JPH0580779B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0580779B2 JPH0580779B2 JP60197654A JP19765485A JPH0580779B2 JP H0580779 B2 JPH0580779 B2 JP H0580779B2 JP 60197654 A JP60197654 A JP 60197654A JP 19765485 A JP19765485 A JP 19765485A JP H0580779 B2 JPH0580779 B2 JP H0580779B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- focusing
- electrode
- electrostatic
- vacuum tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、撮像管に適用して超高解像度特性が
得られる陰極線管に関する。
得られる陰極線管に関する。
従来、電磁集束・静電偏向方式の撮像管が知ら
れている。この電子光学系は原理的には偏向収差
が小さく解像度の均一性に優れている。（例えば
特開昭60―100343号公報を参照のこと）しかしな
がら、この電子光学系では原理的な結像倍率が１
になるため、超高解像度を目的として結像倍率を
縮小化することは困難である。
れている。この電子光学系は原理的には偏向収差
が小さく解像度の均一性に優れている。（例えば
特開昭60―100343号公報を参照のこと）しかしな
がら、この電子光学系では原理的な結像倍率が１
になるため、超高解像度を目的として結像倍率を
縮小化することは困難である。
一方、電子ビームを２度結像させることにより
結像倍率を縮小化し高解像度を達成した例がテレ
ビジヨン学会誌vol.37、No.9（1983）に掲載され
ている。しかしながら、この従来技術では、電磁
集束・電磁偏向方式の電子光学系を基本としてい
るために結像倍率は0.4程度に留まり、又、偏向
収差の増大も抑えることができないという問題が
ある。
結像倍率を縮小化し高解像度を達成した例がテレ
ビジヨン学会誌vol.37、No.9（1983）に掲載され
ている。しかしながら、この従来技術では、電磁
集束・電磁偏向方式の電子光学系を基本としてい
るために結像倍率は0.4程度に留まり、又、偏向
収差の増大も抑えることができないという問題が
ある。
本発明の目的は、結像倍率を大幅に縮小し、超
高解像度で偏向収差のきわめて小さな陰極線管を
提供することにある。
高解像度で偏向収差のきわめて小さな陰極線管を
提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するため、電磁集
束・静電偏向方式に静電集束部を付加し、２ルー
プ電子ビームにより結像倍率を縮小し同時に偏向
収差も小さく抑えた電子光学系を実現したもので
ある。
束・静電偏向方式に静電集束部を付加し、２ルー
プ電子ビームにより結像倍率を縮小し同時に偏向
収差も小さく抑えた電子光学系を実現したもので
ある。
以下、第１図を参照しながら本発明の一実施例
を説明する。本実施例は高解像度撮像管に適用し
た例である。
を説明する。本実施例は高解像度撮像管に適用し
た例である。
第１図において、１は真空外管、２及び３は電
子ビーム発生部を構成する陰極、加速電極、４は
光導電膜ターゲツト、５は外管の内壁面に形成さ
れた静電偏向電極、６は偏向を受けた電子ビーム
１０を光導電膜ターゲツト、４にほぼ垂直に入射
させるコリメーシヨンレンズを形成するメツシユ
電極、７は電磁集束レンズを形成するソレノイド
コイル、８，８１，８２は節電集束レンズを形成
する円筒電極群、９はフエイスプレート、１０は
電子ビームを示す。３１は加速電極３に設けられ
たビーム制限開孔である。１１は電子ビーム１０
の第１結像点を示す。本実施例では電子ビーム発
生部に２極形電子銃を使用しており、加速電極に
は10〜数10Vの正電圧が印加される。偏向電極５
は水平・垂直方向の偏向電界を発生するための４
個のジグザグパターン電極であり、数100Vの直
流電圧に偏向電圧が畳重される。メツシユ電極６
には300〜1000V程度の高電圧が印加される。ビ
ーム制限開孔３１から出射したビーム１０は、静
電集束レンズ部８の出口近傍で一度結像し第１結
