JPH0587764B2 - - Google Patents
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- JPH0587764B2 JPH0587764B2 JP62118756A JP11875687A JPH0587764B2 JP H0587764 B2 JPH0587764 B2 JP H0587764B2 JP 62118756 A JP62118756 A JP 62118756A JP 11875687 A JP11875687 A JP 11875687A JP H0587764 B2 JPH0587764 B2 JP H0587764B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は走査電子顕微鏡に係り、特に半導体分
野に用いられる好適な走査電子顕微鏡に関する。
野に用いられる好適な走査電子顕微鏡に関する。
走査電子顕微鏡によつて検鏡、観察される試料
には半導体素子ばかりでなく、さまざまが物があ
る。そして従来は操作者が像を観察しながら必要
な量だけ走査線の走査方向を回転させて、観察視
野内の像の向きを調整し、設定していた。(例え
ば、ラツドリサーチ インダストリーズ発行、ス
キヤニング エレクトロン アイクロスコピー:
SCANNING ELECTRON MICROSCOPY:第
40〜42頁参照) ところで、半導体素子、特に半導体集積回路用
ウエーハのように直線的なパターンの組み合せで
できている試料においては、試料のパターンを垂
直あるいは水平にして観察したい場合が多いが、 このような場合には、被検ウエーハを試料位置
に装填するたびに、試料像を観察しながら、手動
で像または走査線を回転させなければならず、操
作性について何の配慮もされていなかつた。
には半導体素子ばかりでなく、さまざまが物があ
る。そして従来は操作者が像を観察しながら必要
な量だけ走査線の走査方向を回転させて、観察視
野内の像の向きを調整し、設定していた。(例え
ば、ラツドリサーチ インダストリーズ発行、ス
キヤニング エレクトロン アイクロスコピー:
SCANNING ELECTRON MICROSCOPY:第
40〜42頁参照) ところで、半導体素子、特に半導体集積回路用
ウエーハのように直線的なパターンの組み合せで
できている試料においては、試料のパターンを垂
直あるいは水平にして観察したい場合が多いが、 このような場合には、被検ウエーハを試料位置
に装填するたびに、試料像を観察しながら、手動
で像または走査線を回転させなければならず、操
作性について何の配慮もされていなかつた。
上記従来技術では、半導体素子や半導体集積回
路用ウエーハのような直線パターンの組み合せら
れた試料について、電子線の走査方向に対する試
料像の傾きを操作者が像観察しながら、直線パタ
ーンが走査方向に平行あるいは垂直になるよう手
動調整していた。
路用ウエーハのような直線パターンの組み合せら
れた試料について、電子線の走査方向に対する試
料像の傾きを操作者が像観察しながら、直線パタ
ーンが走査方向に平行あるいは垂直になるよう手
動調整していた。
そのため、試料像の傾き調整操作に多くの時間
を要旨して作業能率が低下したり、調整に個人差
を生じたりするなどの問題があつた。
を要旨して作業能率が低下したり、調整に個人差
を生じたりするなどの問題があつた。
本発明の目的は、上記欠点をなくし、直線パタ
ーンの組み合せられた試料について、基準直線ま
たは電子線の走査方向に対する試料像の傾き角を
自動的に演算し、試料の直線パターンが、前記基
準直線または走査方向に対して予め定められた任
意の角度になるように、像または走査線を回転で
きるようにすることにある。
ーンの組み合せられた試料について、基準直線ま
たは電子線の走査方向に対する試料像の傾き角を
自動的に演算し、試料の直線パターンが、前記基
準直線または走査方向に対して予め定められた任
意の角度になるように、像または走査線を回転で
きるようにすることにある。
上記目的は、異なつた位置の平行な2本以上の
直線上から得られた像信号より、試料像のこの直
線方向に対する傾きを演算し、 前記傾きと基準直線に対する前記直線の傾き角
とから、試料像の前記基準直線に対する傾きを演
算し、これからさらに前記基準直線に対する前記
試料像の傾き角を所望値にするために必要な試料
像の回転角を求め、その角度だけ試料を回転する
か、または走査方向を回転することにより達成さ
れる。
直線上から得られた像信号より、試料像のこの直
線方向に対する傾きを演算し、 前記傾きと基準直線に対する前記直線の傾き角
とから、試料像の前記基準直線に対する傾きを演
算し、これからさらに前記基準直線に対する前記
試料像の傾き角を所望値にするために必要な試料
像の回転角を求め、その角度だけ試料を回転する
か、または走査方向を回転することにより達成さ
れる。
記憶されている異なつた位置の平行な2本以上
の直線上から得られる像信号より、試料が該直線
対し傾いている場合には、それぞれの直線上にお
ける像信号の強度分布が一定方向にずれることに
より、そのずれ量と直線間の間隔に基づいて試料
像の傾きを演算することができる。
の直線上から得られる像信号より、試料が該直線
対し傾いている場合には、それぞれの直線上にお
ける像信号の強度分布が一定方向にずれることに
より、そのずれ量と直線間の間隔に基づいて試料
像の傾きを演算することができる。
そして、前記2本以上の直線の基準直線に対す
る傾斜角は予め知ることができるから、結局前記
基準直線に対する試料像の傾きを知ることができ
る。それ故に、試料像の傾きが予め定められた基
準直線に対して所望の角度になるようにするのに
必要な、電子線の走査方向の回転量を演算するこ
とができる。
る傾斜角は予め知ることができるから、結局前記
基準直線に対する試料像の傾きを知ることができ
る。それ故に、試料像の傾きが予め定められた基
準直線に対して所望の角度になるようにするのに
必要な、電子線の走査方向の回転量を演算するこ
とができる。
前記回転量の信号を、既知の偏向信号回転器に
入力すれば、試料像を所望の傾きに調整すること
ができるし、またその代りに試料そのものを回転
してもよい。
入力すれば、試料像を所望の傾きに調整すること
ができるし、またその代りに試料そのものを回転
してもよい。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明す
る。
る。
この例では、「記憶された、異なつた位置の平
行な2本以上の直線」というのを、説明の簡略化
のために、第2図に示すように、一定の距離lvだ
け離れた位置A,Bを通る走査線と同一方向の、
2本の固定した直線LaおよびLbとした場合につ
いて述べる。
行な2本以上の直線」というのを、説明の簡略化
のために、第2図に示すように、一定の距離lvだ
け離れた位置A,Bを通る走査線と同一方向の、
2本の固定した直線LaおよびLbとした場合につ
いて述べる。
またこゝでは、キーボードやマウス等の適宜の
入力手段により、第2図に示したように、走査方
向Rに対して直角となる基準直線L0を予め登録
してあるものとする。基準直線L0はその傾きが
重要であり、走査方向Rとのなす角度δを入力す
ることにより、あるいは平行直線La,Lbとのな
す角度αを入力することにより登録するようにし
ても良い。
入力手段により、第2図に示したように、走査方
向Rに対して直角となる基準直線L0を予め登録
してあるものとする。基準直線L0はその傾きが
重要であり、走査方向Rとのなす角度δを入力す
ることにより、あるいは平行直線La,Lbとのな
す角度αを入力することにより登録するようにし
ても良い。
なお、本発明のような走査電子顕微鏡による像
観察は、半導体集積回路のパターンの監視(特
に、その幅の測定)に用いられることが多いが、
このような場合、通常は直交する縦横のパターン
が走査方向と平行または直角になるように設定さ
れるものである。
観察は、半導体集積回路のパターンの監視(特
に、その幅の測定)に用いられることが多いが、
このような場合、通常は直交する縦横のパターン
が走査方向と平行または直角になるように設定さ
れるものである。
そしてパターンの幅測定に際しては、各走査線
上で得られた線幅の平均値を取ることが多いが、
このような場合、直線パターンが走査線に垂直で
ないと、データ取込みの位置(アドレス)をその
都度検出したりすることが必要となり、処理が煩
雑となることが多い。第1図において、電子銃1
より放射された電子線2はコンデンサレンズ3、
対物レンズ5により細く絞られ、試料6に入射さ
れる。
上で得られた線幅の平均値を取ることが多いが、
このような場合、直線パターンが走査線に垂直で
ないと、データ取込みの位置(アドレス)をその
都度検出したりすることが必要となり、処理が煩
雑となることが多い。第1図において、電子銃1
より放射された電子線2はコンデンサレンズ3、
対物レンズ5により細く絞られ、試料6に入射さ
れる。
また、偏向信号発生器10によつて発生した偏
向信号が、偏向信号回転器9によつて走査方向を
所望方向に一致させるように回転された後、偏向
コイル4に入力されるので、前記電子線2は試料
6上で2次元的に走査される。
向信号が、偏向信号回転器9によつて走査方向を
所望方向に一致させるように回転された後、偏向
コイル4に入力されるので、前記電子線2は試料
6上で2次元的に走査される。
なお、電子銃1、コンデンサレンズ3、対物レ
ンズ5は、それぞれ電子銃制御部7、コンデンサ
レンズ制御部8、対物レンズ制御部11により制
御されている。
ンズ5は、それぞれ電子銃制御部7、コンデンサ
レンズ制御部8、対物レンズ制御部11により制
御されている。
電子線2の照射によつて試料6より発生した信
号13(2次電子信号、反射電子信号など)は検
出器14によつて検出され、A/D変換器15に
よつてアナログからデイジタル信号に変換されて
画像メモリ16に記憶される。
号13(2次電子信号、反射電子信号など)は検
出器14によつて検出され、A/D変換器15に
よつてアナログからデイジタル信号に変換されて
画像メモリ16に記憶される。
画像メモリ16に記憶された像信号は更に、
D/A変換器17によつて再びアナログ信号に変
換され、増幅器18を通して画像表示用CRT2
0の輝度信号としてそのグリツドに印加される。
一方、偏向信号発生器10によつて発生した信号
は、増幅器19によつて増幅され、CRT20の
偏向コイルに供給されてこれを駆動している。
D/A変換器17によつて再びアナログ信号に変
換され、増幅器18を通して画像表示用CRT2
0の輝度信号としてそのグリツドに印加される。
一方、偏向信号発生器10によつて発生した信号
は、増幅器19によつて増幅され、CRT20の
偏向コイルに供給されてこれを駆動している。
コンピユータ12は画像メモリ16の任意の位
置(アドレス)の内容を読出すことができ、その
情報をもとに偏向信号回転器9による偏向信号の
回転量を制御できる構成となつている。
置(アドレス)の内容を読出すことができ、その
情報をもとに偏向信号回転器9による偏向信号の
回転量を制御できる構成となつている。
このような構成において、第2図に示すように
走査方向と等しい方向の2本の直線La,Lbを考
える。この直線La,Lb上における試料像の信号
強度Sa,Sbが、それぞれ第3図に示すような分
布であつたとする。
走査方向と等しい方向の2本の直線La,Lbを考
える。この直線La,Lb上における試料像の信号
強度Sa,Sbが、それぞれ第3図に示すような分
布であつたとする。
なお、このような信号強度はメモリ16に記憶
されており、直線La,Lbもこのメモリ16上で
確定されている。したがつて、直線A,B間の距
離lvを予め定めておき、画像メモリ16の対応す
る位置のデータを使用することができる。
されており、直線La,Lbもこのメモリ16上で
確定されている。したがつて、直線A,B間の距
離lvを予め定めておき、画像メモリ16の対応す
る位置のデータを使用することができる。
また、第2図のように、直線La,Lb上に位置
する試料像Sの一方側のエツジ間の距離をlhとす
ると、メモリ16に記憶された情報に基づいて、
第3図に示した信号強度Sa,Sbより、相互に対
応する波形のピーク位置を、コンピユータ12の
処理によつて各々検出し、その差を計算すること
によつて、前記距離lhを求めることができる。
する試料像Sの一方側のエツジ間の距離をlhとす
ると、メモリ16に記憶された情報に基づいて、
第3図に示した信号強度Sa,Sbより、相互に対
応する波形のピーク位置を、コンピユータ12の
処理によつて各々検出し、その差を計算すること
によつて、前記距離lhを求めることができる。
このlv,lhより、試料像Sの走査方向に対する
傾きθは、次の(1)式 θ=tan-1lv/lh ……(1) で与えられる。これにより、走査方向に対して試
料像を90°の傾きにするためには、(90°−θ)だ
け試料像を右(時計方向)回転すればよいことが
わかる。
傾きθは、次の(1)式 θ=tan-1lv/lh ……(1) で与えられる。これにより、走査方向に対して試
料像を90°の傾きにするためには、(90°−θ)だ
け試料像を右(時計方向)回転すればよいことが
わかる。
また、この場合には、回転させるべき角度
を、つぎの(2)式により直接 =tan-1lh/lv(=90−θ) ……(2) 求めてもよい。
を、つぎの(2)式により直接 =tan-1lh/lv(=90−θ) ……(2) 求めてもよい。
上記実施例では、直線La,Lbは水平方向にあ
るものを考えたが、垂直方向の直線を基準として
も同様に求めることができるし、また後述するよ
うに、任意の方向のものでもよい。
るものを考えたが、垂直方向の直線を基準として
も同様に求めることができるし、また後述するよ
うに、任意の方向のものでもよい。
また点A,Bの位置及び直線La,Lbの間隔lv
は一定としたが、これらを可変にすることによ
り、特定な場所の情報に基づいて所要の像回転量
を得ることが可能であり、操作性が更によくなる
効果がある。
は一定としたが、これらを可変にすることによ
り、特定な場所の情報に基づいて所要の像回転量
を得ることが可能であり、操作性が更によくなる
効果がある。
さらに、上記実施例では、信号強度のピーク位
置の情報によつて距離lhを求めたが、その他にも
いろいろな方法が考えられる。
置の情報によつて距離lhを求めたが、その他にも
いろいろな方法が考えられる。
例えば、各信号Sa,Sbのそれぞれにおいて最
大値および最小値の中間値をスライスレベルと定
め、各波形Sa,Sbとスライスレベルとの交点を
求め、それぞれの交点位置の差よりlhを求めた
り、また、Saの信号を左右に移動してSbに一番
よく重なるように位置させ、その移動量をlhとし
たりなどすることができる。
大値および最小値の中間値をスライスレベルと定
め、各波形Sa,Sbとスライスレベルとの交点を
求め、それぞれの交点位置の差よりlhを求めた
り、また、Saの信号を左右に移動してSbに一番
よく重なるように位置させ、その移動量をlhとし
たりなどすることができる。
また第2図では、試料像Sの2本の平行直線と
の交点位置に基づいて傾斜角θまたは補正回転角
を求めたが、より多くの本数の直線からθや
を求め、これらの平均をとることにより、更に精
度よく傾きや補正回転角を求めることができる効
果がある。
の交点位置に基づいて傾斜角θまたは補正回転角
を求めたが、より多くの本数の直線からθや
を求め、これらの平均をとることにより、更に精
度よく傾きや補正回転角を求めることができる効
果がある。
なお、前記実施例では、視野内のすべてのデー
タを画数メモリ16に記憶する例を上げたが、傾
きを求めるのに必要な部分、すなわち直線La,
Lb上で得られたデータのみを記憶するようにす
れば、画数メモリ16の容量を小さくできる効果
がある。
タを画数メモリ16に記憶する例を上げたが、傾
きを求めるのに必要な部分、すなわち直線La,
Lb上で得られたデータのみを記憶するようにす
れば、画数メモリ16の容量を小さくできる効果
がある。
さらにまた、以上では、2本の直線La,Lbと
して走査線方向と一致するものを採用し、これら
の直線上から得られる試料像のデータに基づい
て、前記直線La,Lbに対する試料像の傾斜角θ
や補正回転角を求めたが、本願発明は、一般的
に、第4,5図に示したように実施することがで
きる。同図において、第2図と同一の符号は、同
一または同等部分をあらわしている。
して走査線方向と一致するものを採用し、これら
の直線上から得られる試料像のデータに基づい
て、前記直線La,Lbに対する試料像の傾斜角θ
や補正回転角を求めたが、本願発明は、一般的
に、第4,5図に示したように実施することがで
きる。同図において、第2図と同一の符号は、同
一または同等部分をあらわしている。
第4図において、試料像Sは、座標軸に対して
向きを一方向に揃えたい配線パターンであり、試
料像Tは、試料像Sが図示したように「く」の字
に変形している場合や、あるいは短かつたり小さ
かつたりした場合でも当該試料像Sの観察視野内
での向き(傾斜状態)を正確に調整できるように
するために、試料像Sに代わつて傾きを測定され
る配線パターンである。このような試料像Tは半
導体素子中には必ず存在するものであり、操作者
によつて任意に選択される。試料像Tとしては、
その傾斜角度を正確に測定できるようにするため
に比較的長い形状のパターンを選択することが望
ましい。
向きを一方向に揃えたい配線パターンであり、試
料像Tは、試料像Sが図示したように「く」の字
に変形している場合や、あるいは短かつたり小さ
かつたりした場合でも当該試料像Sの観察視野内
での向き(傾斜状態)を正確に調整できるように
するために、試料像Sに代わつて傾きを測定され
る配線パターンである。このような試料像Tは半
導体素子中には必ず存在するものであり、操作者
によつて任意に選択される。試料像Tとしては、
その傾斜角度を正確に測定できるようにするため
に比較的長い形状のパターンを選択することが望
ましい。
そして、このような構成では、試料像Sと試料
像Tとの相対角度γは設計上既知であることか
ら、試料像Tの座標軸上での傾き角を測定するこ
とにより、試料像Sの座標軸上での傾き角を間接
的に判断できることになる。なお、試料像Tと試
料像Sとは必ずしも同一画面上に表示されるわけ
ではないが、ここでは説明を判り易くするために
同一画面上に表している。
像Tとの相対角度γは設計上既知であることか
ら、試料像Tの座標軸上での傾き角を測定するこ
とにより、試料像Sの座標軸上での傾き角を間接
的に判断できることになる。なお、試料像Tと試
料像Sとは必ずしも同一画面上に表示されるわけ
ではないが、ここでは説明を判り易くするために
同一画面上に表している。
基準直線L0は、例えば試料像Sの向きを走査
方向Rに対して垂直に揃えたい場合には、走査方
向Rとの相対角度δが(90°−γ)となるように
設定される。また、平行直線La,Lbは、試料像
Tとの交点を正確に求めるために、試料像Tに対
して大きな角度(直角に近い)で交差するような
向きに設定することが望ましい。
方向Rに対して垂直に揃えたい場合には、走査方
向Rとの相対角度δが(90°−γ)となるように
設定される。また、平行直線La,Lbは、試料像
Tとの交点を正確に求めるために、試料像Tに対
して大きな角度(直角に近い)で交差するような
向きに設定することが望ましい。
基準直線L0は上記のようにして操作者が設定
するものであり、2本(またはそれ以上)の平行
直線La,Lbも、操作者が任意にあるいは予め固
定的に設定するものなので、これらのなす角度α
と2直線La,Lb間の間隔lvは既知である。また、
メモリ16に記憶された試料像Tのデータと前記
2直線La,Lbとの交点位置から距離lhが求めら
れるから、前述のようにして傾き角θが求められ
る。
するものであり、2本(またはそれ以上)の平行
直線La,Lbも、操作者が任意にあるいは予め固
定的に設定するものなので、これらのなす角度α
と2直線La,Lb間の間隔lvは既知である。また、
メモリ16に記憶された試料像Tのデータと前記
2直線La,Lbとの交点位置から距離lhが求めら
れるから、前述のようにして傾き角θが求められ
る。
それ故に、基準直線L0に対する試料像Tの傾
き角βは次式(3)によつて求められる。
き角βは次式(3)によつて求められる。
β=π−(α−θ) …(3)
ここで、基準直線L0は試料像Tの傾き角が基
準直線L0の傾き角と一致したときに試料像Sが
所望の向きで揃うように、予め[δ=90°−γ]
の条件を満足するように設定されることから、前
記演算された傾き角βだけ電子線の走査方向を回
転させて、第5図に示したように試料像Tの傾き
角と基準直線L0の傾き角とを一致させれば、試
料像Sを走査方向Rに対して所望の向き(ここで
は垂直)に揃えることができるようになる。
準直線L0の傾き角と一致したときに試料像Sが
所望の向きで揃うように、予め[δ=90°−γ]
の条件を満足するように設定されることから、前
記演算された傾き角βだけ電子線の走査方向を回
転させて、第5図に示したように試料像Tの傾き
角と基準直線L0の傾き角とを一致させれば、試
料像Sを走査方向Rに対して所望の向き(ここで
は垂直)に揃えることができるようになる。
以上の説明から明らかなように、第2図に関し
て前述した実施例は、第4図において、直線La,
Lbが走査方向Rと一致し、また基準直線L0が走
査方向Rと直角をなしている場合に相当する。
て前述した実施例は、第4図において、直線La,
Lbが走査方向Rと一致し、また基準直線L0が走
査方向Rと直角をなしている場合に相当する。
なお、以上では、方向を補正するための回転量
をコンピユータ12で演算し、これを偏向信号回
転器9に供給して電子線走査方向を自動的に所望
方向に調整する例について述べたが、補正のため
の回転量を可視表示し、これが0または所望値に
なるように電子線走査方向および試料そのものの
少くとも一方を、手動によつて回転するようにし
てもよいことは当然である。
をコンピユータ12で演算し、これを偏向信号回
転器9に供給して電子線走査方向を自動的に所望
方向に調整する例について述べたが、補正のため
の回転量を可視表示し、これが0または所望値に
なるように電子線走査方向および試料そのものの
少くとも一方を、手動によつて回転するようにし
てもよいことは当然である。
本発明によれば、例えば半導体素子のパターン
などの、直線的なパターンの試料像のデータに基
づいて自動的に、予め定められた方向(基準直
線)に対するパターンの傾きを演算でき、当該演
算結果から試料像を観察視野内で所望の向きに揃
えるための電子線の走査方向の回転量を簡単に求
めることができる。そして、電子線の偏向方向を
前記回転量だけ回転させれば、観察視野内におけ
る試料のパターンの傾きを一定に方向に自動的に
揃えることができ、しかも、個人差をなくすこと
ができる効果がある。
などの、直線的なパターンの試料像のデータに基
づいて自動的に、予め定められた方向(基準直
線)に対するパターンの傾きを演算でき、当該演
算結果から試料像を観察視野内で所望の向きに揃
えるための電子線の走査方向の回転量を簡単に求
めることができる。そして、電子線の偏向方向を
前記回転量だけ回転させれば、観察視野内におけ
る試料のパターンの傾きを一定に方向に自動的に
揃えることができ、しかも、個人差をなくすこと
ができる効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す走査電子顕微
鏡のブロツク図、第2,3図は試料像の走査方向
に対する傾きを演算する方法を説明するための
図、第4,5図は本発明を一般化して実施する方
法を説明するための図である。 2……電子線、4……偏向コイル、6……試
料、9……偏向信号回転器、10……偏向信号発
生器、12……コンピユータ、15……A/D変
換器、16……画像メモリ、17……D/A変換
器、20……画像表示用CRT。
鏡のブロツク図、第2,3図は試料像の走査方向
に対する傾きを演算する方法を説明するための
図、第4,5図は本発明を一般化して実施する方
法を説明するための図である。 2……電子線、4……偏向コイル、6……試
料、9……偏向信号回転器、10……偏向信号発
生器、12……コンピユータ、15……A/D変
換器、16……画像メモリ、17……D/A変換
器、20……画像表示用CRT。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 細く絞つた電子線により試料上を走査し、該
電子線の照射により試料から発生した像信号を検
出し、記憶する手段と、該電子線の走査方向を回
転する手段を備えた走査電子顕微鏡において、 基準直線L0を設定する手段と、 該記憶された像信号を用い、試料上の互いに隔
離された少くなくとも2本の平行直線上の試料像
信号に基づいて、前記平行直線に対する試料像S
の傾き角θを演算する手段と、 前記傾き角θおよび前記平行直線の基準直線
L0に対する傾き角αから、基準直線L0に対する
試料像Sの傾き角βを演算して出力する手段とを
具備したことを特徴とする走査電子顕微鏡。 2 試料像Sの傾き角が基準直線L0の傾き角と
一致するように、前記偏向手段を制御して走査方
向を回転させる手段をさらに具備したことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の走査電子顕微
鏡。 3 試料像Sの傾き角を基準直線L0の傾き角と
一致させるための走査方向に関する回転量を可視
表示する手段をさらに具備したことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の走査電子顕微鏡。 4 前記基準直線L0は、試料像Sが所望の向き
に揃うときの、当該試料像Sとの相対角度が既知
である試料像Tの傾き角と同一の傾き角に設定さ
れ、試料像Tの基準直線L0に対する傾き角βが
演算されるようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の走
査電子顕微鏡。 5 平行直線の間隔Ivおよび傾き角は操作者によ
つて設定されることを特徴とする特許請求の範囲
第1項ないし第4項のいずれかに記載の走査電子
顕微鏡。 6 平行直線の向きが電子線の走査方向Rと一致
したことを特徴とする特許請求の範囲第1項ない
し第5項のいずれかに記載の走査電子顕微鏡。 7 基準直線L0は走査方向Rと直交することを
特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第6項の
いずれかに記載の走査電子顕微鏡。 8 平行直線上の像信号のみが記憶手段に記載さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第1項ない
し第7項のいずれかに記載の走査電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62118756A JPS63284405A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62118756A JPS63284405A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 走査電子顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63284405A JPS63284405A (ja) | 1988-11-21 |
| JPH0587764B2 true JPH0587764B2 (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=14744278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62118756A Granted JPS63284405A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 走査電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63284405A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088082B2 (ja) * | 1989-06-22 | 1996-01-29 | 株式会社日立製作所 | 微小寸法測定方法および装置 |
| JP2002323311A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-08 | Seiko Instruments Inc | 荷電粒子ビーム装置による表面凹凸形状の観察方法 |
| JP2013105603A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5721830B2 (ja) * | 1973-06-04 | 1982-05-10 | ||
| JPS5847005B2 (ja) * | 1977-03-23 | 1983-10-20 | 富士通株式会社 | 位置検出法 |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP62118756A patent/JPS63284405A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63284405A (ja) | 1988-11-21 |
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Legal Events
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