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JPH0616108B2 - 半導体放射線位置検出装置 - Google Patents
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JPH0616108B2 - 半導体放射線位置検出装置 - Google Patents

半導体放射線位置検出装置

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JPH0616108B2
JPH0616108B2 JP24905083A JP24905083A JPH0616108B2 JP H0616108 B2 JPH0616108 B2 JP H0616108B2 JP 24905083 A JP24905083 A JP 24905083A JP 24905083 A JP24905083 A JP 24905083A JP H0616108 B2 JPH0616108 B2 JP H0616108B2
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2914Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2921Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
    • G01T1/2928Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using solid state detectors

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Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 この発明は、半導体放射線位置検出装置の改良に関する
もので、この半導体放射線位置検出装置は、たとえば核
医学診断で通常使用されているシンチレーションカメラ
やエミッションCT装置(コンピュータ断層撮影装置)
のように特定のエネルギの放射線の2次元的位置を検出
することによって特定のRI核種の分布イメージを得る
のに有用であり、あるいは他に理工学の分野等で使用さ
れる。
(ロ)従来技術 従来の2次元的な半導体放射線位置検出装置は、たとえ
ば検出画素がn×nの行列配置の場合その1つ1つの画
素にプリアンプを設けてはnが大きいと非常に高価で複
雑となるため、一般に直交短冊型電極方式(Checker-Bo
ard-Type)のように、各行、各列毎に信号線を共通化し
て、各行毎および各列毎に共通に信号を取り出すように
している。この場合、各行、各列毎にプリアンプを設け
る方法(すなわちプリアンプ数は2n個)のほかに、抵
抗電荷分割方式や遅延線による時間差測定方式のように
プリアンプをさらに減少させる方法(たとえばプリアン
プ数は4個)などがある。この中で、各行、各列毎にプ
リアンプを設ける方式が本質的に空間分解能が最も優れ
ているが、従来では、一般にプリアンプのほかに波形整
形増幅器とディスクリミネータ(波高弁別をなすもので
シングルチャネルアナライザを使用することもできる)
も各行、各列毎に必要となり、あまりnが大きい場合に
は回路の複雑化と高コスト化を招くという欠点がある。
つぎに、この各行、各列毎にプリアンプを設ける方式の
半導体放射線位置検出装置の従来例について説明する。
ここでは説明の便宜上検出画素が16×16のマトリク
スの場合であるとする。第1図は、代表的な直交短冊型
電極方式(Checker-Board-Type)を用いた半導体検出部
を示し、放射線検出用半導体基板1はGeやSiの元素
半導体かCdTeやHgI等の化合物半導体よりな
り、接地側電極(仮想的接地の場合も含む)21〜21
6とバイアス印加側電極31〜316の互いに対向する
平行平板電極ではさまれ、ガンマ線等の測定すべき放射