像点１１を作る。この結像点はソレノイドコイル
７の形成する電磁集束レンズによりターゲツト４
上に再結像される。
子ビーム発生部を構成する陰極、加速電極、４は
光導電膜ターゲツト、５は外管の内壁面に形成さ
れた静電偏向電極、６は偏向を受けた電子ビーム
１０を光導電膜ターゲツト、４にほぼ垂直に入射
させるコリメーシヨンレンズを形成するメツシユ
電極、７は電磁集束レンズを形成するソレノイド
コイル、８，８１，８２は節電集束レンズを形成
する円筒電極群、９はフエイスプレート、１０は
電子ビームを示す。３１は加速電極３に設けられ
たビーム制限開孔である。１１は電子ビーム１０
の第１結像点を示す。本実施例では電子ビーム発
生部に２極形電子銃を使用しており、加速電極に
は10〜数10Vの正電圧が印加される。偏向電極５
は水平・垂直方向の偏向電界を発生するための４
個のジグザグパターン電極であり、数100Vの直
流電圧に偏向電圧が畳重される。メツシユ電極６
には300〜1000V程度の高電圧が印加される。ビ
ーム制限開孔３１から出射したビーム１０は、静
電集束レンズ部８の出口近傍で一度結像し第１結
像点１１を作る。この結像点はソレノイドコイル
７の形成する電磁集束レンズによりターゲツト４
上に再結像される。
第２図に本実施例を詳細に示す。静電収束部８
は２個の円筒電極８１，８２で構成され、円筒電
極８１，８２の内径は7.2mm、各電極長は８１が
12mm、８２が６mmであり、第１の円筒電極８１の
長さは内径の約２倍に、第２の円筒電極８２の長
さは内径の約１倍に設定される。又、電極８１に
は100〜2000Vの高電圧が、電極８２には数10〜
0Vの低電圧が印加される。
は２個の円筒電極８１，８２で構成され、円筒電
極８１，８２の内径は7.2mm、各電極長は８１が
12mm、８２が６mmであり、第１の円筒電極８１の
長さは内径の約２倍に、第２の円筒電極８２の長
さは内径の約１倍に設定される。又、電極８１に
は100〜2000Vの高電圧が、電極８２には数10〜
0Vの低電圧が印加される。
又、偏向電極５の直径は16mm、ピツチ4.5mmの
カーブドアローパターンが16ピツチ形成されてお
り、パターン電極には90゜のツイストが加えられ
ている。ビーム制限開孔３１からメツシユ電極６
での長さは76mm、ソエノイドコイル７の長さは57
mmで中心がビーム制限開孔から45mmの位置に設置
される。
カーブドアローパターンが16ピツチ形成されてお
り、パターン電極には90゜のツイストが加えられ
ている。ビーム制限開孔３１からメツシユ電極６
での長さは76mm、ソエノイドコイル７の長さは57
mmで中心がビーム制限開孔から45mmの位置に設置
される。
第２図には軸上の磁界強度Ｂと電位Ｖの分布を
示してある。加速電極３は20V、円筒電極８１，
８２は各々500V、0V、偏向電極５の直流電圧は
550V、メツシユ電極６は1000Vの場合である。
１１はこの場合での電子ビームの第１結像点を示
すが、電位Ｖが増加する位置に第１結像点が存在
することが分る。
示してある。加速電極３は20V、円筒電極８１，
８２は各々500V、0V、偏向電極５の直流電圧は
550V、メツシユ電極６は1000Vの場合である。
１１はこの場合での電子ビームの第１結像点を示
すが、電位Ｖが増加する位置に第１結像点が存在
することが分る。
第３図、第４図には、静電集束部の第１円筒電
極８１の電圧V81を変えた時のビーム特性を示
す。第２円筒電極８２は0Vに固定している。第
３図において、結像倍率ＭはV81に比例して縮小
されV81が200Vでは約0.2となつている。静電集
束部を持たない従来の単一ループ方式での結像倍
率は0.445であり、本実施例では従来例の約1/2程
度の縮小倍率が得られ、極めて細いビームスポツ
トが得られる。
極８１の電圧V81を変えた時のビーム特性を示
す。第２円筒電極８２は0Vに固定している。第
３図において、結像倍率ＭはV81に比例して縮小
されV81が200Vでは約0.2となつている。静電集
束部を持たない従来の単一ループ方式での結像倍
率は0.445であり、本実施例では従来例の約1/2程
度の縮小倍率が得られ、極めて細いビームスポツ
トが得られる。
従来の電子光学系（ビームの集束・偏向系）で
は結像倍率の縮小と偏向特性（偏向時のスポツト
径や図形歪）は相反関係にあり、本実施例のよう
な極めて小さな倍率を持つ系では偏向特性は非実
用的な値に悪化してしまう。これに対し、本実施
例の偏向特性は良好であり、第３図に示す偏向ビ
ームスポツト径ｒはV81が100Vで従来例とほぼ同
等の17μｍであり、V81が300V以上では10μｍ以
下の極めて小さな値になつている。又、第４図に
示すように、図形歪特性ｙは従来例が0.8％であ
るのに対し、本実施例ではV81に関係なく約0.1％
でありほとんど歪フリーの良好な特性を示してい
る。
は結像倍率の縮小と偏向特性（偏向時のスポツト
径や図形歪）は相反関係にあり、本実施例のよう
な極めて小さな倍率を持つ系では偏向特性は非実
用的な値に悪化してしまう。これに対し、本実施
例の偏向特性は良好であり、第３図に示す偏向ビ
ームスポツト径ｒはV81が100Vで従来例とほぼ同
等の17μｍであり、V81が300V以上では10μｍ以
下の極めて小さな値になつている。又、第４図に
示すように、図形歪特性ｙは従来例が0.8％であ
るのに対し、本実施例ではV81に関係なく約0.1％
でありほとんど歪フリーの良好な特性を示してい
る。
第４図には電子ビームの第１結像点位置ｘを示
してある。これは第２図において点１１の位置を
円筒電極８２の出口側先端から測ったものであ
り、1.5mm〜3.5mmの位置に第１結像点が来てお
り、軸上電位が増加する（加速電界）領域に第１
結像点が形成されていることがわかる。
してある。これは第２図において点１１の位置を
円筒電極８２の出口側先端から測ったものであ
り、1.5mm〜3.5mmの位置に第１結像点が来てお
り、軸上電位が増加する（加速電界）領域に第１
結像点が形成されていることがわかる。
第５図には本発明の他の実施例を示す。他の実
施例においては、静電集束部８の構造が異なり、
他の部分は第１図に示した実施例と同一のため省
略する。第５図イは第２円筒電極の出口側の径を
小さくしたものであり、例えば内径を３mmとし
た。第１円筒電極８１の電圧V81を300〜1000V、
第２円筒電極８３を0Vとすると、結像倍率Ｍは
0.16〜0.21、偏向ビームスポツト径ｒは15〜12μ
ｍ、図形歪ｙは0.13〜0.11％と良好な特性が得ら
れる。
施例においては、静電集束部８の構造が異なり、
他の部分は第１図に示した実施例と同一のため省
略する。第５図イは第２円筒電極の出口側の径を
小さくしたものであり、例えば内径を３mmとし
た。第１円筒電極８１の電圧V81を300〜1000V、
第２円筒電極８３を0Vとすると、結像倍率Ｍは
0.16〜0.21、偏向ビームスポツト径ｒは15〜12μ
ｍ、図形歪ｙは0.13〜0.11％と良好な特性が得ら
れる。
第５図ロは第２円筒電極の入口側の径を小さく
したものであり、例えば内径を３mmとした。第１
円筒電極８１の電圧V81を300〜1000V、第２円筒
電極８４を0Vとすると、結像倍率Ｍは0.22〜
0.25、偏向ビームスポツト径ｒは14〜8μｍ、図形
歪ｙは0.12〜0.10％と良好な特性が得られる。
したものであり、例えば内径を３mmとした。第１
円筒電極８１の電圧V81を300〜1000V、第２円筒
電極８４を0Vとすると、結像倍率Ｍは0.22〜
0.25、偏向ビームスポツト径ｒは14〜8μｍ、図形
歪ｙは0.12〜0.10％と良好な特性が得られる。
第５図ハは真空外管１の内壁面に静電集束部８
を形成した例である。８５が第１円筒電極、８６
が第２円筒電極である。
を形成した例である。８５が第１円筒電極、８６
が第２円筒電極である。
第５図ニは真空外管１の内壁面に第２円筒電極
８７を形成した例である。
８７を形成した例である。
尚、本発明の実施例では電子ビーム発生部とし
て陰極２と加速電極３とで構成される２極形電子
銃を利用したが、陰極、制御電極及び加速電極で
構成される３極形電子銃を利用しても良い。ま
た、上述実施例は、本発明を撮像管に適用した例
であるが、本発明はこれに限らず、蓄積管、スキ
ヤンコンバータ等の陰極線管に同様に適用するこ
とができる。
て陰極２と加速電極３とで構成される２極形電子
銃を利用したが、陰極、制御電極及び加速電極で
構成される３極形電子銃を利用しても良い。ま
た、上述実施例は、本発明を撮像管に適用した例
であるが、本発明はこれに限らず、蓄積管、スキ
ヤンコンバータ等の陰極線管に同様に適用するこ
とができる。
以上述べたように本発明によれば良好な偏向ビ
ーム特性を維持しつつ極めて小さな値に結像倍率
を縮小することができる超高解像度な陰極線管を
実現できる。
ーム特性を維持しつつ極めて小さな値に結像倍率
を縮小することができる超高解像度な陰極線管を
実現できる。
第１図は本発明の実施例を説明するための断面
図、第２図〜第４図は第１図の実施例の特性を示
す図、第５図は本発明の他の実施例を示す図であ
る。 符号の説明、１……真空外管、２……陰極、３
……加速電極、４……光導電膜ターゲツト、５…
…偏向電極、６……メツシユ電極、７……ソレノ
イドコイル、８……静電集束部、９……フエイス
プレート、１０……電子ビーム、１１……電子ビ
ームの第１結像点。
図、第２図〜第４図は第１図の実施例の特性を示
す図、第５図は本発明の他の実施例を示す図であ
る。 符号の説明、１……真空外管、２……陰極、３
……加速電極、４……光導電膜ターゲツト、５…
…偏向電極、６……メツシユ電極、７……ソレノ
イドコイル、８……静電集束部、９……フエイス
プレート、１０……電子ビーム、１１……電子ビ
ームの第１結像点。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子ビームを２度結像させることによつて高
解像度特性を得るための陰極線管であつて、上記
電子ビームを発生させるための電子ビーム発生手
段を一端に備えた真空管と、該真空管の他端に設
けられ上記電子ビームによつて走査されるターゲ
ツトと、上記電子ビーム発生手段の上記ターゲツ
ト側の領域に設けられ、上記電子ビーム発生手段
で形成される物点を結像させ第１結像点をつくる
ための静電集束手段と、上記真空管を包囲して設
けられ上記第１結像点から発散した電子ビームを
集束するための磁界を発生する電磁集束手段と、
上記真空管の内面に設けられ上記第１結像点から
発散した電子ビームを偏向するために所定の印加
直流電圧によつて電界を発生し、上記電磁集束手
段と共に上記電子ビームを上記ターゲツト上に再
結像するための静電偏向手段とから構成され、上
記静電集束手段を、上記電子ビーム発生手段側に
設けられ所定の第１印加電圧を与えられた第１の
電極と上記ターゲツト側に設けられ上記第１の印
加電圧及び上記印加直流電圧より低い第２の印加
電圧を与えられた第２の電極とから構成すること
によつて、上記第１の結像点が上記静電集束手段
の出口近傍における管軸上電位が増加する加速電
界領域の位置で結像するようにしたことを特徴と
する陰極線管。 ２ 前記電磁集束手段は前記真空管の外部に設け
た電磁コイルであり、前記静電偏向手段は上記真
空管の内壁面に形成されたジグザグパターン電極
群で構成されたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19765485A JPS6258551A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19765485A JPS6258551A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 陰極線管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258551A JPS6258551A (ja) | 1987-03-14 |
| JPH0580779B2 true JPH0580779B2 (ja) | 1993-11-10 |
Family
ID=16378092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19765485A Granted JPS6258551A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6258551A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59105764U (ja) * | 1983-01-04 | 1984-07-16 | 松下電器産業株式会社 | 撮像管装置 |
-
1985
- 1985-09-09 JP JP19765485A patent/JPS6258551A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6258551A (ja) | 1987-03-14 |
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