JPH0611073B2 - 多層配線の形成方法 - Google Patents
多層配線の形成方法Info
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- JPH0611073B2 JPH0611073B2 JP62066564A JP6656487A JPH0611073B2 JP H0611073 B2 JPH0611073 B2 JP H0611073B2 JP 62066564 A JP62066564 A JP 62066564A JP 6656487 A JP6656487 A JP 6656487A JP H0611073 B2 JPH0611073 B2 JP H0611073B2
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は多層配線の形成方法に関し、特に金属配線間に
絶縁膜を設けて形成される半導体集積回路の多層配線の
形成方法に関する。
絶縁膜を設けて形成される半導体集積回路の多層配線の
形成方法に関する。
半導体集積回路における多層配線の実現のためには層間
膜の平坦化およびスルーホール部の金属の埋め込みが必
要である。層間膜の平坦化法としてはポリイミド等の塗
布膜を用いる方法があり、スルーホールの金属埋め込み
法としては無電解メッキによる方法がある。
膜の平坦化およびスルーホール部の金属の埋め込みが必
要である。層間膜の平坦化法としてはポリイミド等の塗
布膜を用いる方法があり、スルーホールの金属埋め込み
法としては無電解メッキによる方法がある。
上述したポリイミドによる層間平坦化法は、ポリイミド
イの微細加工が難しいため、スルーホールサイズが１．
０μｍ程度では開孔が困難である。また、メッキによる
スルーホールの穴埋めもスルーホールサイズが１．０μ
ｍ程度になると、アスペクト比が高くなるためメッキ液
がスルーホール底部まで十分に供給されず、スルーホー
ル埋め込み金属内部に「す」が生じてしまうという問題
がある。
イの微細加工が難しいため、スルーホールサイズが１．
０μｍ程度では開孔が困難である。また、メッキによる
スルーホールの穴埋めもスルーホールサイズが１．０μ
ｍ程度になると、アスペクト比が高くなるためメッキ液
がスルーホール底部まで十分に供給されず、スルーホー
ル埋め込み金属内部に「す」が生じてしまうという問題
がある。
本発明の目的は、このような問題点を解決し、平坦で多
層線間の断線のない多層配線の形成方法を提供すること
である。
層線間の断線のない多層配線の形成方法を提供すること
である。
本発明の多層配線の形成方法は、半導体基板の絶縁膜上
に形成された第１配線上に物理蒸着あるいは化学蒸着に
より第１の層間絶縁膜を形成する工程と、この第１の層
間絶縁膜上にフォトレジストを形成し、第１のスルーホ
ールを開孔する工程と、基板全面に無電解メッキのため
の触媒金属を蒸着する工程と、フォトレジストをリフト
オフ材としてリフトオフを行ない、スルーホール内部に
のみ触媒金属を残す工程を、触媒金属を用いて無電解メ
ッキを行ない第１のスルーホールをメッキ金属で埋める
工程と、基板全面に有機系塗布膜による第２の層間絶縁
膜を形成する工程と、第１のスルーホール上の第２の層
間絶縁膜に少なくとも第１のスルーホールより第２のス
ルーホールを開孔する工程と、メッキ金属により埋め込
まれた第１のスルーホールおよび第２のスルーホールを
介して第１配線と接続するように第２配線を形成する工
程とを含んで構成される。
に形成された第１配線上に物理蒸着あるいは化学蒸着に
より第１の層間絶縁膜を形成する工程と、この第１の層
間絶縁膜上にフォトレジストを形成し、第１のスルーホ
ールを開孔する工程と、基板全面に無電解メッキのため
の触媒金属を蒸着する工程と、フォトレジストをリフト
オフ材としてリフトオフを行ない、スルーホール内部に
のみ触媒金属を残す工程を、触媒金属を用いて無電解メ
ッキを行ない第１のスルーホールをメッキ金属で埋める
工程と、基板全面に有機系塗布膜による第２の層間絶縁
膜を形成する工程と、第１のスルーホール上の第２の層
間絶縁膜に少なくとも第１のスルーホールより第２のス
ルーホールを開孔する工程と、メッキ金属により埋め込
まれた第１のスルーホールおよび第２のスルーホールを
介して第１配線と接続するように第２配線を形成する工
程とを含んで構成される。
次に本発明を図面を参照して説明する。
第１図（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の一実施例の製造工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
まず、半導体基板１上に構成された絶縁膜２上に厚さ約
１．０μｍの第１のＡｌ配線３を形成し（第１図
（Ａ））、全面にプラズマ法で窒化膜４を厚さ５０００
Å成長し、フォトレジスト５を用いて所定の位置にサイ
ズが１．０μｍのスルーホールを開孔する（第１図
（Ｂ））。次に基板全面にＰｄ膜６を５００Åスパッタ
蒸着し（第１図（Ｃ））、フォトレジスト５をリフトオ
フしてスルホール部にのみＰｄ膜６が残るようにする
（第１図（Ｄ））。次に、Ｎｉの無電解メッキを行なう
が触媒であるＰｄ膜６の存在する場所だけＮｉが成長す
るためにスルーホール部がＮｉ７により埋め込まれる
（第１図（Ｅ））。次に基板全面にポリイミド前駆体を
塗布し焼成し、配線上で５０００Åとなるようにポリイ
ミド膜８を形成する（第１図（Ｆ））。次に窒化膜４に
開孔されたスルーホール上のポリイミド膜８にサイズ
１．５μｍのスルーホールを開孔し、第２のＡｌ配線９
を形成する（第１（Ｇ））。
１．０μｍの第１のＡｌ配線３を形成し（第１図
（Ａ））、全面にプラズマ法で窒化膜４を厚さ５０００
Å成長し、フォトレジスト５を用いて所定の位置にサイ
ズが１．０μｍのスルーホールを開孔する（第１図
（Ｂ））。次に基板全面にＰｄ膜６を５００Åスパッタ
蒸着し（第１図（Ｃ））、フォトレジスト５をリフトオ
フしてスルホール部にのみＰｄ膜６が残るようにする
（第１図（Ｄ））。次に、Ｎｉの無電解メッキを行なう
が触媒であるＰｄ膜６の存在する場所だけＮｉが成長す
るためにスルーホール部がＮｉ７により埋め込まれる
（第１図（Ｅ））。次に基板全面にポリイミド前駆体を
塗布し焼成し、配線上で５０００Åとなるようにポリイ
ミド膜８を形成する（第１図（Ｆ））。次に窒化膜４に
開孔されたスルーホール上のポリイミド膜８にサイズ
１．５μｍのスルーホールを開孔し、第２のＡｌ配線９
を形成する（第１（Ｇ））。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。製造方
法は第１の実施例と同じであるが窒化膜の代わりにスパ
ッタ法により酸化膜１４を２０００Å形成し、ポリイミ
ド膜１７は８０００Åとなっている。メッキ膜厚を６０
００Åとしているため、メッキ形状は図に示すようなも
