にシ
リコーンオイルを塗布して半導体装置を製造して
もよい。
ち、その上に形成された非晶質を含む半導体上に
シリコーンオイルを塗布したが、第１の電極の一
部を除去したのち第１の電極上に形成された非晶
質を含む半導体の一部をレーザーや機械的なひつ
かきなどにより除去し、そののち該非晶質を含む
半導体上の第２の電極が不要な部分に相当する部
分にシリコーンオイルを塗布して半導体装置を製
造してもよく、第１の電極の一部および第１の電
極上に形成された非晶質を含む半導体の一部の除
去を同時に行なつたのち、該非晶質を含む半導体
上の第２の電極が不要な部分に相当する部分にシ
リコーンオイルを塗布して半導体装置を製造して
もよい。
つぎに本発明の製法を参考例および実施例にも
とづき説明する。
とづき説明する。
参考例 １
ガラス１上にSnO2電極２を設けた基板をエツ
チングして、第１図に示すように帯状のパターン
を作り、その上にグロー放電法によりＰ型ａ−
SiC：H120Å、真性ａ−Si：H6000Å、ｎ型μC
−Si：H500Åからなる半導体３を形成した。こ
れを第２図に示すようにYAGレーザーで半導体
部のみをSnO2電極のパターンからずらして平行
にスクライブした。ついで平均粒径0.5μｍのタル
ク60部（重量部、以下同様）、平均粒径1.5μｍの
炭カル25部および低重合度のポリビニルアルコー
ル５部を水に分散させたスラリーをスクリーン印
刷法で10μｍ厚になるように塗布し、第３図に示
すように印刷されたスラリー４を形成し、70℃で
乾燥させた。次いでAl電極５を全面に蒸着した
のち50℃の温水中で約３分間超音波洗浄し、水洗
後フロン乾燥させて第４図に示す太陽電池をえ
た。
チングして、第１図に示すように帯状のパターン
を作り、その上にグロー放電法によりＰ型ａ−
SiC：H120Å、真性ａ−Si：H6000Å、ｎ型μC
−Si：H500Åからなる半導体３を形成した。こ
れを第２図に示すようにYAGレーザーで半導体
部のみをSnO2電極のパターンからずらして平行
にスクライブした。ついで平均粒径0.5μｍのタル
ク60部（重量部、以下同様）、平均粒径1.5μｍの
炭カル25部および低重合度のポリビニルアルコー
ル５部を水に分散させたスラリーをスクリーン印
刷法で10μｍ厚になるように塗布し、第３図に示
すように印刷されたスラリー４を形成し、70℃で
乾燥させた。次いでAl電極５を全面に蒸着した
のち50℃の温水中で約３分間超音波洗浄し、水洗
後フロン乾燥させて第４図に示す太陽電池をえ
た。
えられた太陽電池の特性はAl電極を化学エツ
チングしたものと同じであつたが、エツチングし
たものを100℃で10Hr処理すると、太陽電池性能
は初期値の1/10になつたのに対して、前記方法に
よるものは逆に15％増加した。
チングしたものと同じであつたが、エツチングし
たものを100℃で10Hr処理すると、太陽電池性能
は初期値の1/10になつたのに対して、前記方法に
よるものは逆に15％増加した。
実施例 １
参考例１で用いたスラリーのかわりにシリコー
ンオイルをインクジエクトプリンターで第３図と
同じパターンになるように塗布し、Alを真空蒸
着すると、シリコーンオイルを塗布したところに
はAlが付着せず、このままで良好な特性を示す
太陽電池がえられた。
ンオイルをインクジエクトプリンターで第３図と
同じパターンになるように塗布し、Alを真空蒸
着すると、シリコーンオイルを塗布したところに
はAlが付着せず、このままで良好な特性を示す
太陽電池がえられた。
［発明の効果］
本発明の製法によると、精度の高い微細パター
ンを有する信頼性の高い半導体装置がエツチング
などすることなく単に第２の電極を堆積させるだ
けで容易に製造される。
ンを有する信頼性の高い半導体装置がエツチング
などすることなく単に第２の電極を堆積させるだ
けで容易に製造される。
第１〜４図はリフトオフ法により半導体装置を
製造するばあいの一実施態様の各段階に関する説
明図であり、第１図はガラス上にSnO2電極を設
けた基板をエツチングした状態を示す説明図、第
２図は第１図に示す基板上に半導体を形成し、半
導体の一部のみをスクライブした状態を示す説明
図、第３図は第２図に示す半導体の上にスラリー
をスクリーン印刷法で塗布し、乾燥させた状態を
示す説明図、第４図はリフトオフ法により形成し
た太陽電池に関する説明図である。 （図面の符号）、１：ガラス、２：SnO2電極、
３：半導体、４：印刷されたスラリー、５：Al
電極。
製造するばあいの一実施態様の各段階に関する説
明図であり、第１図はガラス上にSnO2電極を設
けた基板をエツチングした状態を示す説明図、第
２図は第１図に示す基板上に半導体を形成し、半
導体の一部のみをスクライブした状態を示す説明
図、第３図は第２図に示す半導体の上にスラリー
をスクリーン印刷法で塗布し、乾燥させた状態を
示す説明図、第４図はリフトオフ法により形成し
た太陽電池に関する説明図である。 （図面の符号）、１：ガラス、２：SnO2電極、
３：半導体、４：印刷されたスラリー、５：Al
電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上に形成された第１の電極の一部を
除去したのち、第１の電極上に形成された非晶質
を含む半導体上に形成される第２の電極が不要な
部分に相当する非晶質を含む半導体上の部分に、
あらかじめシリコーンオイルを塗布し、ついで第
２の電極を形成することを特徴とする半導体装置
の製法。 ２ 第１の電極の一部を除去したのち、第１の電
極上に形成された非晶質を含む半導体の一部を除
去し、そののち該非晶質を含む半導体上の第２の
電極が不要な部分に相当する部分にシリコーンオ
イルを塗布する特許請求の範囲第１項記載の製
法。 ３ 第１の電極の一部および第１の電極上に形成
された非晶質を含む半導体の一部の除去を同時に
行なつたのち、該非晶質を含む半導体上の第２の
電極が不要な部分に相当する部分にシリコーンオ
イルを塗布する特許請求の範囲第１項記載の製
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60039910A JPS61198686A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 半導体装置の製法 |