線は図示されていないコリメータを通してどちらか一方
の電極面(第1図ではバイアス印加側電極面)から入射
される(特に通常良く用いられる平行多孔コリメータの
場合は上記電極面に対して垂直な方向から入射され
る)。なお、半導体基板1は、Ge,Si等では高純度
半導体の空乏層またはリチウムイオン等で補償した真性
領域でなり、各電極21〜216、31〜316はp
またはn層を有するが、Hgl及び高抵抗型CdT
eの場合は絶縁性が高いため基板1が結晶自身であり、
各電極21〜216、31〜316はPd,Ge等の蒸
着やアカダック塗布等で形成されている。
接地側電極はX方向に分割された16個の短冊状電極2
1〜216で構成され、各電極21〜216は直流結合
により対応するプリアンプ6a1〜6a16の各々に接
続され、これらから電圧出力VX1〜VX16の各々が
得られる。接地側電極21〜216は実際に抵抗を通し
て接地されてもまたはプリアンプ6a1〜6a16によ
り仮想的に接地されてもよい。バイアス印加側電極は、
X方向と直交するY方向に分割された16個の短冊状電
極31〜316で構成され、、各電極31〜316はそ
れぞれ対応するバイアス抵抗41〜416を通して高圧
電源に接続されており、また、各コンデンサ51〜51
6を通して対応するプリアンプ6b1〜6b16に交流
結合でそれぞれ接続され、電圧出力VY1〜VY16の
各々が得られる。したがって、半導体基板1内のどこか
で放射線が吸収されると、その放射線のエネルギに比例
する量の多数の電子−正孔対が生じ、電子群と正孔群は
各々反対方向に移動し、最も近い位置の電極(つまり電
極21〜216のいずれかと電極31〜316のいずれ
か)に接近し、到着する。プリアンプ6a1〜6a1
6,6b1〜6b16はたとえば電荷感度型プリアンプ
であり、その出力段に電圧増幅段または波形整形電圧増
幅段を含んでいてもよい。上記放射線に起因して、その
入射位置に最近接の電極2i,3j(但しi,jは1≦
i,j≦16の整数)には電荷が誘起され、その結果対
応するプリアンプ6ai,6bjから電圧信号が出力さ
れることにより、上記放射線の入射位置を識別すること
ができる。
各プリアンプ出力VX1〜VX16、VY1〜VY16
の処理回路は従来ではたとえば第2図のように構成され
ていた。この第2図で、X方向の位置情報を有する各プ
リアンプの出力VX1〜VX16は、対応する各波形整
形増幅器7a1〜7a16に入力され、出力信号VE1
〜VE16がそれぞれ得られる。各ディスクリミネータ
8a1〜8a16は、コンパレータ等で構成され、入力
された信号VE1〜VE16が予め設定されたスレッシ
ョルド電圧VTHを越えるときのみデジタルパルス信号
Px1〜Px16をそれぞれ出力する。このデジタルパ
ルス信号Px1〜Px16はOR回路9a、ラッチ回路
11aおよびアナログ・マルチプレクサ15の制御側に
入力される。デジタルパルス信号Px1〜Px16のう
ち少なくとも1つ以上が出力されたときOR回路9aか
らパルス信号T1xが出力され、この信号T1xは同時
計数およびタイミング制御回路10に入力され、通常は
対応する信号T2xがすみやかにこの同時計数およびタ
イミング制御回路10よりラッチ回路11aに伝達され
てこのラッチ回路11aの内容を固定する(ラッチ回路
11aはD型ラッチ回路またはD型フリップフロップで
構成される)。固定されたラッチ回路11aの出力は、
エンコーダ12aに入力されてコード化された後にラッ
チ回路13aに入力される一方、同時計数およびタイミ
ング制御回路10にも入力され、デジタルパルス信号P
x1〜Px16のうち2個以上が同時に出力されていな
いかどうかを識別する(たとえばパリティ・ジェネレー
タ/チェッカーIC等を利用して識別する)。
同様に、Y方向の位置情報を有する各プリアンプの出力
VY1〜VY16は対応する波形整形増幅器7b1〜7
b16に入力され、得られた各信号VE1′〜VE1
6′はそれぞれ対応する各ディスクリミネータ8b1〜