のとなる。この第２の実施例では窒化膜を使っていない
ため、配線容量が低いという利点がある。
法は第１の実施例と同じであるが窒化膜の代わりにスパ
ッタ法により酸化膜１４を２０００Å形成し、ポリイミ
ド膜１７は８０００Åとなっている。メッキ膜厚を６０
００Åとしているため、メッキ形状は図に示すようなも
のとなる。この第２の実施例では窒化膜を使っていない
ため、配線容量が低いという利点がある。
以上説明したように、本発明は最終的な層間膜厚の約半
分の深さのスルーホールを無電解メッキにより埋め込ん
でいるため、スルーホールのアスペクト化が高くなって
も完全に埋め込むことができる。また、第２の層間膜の
ポリイミド膜をエッチングする際第１の層間膜のＳｉＮ
膜やＳｉＯ2膜はほとんどエッチングされていないた
め、多少の目ズレやオーバーエッチに対して問題は起ら
ない。これらのことから、第２Ａｌ配線のスパッタの際
のスルーホール部での第２の配線の断線を防ぐことがで
きる。さらに、ポリイミド膜を用いているため第Ａｌ配
線による段差が緩和され、配線段部での第２配線も生じ
ない。
分の深さのスルーホールを無電解メッキにより埋め込ん
でいるため、スルーホールのアスペクト化が高くなって
も完全に埋め込むことができる。また、第２の層間膜の
ポリイミド膜をエッチングする際第１の層間膜のＳｉＮ
膜やＳｉＯ2膜はほとんどエッチングされていないた
め、多少の目ズレやオーバーエッチに対して問題は起ら
ない。これらのことから、第２Ａｌ配線のスパッタの際
のスルーホール部での第２の配線の断線を防ぐことがで
きる。さらに、ポリイミド膜を用いているため第Ａｌ配
線による段差が緩和され、配線段部での第２配線も生じ
ない。
第１図（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の第１の実施例の工程を
示す断面図，第２図は本発明の第２の実施例を示す断面
図である。 １，１１……半導体基板、２，１２……絶縁膜、３，１
３……第２Ａｌ配線、４……窒化膜、５……フォトレジ
スト、６，１５……パラジウム膜、７，１６……ニッケ
ル、８，１７……ポリイミド膜、９，１８……第２Ａｌ
配線、１４……酸化膜。
示す断面図，第２図は本発明の第２の実施例を示す断面
図である。 １，１１……半導体基板、２，１２……絶縁膜、３，１
３……第２Ａｌ配線、４……窒化膜、５……フォトレジ
スト、６，１５……パラジウム膜、７，１６……ニッケ
ル、８，１７……ポリイミド膜、９，１８……第２Ａｌ
配線、１４……酸化膜。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板の絶縁膜上に形成された第１配
線上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、該第１の層
間絶縁膜上にフォトレジストを形成し第１のスルーホー
ルを開孔する工程と、基板全面に無電解メッキのための
触媒金属を蒸着する工程と、前記フォトレジストをリフ
トオフ材としてリフトオフを行ないスルーホール内部に
のみ触媒金属を残す工程と、該触媒金属を用いて無電解
メッキを行ない前記第１のスルーホールを金属で埋める
工程と、基板全面に有機系塗布膜による第２の層間絶縁
膜を形成する工程と、前記第１のスルーホール上の該第
２の層間絶縁膜に第２のスルーホールを少なくとも第１
のスルーホールより大きく開孔する工程と、金属により
埋め込まれた第１のスルーホールおよび第２のスルーホ
ールを介して第１配線と接続するように第２配線を形成
する工程とを含む多層配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066564A JPH0611073B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 多層配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066564A JPH0611073B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 多層配線の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229840A JPS63229840A (ja) | 1988-09-26 |
| JPH0611073B2 true JPH0611073B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=13319569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62066564A Expired - Lifetime JPH0611073B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 多層配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0611073B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100220297B1 (ko) * | 1991-12-02 | 1999-09-15 | 김영환 | 다층금속 배선구조의 콘택제조방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53121489A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-23 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS57170524A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-20 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS62172741A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多層配線の形成方法 |
| JPH0727901B2 (ja) * | 1986-03-28 | 1995-03-29 | 沖電気工業株式会社 | 多層配線の形成方法 |
| JPS62298136A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP62066564A patent/JPH0611073B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63229840A (ja) | 1988-09-26 |
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