JPH0582980B2 - - Google Patents
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- JPH0582980B2 JPH0582980B2 JP61172176A JP17217686A JPH0582980B2 JP H0582980 B2 JPH0582980 B2 JP H0582980B2 JP 61172176 A JP61172176 A JP 61172176A JP 17217686 A JP17217686 A JP 17217686A JP H0582980 B2 JPH0582980 B2 JP H0582980B2
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- terminal
- output
- semiconductor device
- highest potential
- device package
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置パツケージ、特にICチ
ツプを搭載する半導体装置パツケージの内部リー
ド線の接続構成に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a connection structure of internal lead wires of a semiconductor device package, particularly a semiconductor device package on which an IC chip is mounted.
従来、ECL型論理IC、特に多出力系の論理IC
用パツケージにおける高電位側電源端子は最高電
位端子(以下VCC端子と略す)と出力トランジス
タのコレクタ端子(以下VCCA端子と略す)とに
分離して使用されている。これはパツケージのリ
ードおよびボンデイングワイヤが持つ寄生インダ
クタンスに出力のトランジスタがスイツチングす
るときの過渡電流が流れるために発生するノイズ
電圧をVCCが直接受けないようにするためであ
る。
Traditionally, ECL type logic ICs, especially multi-output logic ICs
The high-potential side power supply terminal in the package is used separately into the highest potential terminal (hereinafter abbreviated as V CC terminal) and the collector terminal of the output transistor (hereinafter abbreviated as V CCA terminal). This is to prevent V CC from being directly affected by the noise voltage generated by the transient current flowing when the output transistor switches through the parasitic inductance of the package leads and bonding wires.
第3図は上記のようなECL型論理出力回路と
出力トランジスタがスイツチングする時の過渡電
流の動きを示している。該電流が寄生インダクタ
ンスLによりノイズ電圧を発生する。特に出力が
複数である場合には出力トランジスタのコレクタ
端子の数百mVのノイズ電圧が発生することがあ
り、このノイズ電圧を直接VCCが受けないように
するためにVCCA端子が使用されている。 FIG. 3 shows the behavior of transient current when the ECL type logic output circuit and the output transistor as described above switch. This current generates a noise voltage due to parasitic inductance L. Especially when there are multiple outputs, a noise voltage of several hundred mV may occur at the collector terminal of the output transistor, and the V CCA terminal is used to prevent V CC from receiving this noise voltage directly. There is.
第2図は従来より使用されているパツケージの
リード接続構成を示す図である。同図において1
P端子がVCCA端子であり、2np端子がVCC端子で
あるとする。 FIG. 2 is a diagram showing the lead connection structure of a conventionally used package. In the same figure, 1
Assume that the P terminal is the V CCA terminal and the 2np terminal is the V CC terminal.
上述した様に従来のパツケージではVCC端子と
VCCA端子は独立ピンとして使用されていた。と
ころで最近のICの高速化に伴いICの論理出力の
出力立上り時間は非常に小さく急峻な特性をもつ
ており、寄生インダクタンスによるノイズ電圧△
V(=−L di/dt)はますます大きくなる傾向
にある。さらにこの急峻な出力の立上り特性は出
力のHigh側でオーバーシユートとなり、それに
起因する出力のリンギンクまたは出力発振として
あらわれる。一方この出力リンギングまたは発振
はVCC端子とVCCA端子をICの内部パツド近くで短
絡することによつて抑えることが可能であること
がわかつている。故にICの内部パツドとパツケ
ージの内部リード間で両端子をボンデイングする
ことによつて上記のリンギングは防ぐことができ
る。しかしこの場合は前述のノイズ電圧が直接
VCC端子に影響を及ぼすことになる。このノイズ
電圧の影響を最も大きく受けるのが入力特性であ
り、最悪の場合には入力特性規格をオーバーして
誤操作する恐れがある。
As mentioned above, in the conventional package, the V CC terminal and
The V CCA terminal was used as an independent pin. By the way, with the recent increase in the speed of ICs, the output rise time of the logic output of ICs has a very short and steep characteristic, and the noise voltage △ due to parasitic inductance.
V (=-L di/dt) tends to become larger and larger. Furthermore, this steep output rise characteristic causes overshoot on the output High side, which appears as output ringing or output oscillation. On the other hand, it has been found that this output ringing or oscillation can be suppressed by shorting the V CC and V CCA terminals near the internal pads of the IC. Therefore, the above ringing can be prevented by bonding both terminals between the internal pad of the IC and the internal lead of the package. However, in this case, the noise voltage mentioned above is directly
This will affect the V CC pin. The input characteristics are most affected by this noise voltage, and in the worst case, there is a risk of exceeding the input characteristics standard and causing erroneous operation.
本発明の半導体装置パツケージは、最高電位端
子を有する多出力系のECL型論理IC用の半導体
装置パツケージにおいて、前記最高電位端子に隣
接し出力トランジスタのコレクタが接続された端
子と前記最高電位端子とを外部リード端子部に近
い内部リード線によつて短絡するようにして構成
されている。
A semiconductor device package of the present invention is a semiconductor device package for a multi-output ECL type logic IC having a highest potential terminal, in which a terminal adjacent to the highest potential terminal and connected to the collector of an output transistor and the highest potential terminal are connected to each other. are short-circuited by an internal lead wire near the external lead terminal section.
次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を示す平面図であ
る。同図においてパツケージ1はICチツプ2と、
内部リード線3と、IC内部パツド4と、IC内部
パツド4と内部リード線3を接続するボンデイン
グワイヤ5とを有し、さらに端子1Pと端子2
nPとを接続する短絡線6を具備している。VCC端
子2nPとVCCA端子1Pはパツケージ1の内部リ
ード線上で短絡線6によつて短絡されている。こ
の場合に出力リンギングはこの内部リード線上の
いずれの場所で短絡しても抑えることが可能であ
る。しかし前述の過渡電流によるノイズ電圧はノ
イズバイパス用コンデンサで通常抑えられている
ので、ICの内部パツド4に近いところほど大き
く外部リード端子部に近いところでは最も小さ
い。故に両端子の短絡は外部リード端子に最も近
いところで行なうことによつて入力特性を悪化さ
せることなく出力のリンギングを抑えることがで
きる。 FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of the present invention. In the figure, package 1 is connected to IC chip 2,
It has an internal lead wire 3, an IC internal pad 4, a bonding wire 5 that connects the IC internal pad 4 and the internal lead wire 3, and further includes a terminal 1P and a terminal 2.
It is equipped with a shorting line 6 for connecting to nP. The V CC terminal 2nP and the V CCA terminal 1P are short-circuited by a shorting wire 6 on the internal lead wire of the package 1. In this case, output ringing can be suppressed even if there is a short circuit anywhere on this internal lead. However, since the noise voltage caused by the above-mentioned transient current is usually suppressed by a noise bypass capacitor, it is larger nearer to the internal pad 4 of the IC and smallest nearer to the external lead terminal. Therefore, by short-circuiting both terminals at the point closest to the external lead terminal, output ringing can be suppressed without deteriorating the input characteristics.
以上説明したように本発明の半導体装置パツケ
ージによれば、最高電位端子をもつ多出力系の
ECL型論理IC用パツケージにおいて最高電位端
子と他の端子、すなわち出力トランジスタのコレ
クタ端子を外部リード端子部に近い内部リード線
で短絡することにより、出力のリンギングを抑
え、かつ安定した入力特性を得ることができると
いう効果がある。
As explained above, according to the semiconductor device package of the present invention, a multi-output system having the highest potential terminal can be used.
In ECL type logic IC packages, by shorting the highest potential terminal and other terminals, that is, the collector terminal of the output transistor, with an internal lead wire close to the external lead terminal section, output ringing is suppressed and stable input characteristics are obtained. It has the effect of being able to
第1図は本発明による半導体装置パツケージの
一実施例を示す平面図、第2図は従来の半導体装
置パツケージの例を示す平面図、第3図はECL
型論理出力回路の例を示す回路図である。
1……半導体装置パツケージ、2……ICチツ
プ、3……内部リード線、4……IC内部パツド、
5……ボンデイングワイヤ、6……短絡線。
FIG. 1 is a plan view showing an example of a semiconductor device package according to the present invention, FIG. 2 is a plan view showing an example of a conventional semiconductor device package, and FIG. 3 is an ECL
FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a type logic output circuit. 1... Semiconductor device package, 2... IC chip, 3... Internal lead wire, 4... IC internal pad,
5...Bonding wire, 6...Short wire.
Claims (1)
理IC用の半導体装置パツケージにおいて、前記
最高電位端子に隣接し出力トランジスタのコレク
タが接続された端子と前記最高電位端子とを外部
リード端子部に近い内部リード線によつて短絡す
ることを特徴とする半導体装置パツケージ。1. In a semiconductor device package for a multi-output ECL type logic IC having the highest potential terminal, the terminal adjacent to the highest potential terminal and connected to the collector of the output transistor and the highest potential terminal are located close to the external lead terminal section. A semiconductor device package characterized by short-circuiting through internal lead wires.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172176A JPS6328057A (en) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | Semiconductor device package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172176A JPS6328057A (en) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | Semiconductor device package |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6328057A JPS6328057A (en) | 1988-02-05 |
| JPH0582980B2 true JPH0582980B2 (en) | 1993-11-24 |
Family
ID=15936982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61172176A Granted JPS6328057A (en) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | Semiconductor device package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6328057A (en) |
-
1986
- 1986-07-21 JP JP61172176A patent/JPS6328057A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6328057A (en) | 1988-02-05 |
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