8b16に入力され、上記スレッショルド電圧VTHを
越えるときのみデジタルパルス信号Py1〜Py16が
それぞれ出力される。このデジタルパルス信号Py1〜
Py16はOR回路9b、ラッチ回路11bに入力さ
れ、デジタルパルス信号Py1〜Py16のうち少なく
とも1つ以上が出力されたときOR回路9bからパルス
信号T1yが出力され、この信号T1yは同時計数およ
びタイミング制御回路10に入力され、通常は対応する
信号T2yがすみやかにこの同時計数およびタイミング
制御回路10よりラッチ回路11bに伝達されてこのラ
ッチ回路11bの内容を固定する。固定されたラッチ回
路11bの出力は、エンコーダ12bに入力されてコー
ド化された後にラッチ回路13bに入力される一方、同
時計数およびタイミング制御回路10にも入力され、デ
ジタルパルス信号Py1〜Py16のうち2個以上が同
時に出力されていないかどうかを識別する。
また、アナログ・マルチプレクサ15のデータ側には信
号VE1〜VE16が入力され、このアナログ・マルチ
プレクサ15は、ディスクリミネータ8a1〜8a16
の各々のうちパルス信号を出力したディスクリミネータ
に対応する波形整形増幅器つまり波形整形増幅器7a1
〜7a16のいずれかの出力信号のみを、後続の主増幅
器16に通すアナログ・スイッチで構成されており、信
号VE1〜VE16の各信号を単純に加算して主増幅器
16に入力する場合に比べて雑音を減少させる(すなわ
ちエネルギ分解能の低下を防ぐ)働きをする。
主増幅器16の出力であるエネルギ信号Zは、波高分析
器17に入力され、予め設定された1個または複数個の
エネルギ範囲(窓)内に含まれているか否かが判定さ
れ、含まれているときは信号Sを同時計数およびタイミ
ング制御回路10に入力する。
この同時計数およびタイミング制御回路10では、 信号Px1〜Px16のうち1個だけが出力されてい
ること、 信号Py1〜Py16のうち1個だけが出力されてい
ること、 信号T1xに関する信号と、信号T1yに関する信号
とが一定の時間範囲内で同時であること(すなわち同時
計数)、 信号Sが波高分析器17から出力されていること、 の4つの条件が満たされているか否かの判定を行ない、
これらが全て満たされているとき信号T3が出力されて
ラッチ回路13a,13bの内容を固定し、さらに一定
時間後にアンブランク信号が出力され、CRT表示装置
18に入力される。固定されたラッチ回路13a,13
bの各出力Dig.XおよびDig.Yはデジタル位置
信号であり、それぞれD/A変換器およびドライバ14
a,14bでアナログ位置信号X、Yに変換され、CR
T表示装置18へ入力され、2次元のイメージが表示さ
れる。
なお、この第2図では説明を簡略化するために省略した
が、ラッチ回路13a,13bにおいて、上記エンコー
ダ12a,12bの出力であるコード化信号は上位ビッ
ト部に入力し、乱数発生器(たとえばカウンタ等を利用
して構成できる)の出力を下位ビット部に入力して、両
方合わせてD/A変換することにより、画素毎にイメー
ジが集中することを防いで、見易いものとすることが実
際には必要である。
同時計数およびタイミング制御回路10では、信号T1
x(またはT1y)が入力されて信号T2y(またはT
2y)が生じる場合、その後に続いて起きた別の事象に
起因する信号T1x(またはT1y)が入力されても前
事象に関する処理時間の間は受け付けを禁止、すなわち
後の信号に関して信号T2x(またはT2y)を発生し
ないように構成され、また信号Gをアナログ・マルチプ
レクサ15に与えてスイッチ状態を一定時間の間固定す
るように構成される。さらに、上記4条件のいずれか1
つでも満たされない場合には直ちにリセット状態に戻る
ように構成されているものとする。
また、第2図の代わりに、第3図のようにエネルギ信号
用の波形整形に、波形整形増幅器7a1〜7a16を使
用せず、主増幅器16のみを使用してもよい。
さらに、第2図における波形整形増幅器7a1〜7a1
6の部分を、ディスクリミネータ8a1〜8a16への
入力用の波形整形増幅器(たとえば時定数が短い)と、
エネルギ信号用すなわちアナログ・マルチプレクサ15
への入力用の波形整形増幅器(たとえば時定数が長い)
との2種類に分けて構成することも考えられる。
(ハ)目的 この発明は、前述のような各行毎および各列毎にプリア
ンプを設けるタイプにおいて、行数、列数が多い場合に
回路を簡素化するとともにその結果低コスト化すること
ができる半導体放射線位置検出装置を提供することを目
的とする。
(ニ)構成 この発明による半導体放射線位置検出装置においては、
放射線検出用半導体基板を互いに対向する2つの電極で
挟んでなる検出画素を複数個マトリクス的に配列した組
立体と、 これらの対向電極のうちの一方より上記マトリクスの行
毎に共通に設けたプリアンプを介して行毎の出力を取り
出す行方向信号取り出し手段と、 上記対向電極のうちの他方より上記マトリクスの列毎に
共通に設けたプリアンプを介して列毎の出力を取り出す
列方向信号取り出し手段と、 上記行方向信号取り出し手段より取り出された行毎の出
力を複数個ずつグループ化して複数個のブロックに分け
て、その各ブロック内の複数個の出力が導かれる各ブロ
ック毎の第1の行方向加算手段と、 該第1の行方向加算手段の各々の出力がそれぞれ入力さ
れる各ブロック毎の第1の行方向波高弁別手段と、 該第1の行方向波高弁別手段からの出力が入力され、ど
の行方向ブロックの出力であるかを表わす行方向の第1
のコード信号を得る第1の行方向エンコーダと、 上記の行毎の出力に関するすべてのブロックにつき同一
順序で各ブロック内の複数出力にそれぞれ番号を付して
その付された番号が同じである出力同士を加算する各番
号毎の第2の行方向加算手段と、 該第2の行方向加算手段の各々の出力がそれぞれ入力さ
れる各番号毎の第2の行方向波高弁別手段と、 該第2の行方向波高弁別手段からの出力が入力され、ど
の番号の出力であるかを表わす行方向の第2のコード信
号を得る第2の行方向エンコーダと、 これら第1、第2のコード信号によりどの行で出力が生
じたかを表わす行方向位置信号を得る行方向位置信号出
力手段と、 上記列方向信号取り出し手段より取り出された列毎の出
力を複数個ずつグループ化して複数個のブロックに分け
て、その各ブロック内の複数個の出力が導かれる各ブロ
ック毎の第1の列方向加算手段と、 該第1の列方向加算手段の各々の出力がそれぞれ入力さ
れる各ブロック毎の第1の列方向波高弁別手段と、 該第1の列方向波高弁別手段からの出力が入力され、ど
の列方向ブロックの出力であるかを表わす列方向の第1
のコード信号を得る第1の列方向エンコーダと、 上記の列毎の出力に関するすべてのブロックにつき同一
順序で各ブロック内の複数出力にそれぞれ番号を付して
その付された番号が同じである出力同士を加算する各番
号毎の第2の列方向加算手段と、 該第2の列方向加算手段の各々の出力がそれぞれ入力さ
れる各番号毎の第2の列方向波高弁別手段と、 該第2の列方向波高弁別手段からの出力が入力され、ど
の番号の出力であるかを表わす列方向の第2のコード信
号を得る第2の列方向エンコーダと、 これら第1、第2のコード信号によりどの列で出力が生
じたかを表わす列方向位置信号を得る列方向位置信号出
力手段と、 上記対向する電極のうちの一方の側からの出力と他方の
側からの出力とが所定の時間範囲内で同時であるか否か
を検出する同時計数手段と、 上記対向電極の少なくとも一方の側から得たエネルギ信
号が1個以上の所定のエネルギ範囲に入っているか否か
を識別する波高分析手段と が備えられていることが特徴となっている。
(ホ)実施例 第4図はこの発明の一実施例を示すものであるが、第2
図の回路においてX方向とY方向の信号処理がエネルギ
信号の関係を除いて同じであったのと同様に、以下に述
べる実施例でもX方向とY方向の信号処理は同じである
とし、簡単化のため第4図ではX方向の信号処理に関し
てのみ図示している。また、主増幅器16および波高分
析器17の部分は第2図の場合と同様であり、ラッチ回
路13a,13b以降も第2図の場合と同様である。第
4図は、特に、X方向の位置情報を有する各プリアンプ
出力VX1〜VX16を4ずつにまとめ、VX1〜VX
4のブロック、VX5〜VX8のブロック、VX9〜V
X12のブロック、VX13〜VX16のブロックの4
つのブロックに分けた場合の例を示している。
第1のブロック内の信号VX1〜VX4は加算器100
a1に入力され、その加算出力が波形整形増幅器107
a1に入力され、出力信号VE1uが得られる。同様
に、第2のブロック内の信号VX5〜VX8、第3のブ
ロック内の信号VX9〜VX12および第4のブロック
内の信号VX13〜VX16は、それぞれ対応する加算
器100a2,100a3および100a4を経て対応
する波形整形増幅器107a2,107a3および10
7a4に入力され、出力信号VE2u,VE3uおよび
VE4uがそれぞれ得られる。また、各ブロック内の第
1番の信号VX1,VX5,VX9およびVX13のグ
ループは加算器100a1′にも入力され、その加算出
力は波形整形増幅器107a1′に入力され、出力信号
VE1lが得られる。同様に、各ブロック内の第2番の
信号VX2,VX6,VX10およびVX14、第3番
の信号VX3,VX7,VX11およびVX15,およ
び第4番の信号VX4,VX8,VX12およびVX1
6の各グループは、それぞれ対応する加算器100a
2′,100a3′および100a4′を経て対応する
波形整形増幅器107a2′,107a3′および10
7a4′に入力され、各出力信号VE21,VE31お
よびVE41が得られる。
ディスクリミネータ108a1〜108a4,108a
1′〜108a4′の各々は、入力された信号VE1u
〜VE4u,VE1l〜VE4lのそれぞれが予め設定
されたスレッショルド電圧VTHを越えるときのみデジ
タルパルス信号Px1u〜Px4u,Px1l〜Px4
lをそれぞれ出力する。信号Px1u〜Px4uはOR
回路109a,ラッチ回路111aおよびアナログ・マ
ルチプレクサ115の制御側に入力され、信号Px1l
〜Px4lはOR回路109a′,ラッチ回路111
a′およびアナログ・マルチプレクサ115,の制御側
に入力される。信号Px1u〜Px4uのうち少なくと
も1個以上の信号が出力されたときはOR回路109a
からパルス信号T1xuが出力され、この信号T1xu
は同時計数およびタイミング制御回路110に入力さ
れ、通常は対応する信号T2xuがすみやかに該回路1
10よりラッチ回路111aに伝達されてラッチ回路1
11aの内容を固定する。同様に信号Px1l〜Px4
lのうち少なくとも1個以上の信号が出力されたときは
OR回路109a′からパルス信号T1xが出力され、
この信号T1xlは同時計数およびタイミング制御回路
110に入力され、通常は対応する信号T2xlがすみ
やかに該回路110よりラッチ回路111a′に伝達さ
れてラッチ回路111a′の内容を固定する。固定され
たラッチ回路111a,111a′の出力は、それぞれ
対応するエンコーダ112a,112a′に入力されて
コード化される。エンコーダ112aからのコード信号
はラッチ回路13aの上位ビット部に、またエンコーダ
112a′からのコード信号はラッチ回路13aの下位
ビット部にそれぞれ入力される。またラッチ回路111
a,111a′の出力は同時計数およびタイミング制御
回路110にも入力され、信号Px1u〜Px4uのう
ち2個以上の信号が同時に出力されていないかどうか、
また信号Px1l〜Px4lのうち2個以上の信号が同
時に出力されていないかどうか、の識別がなされる。
Y方向に関しても同様であり、信号T1yu,T1y
l,T2yu,T2ylの各々はX方向に関する信号T
1xu,T1xl,T2xu,T2xlの各々に対応
し、またディスクリミネータ108b1〜108b4,
108b1′〜108b4′の各デジタルパルス信号P
y1u〜Py4u、Py1l〜Py4lはX方向に関す
る信号Px1u〜Px4u、Px1l〜Px4lの各々
に対応して存在する。
また、アナログ・マルチプレクサ115、115′のデ
ータ側には信号VE1u〜VE4u、VE1l〜VE4
lがそれぞれ入力され、信号Px1u〜Px4uおよび
信号Px1l〜Px4lによってそれぞれ選択された信
号のみが通過させられる。さらに、アナログ・アルチプ
レクサ115,115′の各出力は加算器101で加算
された後に主増幅器16に入力される。主増幅器16と
波高分析器17は第2図の場合と同様で、信号Sが同時
計数およびタイミング制御回路110に入力される。
同時計数およびタイミング制御回路110では、 信号Px1u〜Px4uのうち1個だけが出力されて
いること、 信号Px1l〜Px4lのうち1個だけが出力されて
いること、 信号Py1u〜Py4uのうち1個だけが出力されて
いること、 信号Py1l〜Py4lのうち1個だけが出力されて
いること、 信号T1xu,T1xl,T1yuおよびT1ylに
関する各タイミング信号が、4個全てについて、一定の
時間範囲内で同時であること(すなわち同時計数)、 信号Sが波高分析器17から出力されていること、 の6つの条件の全てが満足されているときに、信号T3
が出力され、ラッチ回路13a,13bの内容を固定
し、さらに一定時間後にアンブランク信号が出力され
る。なお、ラッチ回路13a,13b、D/A変換器お
よびドライバ14a,14b,およびCRT表示装置1
8に関しては第2図と同様である。また連続して信号T
1xu(またはT1xl,T1yu,T1yl)が発生
したときの処理、すなわち後事象に関する受け付けの禁
止や、信号Gおよびリセット処理に関しては第2図と同
様である。
以上は説明の便宣上、16×16のマトリクスの場合に
ついて説明したが、他の配列の場合にも同様に適用でき
ることは勿論である(行の数と列の数が異なっていても
よい)。たとえば256×256のマトリクスの場合に
も適用でき、このように数の多い場合には特に効果的で
ある。すなわち、従来(第2図)では256×2=51
2個の波形整形増幅器とディスクリミネータとが必要で
あるが、この発明によれば16×16=256により、
16個ずつの16のブロックに分け、16×2×2=6
4個でよくなる。
また、上記の説明は1つの実施例を示すもので、趣旨を
逸脱しない範囲で構成的に種々の変更が可能である。
たとえば、第4図では波形整形増幅器からディスクリミ
ネータの範囲全体に関してブロック分けして共通化する
ようにしているが、波形整形増幅器の後半部分とディス
クリミネータの範囲に関して、またはディスクリミネー
タのみの範囲に関して、ブロック分けして共通化するよ
うにしてもよい。また、第4図では加算器101が独立
して示されているが、アナログ・マルチプレクサ11
5,115′は加算器の入力部にアナログスイッチを付
加して構成できるため、加算器101はアナログ・マル
チプレクサ115、115′と合成できる。また、エネ
ルギ信号Zは、第4図では、両アナログ・マルチプレク
サ115、115′の出力の和に関連して作られている
が、アナログ・マルチプレクサ115,115′の一方
のみの出力を使用してもよいし、またアナログ・マルチ
プレクサ出力を使用せず単純にVE1u〜VE4uおよ
び/またはVE1l〜VE1lを加算してもよい。さら
にY方向に関する波形整形増幅器の各出力をエネルギ信
号に利用することもできる。各ディスクリミネータに与
えるスレッショルド電圧VTHは、第4図では全て共通
になっているが、X方向とY方向とで区別したり、各ブ
ロック毎のディスクリミネータ108a1〜108a4
と、ブロック内同一番号のディスクリミネータ108a
1′〜108a4′とで区別してもよい。また、スレッ
ショルド電圧VTHを波高分析器17に与えるエネルギ
窓の下限レベルに依存して変化させるよう構成すること
もできる。さらに、ディスクリミネータの代りにシング
ルチャネルアナライザ等を用いてもよい。
また、従来の第3図の構成に対応した第5図のような構
成も考えられる。
さらに、第4図の構成において波形整形増幅器107a
1〜107a4、107a1′〜107a4′の部分
を、ディスクリミネータ108a1〜108a4、10
8a1′、108a4′への入力用の波形整形増幅器
(たとえば時定数が短い)と、エネルギ信号用すなわち
アナログ・マルチプレクサ115、115′への入力用
の波形整形増幅器(たとえば時定数が長い)との2種類
に分けて構成することも考えられる(従来の第3図に対
応)。
また、第1図に示した例とは異なる半導体検出部を使用
してもよい。たとえば、第1図に示したような基板1を
複数個配列し、同一のXまたはY座標を示す各電極を、
異なる基板間で互いに接続してするよう構成してもよ
い。なお、第1図では隣接する電極間のクロストークを
防ぐために電極分割部に溝を形成しているが、このよう
な溝を形成せず電極部分のみ分割するようにしてもよ
い。また、各半導体基板が陽極と陰極とを1個ずつ有
し、このような基板を複数個配列し、同一のX(または
Y)座標を示す各陽極を互いに接続するとともに同一の
Y(またはX)座標を示す各陰極を互いに接続するとい
う構成をとることもできる。一般には、一方の電極面側
から放射線を入射させるが、電極面に対して平行な方向
から放射線を入射するような構成の半導体検出部に対し
ても適用可能である。
また、第1図等の半導体検出部をリング型または六角形
状に配置することにより多層スライスのエミッションC
T装置に適用することも可能である。
(ヘ)効果 この発明によれば、回路が簡単になり、そのため部品
数、配線量および基板数の減少が図れ、その結果低コス
ト化が可能で、しかも装置全体の小型化もできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は代表的な半導体検出部の模式図、第2図及び第
3図は従来の回路部のブロック図、第4図はこの発明の
一実施例にかかる回路部のブロック図、第5図は変形例
にかかる回路部のブロック図である。 1……放射線検出用半導体基板 21〜216、31〜316……電極 6a1〜6a16,6b1〜6b16……プリアンプ 7a1〜7a16,7b1〜7b16,107a1〜1
07a4,107a1′〜107a4′……波形整形増
幅器 8a1〜8a16,8b1〜8b16,108a1〜1
08a4,108al’〜108a4′……ディスクリ
ミネータ 100a1…100a4,100a1′〜100a
4′,101……加算器 17……波高分析器

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】放射線検出用半導体基板を互いに対向する
    2つの電極で挟んでなる検出画素を複数個マトリクス的
    に配列した組立体と、 これら対向電極のうちの一方より上記マトリクスの行毎
    に共通に設けたプリアンプを介して行毎の出力を取り出
    す行方向信号取り出し手段と、 上記対向電極のうちの他方より上記マトリクスの列毎に
    共通に設けたプリアンプを介して列毎の出力を取り出す
    列方向信号取り出し手段と、 上記行方向信号取り出し手段より取り出された行毎の出
    力を複数個ずつグループ化して複数個のブロックに分け
    て、その各ブロック内の複数個の出力が導かれる各ブロ
    ック毎の第1の行方向加算手段と、 該第1の行方向加算手段の各々の出力がそれぞれ入力さ
    れる各ブロック毎の第1の行方向波高弁別手段と、 該第1の行方向波高弁別手段からの出力が入力され、ど
    の行方向ブロックの出力であるかを表わす行方向の第1
    のコード信号を得る第1の行方向エンコーダと、 上記の行毎の出力に関するすべてのブロックにつき同一
    順序で各ブロック内の複数出力にそれぞれ番号を付して
    その付された番号が同じである出力同士を加算する各番
    号毎の第2の行方向加算手段と、 該第2の行方向加算手段の各々の出力がそれぞれ入力さ
    れる各番号毎の第2の行方向波高弁別手段と、 該第2の行方向波高弁別手段からの出力が入力され、ど
    の番号の出力であるかを表わす行方向の第2のコード信
    号を得る第2の行方向エンコーダと、 これら第1、第2のコード信号によりどの行で出力が生
    じたかを表わす行方向位置信号を得る行方向位置信号出
    力手段と、 上記列方向信号取り出し手段より取り出された列毎の出
    力を複数個ずつグループ化して複数個のブロックに分け
    て、その各ブロック内の複数個の出力が導かれる各ブロ
    ック毎の第1の列方向加算手段と、 該第1の列方向加算手段の各々の出力がそれぞれ入力さ
    れる各ブロック毎の第1の列方向波高弁別手段と、 該第1の列方向波高弁別手段からの出力が入力され、ど
    の列方向ブロックの出力であるかを表わす列方向の第1
    のコード信号を得る第1の列方向エンコーダと、 上記の列毎の出力に関するすべてのブロックにつき同一
    順序で各ブロック内の複数出力にそれぞれ番号を付して
    その付された番号が同じである出力同士を加算する各番
    号毎の第2の列方向加算手段と、 該第2の列方向加算手段の各々の出力がそれぞれ入力さ
    れる各番号毎の第2の列方向波高弁別手段と、 該第2の列方向波高弁別手段からの出力が入力され、ど
    の番号の出力であるかを表わす列方向の第2のコード信
    号を得る第2の列方向エンコーダと、 これら第1、第2のコード信号によりどの列で出力が生
    じたかを表わす列方向位置信号を得る列方向位置信号出
    力手段と、 上記対向する電極のうちの一方の側からの出力と他方の
    側からの出力とが所定の時間範囲内で同時であるか否か
    を検出する同時計数手段と、 上記対向電極の少なくとも一方の側から得たエネルギ信
    号が1個以上の所定のエネルギ範囲に入っているか否か
    を識別する波高分析手段と を有することを特徴とする半導体放射線位置検出装置。
  2. 【請求項2】n,mを任意の正の整数としたとき、上記
    マトリクスの行または列の数は2n+mであり、 上記の行または列方向信号取り出し手段により取り出さ
    れた2n+m個の出力は2m個ずつにグループ化されて2n
    個のブロックに分けられており、 上記第1の行または列方向エンコーダは、2個のブロ
    ックのどのブロックの出力であるかを表わす第1のnビ
    ットのコード信号を出力するよう構成され、 上記第2の行または列方向エンコーダは、各ブロック内
    の2m個の出力のどの番号の出力であるかを表わす第2
    のmビットのコード信号を出力するよう構成されてお
    り、 さらに、上記の行または列方向位置信号出力手段は、上
    記nビットのコード信号を上位ビット、mビットのコー
    ド信号を下位ビットとして信号合成することにより、行
    または列に関する2n+m個の出力のいずれの出力である
    かを表わすn+mビットの行または列方向位置信号を得
    るよう構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の半導体放射線位置検出装置。
  3. 【請求項3】上記第1の行方向加算手段と第1の行方向
    波高弁別手段との間にはブロック毎の第1の行方向波形
    整形増幅手段が挿入され、 上記第2の行方向加算手段と第2の行方向波高弁別手段
    との間には番号毎の第2の行方向波形整形増幅手段が挿
    入され、 上記第1の列方向加算手段と第1の列方向波高弁別手段
    との間にはブロック毎の第1の列方向波形整形増幅手段
    が挿入され、 上記第2の列方向加算手段と第2の列方向波高弁別手段
    との間には番号毎の第2の列方向波形整形増幅手段が挿
    入されている ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体放
    射線位置検出装置。
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