| EP86102335A EP0193820A3 (en) | 1985-02-27 | 1986-02-22 | Method for forming a thin film pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60039910A JPS61198686A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 半導体装置の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198686A JPS61198686A (ja) | 1986-09-03 |
| JPH0574952B2 true JPH0574952B2 (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=12566102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60039910A Granted JPS61198686A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 半導体装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198686A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114427115A (zh) * | 2022-04-01 | 2022-05-03 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置 |
| CN118824845B (zh) * | 2024-09-18 | 2024-11-22 | 山东大学 | 一种碳化硅功率器件及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925279A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-09 | Kyocera Corp | 太陽電池の製造方法 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP60039910A patent/JPS61198686A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61198686A (ja) | 1986-09-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4104084A (en) | Solar cells having integral collector grids | |
| US3941630A (en) | Method of fabricating a charged couple radiation sensing device | |
| US4181755A (en) | Thin film pattern generation by an inverse self-lifting technique | |
| EP0067840A4 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRO-OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A TRANSPARENT METAL OXIDE ELECTRODE. | |
| WO2003034533A1 (fr) | Electrode semi-conductrice a oxyde metallique sensible a un colorant organique et son procede de fabrication, et photopile sensible a un colorant organique | |
| CN100508139C (zh) | 薄膜晶体管的制作方法 | |
| EP0193820A2 (en) | Method for forming a thin film pattern | |
| CN117393646A (zh) | 一种光伏电池电极的制作方法 | |
| EP3973089B1 (en) | Method of manufacturing a photovoltaic cell | |
| JPH0574952B2 (ja) | ||
| US6597027B1 (en) | Dielectric element and method for fabricating the same | |
| JPS6430272A (en) | Thin film transistor | |
| JP2006147613A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS5823489A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| JPS62171169A (ja) | 薄膜パタ−ン形成方法 | |
| US4676864A (en) | Bonding method of semiconductor device | |
| JPH05274917A (ja) | 酸化錫透明導電膜 | |
| CN119263199B (zh) | 一种利用反应离子刻蚀技术干法刻蚀实现钙钛矿薄膜图形化的方法 | |
| KR0161232B1 (ko) | 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 | |
| JP3332409B2 (ja) | 透明導電膜を有するガラス基板 | |
| JPS622471B2 (ja) | ||
| JPH04249378A (ja) | 光起電力装置およびその製造方法 | |
| JPH028465B2 (ja) | ||
| JPH02242227A (ja) | 電子素子の製造方法 | |
| KR950024340A (ko) | 반도체 장치의 캐패시터와 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |