JPH0583179B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特にシヨツトキダ
イオードの品質向上に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、シヨツトキダイオードは第３図の断面図
に示すように、半導体基板１の絶縁膜２に円形の
窓をあけ、この窓内にシヨツトキ接合形成金属を
被着して円形のシヨツトキ接合６を形成し、シヨ
ツトキ接合形成金属の上に電極７を形成してなる
か、または、第４図の断面図に示すように、円状
にシヨツトキ接合６を形成し、円の外側の絶縁膜
の上に電極８を引き出した構造となつていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した第３図に示す従来のシヨツトキダイオ
ードは、シヨツトキ接合上に電極があるため、ボ
ンデイング時にシヨツトキ接合にストレスが加わ
り、シヨツトキダイオードを劣化させる欠点があ
る。また、第４図に示す従来のシヨツトキダイオ
ードは、第３図に示すシヨツトキダイオードの欠
点をなくするために引き出し電極構造にし、シヨ
ツトキ接合の外側に電極を有している構造になつ
ている。しかし、この構造では、引き出し電極が
浮遊容量となり高周波で使用するには特性が劣化
する欠点がある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点に対し本発明のシヨツトキダイオー
ドは、リング状に形成されたシヨツトキ接合と、
そのリングに囲まれた絶縁膜上に、前記シヨツト
キ接合形成金属と接続して形成されている電極金
属とを有している。

〔実施例〕

つぎに本発明を実施例により説明する。

第１図は本発明の一実施例の断面図である。第
１図において、半導体基板１上に絶縁膜２が形成
され、この絶縁膜２にリング状に窓があけられ
て、この窓に露出した半導体基板にシヨツトキ形
成金属が被着されてリング状のシヨツトキ接合３
が形成されている。さらにリング３に囲まれた絶
縁膜２上およびリング３の外側にかけて、リング
状のシヨツトキ形成金属と接続している電極金属
４が形成されている。

本例では、第１図の従来例と同じシヨツトキ接
合面積、同じ電極面積とすることにより、同じ電
気的特性のシヨツトキダイオードが得られるのに
加えて、電極金属のボンデイング部をリングの内
側の絶縁膜上にとれるので、ボンデイング時のス
トレスを受けず、シヨツトキ接合の劣化がなくな
る。

第２図は本発明の実施例２の断面図である。こ
の実施例では、リング状のシヨツトキ接合形成金
属と接続した電極金属５は、リング３に囲まれた
絶縁膜２の上にのみ形成されている。この実施例
ではリング状のシヨツトキ接合の形状を自由に変
えることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、シヨツトキ接合
をリング状に形成し、その内と外に絶縁膜を作
り、リングの内側の絶縁膜とシヨツトキ接合の外
の絶縁膜の一部に電極を作ることにより、特性を
変えることなくボンデイング時のストレスによる
劣化をなくしたシヨツトキダイオードが得られ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は
本発明の他の実施例の断面図、第３図および第４
図はそれぞれ従来のシヨツトキダイオードの一例
および他の例の断面図である。 １……半導体基板、２……絶縁膜、３，６……
シヨツトキ接合、４，５，７，８……電極金属。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 半導体基板上の絶縁膜にリング状の窓があけ
   られ、この窓に露出された前記半導体基板面にシ
   ヨツトキ接合形成金属を被着してリング状にシヨ
   ツトキ接合が形成され、さらに前記リングに囲ま
   れた絶縁膜上に前記シヨツトキ接合形成金属と接
   続している電極金属が形成されていることを特徴
   とするシヨツトキダイオード。